Sunteți pe pagina 1din 26

Grupul Scolar de Transporturi Auto

Tema Proiect:

Memorii. Tipuri. Parametrii. Formate fizice si logice

An scolar 2007-2008

1
Curpins

Tema Proiect ……………………………………………….. 1

Cuprins……………………………………………………… 2

Capitolul I

Notiuni Introductive………………………………….. 3

Capitolul II

Memoria RAM………………………………………… 7

Capitolul III

Memoria ROM………………………………………... 14

Concluzie …………………………………………………… 21

Argument ……………………………………….………....... 23

Anexe………………………………………………………… 24

Bibliografie………………………………………………….. 26

2
Memoria - notiuni introductive

Acest proiect prezinta memoria calculatorului dumneavoastra atat din punct de


vedere logic, cat si din punct de vedere fizic. Proiectul contine o multime de informatii
utile care ridica valul de pe misterele memoriei si va permit sa obtineti de le sistemul
dumneavoastra performante cat mai bune.
Putem defini functia de memorare ca fiind posibilitatea de regasire a unor
informatii reprezentata sub forma binara care au fost anterior stocate. Un circuit de
memorare este un circuit electronic care implementeaza functia de memorare . Mentionam
ca implementarea acestei functii se poate realiza in mai multe moduri ,depinzand de
suportul fizic folosit pentru stocarea datelor . Putem avea spre exemplu memorii
magnetice, memorii optice, memorii semiconductoare. In continuare avem in vedere
numai circuite de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. Din punct de vedere
al memorarii ,memorarea unor informatii sub forma numerica mai precis a unor numere
reprezentate sub forma binara, aceste numere nu au nici o importanta.
Cel care doreste sa cunoasca sistemele PC trebuie sa se familiarizeze cu tipurile
de memorie instalate pe un calculator personal - zone mici sau mari de memorie de diferite
tipuri, unele putand fi accesate de programele de aplicatie, altele nu,o scema simpla a unui
bloc de memorie este prezentat in Anexa nr. 1.
In majoritatea sistemelor de calcul se utilizeaza urmatoarele tipuri de memorii :
- memoria conventionala (de baza)
- zona de memorie superioara (UMA)
- zona de memorie inalta (HMA)
- memoria extinsa
- memoria expandata (actualmente depasita)
- memoria RAM video
- memoria ROM pentru adaptoare si memoria RAM cu destinatie speciala
- componenta ROM BIOS de pe placa de baza

3
Dar exista mai multe clasificari ale acestora:
• Memorii interne
- Caracterizate prin capacitate mica si viteza mare de operare ;
• Memorii externe
- De capacitate foarte mare si viteza redusa de operare (sau acces) ;
• Memorii – tampon
- De capacitate medie si viteza de operare comparabila cu a memoriilor
interne.
De asemenea, memoriile se mai pot clasifica in :
• Memorii distructive
- La care informatia este distrusa in urma citirii ;
• Memorii nedistructive
- La care informatia nu este alterata la citire.
Dupa modul de functionare, memoriile pot fi :

• Statice
- Retin informatia cat timp memoria este alimentata ;

• Dinamice

- Chiar si atunci cand sunt alimentate, stocheaza informatia un timp


scurt
(1-2 ms) ; continutul memoriei trebuie improspatat din timp in timp ;

Din punct de vedere al modificarii continutului memoriei, memoriile pot fi :

• Memorii numai citeste (ROM = READ ONLY MEMORY)


- Continutul se inscrie la fabricarea circuitului integrat.
• Memorii citeste-scrie (RWM = READ WRITE MEMORY sau RAM =
RANDOM ACCES MEMORY – memorie cu acces aleatoriu).
- Continutul poate fi citit si scris in timpul folosirii acesteia;

• Memorii semipermanente

- Reprogramabile ( READ MOSTLY MEMORY).

4
Arhitectura unitatii centrale de prelucrare si a placii de baza determina capacitatea
memoriei fizice a sistemului.
Industria memoriilor este una dintre cele mai dinamice aplicatii ale electronicii
din zilele noastre. In ultimii ani chip-urile de memorie au avansat intr-un ritm alert, ceea
ce a dus la o scadere dramatica a pretului/MB. Factorul principal care a dus la cresterea
productiei fiind cererea de memorie, care a crescut datorita programelor ce utiulizeaza tot
mai multa memorie dar si datorita avantajului (din punctul de vedere al performantelor) pe
care memoria RAM il ofera in comparatie cu alte tehnologii de stocare a informatiei. In
acelasi timp performantele noilor module au fost imbunatatite, au scazut timpii de acces
iar viteza bus-ului a crescut.
Toate aceste caracteristici au fost implementate din cauza mai multor factori de
ordin tehnic, unul dintre acestia ar fi evolutia procesoarelor, care prin cresterea frecventei
introduc necesitatea cresterii performantelor pentru memorii. In lungul timpului memoriile
au fost construite prin prisma mai multor tehnologii, dintre acestea doar o parte au reusit
sa se impuna pe piata. Principalul motiv fiind, dupa cum multi dintre noi cunosc, raportul
pret/performanta.
Prin acest proiect mi-am propus o scurta descriere a modului de functionare
pentru cele mai raspandite memorii existente pe piata cat si avantajele/dezavantajele
tehnologiilor existente.
Cu toate ca exista mai multe gategorii de memorii cele mai cunoscute si cele cu
care ne intalnim mai mult sunt
- ROM (Read Only Memory) acest tip de memorie nu poate fi rescrisa
ori stearsa. Avantajul principal pe care aceasta memorie il aduce este insensibilitatea fata
de curentul electric. Continutul memoriei se pastreaza chiar si atunci cand nu este
alimentata cu energie.
- RAM (Random Access Memory), este memoria care poate fi citita ori
scrisa in mod aleator, in acest mod se poate accesa o singura celula a memoriei fara ca
acest lucru sa implice utilizarea altor celule. In practica este memoria de lucru a PC-ului,
aceasta este utila pentru prelucrarea temporara a datelor, dupa care este necesar ca acestea
sa fie stocate (salvate) pe un suport ce nu depinde direct de alimentarea cu energie pentru a
mentine informatia.

5
Cateva modele de memorie mai des intalnite in prezent

6
Memoria RAM (RANDOM ACCES MEMORY)

Circuitele de stocare din memoria principală a calculatorului sunt organizate în


unităţi denumite celule (sau cuvinte), dimensiunea uzuală a unei celule fiind de opt biţi.
De fapt,şirul de biţi de lungime opt a devenit atât de popular încât pe de o parte a dus la
apariţia termenului octet, iar pe de altă a impus pentru cuvântul byte sensul de şir de biţi
de această lungime.
Calculatoarele simple utilizate în cadrul aparatelor casnice, cum este cuptorul cu
microunde,au de obicei memorii ale căror dimensiuni sunt de sute de celule sau chiar mai
puţin, în timp ce calculatoarele complexe, utilizate pentru stocarea şi prelucrarea
ansamblurilor de date de dimensiuni mari pot avea memoria principală alcătuită din
miliarde de celule. Dimensiunea memoriei este măsurată în multipli de 1.048.576 celule.
(Numărul 1.048.576 este o putere a lui 2, mai precis 220 şi de aceea este mult mai natural
să fie utilizat ca unitate de măsură în cadrul calculatoarelor decât 1.000.000, care este o
putere a lui 10). Pentru a desemna această unitate de măsură se foloseşte termenul mega.
Adesea, pentru termenul megabyte se foloseşte abrevierea MB. Astfel o memorie de 4 MB
conţine 4.192.304 celule, fiecare dintre ele având un octet. Alte unităţi de măsură a
dimensiunii memoriei sunt kilooctetul (kilobyte – prescurtat KB), care este egal cu 1024
octeţi (210 octeţi) şi gigaoctetul (gigabyte - prescurtat GB) care este egal cu 1024 MB,
respectiv 230 octeţi.
Pentru identificarea celulelor individuale din memoria principală a unui calculator,
fiecare are atribuit un nume unic, denumit adresă. Sistemul este analog cu tehnica de
identificare – după adresă - a caselor unui oraş şi utilizează aceiaşi terminologie. Însă, în
cazul celulelor de memorie, adresele utilizate sunt în întregime numerice. Pentru a fi mai
precişi, celulele se consideră plasate toate pe un singur rând şi numerotate în ordine
pornind de la valoarea 0.

Celulele dintr-un calculator cu 4MB de memorie vor avea astfel de adrese ca 0, 1,


2, ... ,4192303. De observat că un astfel de sistem de adrese nu numai că ne oferă o cale de
a identifica unic fiecare celulă, ci asociază în plus şi o relaţie de ordonare între celule,
permiţându-ne să facem referiri de tipul ″celula precedentă″ sau ″următoarea celulă″.
Pentru a completa structura memoriei principale a unui calculator, circuitele care
stocheazăbiţii sunt combinate cu circuitele necesare pentru a permite altor circuite să
stocheze şi să recupereze datele din celulele de memorie. Astfel, alte circuite pot prelua
date din memorie solicitând informaţii despre conţinutul unei anumite adrese (operaţie ce

7
se numeşte citire) sau pot înregistra informaţii în memorie solicitând ca un anumit şir de
biţi să fie plasat în celula aflată la o anumită adresă (operaţie ce poartă nimele de scriere).
O consecinţă importantă a modului de organizare a memoriei principale a
calculatorului în celule de dimensiuni mici cu adresă este aceea că fiecare celulă poate fi
apelată, cercetată şi modificată individual. O celulă de memorie cu o adresă mică este la
fel de accesabilă ca una cu o adresă mare. În consecinţă, datele stocate în memoria
principală aunui calculator pot fi prelucrate în orice ordine. De aceea memoria principală a
unui calculator este adesea denumită memorie cu acces aleator (random acces memory
- RAM). Acest acces aleator la mici unităţi de date se deosebeşte radical de sistemele de
stocare de masă în cazul cărora şiruri lungi de biţi trebuie manipulate ca blocuri.
Memoria RAM(Ramdom Acces Memory)este folosita de catre procesor atunci
cand foloseste infornatii.Circuitele folosite pentru a construi memoria RAM pot fi
clasificate fie ca dynamic RAM(DRAM) sau static RAM (SRAM).
Calculatorul poate accesa date prin SRAM mai rapid decat DRAM,dar SRAM
consuma mai multe resurse.Circuitul SRAM este mai mare si de asemenea un circuit
SRAM are mai putini biti decat unul DRAM cu acealasi dimensiuni.Din acest motiv
SRAM este mai utilizat cand este necesara o accesare rapida a memoriei si capacitatea
memoriei si consumul de resurse nu conteaza.
În realitate, memoria de tip SRAM este folositã cel mai adesea ca memorie cache
pe când DRAM-ul este uzual în PC-urile moderne, fiind prezent în primul rând ca
memorie principalã a oricãrui sistem. De acest din urmã tip ne vom ocupa în continuare,
enumerând tipurile uzuale de DRAM prezente de-a lungul istoriei, toate concepute în
scopul cresterii performantelor DRAM-ului standard: FPM DRAM (Fast Page Mode
DRAM), EDO DRAM (Extended Data Out DRAM), BEDO RAM (Burst EDO DRAM),
RDRAM (Rambus DRAM), în prezent impunându-se SDRAM (Synchronous DRAM), cu
variantele DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) si DDR2 SDRAM.
De asemenea, pentru plãcile grafice au fost concepute mai multe tipuri de
memorie, printre care VRAM (Video RAM), WRAM (Windows RAM), SGRAM
(Synchronous Graphics RAM) si GDDR3, ele fiind variante de DRAM (primele douã),
SDRAM si respectiv DDR2 SDRAM, optimizate pentru a fi folosite ca memorie video.
Dupã perioada de început, când chip-urile de memorie se înfigeau pur si simplu în
placa de bazã, primul model uzual a fost SIMM-ul pe 30 de pini, urmat de cel pe 72 de
pini. SIMM (Single Inline Memory Module), modulul prezentând o lãtime de bandã de 8
biti pentru prima versiune si de 32 pentru cea de-a doua; dimensiunea fizicã a SIMM-ului
pe 30 de pini este de douã ori mai micã decât în cazul celeilalte variante.
Diferentele de vitezã dintre ele corespund perfect perioadei de glorie: dacã prima
versiune era uzualã pe timpul sistemelor 286 si 386, SIMM-ul pe 72 de pini a stat la baza
generatiei 486, Pentium si Pentium Pro. Chip-urile folosite au fost de tip DRAM, FPM si,
mai târziu, EDO DRAM.

8
Urmasul lui SIMM s-a chemat DIMM (Dual Inline Memory Module). Dupã cum îi
spune si numele, el oferã o lãtime de bandã de 64 de biti, dublã fatã de SIMM-urile pe 72
de pini, având la bazã un fel de dual-channel intern, dacã ni se permite comparatia.
Numãrul de pini a fost de 168 sau de 184 de pini, în functie de tip: SDRAM sau
DDR SDRAM. A existat si un numãr limitat de modele de DIMM bazate pe EDO DRAM
dar ele nu au avut succes pentru cã trecerea de la SIMM la DIMM a coincis cu cea de la
EDO la SDRAM.
RIMM (Rambus Inline Memory Module) este modelul constructiv al memoriilor
RDRAM. Numãrul de pini este de 184 (ca si la DDR SDRAM) dar asemãnãrile se opresc
aici, configuratia pinilor si modul de lucru fiind total diferit. Mai sunt de amintit modulele
SO-DIMM, destinate calculatoarelor portabile, care detin un numãr diferit de pini: 184
pentru SDRAM si 200 pentru DDR SDRAM.
Practic vorbind, montarea modulelor SIMM era o operatie greoaie si necesita
experientã si îndemânare. Odatã cu modulele DIMM (si RIMM, care au acelasi sistem de
prindere) chinul a fost dat uitãrii, oricine putând monta o memorie, fiind necesarã doar
putinã atentie. Montarea inversã a unui DIMM (care necesitã, totusi, destulã fortã)
Timpul necesar care ii trebuie procesorului pentru a scrie un bit de memorie este
foarte important pentru calculator.Acest interval este numit timp de acces.
Memoriile DRAM actuale au timpii de acces intre 61 si 80 nanosecunde.Memoria
SRAM are timpul de acces de patru ori mai rapid decat DRAM.
Memoria interna este impartita in locatii care au anumite adrese care se refera la
un singur bit sau adrese care sunt specificate la un grup de biti.
Cand calculatorul executa o comanda de citire,o parte a instructiunii specifica care
parte a memoriei trebuie accesata.Adresa este trimisa de processor catre memorie printr-
un address bus. Cicuitele de control folosesc adresele pentru a selecta bitii la locatia la din
RAM.
Continutul acestora sunt trimise inapoi catre procesor printr-un cicuit numit data
path.La unele procesoare cale de date poate face direct operatii aritmetice pe date din
memorie,pe cand la altele,datele trebuie mai intai sa treaca prin registre.
Memoriile RAM se realizeaza ata in tehnologie bipolara,cat si in tehnologie MOS.
Celulelede memorie bipolare sunt de tip static(retin informatia atata timp cat celula este
alimentata la o sursa de tensiune).Circuitele de memorie pot tip MOS pot fi statice,fie
dinamice,

9
Memoriile MOS dinamice au urmatoarele avantaje fata de cele statice :
- Puterea consumata in repaus este mult mai mica ;
- Numarul de tranzistoare pe celula de memorie este mult mai mic.Se rot realeza
memorii de capacitate mai mare pe cip,la un prêt de cost mai mic.
Memoriile RAM in tehnologia MOS au capatat o mare raspandire datorita faptului
ca sunt mai ieftine, tehnologic sunt mai usoare de realizat,ocupa un volum de 5-6 ori mai
mic decat al memoriilor cu tranzistori bipolari.Viteza lor de lucru si timpul de acces sunt
intrucatva inferioare memoriilor cu tranzistoare bipolare,in schimb consumul lor este mult
mai mic.Memoriile RAM in tehnologiea TTL utilizeaza de regula tranzistoare
multiemitator.
Memoria RAM se clasifica in SRAM (Static) si DRAM (Dynamic).
• SRAM, acest tip de memorie utilizeaza in structura celulei de memorie 4
tranzistori si 2 rezistente. Schimbarea starii intre 0 si 1 se realizeaza prin comutarea starii
tranzistorilor. La citirea unei celule de memorie informatia nu se pierde. Datorita utilizari
matricei de tranzistori, comutarea intre cele doua stari este foarte rapida.
• DRAM are ca principiu constructiv celula de memorie formata dintr-un tranzistor
si un condensator de capacitate mica. Schimbarea starii se face prin incarcarea/descarcarea
condensatorului. La fiecare citire a celulei, condensatorul se descarca. Aceasta metoda de
citire a memoriei este denumita "citire distructiva". Din aceasta cauza celula de memorie
trebuie sa fie reincarcata dupa fiecare citire. O alta problema, care micsoreaza
performantele in ansamblu, este timpul de reimprospatare al memoriei, care este o
procedura obligatorie si are loc la fiecare 64 ms. Reimprospatarea memoriei este o
consecinta a principiului de functionare al condensatoriilor. Acestia colecteaza electroni
care se afla in miscare la aplicarea unei tensiuni electrice, insa dupa o anumita perioada de
timp energia inmagazinata scade in intensitate datorita pierderilor din dielectric. Aceste
probleme de ordin tehnic conduc la cresterea timpul de asteptare (latency) pentru folosirea
memoriei.
Datorita raspindiri vaste a memoriei de tip DRAM, am sa exemplific modul de
functionare a celulei de memorie in baza acestei tehnologii.
Celula de memorie, este cea mai mica unitate fizica a memoriei. Este compusa
din componente electronice discrete. Principiul de functionare este in fapt modificarea
starii logice intre 0 si 1 care la nivel fizic, in functie de tehnologia utilizata, corespunde cu
inmagazinarea energiei electrice prin intermediul unui condensator (pentru DRAM), ori cu
reconfigurarea matricei de tranzistori (in cazul SRAM). Celula de memorie din punct de
vedere logic este tratat ca fiind un bit. Cea mai mica unitate logica adresabila a memoriei
este formata din opt biti si ia denumirea byte.

10
Acesta ofera posibilitatea obtineri a 256 combinatii (caractere). Prin gruparea a opt
bytes se obtine un cuvint (word). Constructiv, din motive ce tin de design, celulele de
memorie sint organizate sub forma unor matrici.
Pentru identificarea si accesarea celulelor de memorie, acestea dispun de o adresa
unica pentru fiecare celula in parte. Identificarea celulei de memorie se face prin
transmiterea adresei acesteia prin BUS-ul de adrese catre decodorul de adrese (format din
decodoare pentru linie si coloana), acesta identifica celula de memorie care corespunde
adresei primite si transmite continutul acesteia catre interfata de date iar aceasta mai
departe, catre BUS-ul de date.
Magistrala pentru adrese (BUS adrese) este conexiunea intre chipset-ul placii de
baza si memorie, aceasta este puntea de legatura prin care adresele sunt transmise catre
decodor.
Decodorul de adrese este format din decodorul de linie si cel de coloana, acesta
receptioneaza adresa celulei de memorie pe care o imparte in doua, prima parte fiind
transmisa catre decodorul de linie iar a doua catre cel de coloana, astfel se identifica celula
de memorie corespunzatoare.
Matricea de memorie este structura prin care celulele de memorie sunt ordonate
pe linii si coloane.
Interfata pentru date contine un amplificator de semnal, acesta receptioneaza
informatiile stocate in celulele de memorie, amplifica semnalul, reincarca memoria si
transmite informatia prin BUS-ul de date catre chipset (in cazul in care informatia este
citita din memorie). Pentru scriere procedeul se inverseaza.
Magistrala pentru date (BUS date) este conexiunea intre chipset-ul placi de baza
si memorie, aceasta ofera posibilitatea transmiterii informatiilor ce trebuiesc prelucrate de
catre procesor ori stocate in memorie.
In general celulele de memorie nu pot fi accesate individual, din acest motiv,
constructiv matricea de memorie este incapsulata intr-un chip. Chip-urile de memorie sunt
asamblate pe un modul de memorie (circuit imprimat) in numar de opt. Acestea sint
conectate la magistrala de adrese si la cea pentru date. Astfel se obtine o celula de
memorie virtuala, formata din 8 biti (1 byte). Modulele de memorie la randul lor sint
organizate in bancuri de memorie, acestea sunt conectate intre ele in acelasi mod ca si
chip-urile.
Daca luam ca exemplu un procesor ce lucreaza pe 16 biti si vechile module de
memorie de tip SIMM care functionau numai in perechi. Ne punem intrebare, de ce cite
doua?
Acest lucru se intimpla datorita procesorului, care are nevoie de 16 biti pentru a
umple magistrala de date, avind in vedere ca un modul de memorie detine numai 8 biti,
doua astfel de module au fost conectate intre ele, in acest mod sa obtinut o magistrala
pentru date cu latimea de 16 biti.

11
Timpul de asteptare, pentru efectuarea tuturor operatiilor ce aduc informatia in
interfata pentru date este necesar un anumit timp, care este identificat sub numele
"latency". Astfel ca, pentru transmiterea adreselor intre procesor, chipset si memorie se
utilizeaza 2 cicluri de tact. Pentru identificarea celulei de memorie se parcurg doua
operatii. Identificarea liniei din matrice, pentru care avem nevoie de 2/3 cicluri (in functie
de calitatea memoriei utilizata), aceasta perioada se numeste RAS (Row Address Strobe)
to CAS (Column Address Strobe) delay si identificarea coloanei (CAS latency) pentru
care se consuma aproximativ acelasi timp ca si pentru prima operatie (2/3 cicluri). Pentru
transmiterea informatiei catre interfata de date se consuma 1 ciclu iar pentru ultima
operatie, transmiterea datelor catre chipset si apoi catre procesor, inca 2 cicluri.
Dupa transmiterea informatiilor, in cazul in care cererea emisa de procesor este
mai mai mare decit latimea magistralei pentru date, urmatoarele cuvinte sint transmise
catre procesor in modul rafala "burst mode" la fiecare ciclu de tact, acest lucru este posibil
datorita unui numarator intern care identifica urmatoarea coloana si transmite catre
amplificator continutul.

Formate logice ale memoriei RAM


Pentru a mări performanţele memoriei, proiectanţii au dezvoltat o serie de
tehnologii care să depăşească aceste limite, orientându-se asupra modului în care sunt
procesate datele intern – moduri ce constitue formatele logice ale memoriilor interne.
Cipurile SDRAM au un timp de acces de 10 ns, fiind utilizabile pentru magistrale
de memorie de 100 Mhz. Cipurile actuale au anumite limite care reduc frecvenţa la
aproape 66 Mhz; SDRAM-urile nu vor opera la frecvenţe mai mari de 100 Mhz deoarece
sloturile SIMM-urilor devin nesigure la frecvenţe mai înalte.
Memoriile DDR (Double Data Rate) sunt realizate într-o tehnologie SDRAM cu
posibilitatea dublării frecvenţei de la 100 la 200 Mhz.
Memoriile EDRAM (Enhanced DRAM) fac DRAM-urile companiei Ramtron mai
rapide prin adăugarea unor blocuri mici de memorie cache statică pe fiecare cip. Cache-ul
operează la viteză înaltă (în mod obişnuit 15 ns), astfel încât poate să acopere cererile de
date ale microprocesorului fără a adăuga stări de aşteptare generate de operaţia de
reîmprospătare.
Memoria CDRAM (Cached DRAM) realizată de Mitsubishi adaugă o memorie
cache pe fiecare cip utilizând un model de tip asociativ pe set; cipul iniţial de 4 MB avea
încorporată o memorie cache de 2 K şi folosea două buffere de câte un cuvânt (16 biţi)
pentru transferul dintre cache şi circuitele externe. Spre deosebire de EDRAM, CDRAM

12
permite atât cache-ului cât şi DRAM-ului principal să opereze independent una de
cealaltă. Cache-ul este suficient de rapid pentru a transfera date în mod burst la o frecvenţă
de 100 Mhz.
Modelul RDRAM (Rambus DRAM) al firmei cu acelaşi nume foloseşte un cache
RAM static de 2048 K cuplat la DRAM printr-o magistrală foarte largă, ce permite
transferul unei pagini de memorie în cache într-un singur ciclu. Cache-ul este destul de
rapid, furnizând datele la un timp de acces de 10 ns. Rata de transfer poate ajunge la 800
Mb/sec dublu faţă de SDRAM. Modelul Rambus cere o modificare radicală a plăcii de
bază pe care se instalează, soclurile purtând denumirea de RIMM (Rambus In line
Memory Module). Deocamdată sunt utile pentru sisteme care includ integrare video.
Capacităţile disponibile actual sunt de 64 MB, 128 MB şi 256 MB/modul, dar
există potenţial pentru crearea modulelor de 1 G şi 2 G care să funcţioneze pe magistrale
ale sistemului de 200 Mhz.
În locul unui bloc de memorie în care fiecare celulă este adresată de numărul liniei
şi coloanei, memoria MDRAM (Multibank DRAM) produsă de MoSys Incorporated
desparte informaţia stocată într-un număr de bank-uri de memorie separate.

Deosebiri SRAM/DRAM
Principalul avantaj al memoriei dinamice (DRAM) este pretul foarte redus pentru
obtinerea unei celule. De altfel, acesta este si singurul plus pe care aceasta memorie il are
in comparatie cu SRAM. In schimb performantele sint cu mult in urma memoriei statice
(SRAM). Datorita modului prin care se comuta intre starile 0 si 1 si a modului in care se
executa citirea celulei de memorie, SRAM nu are nevoie de rescriere a datelor dupa ce
acestea au fost citite si nici de reimprospatarea celulei de memorie. Atfel ca timpii de
acces sint mult mai mici iar viteza la care acest tip de memorie lucreaza depaste cu mult
performantele memoriei dinamice. Datorita pretului de cost mare pentru obtinerea unei
celule SRAM, acest tip de memorie este utilizat numai pentru fabricarea memoriei cache
ce se implementeaza in placile de baza sub denumirea de cache level 2 (L2) ori pentru
memoria cache level 1 (L1) ce este integrata in structura procesoarelor. Memoria cache L1
functioneaza la aceasi frecventa cu cea a procesorului in timp ce pentru memoria cache L2
frecventa de lucru este jumatate fata de frecventa procesorului. Memoria cache a fost
introdusa ca un artificiu tehnologic, care trebuie sa suplineasca diferenta de frecventa
dintre procesor si memorie.

13
Memoria ROM (READ ONLY MEMORY)

Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOS-ul (Basic Input
Output System) unui PC. In practica, o data cu evolutia PC-urilor acest timp de memorie a
suferit o serie de modificari care au ca rezultat rescrierea/arderea "flash" de catre utilizator
a BIOS-ului. Scopul, evident, este de a actualiza functiile BIOS-ului pentru adaptarea
noilor cerinte si realizari hardware ,ori chiar pentru a repara unele imperfectiuni de
functionare.
Astfel ca in zilele noastre exista o multitudine de astfel de memorii ROM
programabile (PROM-Progamable Read Only Memory-, EPROM-Electricaly Eraseable
Programmable Read Only Memory-, etc) prin diverse tehnici, mai mult sau mai putin
avantajoase in functie de gradul de complexitate al operarii acestora.
Componenta ROM-BIOS este livrata de catre firma producatoare a calculatorului
in memoria ROM a sistemului de calcul. Imediat ce se porneste sistemul intra in lucru o
rutina a acestei componente.Ca regula generala ROM-BIOS egalizeaza toate diferentele
constructive ale sistemului de calcul fata de conventiile DOS.

14
Aceste memorii se realizeaza sub forma unor matrici de diode, tranzistori bipolari
sau tranzistori MOS, la care unele elementedin celule nu sunt conectate sau lipsesc din
schema, acest lucru exprimand una din starile logice "0" sau "1".
Asa cum exista mai multe variante de memorii RAM, si memoriile ROM sunt de
mai multe feluri. Putem clasifica memoriile ROM astfel:

• Memoria ROM ;
• Memoria PROM ;
• Memoria EPROM ;
• Memoria EEPROM ;
• Memoria FLASH .
Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOS-ul (Basic Input
Output System) unui PC. BIOS-ul este un program de marime mica (<2 MB) fara de care
computerul nu poate functiona, acesta reprezinta interfata intre componentele din sistem si
sistemul de operare instalat (SO).
Este acea memorie nevolatila care este programata in momentul fabricarii, cu
ajutorul unei masti prin care se stabileste configuratia circuitelor pe CIP. Aceasta face ca
informatiile continute sa nu poata fi modificate, ci doar citite.

Memoria PROM (Programmable Read-Only Memory) este caracterizata de


faptul ca se poate programa de catre utilizator o singura data (nu se poate reprograma).
Structura acestei memorii este asemanatoare cu cea a memorie ROM. La memoriile
bipolare, deosebirea apare in faptul ca fiecare tranzistor este conectat prin elemente
fuzibile la linia de iesire. Trecerea unui tren de impulsuri de curent mai mare prin aceste
elemente (de obicei de 0,5 - 1 A) conduce la arderea acestor elemente si la intreruperea
conexiunii tranzistorului corespondent cu iesirea memoriei.

15
Generarea acestor impulsuri este realizata cu ajutorul unui aparat special numit
programator, arderea elementelor fuzibile realizandu-se pe rand, unul cate unul, conform
cerintelor produsului software care trebuie codificat in memoria PROM. Un element
fuzibil o data ars, nu poate fi refacut, aceasta ducand la ireversibilitatea programarii (in cel
mai bun caz se mai pot arde o parte din elmentele care au ramas intregi in urma primei
programari).
Memoria EPROM (Eraseable Programmable ROM) elimina deazavantajul
PROM-urilor de a fi utilizate (programate) numai o singura data. Ea este realizata cu
matrici de tranzistori MOS si se programeaza prin aplicarea unei tensiuni (circa 5V), intre
sursa si drena tranzistorului, producandu-i astfel modificari, dar care, din fericire, sunt
reversibile. Refacerea starii initiale a memoriei (stergerea) se realizeaza prin iluminarea ei
cu raze ultraviolete. In acest scop, cipul de memorie este prevazut cu o fereastra care
permite iluminarea pastilei de siliciu. Aceasta fereastra, pe timpul utilizarii memoriei, se
acopera cu o eticheta pentru a o proteja impotriva stergerii involuntare. Eticheta se scoate
doar cand se doreste stergerea si reprogramarea memoriei.
Memoria EEPROM (Electrically Eraseable Programmable ROM) se
aseamana cu memoria EPROM, cu diferenta ca stergerea se realizeaza electric, prin
aplicarea unei tensiuni mai mari decat cea normala. Acest lucru permite stergerea si
reprogramarea, fara a fi necesara scoaterea din montajul in care a fost amplasata, precum
si stergerea si modificarea unui singur octet, in timp ce memoria EPROM se sterge in
totalitate. Memoriile EPROM se pot reprograma de un numar finit de ori (in general, de
zeci sau sute de mii de ori), lucru care nu permite folosirea ei pe post de memorie utilizata
in cadrul calculatoarelor (intr-un PC memoria se poate modifica de mii de ori pe secunda).
Memoria FLASH numita si FLASH ROM este o versiune mai noua a
memoriilor EEPROM. Spre deosebire de acestea, stergerea si programarea memoriei flash
se realizeaza folosind tensiunile de alimentare dintr-un calculator si nu o tensiune speciala.
Astfel, citirea si scrierea (programarea) se realizeaza la tensiunea de +5V, iar stergerea
foloseste tensiunea de +12V, in general.
Memoria flash este, in general, impartita in blocuri. Pentru a modifica datele unui
bloc este suficient a se sterge blocul respectiv, celelalte blocuri ramanand neschimbate.
Stergerea blocului preuspune ca valoarea zero logic sa se ragaseasca in toate celulele
blocului. La scriere, o celula isi poate schimba continutul din zero in unu, dar revenirea in
zero se poate face numai prin stergerea blocului. Scrierea, ca si citirile se pot face, in
general, in mod aleator.

16
Pe langa memoriile RAM si ROM, in special in primele generatii de calculatoare,
se poate intalni un alt tip de memorie: "memoria virtuala". Aceasta a aparut din dorinta de
a obtine o capacitate de memorie mai mare in conditiile in care circuitele de memorii
aveau preturi foarte mari. Acest tip de memorie foloseste spatiul existent in sistemele de
stocare masiva a datelor (hard-disk-uri, unitati de banda). Memoria virtuala este folosita
pe o scara destul de larga, desi performantele de viteza ale ei sunt foarte reduse.
Memoriile Rom sunt circuite de memorie ale caror continut este programat la
fabricare si nu poate fi schimbat de utilizator. Un exemplu de celula de baza pentru un
astfel de memorie este dat in figura de mai jos:
Ea este constituita dintr-un tranzistor cu efect de camp a carui tensiune de prag
difera in functie de continutul informational al locatiei respective .
Daca la aplicarea unui impuls pozitiv pe grila tranzistorul conduce atunci el se
comporta ca un scurtcircuit drena sursa , informatia inscrisa fiind 0 logic; daca ramane
blocat atunci avem 1 logic .Obtinerea unor tranzisotare cu tensiuni de prag diferite se face
printr-un strat de oxid de grosime corespunzatoare intre grila tranzistorului si substrat
Exista si memorii ROM-PROGRAMABILE (PROM si EPROM). Memoriile
PROM sunt circuite de memorie al caror continut este programat o singura data de
utilizator.Dupa inscriere informatia nu mai poate fi stearsa. Celula de memorie a unor
astfel de circuite au la baza un fuzibil din polisiliciu care este ars la programare .Celula de
baza a unei memorii PROM este realizata cu tranzistoare bipolare.Initial toate fuzibilele
memoriei sunt scurtcircuitate .
Programarea unei celule inseamna arderea fuzibilului din nodul respectiv . Pentru
programare se aplica impuls pozitiv pe baza ,iar linia de bit DL se mentine la potential
coborat .Curentul de emitor al tranzistorului , suficient de mare , produce arderea
fuzibilului F . Programarea se face succesiv pe fiecare celula ,selectia unei celule facandu-
se prin liniile WL si DL.Memoriile EPROM se folosesc pentru realizarea celulei de
memorie un tranzistor cu efect de camp cu dubla poarta (grila) ,una comanda si una
izolata.
Daca pe poarta izolata este acumulata sarcina electrica negativa atunci aplicarea
unor tensiuni pozitive pe grila a doua(Vc) nu poate aduce in stare de conductie
tranzistorul. Daca pe poarta izolata nu este acumulata o sarcina atunci aplicarea tensiunii
pozitive pe Vc creaza un camp care duce la formarea canalului n si la conductia
tranzistorului . Nivelul logic pe linia de bit este 1 cand tranzistorul este blocat si 0 cand

17
acesta conduce. Injectarea de sarcini negative pe grila izolata se face prin aplicarea unei
tensiuni drena , si o tensiune pozitiva pe grila . Tensiunea Vds mare , duce la campul
electric intern intens , trec prin stratul de oxid foarte subtire si se acumuleaza in grila
izolata .Pentru stergereainformatiei din celula si revenirea in stare neprogramata
(tranzistor blocat)se expune circuitul la actiunea radiatiei ultraviolete . Electronii din grila
preiau energie de la radiatie si trec inapoi in substrat prin stratul izolator.
Memoriile EEPROM folosesc un principiu asemanator , numai ca pentru trecerea
electronilor stratul izolator utilizeaza efectul tunel[1s] . Structura tranzistorului de
memorare si a unei celule de memorie este data in figura de mai jos : Celula de memorie
pentru acest tip de circuit este formata din doua tranzistoare TEC obisnuit (T2) si
tranzistorul prezentat mai sus (T1) care este un TEC-MOS.Intr-o celula de memorie
stearsa , grila izolata este incarcata cu sarcina negativa si tranzistorul T1 este blocat.
Stergerea informatiei din celula se face astfel : se aplica tensiunea pozitiva(+20 V)
pe linia de selectie cuvant punand in conductie tranzistorul T. Drena acestuia se
conecteaza la potential zero si se aplica +20V pe linia de programare .Datorita campului
electric intern mare . electronii care trec din substrat prin efect tunel si se acumuleaza in
grila izolata ,formand o sarcina negativa .
Inscrierea informatiei in celula se face aplicand +20V pe linia selectie cuvant(WL)
si +18V in drena tranzistorului T2 in timp ce linia de programare este la potential zero
.Campul electric format intre grila si substrat (= substrat ,- grila ) smulge electroni din
grila a doua , aceasta acumuleaza sarcina pozitiva si tranzistorul T1 intra in conductie prin
formarea canalului “n” intre drena si sursa.
Programele aflate în ROM sunt livrate odată cu calculatorul şi alcătuiesc aşa
numitul firmware. Calculatoarele din familia IBM PC conţin şi o memorie CMOS (de tip
RAM, alimentată în permanenţă de o baterie pentru a nu-şi pierde conţinutul
informaţional. În această memorie se stochează informaţii referitoare la configuraţia
hardware a sistemului electronic de calcul.Dacă accesul la memorie este permis atât pentru
citire cât şi pentru scriere memoria se numeşte RAM (Random Access Memory - memorie
cu acces aleator).
Structura internă a unui cip de memorie ROM organizat pe 1024 cuvinte de câte 8
biţi, adică 1K ×8, este prezentată în figura urmatoare. Matricea de memorie se construieşte
sub o formă cât mai apropiată de cea a unui pătrat. Liniile matricei sunt selectate cu
ajutorul decodificatorului cu 7 intrări de selecţie, iar coloanele cu ajutorul celor 8
multiplexoare cu câte 3 intrări de selecţie. Intrarea suplimentară CS (Chip Select), activă
pe 0 logic, pregăteşte cipul de memorie în vederea unei operaţii de citire a datelor. Prin
dezactivare, acţionează asupra circuitelor din structură în scopul reducerii consumului.

18
Desenul mai conţine şi aspectul unui element din matricea de memorie, dacă
aceasta este realizată în tehnologie MOS. Există mai multe tipuri constructive de memorie
ROM. Memoriile ROM programabile prin mască, sau mask ROM, sunt circuite la care
harta memoriei se introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. Ele se
realizează la comandă, în serie mare, pentru că realizarea unei măşti “la cerere” costă
câteva mii de dolari. Memoriile PROM (Programmable ROM) se fabrică cu toţi biţii
poziţionaţi pe un anumit nivel logic.
Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur, acolo unde doreşte,
valorile logice complementare. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil, o peliculă
subţire de CrNi, care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el.
Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls
de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare.
Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată. Memoriile EPROM
(Erasable PROM) sunt programabile ca şi PROM-urile, dar de mai multe ori, pentru că
ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică.
Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS)
adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă, izolată de substrat prin 10−7 m de
2 SiO . Prin aplicarea unui impuls negativ de amplitudine mare pe drenă, joncţiunea pn
constituită de drenă şi substrat este străpunsă prin avalanşă şi, prin efect tunel, electronii
sunt injectaţi în poarta flotantă. Numărul lor depinde de amplitudinea şi durata impulsului.
Această sarcină electrică stocată în poartă determină crearea unui canal p în substrat şi
tranzistorul conduce. Radiaţia ultravioletă crează perechi electronigoluri şi permite
descărcarea porţii ([Valachi, 1986]). Însă izolaţia nu este perfectă şi în timp se pierd
electroni, dar se pare că circa 70% din sarcină este regăsită şi după 10 ani.
Fara sa ne dam seama memoria ROM este cea mai prezenta in viata de zi cu zi; ea
insemna defapt cipurile din diversele aparate electronice si electrotehnice pe care le
folosim (de ex. Telefoane mobile/fixe, masina,aparat radio-tv, etc), in ea fiind scrise
isntructiunile necesare pt o functionare corecta a acestora, mai jos este o poza cu acestea,
iar in Anexa 2 este o schema a acestora.

19
Memoria ROM, cel mai des intalnit tip de memorie

20
Concluzie
Dupa toate cele prezentate mai sus putem sa tragem urmatoarele concluzii:

- Termenul in sine defineste suficient de bine rolul acestei componente intr-un


sistem. Trebuie precizat ca, in acest context, ne referim la memoria "rapida", de lucru a
sistemului, asa-zisa RAM (Random Access Memory). Aici sunt pastrate (memorate)
datele imediat necesare aplicatiilor care ruleaza pe un sistem oarecare. Performanta RAM
are un impact major asupra performantei sistemului si este definita de doi parametri:
viteza de acces si transfer (a datelor in si din memorie) si capacitatea. Cu cat o memorie
este mai rapida si cu cat mai mult RAM este prezenta intr-un sistem, cu atat mai bine.
Adesea, performantele globale ale unui sistem sunt mult mai semnificativ ameliorate de
instalarea de memorie in plus, decat de inlocuirea procesorului cu unul mai performant.
Cele doua tipuri de memorie utilizate in prezent sunt DDR si DDR2.

- Principalele caracteristici ale memorieie:


1.Timpul de acces (de adresare) - reprezinta durata intre solicitarea unei celule
(locatii) in memorie si momentul cand continutul locatiei respective poate fi citit (30-60 ns
la memoriile TTL; 100-500 ns la memoriile MOS).
2. Modul de acces, deosebindu-se doua moduri de organizare a unei retele de
celule de memorie:
- serie in care timpul de localizare a unei adrese depinde de pozitia ei in retea;
- aleator (RANDOM ACCESS) ce nu depinde de pozitia adresei in retea.
3. Capacitatea de inmaganizare - numarul de celule continute de o memorie este
totdeauna o putere a lui 2. Capacitatea reprezinta produsul intre numarul de cuvinte din
memorie si numarul de celule cuprinsein fiecare cuvant.
4. Puterea electrica consumata de o memorie se raporteaza la un bit si se
masoara in mw/bit.
Memorii TTL - 1 mw/bit;
Memorii MOS - 0,1 mw/bit;
Memorii CMOS - 0,01 mw/bit.

- Pentru a modela si manevra informatiile, calculatorului lucreaza cu date.


Date – reprezentarea informatiilor in memoria interna(M.I.).Se foloseste sistemul binar cu
cifrele 0 si 1.
- Cantitatea de informatie elementara e numeste BIT { 0,1}. Bitii sunt grupati in –
- Byte(octet) = 8 biti
- Kilobyte(KB) = 2 la a 10 a = 1024 B
- Megabite(MB) = 2 la puterea 10 KB = 2 la puterea 20 a B
- Gigabite(GB) = 2 la puterea 10 MB= 20 la puterea 20 KB = 2 la puterea 30 B
- BIT-ul este atomul informatiei iar zona de memorie adresabila este octetul.
Modelarea fizica a sistemului binar este comutatorul.

21
Memoria internă este zona de stocare temporară a datelor într-un calculator.
Datele supuse prelucrării sunt transformate în şiruri de cifre 0 şi 1. Tipuri de memorie: -
ROM (Read Only Memory) - nu îşi pierde conţinutul la oprirea calculatorului, nu poate
fi \"scrisă\" de către utilizator, este de capacitate redusă şi este folosită pentru stocarea
informaţiilor despre hardware, mici programe ce configurează diverse dispozitive - RAM
(Random Access Memory) - este o memorie volatilă (se pierde la oprirea calculatorului),
poate fi atât citită cât şi modificată şi este folosită pentru stocarea programelor şi datelor,
fiind considerată principala memorie de lucru a calculatorului.
Această memorie (ROM) este folosită pentru stocarea permanentă a unor date. În
această categorie însă există şi câteva excepţii, care pot fi modificate, cum ar fi PROM
(Programmable Read Only Memory= Memorie pentru citire care se poate reprograma),
EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory= Memorie pentru citire care se
poate şterge şi reprograma).
Industria memoriilor este intr-o continua dezvoltare data fiind cererea foarte mare
de memorie care ste pe piata,in special de memorie RAM.
Memoria nu este numai interna ea fiind si externa, aceasta fiind folosita pentru
stocare datelor pentru o perioada mai lunga decat o sesiune de lucru.Memoria externă
reutilizabilă prin prelucrări automate cu calculatorul poate fi pe suport sensibil la câmpul
magnetic (hard disk şi floppz disk) pe suport sensibil la lumină, ce lucrează în mod optic
cu raze laser (CD-ROM, CD-R, CD-RW şi DVD-ROM, DVD-RAM) şi pe suport
magneto-optic

22
Argument

Epoca in care traim nu mai este posibila fara utilizarea calculatoarelor. Acestea au
devenit instrumente absolut necesare aproape in orice domeniu de activitate. Ele ne ajuta
sa ne organizam mai eficient activitatea, sa indeplinim mai bine o serie de sarcini dificile
sau de rutina, sa ne informam, sa comunicam, sa ne instruim si, de ce nu, chiar sa ne
distram.
Specialistii considera ca in viitor calculatoarele vor prelua toate activitatile de
rutina pe care le realizeaza in momentul de fata oamenii, acestora ramandu-le mai mult
timp sa se instruiasca, sa se ocupe de activitati pentru care si inteligenta si intuitia umana
nu pot fi inca inlocuite de masini, sa calatoreasca, sa petreaca mai mult timp cu familia si
cu prietenii.
Azi nu am mai putea concepe viata fara existenta calculatoarelor. Ele contribuie in
mod substantial la desfasurarea activitatilor din majoritatea domeniilor de activitate.
Calculatorul este folosit, ca si pentru distractie, in domeniul medical sau in cel
artistic, in cercetare sau in industrie,in domeniul bancar sau cel turistic. Fara existenta
calculatoarelor omul nu ar mai fi putut ajunge pe Luna, nu ar fi putut comunica asa cum o
face azi pin Internet, nu ar fi putut proiecta si realiza cu precizia si rapiditatea pe care le
asigura calculatorul masini, cladiri, echipamente.
Asa cum am mai precizat memoria este prezenta in viata noastra fara sa ne dam
seama, pe mine personal fascinandu-ma aceasta posibilitate uriase de stocare a informatie.
De exemplu putem avea o colectie de carti care in realitate ar ocupa o intreaga incapare pe
un simplu Cd,sau ganditiva ca trebuie sa plecati in vacanta intr-o tara in care nu ati mai
fost,puteti foarte simplu sa ajungeti la destinatie cu ajutorul GPS-urilor care folosesc de
asemnea memoria(FLASH) pentru a stoca hartile; posibilitatile oferite de memorie sunt
foarte mari,insa totusi limitate de probleme de ordin tehnologic, insa se fac si in acest
domeniu progrese foarte mari.

Aceste posibilitati oferite de memorie fiind si motivul pentru care am ales ca tema
pentru acest atestat MEMORIA unui calculator.

23
Anexa 1

SCHEMA BLOC A UNUI SISTEM DE MEMORIE

COMANDA COMANDA
DE SCRIERE A DATELOR DE CITIRE A
DATELOR

INTRODUCEREA SI EXTRAGEREA
A DATELOR

INTRODUCEREA
ADRESELOR

24
Anexa 2

Tipuri reprezentative de memorii integrate

• 7481 – memorie citeste – scrie (RAM) de 16 biti.


14 13 12 11 10 9 8

4X W1 S1 S0 GND W0 4Y

3JH 7481
333333333 3 33

1 2 3 4 5 6 7

W0,W1- scrie ,,0’’, scrie ,,1’’

S0,S1- citeste,,0’’,citeste,,1’’

25
BIBLIOGRAFIE

1. Diverse site-uri de internet;


2. Cursuri Facultatea de Automatica si Calculatoare din Craiova;
3. Notite de Curs.

26