Tranzistoare bipolare

a) Structura intern. Simboluri

Tranzistorul bipolar (TB) este constituit din trei straturi semiconductoare cu dopare alternant (NPN sau PNP),
care determin dou jonciuni PN (fig.1). Prin urmare, dou configuraii sunt posibile: tranzistorul bipolar NPN i
tranzistorul bipolar PNP. Terminalele tranzistorului se numesc emitor (E), baz (B), colector (C).

Fig.1
TB tip NPN

TB tip PNP
iC

iE
E

Fig.3a

iC

iE
E

iB

iB

Fig.2

Fig.3b

b) Regimuri de funcionare

n funcie de polarizarea jonciunilor baz-emitor (jBE) i baz-colector (jBC) ale unui TB, pot fi stabilite patru
regimuri de funcionare, dintre care se utilizeaz n aplicaii urmtoarele 3 :
 regimul activ normal (RAN) - atunci cnd jBE este polarizat direct i jBC este polarizat invers; TB conduce ;
 regimul de saturaie (RS) - atunci cnd ambele jonciuni sunt polarizate direct; TB este saturat ;
 regimul de blocare (RB) - atunci cnd ambele jonciuni sunt polarizate invers ; TB este blocat.

n RAN, sensurile normale ale curenilor prin terminale sunt cele din fig.2 i conduc la ecuaia i E = i C + i B .

ntre tensiunile dintre terminalele TB se poate scrie relaia u CE + u EB + u BC = 0 .

RAN se folosete n aplicaiile liniare (amplificatoare, stabilizatoare), iar RS i RB n circuitele numerice.

n RAN, I C = N I E + I CB0 . Coeficientul N este subunitar i apropiat de 1. Dac se exprim IC=f(IB), se
obine I C = N I B + (1 + N ) I CB0 = N I B + I CE 0 N I B . ntruct coeficientul N are valori de ordinul
10 100 , se observ funcia de amplificare n curent pe care o asigur TB.

RS i RB se folosesc n circuitele numerice ; modelul simplificat al unui TB blocat este cel din fig.3a, iar al
unui TB saturat este cel din fig.3b.
c) Condiia de semnal mic. Modelul cu parametri hibrizi





Regimul variabil de semnal mic este regimul variabil al TB n care este ndeplinit condiia de semnal mic :
u be U T i u bc U T , unde U T 25mV .
Pentru descrierea comportrii TB la variaii mici, de frecvene joase i medii, este preferat modelul cu
parametri hibrizi.
Modelul cu parametri hibrizi este reprezentat n fig.4b i corespunde reprezentrii dispozitivului ca un
cuadripol (fig.4a).
Relaiile care definesc acest model sunt urmtoarele :

u1 = h11 i1 + h12 u 2 ,
i 2 = h 21 i1 + h 22 u 2 .

i2

i1

u1

i1

1
2

i2
h11

u1

u2

TB

'

h22

1
a.




u2

h12u2

'

h21i1

b.

Fig.4
Parametrii se numesc hibrizi pentru c au dimensiuni diferite : h11[], h11[-1], iar h12 i h21 sunt
adimensionali.
Valorile parametrilor hibrizi sunt diferite de la o conexiune la alta a TB, pentru acelai punct static de
funcionare i la aceeai temperatur. Pentru a distinge cele trei seturi de valori ale parametrilor hibrizi, ce
caracterizeaz acelai TB, n aceleai condiii de msurare, se ataeaz acestora un indice suplimentar.
Pentru conexiunea emitor comun, parametrii hibrizi se noteaz cu h ije , u1 = u be , u 2 = u ce , i1 = i b i
i2 = ic .

n modelul hibrid simplificat pentru conexiunea emitor comun (fig.5), h12e = 0 i h 22e = 0 .

B
ube

ib

h11e

ic

C
uce

h21eib

E


Fig.5
Modelul de semnal mic al TB pentru domeniul frecvenelor nalte conine capacitile interne C e i C c ,
care au valori foarte mici ( pF...100pF ).