Regimul termic al tranzistorului bipolar

Parte din puterea preluat de dispozitiv de la surs este degajat sub form de cldur n mediul ambiant. Aceast
putere este transformat n cldur, cu efect de cretere a temperaturii jonciunii semiconductorului. Aproape
ntreaga cldur este localizat la nivelul regiunii de tranziie a jonciunii respective. n cazul tranzistorului bipolar
avem dou jonciuni i aproape ntreaga tensiune aplicat jonciunii cade pe regiunea de tranziie. Procesele de
nclzire sunt localizate n aceste regiuni.
Dac vom considera jonciunile polarizate cu tensiunile VEB, VCB curenii fiind egali, puterea consumat
este:
PD iE vEB iC vCB iC vCB

Deoarece vEB<<vCB
Este important ca aceast putere disipat s nu depeasc puterea maxim admis, specificat pentru ca
temperatura jonciunii s nu creasc dincolo de temperatura maxim admis Tjmax, pentru Ge Tjmax = 85 grade
Celsius, pentru Si Tjmax = 150 grade Celsius. Se poate calcula puterea disipat de un dispozitiv cu o relaie de tipul:
T j max T a
PD max
R t h j a

Ta temperatura mediului ambiant

Rthja rezistena termic jonciune mediu ambiant
[Rthja]=grad Celsius/Watt i este de 100....500 grade Celsius/Watt pentru dispozitive de mic putere.
n cazul dispozitivelor de putere rezistena este de dou tipuri:
Rth jonciune capsul
Rth capsul - mediu ambiant
Rth jc = 2 grade Celsius/Watt Rth ca = 40 grade Celsius/Watt
n aceste condiii dispozitivele semiconductoare de mic putere sunt de pn la 2 W pentru Ge i 5 W pentru Si.
Temperatura maxim admisibil Tjmax ; i Rth sunt utile pentru calculul radiatorului ; un element din Al cu o
suprafa de radiere ct mai mare pentru a prelua o cantitate de putere sub form de cldur pentru ca PD s nu fie
mai mare dect Pmax admisibil n calcule Ta = 25 grade Celsius.