Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
1. Laserul cu gaz. Funcie de natura chimic a mediului activ, laserii cu gaz se impart
in trei categorii:
- Laserii atomici au ca mediu activ gaze in stare atomic provenite din substane
monoatomice sau poliatomice prin disociere (laserul cu heliu-neon, cu oxigen, cu
azot). Aceti laseri emit linii situate in infrarou i vizibil.
- Laserii ionici ii bazeaz funcionarea pe tranziiile electronice dintre nivelele ionice
ale substanelor ionizate (laserul cu argon ionizat, cu hologeni, cu azot, etc.). Aceti
laseri emit linii in principal in vizibil i ultraviolet.
- Laserii moleculari au ca mediu activ un gaz in stare molecular sau vapori: Liniile
emise de aceti laseri se gsesc in majoritate in infrarou dar sunt cunoscute i in
vizibil. Liniile emise de aceti laseri se gsesc, in majoritate, in infrarou dar sunt
cunoscute i in vizibil.
Primul laser cu gaz a fost laserul cu Heliu-Neon, funcionand la lungimea de
und de 1152,27 nm (Infra-rou apropiat).
grupe:
I. Atomici Mediul activ laser este compus din
gaz atomic neutru precum Heliu-Neon i
vapori de cupru.
II. Ionici Mediul activ laser este compus din gaz
ionic precum argonul ionic sau Heliu-Cadmiu.
III. Moleculari Mediul activ laser este compus
din gaz molecular precum dioxidul de carbon
(CO ), Azot (N ), Laser cu excimeri, Laseri chimici
(HF, ), Laseri in infraroul indeprtat (FIR).
2
Laserul cu Heliu-Neon era cel mai utilizat laser pan cand a fost depit de diode.
Laserul cu
He-Ne are dou nivele laser inferioare, in felul
acesta toate lungimile de und pot fi emise
ca tranziii intre aceste nivele.
Cele mai importante lungimi de und sunt:
l = 632,8 nm, l = 1152 nm, l = 3391,3 nm, l =
543,5 nm. Heliul produce dou efecte particulare:
1. Excitarea direct a gazului de Neon este
ineficient, dar excitarea direct a gazului atomic
de Heliu este foarte eficient.
2. O stare excitat a atomului de Heliu (nivelul de
energie E ) are un nivel de energie care este
similar cu energia unei stri excitate a atomului de
Neon (de asemenea nivelul de energie E ).
Laserul cu argon
A fost iventat in 1964 de William Bridges i
Hughes. Laserul cu argon ionizat conine un
tub umplut cu argon (gaz) ce se transform in
plasm intr-o stare excitat (plasma este o
stare a materiei in care electronii sunt
separai de atomi i molecule, care conine
electroni liberi i ioni). Cele mai importante
dou tranziii laser au lungimile de und in
vizibil: Albastru 488 nm si Verde 514,5 nm,
dar si UV: 351,1 nm i 363,8 nm.
Laserii cu gaz ionizat sunt laseri numai in vizibil ce
produc multe culori cu puteri comparative mari
(mai mari de caiva wai).
Excitarea laserului cu excimeri este realizat prin trecerea unui puls electric
puternic prin amestecul de gaz. Excitarea trebuie s fie realizat intr-un
timp foarte scurt i cu o putere foarte mare, plecand de la aproximativ 100
KW/ cm i poate ajunge la caiva Megawai pe cm . Electronii in gaz sunt
accelerai datorit potenialului inalt, i energia lor cinetic este transferat
moleculelor de gaz prin ciocniri. Moleculele de gaz nobil i de halogen sunt
rupte i formeaz complexul legat excitat. Rata de pompaj este de ordinul a
1GW de putere per litrul de gaz.
Timpul de via a strii excitate este de ordinul a 10 ns. Deci pulsul laser
este limitat la 10 nanosecunde.
Deoarece gazele din interiorul laserului cu excimeri sunt foarte toxice,
laserul trebuie s fie etanat inainte de reumplerea cu gaz. Laserul este
utilizat la cateva milioane de pulsuri i apoi este necesar reumplerea cu
gaz.
Proprietile laserilor cu excimeri:
Laserii cu excimeri emit in domeniul spectral Ultra-Violet (UV).
Radiaia este emis numai in pulsuri scurte.
Durata fiecrui puls este de la picosecunde pan la micro-secunde.
Presiunea gazului din interiorul tubului laser este ridicat: 1- 5 atm.
Eficiena laserilor cu excimeri comerciali este mai mare de cateva procente
3
Laserul semiconductor
Sunt cele mai compacte lasere, care sunt formate din jonciuni intre
semiconductoare cu propieti electrice diferite. GaAs este cel mai
comun semiconductor folosit. Aceste tipuri de laser, ofer cea mai mare
putere la ieire in impulsuri de lumin i sunt folosite in studiul
fenomenelor fizice de durat scurt. Gama de frecven a luminii
laserului trece de la infrarou la violet. La aplicarea unei tensiuni electrice
pe o jonciunep-n, are loc injecia de purttori in jonciune,
recombinarea electronilor cu golurile fcandu-se cu emisie de fotoni.
Mediile active cele mai folosite pentru laserii cusemiconductori sunt:
GaAs, GaAlAs, GaP, InSb. Liniile emise de diferiii laseri cu semiconductori
se intind intre 0,3-3 micrometri.
Semiconductori
Astfel, dac din 105 atomi de siliciu unul este inlocuit cu un atom de bor,
rezistivitatea siliciului scade, la temperatura camerei, de 1000 de ori.
Impurificarea reprezint o problem specific i fundamental a fizicii i
tehnologiei semiconductorilor. Dac impurificm germaniul (grupa IV-a, patru
electron de valen) cu un element din grupa a V-a (cinci electroni de valen)
vom obine un amestec cu un electron de valen liber. Aceast impuritate
constituie un donor. Semiconductorul astfel impurificat este de tip n, iar nivelul
su de energie este mai aproape de zona de conducie. Dac impurificarea este
facut cu atomi din grupa a 3-a (trei electroni de valen), acesta se va integra
in reeaua cristalin cu doar trei legaturi covalente, rmanand, deci, un gol
capabil de a captura electroni in jurul atomului trivalent. Din aceast cauz
atomii acestui tip de impuriti au primit numele de acceptori. Intr-un
semiconductor astfel impurificat vor predomina sarcinile pozitive, de unde
numele de semiconductor de tip p. Jonctiunile p n sunt ansambluri formate
prin alipirea unui semiconductor de tip p cu unul de tip n . Zona de separare,
interfaa, are mrimi de ordinul 10-4 nm. La suprafaa semiconductorului n
apare un surplus de electroni iar la suprafaa semiconductorului p un surplus de
goluri. Astfel apare tendina de compensare a acestora prin difuzia electronilor
de la un semiconductor la celalalt.
Cat privete stratul activ, lungimea lui nu depete 1 mm, iar grosimea sa
este, in funcie de model, de la 200 pan la 10 nm. In general grosimea
stratului activ variaz intre 200 i 100 nm.
Emisia laser se face in dou direcii. Acest fenomen este tratat in mod
diferit in funcie de necesiti.
Diodele laser sunt foarte sensibile la cureni i de aceea controlul strict
asupra acest
Diodele laser sunt poate, cele mai fragile dispozitive de emisie laser ora
aceasta. O diod, dei minuscul, poate dezvolta puteri ale luminii de pan
la 3-5 mW.
Bibliografie
Gabriela Punescu , LASERUL I APLICAIILE LUI, 2010, ISBN 978-9730-08215-9.
Dumitras, Dan, Biofotonica, Bazele fizice ale aplicatiilor laserelor in medicina si
biologie, ALL EDIC ALL , 1999.