Polarizarea tranzistorului TEC-MOS cu canal iniial.

(1)
(2)
Dou soluii de polarizare (1) autopolarizare (2) circuit universal de polarizare cu divizor
rezistiv pe poart.
(1) tensiunea necesar polarizrii tranzistorului este culeas pe rezistena RS, fiind produs de curentul
propriu al tranzistorului. iD; IS=ID>>IG.
n cazul circuitului cu divizor rezistiv, tensiunea de polarizare necesar:
R2
VGS VDD
RS I D
R1 R2

n ircuitul din soluia cu autopolarizare tensiunea de polarizare fiind cea culeas pe R S cu (+) n surs i
la mas pentru ca potenialul porii s fie acelai cu al masei montajului este necesar s avem pe R G o
cdere de tensiune neglijabil. RG, rezistorul de sarcin pentru semnalul util aplicat n poarta
tranzistorului. Ar fi de dorit ca RG s fie de valori ct mai ridicate. Compromisul dintre cele dou
cerine, IG nanoAmperi, rezult c vom alege pentru RG valori de ordinul M. VGS=-RSID ecuaia
dreptei de negativare Pentru ochiul de la ieire avem:
VDD=RLID+VDS+RSID;
CS impedan de valoare redus pentru semnale alternative din surs, n DC funcioneaz ca un
ntreruptor deschis
VDD=VDS+(RL+RS)ID ecuaia dreptei statice de sarcin
n AC RS este untat de CS, sursa de alimentare VDD lucreaz ca un scurtcircuit 0=vDS+RLiD vDS=RLiD ecuaia dreptei dinamice de sarcin. n planul caracteristicii de transfer se determin punctul
static de funcionare la intersecia caracteristicii respective cu dreapta de negativare, acest punct
proiectat pe dreapta static de sarcin determin punctul static de funcionare n planul caracteristicii de
ieire, unde poate fi dus i dreapta dinamic de sarcin. Frecvent se pune problema proiectrii unui
circuit care s asigure un anumit PSF pentru tranzistor, caracterizat de iD, vGS, punct situat n regiunea
de saturaie, punct situat n regiunea de saturaie. Pentru determinarea PSF-ului de la parametrii
tranzistorului, ID,VP precum i de la tensiunea de alimentare VDD.