Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.

iE

iC

vCE

iB
vCB

vEB

Din cele 6 mrimi doar 4 sunt independente.

Kirkoff:
iE=iB+iC
vCE=vCB+vBE
Prin caracteristic - expresia grafic ntre dou mrimi electrice i o a treia parametru.
Caracteristica de ieire i de intrare ale unui tranzistor.
Pentru montajul baz comun: iC=f(vCB) pentru iE=constant
iC=f(vCB) pentru vEB=constant
Pentru intrare montajului: iE=f(vEB) pentru vCB=constant
Pentru montajul emitor comun: iC=f(vCE) pentru iB=constant.
iC=f(vCE) pentru vBE=constant
Pentru intrarea montajului: iB=f(vBE) pentru vCE=constant
5

iC[mA]

4
3
2
1
0
vCB[V]

Putem distinge 3 regiuni de funcionare a tranzistorului:

1) regiunea de tiere iE<0, vCB<0,vEB<0 este o zon de blocare, corespunde situaiei n care ambele jonciuni sunt
polarizate
iC[mA] invers.
2) o zon de saturaie, corespunde situaiei n0.5V
care ambele jonciuni sunt polarizate direct vCB>0, vEB>0, iE>0, al
doilea cadran
3) o regiune activ normal unde caracteristicile sunt orizontale, echidistante, unde vEB>0, vCB>0, iE>0
0.3V
0.2V
0.1V

VEB=0

vCB[V]
5

10

15

O alur mai abrupt a caracteristicilor evideniaz existena a 3 regiuni de funcionare, panta mai mare
nseamn c rezistena rezistorului este mai mic atunci cnd funcioneaz n regim de scurtcircuit vBE=constant,
dect atunci cnd funcioneaz n gol iB=constant.
Caracteristicile de intrare al tranzistorului.
-15V

iE

-10V

-1V
vB=cst

vEB

Dependena dintre curentul din emitor i tensiunea vEB este exponenial. Aceste caracteristici se apropie de
axa ordonatelor cu ct tensiunea vEB este mai mare.