TRANZISTOARE BIPOLARE

Sunt dispozitive semiconductoare capabile s realizeze controlul de putere (s lucreze cu lentile de

comand), obinute tehnologic prin dispunerea alternativ de regiuni semiconductoare de polaritate
complementar.
Se prezint asemenea unui sandwich; cel avnd drept regiune median un semiconductor de tip n se
numete tranzistor p-n-p, iar cel de-l doilea utiliznd semiconductori de polaritate complementar se numesc
tranzistori n-p-n.
Dispozitivul prezint 2 jonciuni p-n. Regiunile sale se numesc baz (B)(cea median) i respectiv emitor
(E)i colector (C)(regiunile externe).
Jonciunea dintre E i B se numete jonciunea emitorului (JE), ir cea dintre C i B s.n. jonciunea
colectorului (JC).
S considerm JE polarizat direct, iar JC polarizat invers. Efectum analiza ptr un tranzistor p-n-p.
Golurile majoritare n regiunea E vor difuza spre regiunea B. Cum B este foarte ngust (<0,1 mm),
lungimea de difuzie fiind >0,1 mm, majoritatea golurilor vor reui s trverseze regiunea B. Aici doar puine din
golurile sosite se vor recombina cu e- majoritari, deoarece avem o concentraie foarte diferit a purttorilor
majoritari n cele 3 regiuni: mare n E, mic n B i foarte mic n C.
Cum JC este polarizat invers, majoritate golurilor sosite dinspre E vor fi atrase de cmpul produs de
sarcina spaial ce ia natere la nivelul JC.