EEPROM responde a Erasable Programmable Read Only

Memory que se puede traducir como Memoria programable

borrable de solo lectura. Tambin se la conoce como E-2PROM. Como su nombre sugiere, una EEPROM puede ser
borrada y programada con impulsos elctricos. Al ser una
pieza que se puede gestionar por estos impulsos elctricos,
podemos realizar todas estas operaciones de reprogramacin
sin tener que desconectarla de la placa a la cual va
conectada.

La EEPROM tambin se conoce como non-volatile memory

o memoria no voltil y es debido a que cuando se desconecta
la energa, los datos almacenados en la EEPROM no sern
eliminados quedando intactos. Las EEPROM ms nuevas no
tiene datos almacenados en ellas y deben ser primero
configuradas con un programador antes de ser usadas. La
informacin almacenada dentro de este dispositivo puede
permanecer durante aos sin una fuente de energa elctrica.

 Se pueden conectar fcilmente con

microprocesadores o microcontroladores, algunas de
estas memorias tienen pines para realizar esta labor.
Transferencia de datos de manera serial , lo que
permite ahorro del micro para dedicarlo a otras
funciones.
El consumo de corriente es mucho menor que en las
memorias que trabajan en paralelo.

Son usadas para almacenar informacin programable de

usuario, como
por ejemplo:
Informacin de programacin VCR
Informacin de programacin de CD
Informacin de usuario de productos instalados en el equipo

La EEPROM en el monitor realiza dos funciones:

Cuando encendemos un monitor se copiarn todos los datos o informacin
desde la EEPROM al microprocesador. Por ejemplo, la EEPROM dejar al
microprocesador conocer las frecuencias en las cuales el monitor funcionar.
La EEPROM se utiliza para guardar la configuracin mas reciente del monitor.
La configuracin del monitor no desaparecer aunque el monitor sea apagado.
Cuando se haga un cambio en dicha configuracin, el microprocesador
actualiza estos cambios en la EEPROM. Cuando el monitor vuelve a encenderse,
los datos ya actualizados son usados para poner el monitor operativo.

El chip EEPROM es fsicamente similar a la EPROM chip.

Tambin est compuesto de clulas con dos transistores.
La puerta flotante se separa de la puerta de control por
una delgada capa de xido. A diferencia de la EPROM chip,
sin embargo, el chip de EEPROM capa de xido es mucho
ms delgada. En los chips de EEPROM, la capa de
aislamiento es slo alrededor de 1 nanmetro de espesor,
mientras que en EPROM chips, la capa de xido es de
alrededor de 3 nanmetros de espesor. La delgada capa de
xido de medios ms bajos requisitos de voltaje para
iniciar los cambios de valor en la celda.

Tnel de los electrones de la puerta flotante a la capa de

xido que separa la puerta flotante y el control de la
puerta sigue siendo el mtodo de cambiar un poco el valor
de 1 a 0. Para borrar la programacin EEPROM, la barrera
de electrones todava tiene que ser superado por la
aplicacin de suficiente tensin de programacin.

Si bien la EEPROM pueden ser

reprogramados, el nmero de veces que
puede ser alterado es limitado. Esta es la
razn principal por la EEPROM chips son
populares slo para almacenar datos de
configuracin, tales como el BIOS del equipo
cdigo que no requiere la reprogramacin
frecuente. La capa aislante de xido pueden
ser daadas por los frecuentes reescribir.
Moderno-da EEPROM puede volver a escribir
hasta un milln de veces.

 La programacin y el borrado pueden realizarse sin

la necesidad de una fuente de luz UV y unidad
programadora de PROM, adems de poder hacerse
en el mismo circuito gracias a que el mecanismo de
transporte de cargas requiere corrientes muy bajas.
Las palabras almacenadas en memoria se pueden
borrar de forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz
ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
De manera individual puedes borrar y reprogramar
elctricamente grupos de caracteres o palabras en
el arreglo de la memoria.

 El tiempo de borrado total se reduce a 10ms en

circuito donde su antepasado inmediato requera
media hora bajo luz ultravioleta externa.
El tiempo de programacin depende de un pulso por
cada palabra de datos de 10 ms, versus los 50 ms
empleados por una ROM programable y borrable.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000
veces sin que se observen problemas para
almacenar la informacin.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado
previo.