Scopul lucrrii: Familiarizarea cu metodele de ridicare a caracteristicilor voltamperice(CVA) pentru diverse diode semicoductoare , ridicarea parametrilor de baz a diodelor

i schemelor cu utilizarea lor.

Aparate i materiale: Generator funcional, multimetru, osciloscop surs de tensiune

curent continuu, rezistoare, diod semiconductoare.

Mersul lucrrii:
Lansai programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Experiena 1. Msuram tensiunea i calculm curentul care circul prin

diod la polarizare direct i indirect.
Construim figura 1

Figura 1. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.

Tastm

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Msurm tensiunea la polarizare direct Udir, i calculm conform relaiei 1.1 curentul la
polarizare direct.
E U dir
I dir
R
(1.1)
Tensiunea la polarizare direct este Udir= 772.1mV
EU dir 10772,1103
curentul este I dir =
=
=0,0922 A=92,2 mA
R
100

Construim figura 2

Figura 2. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.

Tastm
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Msurm tensiunea la polarizare indirect Uind, i calculm conform relaiei 1.2 curentul la
polarizare indirect.
E U ind
I ind
R
(1.2)
Tensiunea la polarizare indirect este Uind=10V
EU ind 1010
curentul este U ind =
=
=0 A
R
100

Experiena 2. Msurarea curentului care circula prin diod la polarizare

direct i indirect.
Construim figura 3

Figura 3. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.

Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Am masurat curentul la polarizare direct care este I dir =92,28 mA

Construim figura 4

Figura 4. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.

Tastm

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Msuram curentul la polarizare indirect Iind= 0mA

Experiena 3. Msurarea rezistenei statice a diodei la polarizare direct

i indirect.
Construim figura 5

Figura 5. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.

Tastm
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Am msurat rezistena static a diodei la polarizare indirect Rst dir =77,21M
Construim figura 6

Figura 6. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.

Tastai

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Am msurat rezistena static a diodei la polarizare direct Rst ind=

Experiena 4. Msurarea tensiunii i curentului la polarizare direct i

indirect pentru trasarea CVA a diodei .
Construim figura 7

Figura 7. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.

Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Valorile tensiunii de intrare le lum din tabelul 1.1 prezentat mai jos i tot n el
ntroducem datele msurate experimental.
Tabelul 1.1 Datele msurate pentru ramura direct a CVA
E,V
Udir , mV
0
0
0,5
499.7
1
684,8
1,5
708,6
2
721
2,5
729,4
3
735,8
3,5
740,9
4
745,2
4,5
748,8
5
572,1

Idir , mA
0
2,958
3,152
7,914
12,7
17,71
22,64
27,59
32,55
37,51
42,48

Construim figura 8

Figura 8. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.

Tastam
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Valorile tensiunii de intrare le lum din tabelul 1.2 prezentat mai jos i tot n el
ntroducem datele msurate experimental.
Tabelul 1.2 Datele msurate pentru ramura indirect a CVA
E,V
Uind , V
0
0
5
5
10
10
15
15
20
20
25
25
30
30
35
35
40
40

Iind , A
0
5
10
15
20
25
30
35
40

Experiena 5.Obinerea CVA a diodei pe ecranul osciloscopului.

Construim figura 9

Figura 9. Instalaia experimental de ridicare a CVA de pe ecranul osciloscopului.

Tastm

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Figura 10. Caracteristica pe ecranul osciloscopului.

Tensiunea de curbur este U curb=721 mV

Concluzie: n urma acestei lucrri de laborator ne-am familiarizat cu

metodele de ridicare a caracteristicilor volt-amperice (CVA) a diodei
semiconductoare , cu parametrii de baz a diodelor semiconductoare i a schemelor
cu utilizarea lor.
n cadrul primei experiene am msurat tensiunea i am calculat curentul
Rst ind

i U dir a diodei i astfel am

prin diod,am msurat valoarea tensiunii

calculat I ind , I dir dup formula
I ind

E U ind

,
I dir

E U dir

La a doua experien am msurat curentul la polarizare direct care este

iar la polarizarea indirect este
.

I dir 202, 7 mA

I ind 0 mA

La a treia experien am msurat rezistena static a diodei la polarizare

direct
Rst dir=79,59 M iar la ploarizare indirect este Rst ind .
La a patra experien am msurat tensiunea i curentul prin dioda polarizat
direct i indirect la valorile date de FEM a sursei prezentate n tabelul 1.1 i 1.2 .
Pe baza datelor obinute din tabel am reprezentat grafic CVA a diodei
semiconductoare D1N4006GD.
La ultima experien am obinut CVA a diodei pe ecranul osciloscopului i
am salvat n lucrare caracteristica obinut pe ecranul osciloscopului astfel am
msurat tensiunea de curbur care este Ucurb= 637,6 mV .

MINISTERUL EDUCA IEI al REPUBLICII MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI
FACULTATEA RADIOELECTRONIC I TELECOMUNICA II
CATEDRA SISTEME OPTOELECTRONICE

Dare de seam
La lucrarea de laborator Nr.1

Tema: Studiul diodelor semiconductoare i a schemelor n baza lor

La disciplina: Dispozitive electronice

A efectuat

Filipesco Cristina

St. gr. SOE-092

A verificat
Lect. univ.

Gri co Roman

CHI INU 2010