Diode Redresoare (D.R.

)
Utilizeaz carcteristicile unei jonciuni p-n de a permite trecerea crt atunci cnd este polarizat direct. Ele
se pot realiza din Ge sau Si i, n tehnologia utilizat, se urmarete, prin geometria structurii i profilul de dopare,
s se obin ptr diod caracteristici ct mai apropiate cu cele ale unei diode ideale.
n cazul diodelor de putere medie i mare, capsula este astfel realizat a.. s permit montarea pe
radiatoare capbile s preia puterea de disipaie ce depete puterea de disipaie admisibil ptr dioda respectiv.
Parametrii:
1. Curentul mediu redresat I0 valoarea medie a crt prin diod calculat pe o perioad n cazul redresrii de
tip monofazat monoalternan.
2. Curentul de vrf direct repetitiv IFRM valoarea maxim a crt suportat de diod, incluznd toate
componentele repetitive i excluzndu-le pe cele pe cele nerepetitive. Aceste situaii de fenomene
repetitive apar cnd undele redresate prezint deformaii permanente sau cnd sarcina redresorului
respectiv este de tip capacitiv. n mod uzual IFRM=4I0 sau 5I0.
3. Tensiunea invers de vrf repetitiv VRRM valoarea maxim a tensiunii inverse, incluznd toate
componentele repetitive.
4. Tensiunea de strpungere VBR tensiunea invers ptr care crt prin diod depete IBR specificat.
5. Tensiunea invers continu VR tensiunea invers pe care o poate suporta o diod, VR<VBR, creia i
corespunde un crt IR specificat.
6. Temperatura maxim Tjmax - temperatura pe care o poate uporta o jonciune fr c la nivelul ei s apar
topiri i recristalizri locale.
Pentru valori mici ale crt prin diod, cderea de tensiune la polarizarea direct a unei diode este de ~ 0,1
0,3 V n cazul diodelor cu Ge i de 0,6 0,8 V n cazul celor cu Si.
Pentru valori medii i mari, cderile de tensiune pe diode pot ajunge pn la 0,7 0,8 V la cele cu Ge i l
1,4 V la cele cu Si.
Tensiunea de strpungere VBR este determinat de limea regiunii de trecere, care poate fi controlat prin
structura i profilul de impurificare utilizat.
Diodele cu Si se pot realiza la tensiuni de strpungere mai ridicate. n ce privete temperatura de lucru,
diodele cu Si pot ajunge la 200 220 C, iar cele cu Ge la 80 95 C.
Diodele pot lucra n regim de redresare doar ptr tensiuni alternative cu frecvena mai mic de 20 kHz. L
frecvene mi mari, ele i pierd proprietatea de redresare.
La unele aplicaii (surse de alimentare fr transformator,
echipamente de comutaie) avem nevoie ca timpii de comutaie
invers s fie mai mici dect n cazul diodelor redresoare obinuite.
Trecere unei diode din starea de conducie n stare blocat nu se
poate face instantaneu, fiind necesar un timp pentru recombinarea
particulelor de sarcin. La diodele uzuale, tCR (timp de comutaie
invers) poate ajunge la 10 s. n unele echipamente, tCR trebuie s
fie mai mic dect 1 s (situaie posibil de atins prin dopare
corespunztoare, cu observaia c, ptr o aceeai capsul, puterea de
disipaie va fi mai mic).
IF curent direct
IR curent invers