TRANZISTOARE DE PUTERE

2. TRANZISTOARE DE PUTERE
Tranzistoarele de putere sunt dispozitive semiconductoare comandabile,
unidirecionale n curent, la care semnalul de comand trebuie meninut pe toat
durata de conducie.
Tipurile principale de tranzistoare sunt prezentate n Fig.2.1 :
Tranzistoare
Bipolare

Unipolare
cu efect de camp
FET

cu grila bipolara
IGBT

PNP

NPN

cu grila izolata
MOSFET

cu jonctiune
JFET

Tranzistoare
Darlington
canal N

canal P

canal P

canal N

cu canal indus
cu regim de imbogatire
(enhancement)

cu canal initial
cu regim de saracire
(depletition)

Fig. 2.1. Clasificarea tranzistoarelor de putere.

2.1. TRANZISTOARE BIPOLARE DE PUTERE
Simbolul tranzistorului bipolar de putere este cel prezentat n Fig.2.1.a.
Sgeata de la emitor marcheaz sensul de deplasare al sarcinilor pozitive.
C

a)

E
J E JC
E

p n

JE JC
C

n p

b)

Fig. 2.2. Tranzistorul bipolar de putere : a) simbolul ; b) structura.

n structura sa exist dou jonciuni p-n i trei straturi semiconductoare
(Fig.2.1) n succesiunea : n-p-n sau p-n-p. Cele dou straturi exterioare sunt
puternic dopate , iar cel median este slab dopat i ngust, cu o lime inferioar
lungimii de difuzie a purttorilor de sarcin.
21

ELECTRONIC DE PUTERE

Tranzistorul bipolar de putere are trei electrozi :

E numit emitor, conectat la unul dintre straturile exterioare (foarte puternic
dopat) ;
C numit colector, conectat la al doilea strat exterior ;
B numit baz, conectat la stratul median.
Cele dou jonciuni se numesc: jonciunea baz-emitor (a emitorului, notat
JE) i jonciunea baz-colector (a colectorului, notat JC).
2.1.1. Principiul i ecuaia de funcionare a TB
RC
n

+
-

IE
E

JE

I BE

+ VC

IC
I

C
-

RB

(1- )I E
K2 -

JC

p
-

-I CB0

I CB0

B
IB

Fig. 2.3. Explicativ pentru funcionarea i ecuaia TB.

Pentru a funciona tranzistorul are nevoie de dou tensiuni exterioare : de
polarizare VP (de sute de voli) i de comand VC (de civa voli). Amndou
polarizeaz direct jonciunea emitorului JE.
n absena semnalului de comand (K1 nchis i K2 deschis) tranzistorul este
blocat (JE polarizat direct i JC polarizat invers). ntreaga tensiune VP este
suportat de jonciunea JC . Prin tranzistor trece un curent foarte mic, datorat
agitaiei termice, format din purttori de sarcin minoritari i care este curentul
invers al jonciunii JC . El se numete curent colectoremitor cu baza n gol, se
noteaz ICE0 i are valori cuprinse ntre 0,1 i 1 mA, la tranzistoarelor de putere.
La aplicarea semnalului de comand (se nchide i K2) jonciunea JE este
polarizat direct suplimentar i un numr mare de purttori de sarcin majoritari
(care formeaz curentul de emitor IE ) din emitorul puternic dopat (cu sarcini
22

TRANZISTOARE DE PUTERE

negative) trec prin difuzie n baz. Baza fiind mai ngust dect lungimea de
difuzie a purttorilor majoritari, acetia ajung n zona jonciunii colectorului,
unde sunt antrenai de cmpul electric existent aici i astfel, cea mai mare parte a
purttorilor de sarcina plecai din emitor ajung n colector. n aceasta const
efectul de tranzistor : trecerea curentului dintr-un circuit cu rezisten mic (JE
polarizat direct), ntr-un circuit cu rezisten mare (JC polarizat invers).
Se noteaz cu IE fraciunea care ajunge n colector. Coeficientul este
subunitar, dar apropiat de 1 i se numete factor de amplificare n curent
colector-emitor. Datorit slabei dopri a bazei, doar o mic parte din purttorii
majoritari provenii din emitor, i anume (1-)IE, se recombin n baz i
formeaz o parte a curentului de baz IB .
Curentul baz-emitor IBE este format tot din purttori majoritari provenii
ns din baz (sarcini pozitive), care trec prin difuzie prin jonciunea JE . Baza
fiind slab dopat, acest curent este neglijabil.
Prin jonciunea JC , polarizat invers, se formeaz un curent baz-colector
ICB0 , de purttori minoritari, egal cu curentul rezidual al jociunii. Prin plecarea
golurilor spre colector se formeaz un curent egal de electroni -ICB0 .
Tranzistorul se numete bipolar pentru c n funcionarea sa intervin att
purttorii de sarcin majoritari, ct i cei minoritari.
n urma acestei analize se pot calcula curenii de baz i colector ai
tranzistorului :

I B = (1 ) I E I CB0
I C = I E + I CB0

(2.1)

Se elimin IE ntre relaiile (2.1) i rezult :

IB =

1
1
I C I CB0

(2.2)

Deoarece : IBC0 IB , din (2.2) rezult :

IB

1
IC

sau

IC

=
= hFE
IB 1

(2.3)

Raportul hFE se numete factor static de amplificare n curent baz-colector

i este o mrime caracteristic, indicat n catalogul de produs. Pentru
tranzistoarele de putere, hFE este mic, de ordinul zecilor : pentru
(0,950,99), hFE(1999).
Funcionarea unui tranzistor p-n-p se explic n acelai mod, dar trebuie
inversate polaritatea tensiunilor i sensul curenilor, iar circulaia electronilor
nlocuit cu cea a golurilor.

23

ELECTRONIC DE PUTERE

2.1.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar are trei borne i se conecteaz n circuit ca un

cuadripol, una dintre borne fiind comun att circuitului de intrare, ct i celui
de ieire (Fig.2.4).
E

B
E

a)

B
E

b)

c)

Fig. 2.4. Posibiliti de conectare a tranzistorului bipolar de putere :

a) cu baz comun ; b) cu emitor comun ; c) cu colector comun.

Caracteristicile statice se vor prezenta pentru conexiunea cu emitor comun,

deoarece aceasta este cel mai frecvent utilizat n electronica de putere. Exist
trei tipuri de caracteristici statice :
caracteristica de intrare, pentru mrimile circuitului de intrare ;
caracteristica de transfer, care prezint dependena ntre mrimi ale
circuitului de intrare i mrimi ale circuitului de ieire ;
caracteristica de ieire, pentru mrimile circuitului de ieire.
n Fig.2.5. sunt marcate sensurile pozitive pentru cureni i tensiuni, pentru
tranzistorul de tip n-p-n.

RC

IC

RB

Vp

VCE

VC

IE
Fig. 2.5. Conectarea n circuit a tranzistorului n-p-n .
Caracteristica de intrare reprezint dependena i B = f ( v BE ) cnd
tensiunea VCE este meninut constant i este reprezentat n Fig.2.6. Aceast
curb este caracteristica static a jonciunii JE i este, din acest motiv,
asemntoare cu caracteristica static a unei diode.

Curba din cadranul nti reprezint caracteristica direct, cnd jonciunea JE

este polarizat direct, iar tranzistorul conduce. Pentru fiecare punct de
funcionare M se definesc (Fig.2.6) :
24

TRANZISTOARE DE PUTERE

V
rezistena static de intrare : R1 = BE = ctg1
IB
dv
rezistena dinamic de intrare :
r1 = BE = ctg 2
di B

(2.4)
(2.5)

iB
2

IB

V (BR)BE
0

vBE
VBE

Fig. 2.6. Caracteristica de intrare a TB : i B = f (v BE ) VCE = const

n cadranul trei al planului (iB ,vBE ) este caracteristica invers a jonciunii JE

, corespunztoare tranzistorului blocat. Tensiunea invers este limitat la
valoarea V(BR)BE de posibilitatea de strpungere a jonciunii JE .
Caracteristicile de transfer (Fig.2.7) reprezint legturi ntre mrimi ale
circuitului de intrare i mrimi ale circuitului de ieire :
a) iC = f ( v BE ) cnd tensiunea VCE este meninut constant ;
b) iC = f (i B ) cnd tensiunea VCE este meninut constant.
factor static de amplificare n curent baz-colector :

I
hFE = = C
IB

(2.7)

Factorul de amplificare depinde de temperatur i de valoarea curentului de

colector.
Caracteristica de ieire reprezint dependena iC = f ( vCE ) cnd curentul
de comand IB este meninut constant i este reprezentat n Fig.2.9. Pentru
fiecare punct de funcionare M se definete rezistena static de ieire :
25

ELECTRONIC DE PUTERE

V
R2 = CE
IC

(2.8)

n planul (iC, vCE) sunt marcate trei zone, corespunztoare celor trei
regimuri de funcionare posibile ale tranzistorului bipolar.
n zona 1, tranzistorul este n conducie la saturaie i se comport n
circuit ca un ntreruptor nchis : prin el trece un curent IC mare, iar cderea de
tensiune la bornele sale este mic : tensiunea colector-emitor la saturaie (VCEsat).
Rezistena de ieire R2 este minim, iar curentul este limitat practic numai de
rezistena consumatorului, RC ; astfel, punctul M1 este determinat de perechea de
valori : (VCE =VCEsat , IC =VP /RC ). Dreapta 1, pe care se afl punctul M1 se
numete dreapta de saturaie.
Dreapta 1 mparte zona 1 n dou pri :
zona 1a de suprasaturaie, n care tranzistorul nu trebuie adus, pentru c i
crete timpul necesar pentru blocare, deci se micoreaz frecvena maxim de
comutaie la care va putea fi folosit ;
zona 1b de cvazisaturaie, care reprezint un regim favorabil de funcionare
pentru tranzistoarele din convertoarele statice de putere.
1

iC
1a

VCB=0

1b

IB > IB
4
3

2
IC

VP
RC

M1
M2
M

IB >IB
2
1

IB >0
1
M3

I CE0
VCEsat

IB > IB
3
2

V CE

VP

I B=0
v CE

Fig.2.9. Caracteristica de ieire a tranzistorului bipolar de putere.

n zona 3, tranzistorul este blocat n absena curentului de comand

(IB=0)i se comport n circuit ca un ntreruptor deschis : prin el trece un curent
foarte mic, ICE0, curent emitor-colector cu baza n gol, iar tensiunea la bornele
sale este mare, egal practic cu tensiunea aplicat din exterior, VP . Rezistena de
ieire R2 este mult mai mare dect rezistena consumatorului. Astfel, punctul
M3 este determinat de perechea de valori : (VCE =VP , IC =ICE0 ).

26

TRANZISTOARE DE PUTERE

Dreapta 2 determinat de punctele M1 i M3 se numete dreapta de

sarcin, pentru c este determinat de mrimile circuitului de sarcin : tensiunea
VP i rezistena consumatorului, RC . Pe aceast dreapt, punctul de funcionare
al tranzistorului, n cadrul convertoarelor statice se va afla fie n conducie, n
M2 (n zona cvazisaturat) , fie blocat n M3 .
n zona 2, tranzistorul se comport ca un amplificator linear ; este zona
activ normal, care nsa nu prezint interes pentru funcionarea convertoarelor
statice de putere. Curentul de colector rmne practic constant, pentru un curent
de comand dat : IC=hFE IB. Rezistena de ieire este variabil, funcie de
curentul de baz i particip la limitarea curentului de colector.
2.1.3. Blocarea i strpungerea. Aria de funcionare sigur

Dac, ntre bornele (colector i emitor) ale unui tranzistor blocat se aplic o
tensiune tot mai mare, curentul se menine foarte mic i practic constant, la
valoarea ICE0 , pn la tensiunea de strpungere, notat V(BR)CE0 . La depirea
acestei tensiuni, curentul prin tranzistor crete datorit multiplicrii n avalan a
purttorilor de sarcin, iar tensiunea se menine practic constant. Curentul de
colector este limitat numai de rezistena din circuitul exterior. Dac acest curent
nu depete valoarea IC1 , corespunztor tensiunii de susinereVCE0(sus) , atunci
tranzistorul poate reveni la funcionare normal. Poriunea AB din caracteristica
trasat n Fig.2.10. reprezint zona primei strpungeri, care este un fenomen
reversibil i nedistructibil pentru tranzistor.
Dac rezistenta din circuitul exterior nu poate limita curentul de colector la
valori inferioare lui IC1 , se produce a doua strpungere, care este ireversibil
(zona CD din caracteristica din Fig.2.10). Curentul prin tranzistor crete rapid ,
n timp ce cderea de tensiune vCE scade pn la valori foarte mici,
corespunztoare conduciei la saturaie. Aceste fenomen nseamn distrugerea
tranzistorului, deoarece intrarea n conducie s-a produs n absena semnalului de
comand, iar tranzistorul va rmne mereu n conducie, deci nu mai este capabil
s ndeplineasc rolul de ntreruptor comandabil al circuitului.
Tensiunile i curenii care caracterizeaz acest fenomen de strpungere
depind de modul n care se face blocarea tranzistorului. Tranzistoarele se
blocheaz la dispariia semnalului de comand. Acest lucru se poate realiza n
urmtoarele patru moduri, prezentate n Fig.2.11. Prin trecerea comutatorului K
de pe poziia a) pe poziia b) se comand blocarea tranzistorului, prin:

lsarea bazei n gol (notat G);

legarea ntre baz i emitor a unei rezistene R (notat R);
sciurtcircuitarea circuitului baz-emitor (notat S);
polarizarea invers a bazei la un potenial -VC (notat X).

27

ELECTRONIC DE PUTERE

iC

D
a doua strapungere (ireversibla)

C
prima strapungere (reversibla)

I C1
ICE0

IB=0

vCE

VCE0 (sus) V(BR)CE0

Fig.2.10. Comportarea tranzistorului bipolar, n absena semnalului de

comand (IB=0) la creterea tensiunii colector-emitor .

RC

RC
+

K
a

I CEG

VP
(variabila)

(variabila)

b)

a)

RC
+
I CES
b

VP

R BE

V C

I B=0

V C

I CER

RC
+

VP
(variabila)

V +C

V C
c)

I CEX

VP
(variabila)

-V C
d)

Fig.2.11. Metode de blocare a tranzistorului bipolar.

Experimental s-a constatat c n orice moment, curenii i tensiunile

caracteristice fiecrei scheme sunt n urmtoarea relaie :
I CE 0( X ) < I CE 0( S ) < I CE 0( R ) < I CE 0(G )
V( BR )CE 0( X ) > V( BR )CE 0( S ) > V( BR )CE 0( R ) > V( BR )CE 0(G )

28

(2.9)

TRANZISTOARE DE PUTERE

I C1(G)

iC

I C1(X)
I CE0(G)
I

CE0(X)

VCE0(sus)(G)

VCE0(sus)(X)
V(BR)CE0(G)

v CE

(BR)CE0(X)

Fig.2.12. Comparaie ntre metodele de blocare a tranzistorului bipolar.

Deci, dintre toate aceste metode, cea mai eficient este blocarea prin
polarizarea invers a bazei, deoarece un tranzistor astfel blocat suport o
tensiune colector-emitor maxim i este parcurs de un curent colector-emitor cu
baza n gol minim.
Pentru ca tranzistorul sa nu ajung la strpungere sau la supranclzire, n
catalog se indic n planul (iC , vCE ) limitele ntre care dispozitivul poate
funciona normal (Fig.2.13) i care definesc aria de funcionare sigur, notat
SOA (Safe Operating Area). Diagrama este trasat n coordonate logaritmice i
este delimitat de urmtoarele patru segmente :
segmentul 1 reprezint valoarea maxim a curentului de colector care poate
trece prin tranzistor fr a duce la depirea temperaturii de lucru maxime
admise TJmax ;
iC

ICM

IC
TC= 25 C
3
SOA
4
vCE
VCE0(sus)

Fig.2.13. Aria de funcionare sigur.

segmentul 2 reprezint valoarea maxim a puterii pe care ansamblul
tranzistorradiator l poate disipa Pdmax , fr a ajunge la depirea

29

ELECTRONIC DE PUTERE

temperaturii de lucru maxime admise, la jonciunea colectorului, pentru o

temperatur determinat a capsulei ; de obicei TC =25C ;
segmentul 3 reprezint a doua strpungere ;
segmentul 4 reprezint tensiunea maxima colector-emitor , cu baza n gol,
care poate fi aplicata tranzistorului : VCE0(sus).
n regim de impuls, aria de funcionare sigur se mrete (perimetrul
desenat cu linie ntrerupt n Fig.2.13), cu att mai mult cu ct impulsul este mai
scurt.
n cataloage sunt date arii de funcionare sigur n regim dinamic (la
amorsare i blocare prin metodele G, R, S, notat FBSOA sau la blocare prin
polarizare invers a bazei, notat RBSOA) i n regim de suprasarcin
accidental la polarizare direct (Forward Biased Accidental Overload Area FBAOA) i invers (Reverse Biased Accidental Overload Area - RBAOA).
2.1.4. Regimul dinamic al tranzistoarelor bipolare de putere

Comutaia tranzistoarelor bipolare de putere va fi prezentat pentru cazul

blocrii prin polarizare invers a bazei. Regimul dinamic depinde de tipul
consumatorului.
ntr-un circuit cu sarcin rezistiv (Fig.2.14.a) variaia curenilori a
tensiunilor din circuitul de for i de comand, precum i puterea dezvoltat
prin efect Joule n tranzistor sunt reprezentate n Fig.2.15.
Momentul t0 este momentul n care se aplic semnalul de comand pentru
amorsarea tranzistorului. Timpul de amorsare ton are dou componente :
ton = t d + t r

(2.10)

unde :
td timpul de ntrziere la amorsare, egal cu intervalul de timp necesar
creterii curentului de colector pn la 10% din valoarea lui de regim
nominal IC ;
tr timpul de cretere, egal cu intervalul de timp necesar creterii curentului de
colector de la 10% la 90% din valoarea lui de regim nominal IC .
iC

+V P
I

iC
RC
Comanda

RB i
B

M1
Csat

SOA

M2

amorsare

vCE

vBE

blocare

M3

VCE VP
30

v CE

TRANZISTOARE DE PUTERE

Fig.2.14. Comutaia cu consumator rezistiv.

Momentul t1 este momentul n care se aplic semnalul de comand pentru

blocarea tranzistorului. Timpul de blocare toff are dou componente :
toff = t s + t f

(2.11)

unde :
ts timpul de stocare, egal cu intervalul de timp necesar scderii curentului de
colector pn la 90% din valoarea lui de regim nominal IC ;
tf timpul de cdere, egal cu intervalul de timp necesar scderii curentului de
colector de la 90% la 10% din valoarea lui de regim nominal IC .
n planul (iC,vCE), punctul de funcionare se deplaseaz ntre M3 i M2 pe
dreapta de funcionare, ca n Fig.2.14.b.
vBE
VC!

t0

t1

-VC2

iB
I B1

t on

90
10
td

vCE
VP

t off
I C = I Csat VP
RC
tf
tr
ts
VCEsat

-I B2
ICE0X
t

VP
t

Fig.2.15. Forme de und la comutaia cu sarcin rezistiv.

Timpii de comutaie sunt specificai n catalog. Componenta ts este cea mai

lung din cauza timpului necesar recombinrii purttorilor de sarcin. Scurtarea
31

ELECTRONIC DE PUTERE

timpului de stocare se realizeaz prin meninerea tranzistorului n conducie n

zona cvazisaturat (punctul M2). Acest lucru se realizeaz prin supravegherea
tensiunii VCE i reglajul curentului de baz funcie de curentul de colector.
Soluia cea mai frecvent este utilizarea unei diode antisaturaie DAS,
montat ntre baz i colector, ca n Fig.2.16.a. Atunci cnd, datorit variaiei
rezistenei de sarcin, IC scade i punctul de funcionare trece din A n B
(Fig.2.16.b), dioda DS se deschide i o parte din curentul de comand I, este
deviat prin ea. Ca urmare, curentul de baz scade i punctul de funcionare trece
din B n C, care este tot n zona cvazisaturat, ca i punctul iniial de funcionare
A.
iC

IC

VDAS

VP
RC1
VP
RC2

DAS
I- I B
I

RB
IB

RC
VP

IB1
A

IB3

IB4

VDE

VBE

IB2

vCE
VP
a)

b)

Fig.2.16. Efectul diodei antisaturaie .

ntr-un circuit cu sarcin rezistiv-inductiv, datorit energiei acumulate

n cmpul magnetic al inductivitii, la ieirea din conducie a tranzistorului, la
bornele lui apare o supratensiune de comutaie VCEmax. Corespunztor, puterea
dezvoltat la blocare este mai mare. Punctul de funcionare are traiectoria din
Fig.2.17.a i trebuie meninut n interiorul ariei de funcionare sigur.
iC
I

iC
M1

Csat

M2

I Cmax
M1
I Csat

SOA

M2

blocare

amorsare

SOA

m
amorsare

blocare

M3

VCE VP VCEmax v
CE
a)

M3
VCE VP

v CE

b)

Fig.2.17. Traseul punctului de funcionare al tranzistorului bipolar la comutaie

n circuit : a) R-L ; b) R-C.

32

TRANZISTOARE DE PUTERE

ntr-un circuit cu sarcin rezistiv-capacitiv, datorit curentului de

ncrcare a capacitii, la intrarea n conducie a tranzistorului apare un
supracurent de colector ICmax. n acest caz, puterea dezvoltat la amorsare este
mai mare. Punctul de funcionare trebuie meninut n interiorul ariei de
funcionare sigur (Fig.2.17.b).
2.2. TRANZISTOARE DARLINGTON

Din cauza factorului de amplificare mic al tranzistoarelor bipolare de

putere, pentru comanda unor cureni inteni se consum o energie important i
n circuitele de comand. O soluie pentru diminuarea acestui neajuns const n
utilizarea unor montaje de amplificare Darlington cu dou sau trei tranzistoare.
Factorul de amplificare ideal al unui montaj cu dou tranzistoare se
I
definete la fel ca la tranzistorul bipolar : = C i se calculeaz din urmtorul
IB
sistem de ecuaii, scris pentru montajul din Fig.2.25.a. Relaia (2.8) s-a aplicat
fiecruia dintre tranzistoarele componente :
I C = I C1 + I C 2
I B1 = I B
I B 2 = I B1 + I C1
I C1 = 1 I B1

(2.16)

I C 2 = 2 I B2
Prin nlocuiri succesive se obine factorul ideal de amplificare :
= 1 2 + 1 + 2

+
B

I C1
I B = I B1

I B2

C
IC

+
I C1

I C2

T1

T2

(2.17)

I B I B1
T1
I B2
R1

R2

a)

b)

Fig.2.25. Montaj Darlington.

33

C
IC
I C2
T2

-E

ELECTRONIC DE PUTERE

n practic montajul se completeaz cu rezistene pentru divizarea tensiunii

de comand pe bazele celor dou tranzistoare, ca n Fig.2.25.b i factorul real de
amplificare este mai mic din cauza cderilor de tensiune pe cele dou rezistene.
Factorul real de amplificare este cu att mai aproape de relaia (2.17), cu ct
rezistenele R1 i R2 sunt mai mici. n practic se folosete relaia aproximativ :
= 1 2

(2.18)

2.3. TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP

Tranzistoarele cu efect de cmp utilizate n electronica de putere sunt cele

cu poart izolat, numite MOS-FET. Rolul lor n circuit este acelai cu al
tranzistoarelor bipolare. Accesibile n exterior aceste tranzistoare au tot trei
electrozi, numii surs (S) , dren (D) i poart (G), aa cum se poate vedea pe
simbolurile din Fig.2.31.a. Tranzistoarele cu canal p au sgeata de la surs cu
sens invers.
K1
K2

Metal
n+

RG

VC

S
D

RC

VP

Oxid

D
n+

G
S

canal n indus

canal n initial

Substrat p

Canal n

B
a)

b)

Fig.2.31. Tranzistor cu efect de cmp :

a) simbol ; b) structur i circuit de polarizare.

n Fig.2.31.b este dat structura unui tranzistor MOS-FET cu canal n indus.

Un asemenea tranzistor este format dintr-un substrat semiconductor de tip p
slab dopat, n care se difuzeaz dou zone puternic dopate n. Pe suprafa se
dezvolt apoi un strat de bioxid de siliciu, care este material izolant. n dreptul
zonelor n se ndeprteaz stratul de oxid i se depune metalizarea pentru
electrozi : sursa i drena. Tot strat de metal (aluminiu) se depune i peste stratul
de oxid, ntre surs i dren, unde se leag al treilea electrod, poarta (grila). De
34

TRANZISTOARE DE PUTERE

la aceast suprapunere de materiale : Metal - Oxid Semiconductor, provine i

denumirea tranzistorului : MOS. n contact cu substratul p este un electrod
numit baz (B), care nu este accesibil din exterior i este legat cu sursa. Aceast
legtur se regsete i n simbolul tranzistorului MOS-FET.
La tranzistoarele cu canal indus, acesta ia natere n urma aplicrii unei
tensiuni de comand ntre poart i surs. Canalul iniial rezult n urma doprii
superficiale a zonei substratului ce se afl sub stratul de oxid, cu acelai fel de
impuriti ca i straturile sursei i drenei. Felul impuritilor poate fi inversat
fa de exemplul dat n Fig.2.31.b, dar ntotdeauna, sursa, canalul i drena au
acelai fel de impuriti.
n structura tranzistorului cu efect de cmp exist tot dou jonciuni n
opoziie ca i la tranzistorul bipolar : jonciunea sursei i jonciunea drenei.
Tranzistorul cu efect de cmp poate fi ns privit i ca un condensator, ale crui
armturi sunt porta i baza, iar stratul de oxid este dielectricul. Cmpul electric
al acestui condensator (notat n Fig.2.31.b cu E ) controleaz conducia prin
canal i, din acest motiv, tranzistorul se numete cu efect de cmp .
Dac ntreruptorul K2 din Fig.231.b sau 2.32 este deschis, prin circuitul
surs-dren se nchide un curent foarte mic, corespunztor conductibilitii
intrinseci a canalului, srac n purttori de sarcin.
La nchiderea ambelor ntreruptoare K1 i K2 , grila este pozitivat n raport
cu sursa i condensatorul MOS se ncarc. n canal se acumuleaz electroni,
provenii din zonele puternic dopate n ale sursei i drenei, atrai ctre gril,
armtura pozitiv a condensatorului. Cmpul electric din condensator este
orientat perpendicular pe canal i, cu ajutorul lui, deci a tensiunii de comand
vGS, se controleaz dimensiunile canalului i concentraia de purttori de sarcin
din canal. Creterea tensiunii vGS determin creterea numrului de purttori de
sarcin din canal. Exist o valoare limit, la depirea creia, concentraia de
electroni din canal este suficient de mare, astfel nct ei sa poat trece peste
barierele de potenial ale celor dou jonciuni (surs substrat i dren
substrat). Deci, la depirea tensiunii de prag VGS(th) ntre surs i dren, prin
canal, trece curentul de dren iD . Deoarece curentul apare ca urmare a
mbogirii canalului cu purttori de sarcin, MOS-FET-ul cu canal indus se mai
numete i cu regim de mbogire .
K1
iD

RC

VP
vDS

vGS

RG

K2

VC

35

ELECTRONIC DE PUTERE

Fig.2.32. Circuitul de polarizare pentru MOS-FET cu canal n.

Polaritile tensiunilor exterioare se inverseaz pentru tranzistorul MOS cu

canal p ; la fel i sensul curenilor i cderilor de tensiune pe tranzistor
(Fig.2.32).
Conducia la tranzistoarele cu efect de cmp se datoreaz n principal
purttorilor de sarcin majoritari din straturile sursei i drenei, motiv pentru care
se numesc unipolare . Ca urmare aceste tranzistoare nu au sarcin stocat n
jonciune i blocarea se face mult mai repede i ele pot comuta cu frecvene de
ordinul megaherzilor.
Tranzistorul MOS-FET prezentat n Fig.2.31.b se numete planar i are
dezavantajul unui canal de conducie lung, ceea ce determin o rezisten i
putere dezvoltat mare, pe durata conduciei, motiv pentru care utilizarea lui este
limitat la puteri mici, de ordinul wailor.
Incercrile de a uni avantajele tranzistoarelor bipolare i a celor cu efect de
cmp au condus la dezvoltarea unui nou tip de dispozitiv, numit tranzistor
bipolar cu poart izolat (IGBT). De fapt acest tranzistor este un dispozitiv
semiconductor multicelular, n cadrul cruia, fiecare celul este compus dintrun tranzistor bipolar de putere comandat de un tranzistor MOS.
Avantaje :
de la MOS-FET : comanda n tensiune, viteza de comutaie ridicat i deci
pierderi mici n comutaie,parametrii caracteristici puin variabili cu
temperatura, rezisten mare de intrare i deci semnal de comand de putere
mic, lipsa celei de-a doua strpungeri;
de la tranzistorul bipolar : cderea mic de tensiune n conducie i deci
pierderi mici n conducie, pre mic pe unitatea de putere comutat.

3. TIRISTOARE DE PUTERE

Tiristoarele de putere sunt dispozitive semiconductoare comandate,

unidirecionale n curent i bidireccionale n tensiune. Spre deosebire de
tranzistor, el poate rmne n conducie i dup dispariia semnalului de
comand, dac este parcurs de un curent minim, numit curent de meninere.
Simbolul tiristorului este cel prezentat n Fig.3.1.a.

36

TRANZISTOARE DE PUTERE

+ A

G
K

+ A
a)

J1
p ++ n -

J2 J3
p n ++
G

b)

Fig. 3.1.Tiristorul : a) simbolul ; b) structura.

37