Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Sursa de
radiaie
optic
Radiaie
optic
Senzor
optic pasiv
Mrime
de
msurat
Radiaie optic
modulat n
intensitate
Senzor
optic activ
Sursa de
tensiune
alimentare
Semnal
electric
Mrimea de msurat determin variaia unuia din parametrii undei de radiaie optic n
senzorul optic pasiv:
intensitate,
faz,
polarizare,
lungime de und sau
frecven de modulaie.
Senzorul optic activ (detector optic sau fotodetector) convertete intensitatea undei de
RO de la ieirea SOP n semnal electric: tensiune, curent, sarcin sau rezisten.
Sursa de
radiaie
optic
Polarizor
Senzor
optic
pasiv
Mrime
de
msurat
Analizor de
polarizare
Senzor
optic
activ
Sursa de
tensiune
alimentare
sursele cu incandescen,
lmpile cu descrcare i
diodele electroluminiscente (LED).
a) Sursele cu incandescen
b) Lmpile cu descrcare
Sunt de dou tipuri:
- cu descrcare n gaz la presiune sczut i
- cu descrcare n gaz la presiune mare.
n lmpile cu descrcare n gaz la presiune sczut, datorit ionizrii atomilor sau
moleculelor n urma descrcrii brute a unui condensator apare un curent electric.
Electronii cpat energie la nivele energetice superioare i cad pe nivele inferioare
emind RO sub forma unor linii spectrale nguste, fixe, cu radiaie mic.
Lmpile cu arc cu densitate mare de curent, cu descrcare n gaz cu presiune mare
sunt sursele convenionale de RO cu strlucirea cea mai mare.
Se obine plasm n tot volumul interior.
Plasma fierbinte emite ca o surs incandescent; atomii ionizai emit linii lite.
Distribuia spectral este o combinaie de spectru continuu i spectru de linii.
Sursele de acest tip sunt lmpile cu arc scurt cu Xe sau vapori Hg. Se folosesc i alte
gaze: Ar, Kr, Ne, deuteriu, H2, vapori de Na, vapori de Zr, amestecuri de gaze.
Carcasa este din material transparent, de obicei safir, datorit transferului de cldur
bun. Dezavantajul safirului este prelucrarea dificil. Forma optic este cilindric,
specific aplicaiei, cu doi electrozi la extremiti.
Se folosesc n und continu sau n impulsuri de putere mare (I = 1... 700 A, T = 1 ..
10 ms).
Aplicaii: - surse de pompare pentru laserele optice cu cristale solide,
- aplicaii industriale, de msurare, comerciale, etc.
c) Diode electroluminescente
Rs
C0
ZnTeSe
Strat activ din ZnTeSe
Electrod metalic
Sunt mai eficiente dect cele simple deoarece folosesc tehnologii similare cu ale
diodelor laser cu cavitate vertical i emisie de suprafa (VCSEL).
Sunt mai uor de realizat dect VCSEL, necesitnd un numr mic de perioade Bragg.
Reflectoarele Bragg se fac din aliaje HgCdTe, deoarece au un contrast mare al
indicelui de refracie, de pn la 20% pentru = 1 10 m.
Se obin prin cretere epitaxial molecular pe substrat ZnCdTe. Oglinda de jos este
un reflector Bragg distribuit. Cavitatea n /2 este din acelai material, cu un rezervor
de 50 nm pseudoaliaj. Oglinda de sus este dintr-un strat de Au. Reflectorul Bragg cu
perioada de 10,5 are reflectivitatea maxim de 86 % msurat la = 3,2 m.
La polarizare direct, emisia se face la lungimea de und de rezonan a cavitii de
3,19 . Limea liniei de emisie depinde doar de limea cavitii rezonante.
Au directivitate bun.
Electrod
Au
ZnxCd1-xTe p
(x = 0,1)
Strat activ
Hg0,49Cd0,51Te/HgTe
Hg1-xCdxTe n
(x = 0,75)
Hg1-xCdxTe
(x = 0,51)
Hg1-xCdxTe
(x = 0,75)
Substrat ZnCdTe
Diode laser
a. Diode laser cu cavitate optic rezonant Fabry - Perot
Au heterojonciune dubl. Stratul activ e ncadrat ntre dou straturi cu benzi interzise
mari (pentru captivitate electric) i indici de refracie mici (pentru captivitate optic).
Au eficien sporit n und continu. Structura este GaAs multistrat dopat.
Factorii ce determin eficiena emisiei radiaiei laser sunt banda interzis, indicele de
refracie, constanta reelei, structura dispozitivului i calitatea materialelor.
Lungimea de und a radiaiei laser depinde de grosimea benzii interzise a stratului
activ. GaAs pur are energia benzii interzise de 1,35 eV la temperatura camerei, la o
lungime de und de 905 nm. Adugnd Al n structura GaAs, crete energia benzii
interzise, mutnd emisia laser spre lungimi de und mai mici. Pentru concentrai
variabile de Al, n structura GaAlAs se obin emisii pn 620nm.
Schimbarea structurii nivelelor energetice reduce eficiena emisiei laser la lungimi de
und, limitnd durata de via. Lungimile de coeren ale diodelor laser multimod
sunt de civa mm.
Constructiv, diodele laser difer de LED prin calitatea materialelor i contactele
metalice pentru asigurarea densitii ridicate a purttorilor de sarcin.
Diodele laser cu heterojonciune dubl cu geometrie de band, au dou variante:
cu ghidare prin ctig i
cu ghidare prin indicele de refracie.
Au structuri foarte subiri (prin depunere metalic n faz de vapori se cresc straturi
cu grosimi de civa atomi).
Dac grosimea stratului activ n heterostructur dubl este < 50 nm, micarea
electronilor i golurilor este limitat. Se schimb energia global i momentul
purttorilor de sarcin, se modific proprietile optice. Banda de conducie i banda
de valen se divid n subbenzi discrete, cu distribuia energetic dependent de
grosimea materialului; se modific lungimea de und a radiaiei laser emise variind
grosimea stratului activ. Se schimb probabilitatea tranziiei ntre o subband de
conducie i o subband de valen, rezultnd inversiunea de populaie.
Dioda laser cu o singur heterostructur dubl cu un strat activ cu grosime sub 50 nm
este denumita rezervor cuantic unic (SQW single quantum well). Diodele laser
SQW au ctiguri ridicate i cureni de prag mult mai mici dect dispozitivele
convenionale, iar radiaia optic este mai coerent.
Pentru amplificri mari, straturile cu heterostructur cu un rezervor cuantic sunt
stivuite, obinnd un rezervor cuantic multiplu: MQW. Diodele laser MQW au
performane superioare.
Structurile cu rezervor cuantic sunt realizate n ambele variante, cu ghidare prin
ctig sau cu ghidare prin indice de refracie. Realizrile n domeniul structurilor cu
rezervor cuantic includ structuri cu fire cuantice, puncte cuantice i cascad cuantic.
Acoperire
antireflectorizant
Regiune activ
Lentil de
colimare
Oglind
posterioar
(reea)
Mediul laser este din dopani (ioni de pmnturi rare sau metale de tranziie) care
emit radiaie laser, implantai n matrici transparente din materiale solide izolatoare,
cristaline sau sticl, numite gazd.
Inversiunea de populaie se face cu lmpi cu descrcare sau diode laser.
Atomii responsabili de generarea radiaiei laser sunt excitai la nivele energetice
superioare prin absorbia fotonilor: felul n care aceti atomi se relaxeaz din strile
excitate determin calitatea i cantitatea radiaiei laser emise.
Au putere radiat mare, dau la ieire impulsuri laser foarte scurte sau radiaii cu
lungimea de und acordabil n domeniul vizibil i IR apropiat.
Tipuri de lasere cu stare solid:
lasere solide cu neodimiu - mediul activ este neodimiu triplu ionizat, ntr-o matrice
cristalin sau sticl. Este foarte versatil, putndu-se dubla, tripla sau cvadrupla
lungimea de und prin generarea de armonici. D la ieire impulsuri scurte;
lasere solide cu rubin, realizate din bastonae de rubin crescute pe safir dopat cu
crom. Emite raze laser n impulsuri de ordinul ms, dar necesit rcire;
lasere solide vibronice acordabile. Funcioneaz n und contin sau impulsuri.
Laserul vibronic cu alexandrit are benzi de absorbie vizibile n regiunile spectrale
albastru i rou. Ca surse, folosete pompe cu xenon sau diode laser cu emisie roie;
lasere solide cu holmiu, tuliu sau erbiu;
lasere solide cu fibre optice.
Radiaie optic
pompat (2)
Amplificator cu
fibr optic (1)
Semnal de
ieire
amplificat (1)
Lasere cu gaz
Au lungimi de und de emisie n zona vizibil. Mediul laser este un gaz din atomi neutri
(gaze rare), ioni Hg, molecule CO2 sau vapori metalici.
Randamentul laserelor cu gaz este slab, de cteva procente.
- Lasere cu He Ne, pentru puteri mici, n und continu. Mediul activ este un amestec de
gaze rare He-Ne ntr-o incint de sticl la presiune de 1 mbar, anod i catod la capete.
Se folosesc fr filtrare. Durata de via este de ordinul anilor.
- Lasere cu ion de gaz nobil (Ar, Kr, Ne, Xe). Laserul cu Ar are linii de emisie n regiunea
albastru verde i linii slabe n regiunea UV. Laserele cu Kr au ieiri cu puteri mici,
gam larg de lungimi de und n UV, vizibil i IR apropiat: Amestecurile gazoase de Ar
i Kr fac un laser multigaz ce emite pe linii spectrale ale ambelor gaze. Singurul laser
cu funcionare n impulsuri este Xe. Laserele cu Ne i Xe sunt puin folosite.
- Lasere cu He Cd au linii n spectrul vizibil i UV i sunt folosite n und continu.
- Laserele cu gaz molecular sunt variate, cu lungimi de und n domeniul IR, reprezentative
fiind laserele cu CO2, cu CO, N2O, metanol, alcooli, etc.
- Lasere chimice au mediul laser: iod, HF, HCl, HBr, CO, CO2, etc. Folosesc substane
toxice, ce se nltur n final, au puteri de ordinul MW, funcionnd n und continu.
- Laserele cu vapori de metal (Cu sau Au) funcioneaz doar n impulsuri, cu durate de zeci
ns i frecvene < zeci de kHz. Alte lasere cu vapori de metal: cu vapori de Ba, Pb, Mn
sau Ca.
- Lasere cu azot (N2). Mediul este N gazos. Au ctig mare, funcioneaz n mediu
superradiant, fr cavitate cu oglinzi. Energia impulsurilor de ieire este dubl dac se
folosete oglind posterioar cu reflexivitate total i oglind frontal cu reflexivitate
4%. Au coeren sczut, fascicolele de ieire sunt ovale sau dreptunghiulare.
Lasere cu lichid
Dup mrimea care variaz, sunt mai multe tipuri de senzori optici pasivi (SOP):
cu modificarea frecvenei,
cu modificarea timpului.
Singurul efect ce poate modifica frecvena undei monocromatice: efectul Doppler.
Pentru variaia semnificativ a fazei temporale, vr /c >> 1, vr = viteza relativ a sursei.
Variaia fazei temporale crete prin creterea timpului de propagare.
Girometrul cu fibre optice - msoar viteza unghiular i sensul de rotaie.
Fotodetectoare
Laser
DF
b
OF
OM
Brat 1
Laser
Brat 2
Fotodetector
Brat 2
OF
Laser
DF
OF
DF
Brat 1
DF
Fotodetectoare
Plci polarizoare
Birefringena
Dup locul interaciunii ntre mrimea de msurat i RO, SOP sunt de trei tipuri:
intrinseci (aciunea de modulare eate n interiorul FO). Exemple: senzori bazai pe
microndoiri.
extrinseci (aciunea de modulare eate n exteriorul FO). Exemple: senzori bazai pe
reflexia RO napoi n fibr, dup modularea mrimii de msurat.
bazai pe cmp slab, de suprafa (aciunea de modulare se face direct pe suprafaa
exterioar, dezvelit, a miezului). Exemple: unii senzori chimici.
Se bazeaz pe variaia intensitii sau fazei RO. Sunt din FO unimod sau multimod.
Senzorii cu modulaia fazei necesit FO unimod. Pentru senzorii extrinseci cu variaia
intensitii, conteaz capabilitatea FO de a transmite puterea optic.
Senzorii cu FO cu variaia intensitii au dezavantajul suprapunerii peste semnalul util
a perturbaiilor date de variaia intensitii RO, eficiena de cuplare a FO, ndoiri, etc.
O clas aparte o constituie senzorii nglobai n structuri pentru determinare de:
eforturi, temperaturi, deformaii, forme, fore, vibraii, ageni chimici sau deteriorri.
Au gam dinamic mare, pot fi montai pe suprafaa structurilor noi sau existente cu
adezivi convenionali, pot fi inclui n materialele compozite n timpul fabricaiei.
Sunt realizai cu sensibilitate optim la un parametru sau exploateaz diferite
proprieti ale RO, pentru modularea simultan a unor parametri, cu acelai senzor.
Fibre optice de
colectare
Surs RO
VDM
1
2
3
VDM
Plac
codat
Fotodetectoare
Surs de
radiaie optic
n impulsuri
CD
FD
Plac
codat
nveli FO
Miez FO
n0
Oglind
montur
fix
Lentil
FO de ieire
Montur
elastic
Lentila
FD
Despicator de
fascicol
Fibra optica
Folosii la:
aplicaii medicale, chimice i
pentru msurarea unor parametri fizici: temperatura, vscozitatea i umiditatea.
Configuraiile cele mai folosite sunt cele din fig.
Se bazeaz pe dependena de timpul de stingere a impulsului de RO emis de
materialul fluorescent.
FO
Senzor de
capt
Senzor
multipunct
Material
fluorescent
a. Fotodetectoarele electronice
Sunt selective, rspund doar la fotonii a cror energie minim depete energia de
prag dat de lrgimea benzii interzise a semiconductorului.
La baza funcionrii fotodetectoarelor electronice st efectul fotoelectric.
Dac n urma absorbiei, RO determin ieirea electronilor din solid i formarea unui
flux de electroni ntre catod i anod, atunci apare efectul fotoelectric extern.
Dac RO determin trecerea electronilor din strile legate n strile libere, avem efect
fotoelectric intern.
O form a efectului fotoelectric intern este apariia purttorilor de sarcin i creterea
conductivitii electrice.
In semiconductoarele cu neomogeniti (contact metal-semiconductor, jonciune p-n)
se separ purttorii de sarcin i apare o tensiune fotoelectromotoare (efect
fotovoltaic).
b. Fotodetectoarele termice
Nu sunt selective deoarece energia absorbit este transformat n energie termic.
Utilizeaz proprietile ale solidelor ce se modific la creterea temperaturii n urma
absorbiei RO.
Au vitez de rspuns mult mai mic dect fotodetectoarete electronice.
Fotodetectoare electronice
Fotodiode
1. Fotodiode p-n (planare)
Cele mai rspndite sunt din Si pur, cu un singur substrat cristalin. Puritatea Si
depinde de rezistivitate (10 cm ... 10 kcm).
Radiaie optica incident
Si n de volum
Regiune de srcire
Si n
Metalizare catod
Parametrii fotodiodelor p n:
- Responsivitatea - raportul dintre fotocurentul de ieire i puterea radiant incident;
- Eficiena cuantic - capacitatea fotodiodei de a converti energia RO n energie electric;
- Puterea echivalent de zgomot - puterea optic incident minim necesar unei
fotodiode pentru a genera un fotocurent egal cu curentul de zgomot total al fotodiodei
(raportul ntre curentul de zgomot i responsivitate). Puterea echivalent de zgomot
depinde de limea benzii de frecven a sistemului de msurare.
- Timpul de cretere - msura vitezei de rspuns a fotodiodei la un impuls dreptunghiular
de RO (timpul necesar fotodiodei s creasc nivelul de ieire de la 10 % ia 90 %).
Responsivitatea spectrala [A/W]
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
2. Fotodiode PIN
3. Fotodiode Schottky
Ctigul M
1000
100
10
1
400
800
1200
RO incident
1600
2000
2400
Acoperire antireflectorizant
Contact anod p
Inel de Si
Si p
Si n
Metalizare catod
Regiune de
srcire
RO
Fereastr de sticl
Fotocatod
8 kV
Electroni primari
Anod (masa)
2,3 kV
Catod
Fotodioda cu
avalan
R2
R3
-8 kV
Conector
coaxial
Fotodioda
Fotocatod
Electrozi de focalizare
Carcasa ceramica
7. Fotodiode duale
Fotodetecia dual sau diferenial este mai sensibil dect fotodetecia simpl,
deoarece elimin zgomotul de mod comun.
Cnd cele dou intrri optice au puteri identice i responsiviti mperecheate, spre
amplificator nu trece nici un fotocurent continuu.
Dac rspunsurile n frecven ale fotodiodelor sunt mperecheate, se elimin
fluctuaiile de intensitate de mod comun ale RO (aceeai amplitudine i faz). Situaia
este valabil cnd cele dou intrri provin de la acelai laser i au ntrzieri egale n
timp. Dac ntrzierile sunt diferite, ieirea este proporional cu sin(td/2).
Exist fotodiode duale ntr-o singur capsul i chiar patru fotodiode n aceeai
capsul, pentru realizarea fotodetectoarelor n cuadratur. Tipic, fotodiodele de pe
aceeai capsul au catozii legai n comun.
+U
Intrare 1
Intrare 2
+U
Cnd un fascicol focalizat de RO ajunge la suprafaa activ a PSD, la fiecare din cei
doi anozi se genereaz cte un fotocurent invers proporional cu distana dintre
centrul fascicolului i anod.
Folosesc la msurarea rapid a poziiei capurilor unitilor de disc magneto-optice,
sursa de RO fiind un LED.
Alte tipuri de fotodelectoare sensibile la poziie:
pe dou axe, cu patru anozi i un catod, n aceeai capsul;
circuite hibride cu PSD pe o ax sau dou axe, cu AO, ieirea fiind o sum sau
diferen de tensiuni; n exterior e necesar un circuit de mprire de precizie pentru
obinerea informaiilor de poziie.
Fascicol focalizat de
RO
Anod 1
Catod
Anod 2
Filtrul optic se obine prin depunerea mai multor straturi pe faa inferioar a unei
fotodiode p-n, aceasta fiind faa expus la RO incident.
Este realizat chiar n structura fotodiodei, prin modificarea grosimii i a structurii
stratului n i a multistraturilor realizate prin evaporare.
Nu mai este necesar utilizarea unui filtru integral sau separat.
Se obin astfel FTB n regiunea 340... 1080 nm, cu o transmisie n band > 80 % i
rejecie n afara benzii de 99, 9 %.
Scade dimensiunea i crete raportul semnal / zgomot.
Se folsesc la:
fotodetecia bidirecional sau
fotodetecia simultan a 2 semnale diferite, unul cu partea superioar i cellalt,
filtrat, cu partea inferioar.
Fototranzistoare
Fotorezistoare
Tuburi fotomultiplicatoare
RO
e-
Electroni
secundari
Vid = 10-4 Pa
Fotocatod
Electrod de
focalizare
Electrozi de multiplicare a
electronilor (dinozi)
Anod
Ultimul
dinod
Fotodetectoare termice
Termopile
Metal A
Fotodetectoare piroelectrice
+U
U0
FDPE
R
1011
RL
105
FDPE
U0
Bolometre
Suprafee de fotodetectoare
suprafee de fotodiode (fotodiode p-n polarizate invers din Si, fotodiode p-n nepolarizate din
Ge sau fotodiode Schottky din PtSi);
suprafee de fotorezistoare, din Si extrinsec;
suprafee cu transfer de sarcin electric (condensatoare MOS i amplificatoare de sarcin
MOS). Transferul de sarcin este transferul unei sarcini electrice mobile stocat ntr-un
element semiconductor, spre un element de stocare similar din vecintate, prin manipularea
extern a valorii unor poteniale. Sarcina electric se transfer: prin cuplaj sau prin injecie.
suprafee CMOS, compatibile cu tensiunile TTL.