Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Cupcea
notie
R1
R1
R2 m 1
V
V
BE
+V
TBIP n RAN:
- Vi1 < vi < Vi 2 = R1 CC +
0 Rc
R1 BE
R2
m 1
v
V
V
i
BE
BE
v0 = VCC 0 Rc
R1
R1
R2
m 1
2004
- vi > Vi 2
notie
2004
notie
structura SAU NU
structura I NU
* funcionare SAU NU:
- dac la o intrare este nivel logic UNU, TBIP este sat., la ieire
v0 = V0 L = VCEsat 0 ;
- dac la toate intrrile se aplic nivel logic ZERO, TBIP este blocat i
v0 = V0 H = VCC (n gol);
* funcionare I NU:
- dac la o intrare este nivel logic ZERO, TBIP este blocat i la ieire se
obine vo = VCC = VoH ;
- dac la toate intrrile se aplic nivel logic UNU, toate TBIP sunt n SAT
i la ieire se obine vo = VoL = VCEsat .
* circuitul I NU nu este compatibil nici cu el nsui (dect cu restricii severe
de proiectare) din cauza nivelelor de tensiuni corespunztoare aceluiai nivel
logic ZERO pe intrri.
* caracteristica de transfer:
2004
notie
- din condiiile pentru cele dou nivele logice, restrictiv este condiia de
saturare a tranzistoarelor comandate, n starea logic ZERO, n cele mai
defavorabile condiii de funcionare asigurndu-se un grad minim de saturaie a
acestora; se va lua n considerare dispersia de fabricaie a caracteristicii de
intrare a tranzistoarelor, cu influen major din cauza caracterului exponenial
pe care l are;
- tranzistoarele au caracteristici de intrare cuprinse ntre caracteristica de
tip P i caracteristica de intrare de tip Q; la aceeai tensiune de intrare, VBE , se
obin cureni de baz ntre limitele I BP i I BQ ;
- se definete coeficientul de neuniformitate:
I BP
cu valori de
I BQ
1 VCC VCEsat
1 VCC
.
0
Rc
0 Rc
2004
notie
VCC VBE
= ( N 1)I BP + I BQ = ( N 1)I BQ + I BQ ;
Rc
V VBE
1
.
- rezult: I BQ = CC
Rc
1 + ( N 1)
- is =
VCC VBE
V VCEsat
1
i rezult:
> (n + 1) CC
Rc
1 + ( N 1)
0 Rc
1 V VBE 0
1 .
N < 1 + CC
VCC VCEsat n + 1
* cazuri particulare:
-
= 1;
N<
VCC VBE 0
;
VCC
n +1
0 = 100 N max = 18 ;
- = 10; n aceleai condiii: N max = 3 .
* soluie pentru micorarea lui :
- pentru n = 3;
3 0
4 n +1
2004
notie
- tranzistor injector;
- structura tehnologic unitar (suprafa mic grad mare de integrare);
- curentul deinjecie se alege prin polrizarea circuitului i prin ariile jonciunilor
(putere disipat mic i controlabil);
* seciune i lay-out
- tranzistor injector
2004
notie
* funcionare:
notie
2004
notie
2004
notie
este
Vt = Vi 2 Vi1 0,2V ;
* tensiunea de prag logic:
V prL 1.5V .
iB > (n + 1)iBsi ;
V 2VD VBE VBE
iB = CC
;
R1
RB
V VD
1 V
;
iBsi = CC + N CC
0 Rc
R1
Rezult:
2004
10
notie
.
n
R
R
R
1
+
1
B
c
R1
VCC VD
- iB = iE
- VCC
N max
VBE
;
RB
R1' + R1'' = R1 ;
'
VCC VBE
VD VBE
iE'
'
'
= Ri +R '
+ VBE + VD + VBE iE =
o + 1
R1''
'
R1 + '
0 + 1
'
V
V
V
V
V
R1
V
CC
BE
D
BE
CC
0
BE
''
R .
VCC VD n + 1
R
R
B
c
R1' + ' 1
0 + 1
' '
1 E
''
1
* caracteristici de alimentare:
VCC VD
V 2VD VBE VCC
; I CCL = CC
;
+
R1
R1
Rc
V VD VCC 2VD VBE VCC
1
.
Pd = VCC CC
+
+
2
R
R
R
1
1
c
- exemplu: I CCH = 1,05mA; I CCL = 5,65mA; Pd = 17 mW .
I CCH =
* regim tranzitoriu:
2004
11
notie
* comutarea direct:
iB =
R1
RB
a)
t
Rc C s
; vo (t1 ) = V prL ;
b)
2004
12
Rech = Rc
Vech
notie
R1
;
N
Vcc
V VD
+ N CC
R
R1
;
= c
1 N
+
Rc R1
t
C s Rech
t 2 = CsVech ln
0 iB Rc Vech + V prL
.
0 iB Rc Vech
Deci: t f t1 + t 2 .
V VD
1 VCC
VBE
+ N CC
; iBsi =
R1
RB
0 Rc
i + iB 0
;
c) timpul de stocare: t s = s ln B
iBsi + iB 0
comentariu: RB , t1 , t 2 .
* comutarea invers: iB 0 =
d)
C s Rech
; vo (t3 ) = V prL ;
vo (t ) = Vech 1 e
Vech
t3 = Cs Rech ln
.
Vech V prL
e)
2004
13
t
C s Rech
notie
; v0 (t 4 ) = 0,9VCC ;
* Varianta DTHL:
- pentru utilizare n medii zgomotoase;
- imunitate la zgomote ridicat:
- diferene mari ntre nivelele logice VCC crete (15 V);
- marginile de zgomot depind de diodele de transpoziie.
2004
14