Influena temperaturii asupra regimului static al unui tranzistor.

Temperatura afecteaz 3 parametrii:

curentul rezidual pe colector ICB0
tensiunea de prag V0
Ge
factorul de ctig n curent direct F

102
101

ICB0[A]
Si

100
10-1
T[grade Celsius]

Pentru tranzistorul cu Si curenii reziduali pe colector sunt cu dou ordine de mrime mai mici. Pentru
tranzistorul ci Si aceti cureni pot fi neglijai. Are loc o dublare a curentului rezidual pe colector n cazul
tranzistorului cu Ge, la fiecare 9 10 grade Celsius cretere a temperaturii, pe cnd la cel cu Si la fiecare 6 8
grade Celsius cretere n temperatur. Att creterea lui ICB0 cu temperatura, ct i a lui F au ca efect deplasarea
caracteristicilor de ieire ctre cureni mai mari, pe ct vreme la tranzistorii cu Si aceast deplasare este datorat
factorului de ctig n curent direct F , pentru Ge aceast deplasare este datorat curentului rezidual pe colector
ICB0. Avem o scdere a tensiunii de deschidere a emitorului cu creterea temperaturii. V0 scade cu 2mv pe grad de
cretere de temperatur. Se deplaseaz spre axa ordonatelor cu creterea temperaturii. La tranzistorul cu Si factorii
afectai sunt F i V0, la tranzistorul cu Ge i un al treilea parametru ICB0.