DISPOZITIVE ELECTRONICE

CURS 3
.L.DR.ING. CERCEL CONSTANTIN
COSTI.CERCELS@YAHOO.COM
28.10.2014

CUPRINS
Jonciunea p-n

Recapitulare semiconductoare
Procese fizice n jonciunea p-n

Polarizarea jonciunii p-n. Caracteristica static a jonciunii p-n

Dependena de temperatur a caracteristicii jonciunii p-n
Strpungerea jonciunii p-n

Regimul variabil de semnal mic al jonciunii p-n. Circuitul echivalent de semnal mic
al jonciunii
28.10.2014

RECAPITULARE SEMICONDUCTOARE
Din punct de vedere electric, corpurile solide se mpart n trei mari grupe:
conductoare
semiconductoare
izolatoare

ntr-un

cristal semiconductor se pot considera c exist dou tipuri de

purttori mobili:
electronul de conducie cu sarcina (-e) notat n;
golul cu sarcina (+e) notat p
28.10.2014

RECAPITULARE SEMICONDUCTOARE
semiconductoare intrinseci (fr impuriti), a cror conducie electric se
datoreaz doar trecerii electronilor din BV n BC

semiconductoare extrinseci (cu impuriti), la care conducia electric se

datoreaz, n plus, i unui numr foarte mic de atomi strini

28.10.2014

RECAPITULARE SEMICONDUCTOARE

Dac ntr-un semiconductor pur se introduce o impuritate se obine un semiconductor

de tip extrinsec

Procesul de introducere a impuritilor ntr-un semiconductor se numete dopare

Prezena impuritilor ntr-un semiconductor duce la apariia unor nivele permise n
banda interzis

n funcie de raportul dintre valena dopantului i valena semiconductorului de baz

se pot deosebi:
Semiconductori de tip n, dac v v , de tip donor.
Semiconductori de tip p, dac vdop vbaza , de tip acceptor.
dop

baza

28.10.2014

PROCESE FIZICE N JONCIUNEA P-N

Vom avea dou blocuri conductoare aflate n contact

unul cu celalalt, dar fara proprietati unice.

Problema const n existena a dou corpuri cristaline

distincte i separate.

Numrul de electroni este echilibrat de numrul de

goluri n ambele blocuri

Rezultatul este nesatisfctor nu exist o sarcin net

28.10.2014

PROCESE FIZICE N JONCIUNEA P-N

Daca un singur cristal semiconductor este confectionat (dopat)

cu un material de tip P la un capat, si un material de tip N la
celalalt capat

In materialul de tip P, majoritatea purtatorilor de sarcina sunt

goluri, acestia putandu-se deplasa liberi prin structura
cristalului. In materialul de tip N majoritatea purtatorilor de
sarcina sunt electroni, si acestia putandu-se deplasa liberi prin
structura cristalului

Jonciunea p-n este regiunea din vecintatea suprafeei de

contact dintre celedou semiconductoare cu tip de conducie
diferit, cea de tip p i cea de tip n
28.10.2014

PROCESE FIZICE N JONCIUNEA P-N

Pentru explicarea fenomenelor care au loc ntr-o jonciune p-n se consider urmtoarele:
jonciunea este asimetric impurificat
datorit impurificrii asimetrice regiunea de trecere se ntinde mai mult n semiconductorul mai slab
impurificat (se poate aproxima c l=ln );

difuzia purttorilor majoritari are loc pe distane foarte mici numite lungimi de difuzie. Se numete lungime
de difuzie a electronilor n semiconductorul p i se noteaz cu Ln, valoarea medie a spaiului parcurs de
electroni pn la recombinare. n mod similar se definete lungimea de difuzie a golurilor n semiconductorul
de tip n i se noteaz cu Lp;

lungimile de difuzie a golurilor i electronilor fiind foarte mici

n comparaie cu lungimea
obinuit a unui monocristal
, n regiunile laterale ale monocristalului concentraiile de electroni i
goluri rmn practic neschimbate i deci nu vor aprea cmpuri electrice.
28.10.2014

PROCESE FIZICE N JONCIUNEA P-N

n jurul jonciunii, electronii materialului N trec peste jonciune i se
combina cu golurile din materialul P

Regiunea materialului P din apropierea jonciunii capt o sarcin

negativ datorit electronilor atrai (difuzia golurilor)

Regiunea materialului N din apropierea jonciunii capt o sarcin

pozitiv datorit electronilor cedai

Stratul subtire al acestei structuri cristaline, dintre cele doua sarcini de

semne contrare, va fi golit de majoritatea purtatorilor de sarcina zona de golire (zona de trecere)

Zona de golire devine un material semiconductor pur, non-conductor

28.10.2014

PROCESE FIZICE N JONCIUNEA P-N

n zona de trecere concentraia de purttori
majoritari pp0 (goluri n regiunea de tip p la
echilibrul termic) i nn0 (electroni n regiunea
de tip n la echilibrul termic) scade, (fig. b i
fig.c)

n urma recombinrii rezult ioni negativi de

impuriti acceptoare n regiunea de tip p i
ioni pozitivi de impuriti donoare n
regiunea de tip n
28.10.2014

10

PROCESE FIZICE N JONCIUNEA P-N

n partea de contact a regiunii p cu regiunea n,

rmne ca sarcin net, sarcina negativ a
ionilor imobili de impuriti acceptoare.

n partea de contact a regiunii n cu regiunea p,

rmne ca sarcin net sarcina pozitiv a ionilor
imobili de impuriti de tip donor.

Aceste sarcini stabilesc un cmp electric E (fig.d)

orientat de la sarcina pozitiv din zona n ctre
sarcina negativ din zona p.
28.10.2014

11

PROCESE FIZICE N JONCIUNEA P-N

n vecintatea jonciunii pe o distan de ordinul micronilor sau
zecimilor de microni (zona de trecere), apare o regiune de sarcin
spaial n care exist un cmp electric E, relativ mare

Se stabilete o barier de potenial U0 (de ordinul sutelor de mV)

(fig.e)

Se opune difuziei purttorilor majoritari i face ca la echilibrul

termic s nu mai existe curent prin jonciune.

Deoarece este lipsit de purttori mobili zona de trecere are o

rezistivitate mare

28.10.2014

12

POLARIZAREA DIRECT JONCIUNII P-N

Dac tensiunea UA se aplic cu polaritatea pozitiv pe

regiunea de tip p i cu cea negativ pe regiunea de
tip n, fig.a, (caz n care tensiunea UA se consider
pozitiv)

bariera de potenial pe jonciune scade de la valoarea

U0 la valoarea U0-UA , fig.b.

Prin jonciune va circula un curent IA, cu sensul din spre

regiunea de tip p spre regiunea de tip n, de valoare
mare i care crete exponenial cu tensiunea UA. Acesta
este un curent de difuzie format din dou componente
IpM i InM i reprezint curentul direct al jonciunii
28.10.2014

13

POLARIZAREA INVERS A JONIUNII P-N

Dac tensiunea UA se aplic cu polaritatea pozitiv

pe regiunea de tip n i cu cea negativ pe regiunea
de tip p, fig.a (caz n care tensiunea UA se consider
negativ)

Bariera de potenial pe jonciune se mrete de la

valoarea U0 la valoarea U0+UA, fig.b

Prin jonciune va circula un curent, IS, de la regiunea

de tip n spre regiunea de tip p, foarte mic ca valoare,
format din dou componente ipm i inm determinate de
purttorii de sarcin minoritari. El reprezint curentul
invers al jonciunii p-n.
28.10.2014

14

CARACTERISTICA STATIC A JONCIUNII P-N

Caracteristica static a jonciunii p-n exprim dependena curentului
prin jonciune, IA, de tensiunea de polarizare aplicat acesteia, UA

Expresia matematic simplificat care modeleaz caracteristica

static a unei jonciuni p-n i care este utilizat pentru calcule n
schemele electronice este:

IScurent de saturaie i reprezint valoarea constant ctre care tinde IA la

tensiuni negative mari;

esarcina electronului;
Kconstanta lui Boltzman;
Ttemperatura [K];
se numete potenial termic
mcoeficient dependent de tehnologie, cu valori cuprinse ntre 1 i 2
28.10.2014

15

DEPENDENA DE TEMPERATUR A CARACTERISTICII

JONCIUNII P-N
Caracteristica IA = f(UA) a jonciunii p-n este extrem
de sensibil la modificarea temperaturii

La o funcionare normal a jonciunii att n

polarizare direct ct, mai ales n polarizare
invers curentul crete foarte puternic cu
temperatura, aproximativ exponenial

Influena temperaturii asupra caracteristicii unei

jonciuni p-n este prezentat alturat, unde s-au
reprezentat caracteristicile unei jonciuni p-n pentru
dou temperaturi T1 i T2, T2 > T1.
28.10.2014

16

DEPENDENA DE TEMPERATUR A CARACTERISTICII

JONCIUNII P-N
Uneori, influena temperaturii asupra caracteristicii directe a jonciunii se
apreciaz prin gradientul de temperatur al tensiunii la curent constant

se utilizeaz expresia tensiunii

n practic se consider pentru gradientul de temperatur al tensiunii

valoarea tipic
28.10.2014

17

STRPUNGEREA JONCIUNII P-N

Dac se aplic unei jonciuni p-n o tensiune invers mare se

constat o cretere foarte pronunat a curentului invers prin
jonciune

La o tensiune invers UA = Ustr (tensiune de strpungere),

curentul crete abrupt tinznd spre infinit i trebuie s fie
limitat pentru a nu depi o valoare la care jonciunea s-ar
putea distruge

Strpungerea jonciunii poate fi explicat prin dou efecte:

efectul de multiplicare prin avalane a purttorilor de sarcin;

efect Zener.

28.10.2014

18

STRPUNGEREA JONCIUNII P-N MULTIPLICAREA

PRIN AVALANE

n cazul efectului de multiplicare prin avalane creterea cmpului electric din zona
de trecere imprim o energie crescut purttorilor de sarcin care trec pe acolo.

Purttorii de sarcin n urma ciocnirii cu atomii reelei cristaline conduc (prin ruperea
unor legturi covalente) la apariia unor purttori de sarcin suplimentari.

Aceti purttori de sarcin suplimentari sunt antrenai la rndul lor de cmpul electric
i pot determina apariia unor noi purttori de sarcin, .a.m.d.,

Acest fenomen duce la creterea nelimitat a curentului.

28.10.2014

19

STRPUNGEREA JONCIUNII P-N EFECTUL ZENER

Efectul Zener const n apariia unui numr crescut de purttori de sarcin prin
ruperea unor legturi covalente sub aciunea direct a cmpului electric.

Apare la un numr redus de tipuri de jonciuni

Regiunea de strpungere a caracteristicii inverse, unde tensiunea este practic

independent de valoarea curentului se numete i regiune de stabilizare.
28.10.2014

20

REGIMUL VARIABIL DE SEMNAL MIC AL JONCIUNII

P-N
Regimul variabil (dinamic) presupune funcionarea jonciunii p-n n cazul
aplicrii unor semnale variabile n timp

Condiia de semnal mic impune ca valoarea amplitudinii tensiunii variabile

aplicate s nu scoat punctul de funcionare din zona liniar a caracteristicii
jonciunii

Aceast condiie este ndeplinit dac:

28.10.2014

21

REGIMUL VARIABIL DE SEMNAL MIC AL JONCIUNII

P-N

Regimul variabil al jonciunii p-n se obine dac peste

tensiunea continu UA se aplic i o tensiune variabil n
timp ua(t), ce variaz n jurul valorii fixe UA

Componenta variabil determin modificarea tensiunii

de polarizare la valoarea

Prin jonciune circul un curent de forma

28.10.2014

22

REGIMUL VARIABIL DE SEMNAL MIC AL JONCIUNII

P-N
Condiia de semnal mic este ndeplinit, rspunsul jonciunii
(componenta alternativ a curentului ia(t)) este proporional cu
semnalul (tensiunea) ua(t).

pentru semnalul aplicat la intrare jonciunea are o comportare

liniar, exprimat prin relaia

ri - se numete rezisten intern sau rezisten dinamic a jonciunii

Rezistena intern are valoarea

Rezistena intern ri are semnificaia grafic a pantei tangentei n
punctul static M0

28.10.2014

23

CIRCUITUL ECHIVALENT DE SEMNAL MIC AL

JONCIUNII
n polarizare direct valoarea lui ri este mic i depinde numai de curentul
care o strbate

n polarizare invers ri este foarte mare, sute de K sau M, dar scade n

apropierea tensiunii de strpungere i cu temperatura

Din cele prezentate anterior rezult c o jonciune p-n se comport liniar

pentru componenta variabil a tensiunii ua,

Comportarea n ansamblu este neliniar datorit dependenei, IA=f(UA)

28.10.2014

24

CIRCUITUL ECHIVALENT DE SEMNAL MIC AL

JONCIUNII
Atunci cnd viteza de variaie a componentei variabile dua /dt este mare, n
jonciune apar efecte dinamice legate de variaia sarcinii electrice din
regiunea de trecere i din regiunile neutre perturbate

Aceste procese se modeleaz prin capacitile jonciunii p-n

28.10.2014

25

CIRCUITUL ECHIVALENT DE SEMNAL MIC AL

JONCIUNII
Capacitatea de barier Cb - caracterizeaz modificarea sarcinii electrice n
regiunea de trecere, la variaia tensiunii de polarizare.

La o anumit variaie

UA a tensiunii de polarizare are loc o variaie a

sarcinii electrice din regiunea de trecere Qb

n cazul unor variaii suficient de mici se poate defini capacitatea de barier:

28.10.2014

26

CIRCUITUL ECHIVALENT DE SEMNAL MIC AL

JONCIUNII
Capacitatea de difuziune Cd - caracterizeaz modificarea sarcinii electrice n
regiunile neutre perturbate.

La o variaie UA a tensiunii de polarizare rezult o variaie Qd a sarcinii

purttorilor minoritari n regiunile neutre perturbate. Ca urmare, se definete
capacitatea de difuzie cu relaia:

28.10.2014

27

CIRCUITUL ECHIVALENT DE SEMNAL MIC AL

JONCIUNII
Schema echivalent de semnal mic a jonciunii p-n i dependenele n
jonciune

La polarizri directe jonciunea p-n se comport ca un scurtcircuit din

cauza valorilor foarte mici ale lui ri

Valorile capacitilor Cd i Cb nu joac nici un rol, ele fiind practic

scurtcircuitate de ri

La polarizri inverse (n conducie invers) circuitul se comport ca o

capacitate de barier deoarece Cb>>Cd, iar ri este foarte de mare

Acest regim este specific diodei varicap la care jonciunea p-n este
utilizat n calitate de capacitate variabil comandat prin intermediul
tensiunii inverse
28.10.2014

28

BIBLIOGRAFIE CURS 3
1. O. Olaru, Dispozitive electronice, Editura Universitaria Craiova, Craiova, 2003
2. http://www.creeaza.com/tehnologie/electronica-electricitate/JonctiuneaPN813.php
3. C.G. Constantinescu, Componente i dispozitive electronice, Academia Forelor
Aeriene Henri Coand
4. http://www.hobbytronica.ro/jonctiunea-pn/
5. https://www.youtube.com/watch?v=JBtEckh3L9Q
28.10.2014

29

V MULUMESC !
ntrebri ? (Rspunsuri)
Sugestii !!!
Comentarii !!!

28.10.2014

30