Principii de funcionare

Se cosider un tranzistor p-n-p (discuire similar ptr n-p-n, doar c sursele de polarizare sunt inversate i
nu vom mai avea un crt de goluri, ci unul de e -). Tensiunea de polarizare a JC este >> n raport cu tensiunea
furnizat de sursa de polarizare a JE:
|EC| >> |EE|.
Pp c JE este polarizat direct, iar JC invers.
Datorit polarizrii directe a JE, golurile, majoritare n E, vor difuza spre baza tranzistorului. Ia natere un
crt de goluri IpE. n acelai timp, e- majoritari n B vor difuza spre E, lund natere un crt I nBEi , deci n E vom avea
IE = IpE + InBEi.
Doar o mic parte din golurile sosite de la E se vor recombina cu e - majoritari n B. Crt ce ia natere s.n.
curent de recombinare IR. Majoritatea golurilor vor fi colectate de cmpul electric ce ia natere ca urmare a
existenei sarcinii spaiale produse de polarizarea invers a JC. Crt ce apare n C este I pC, deci IpE = IR + IpC. Se
definete factorul de ctig direct n curent cu baza scurtcircuitat F = IpC / IE.
Ptr tranzistoare se mai pot defini 2 factori:
1. eficiena emitorului E = IpE / IE = IpE / (IpE + InBE);
2. factorul de transfer t = IpC / IpE = IpC / (IR + IpC).
n catacloage se mai ntlnete factorul de ctig direct n curent cu baza scurtcircuitat F = F / (1F).