Jonciunea p-n la echilibru termic.

n practic se utilizeaz numeroase dispozitive electronice obinute prin alturarea de regiuni

semiconductoare de polaritate complementar. Regiunea de tip p poate fi considerat simplist ca fiind
format din ioni acceptori(-) , fici n reeaua cristalin i golurile drept purttori majoritari. Regiunea de
tip n poate fi considerat ca fiind format din ioni donori(+), fici n reeaua cristalin i e- drept purttori
majoritari. Dac considerm dou asemenea regiuni semiconductoare unite printr-o structur cristalin
continu, suprafaa de separaie dintre cele dou regiuni poart numele de jonciune p-n.
n regiunea p golurile n concentraie:
p

sunt purttorii majoritari, iar e- n concentraie:

n

n2
i
N
A

constitue purttorii minoritari.

n regiunea n e- n concentraie:
n

n
0

sunt purttorii majoritari, iar golurile n concentraie:

n2
i
N
D

constitue purttorii minoritari.

Datorit concentraiei diferite n cele dou regiuni golurile majoritare n regiunea p i minoritari n
regiunea n, respectiv e- majoritari n n i minoritari n p se tinde spre o stare de echilibru i ca urmare
purttorii majoritari dintr-o regiune vor difuza spre cealalt regiune parial, unde ei constitue purttorii
minoritari. Ca urmare n vecintatea suprafeei de separaie dintre cele dou semiconductoare apare o
regiune de trecere, de lungime l, de ordinul m, unde n spaiul situat n regiunea p pleac goluri i sosesc
e-, iar n spaiul regiunii n pleac e- i sosesc goluri. Ca urmare, n regiunea p apare o sarcin spaial
pozitiv. Apariia acestei distribuii pentru sarcina spaial stabilete un cmp electric intern, orientat de la
regiunea n spre regiunea p. Odat stabilit acest cmp are loc un transport de goluri din regiunea n spre
regiunea p i de e- din regiunea p spre regiunea n. Sensurile acestor deplasri fiind opuse fluxurilor de
difuzie stabilite n faza iniial. Din acest moment putem spune c o stare de echilibru a fost atins, iar la
capetele regiunilor respective se stabilete o barier de potenial de valoare V0.