Tranzistorul unijonciune.

Aceste tranzistoare sunt realizate dintr-o bar de semiconductor de tip n, la capetele fiind realizate
dou contacte ohmice baze: B1,B2. n zona median prin difuzie este creat o regiune
semiconductoare de tip p i ca urmare o jonciune p-n ia natere, la regiunea p este dispus cel de-al
treilea terminal, botezat emitorul tranzistorului, cnd ntre B1 i B2 se aplic 10V, ca urmare dac ntre
emitor i B1 avem o tensiune aplicat <5V, ntre emitor B1 are loc o injecie de goluri i deci curentul
care apare ia valori reduse de ordinul A. Cnd tensiunea aplicat n emitor >5V n semiconductorul n
apar purttori de sarcin e-, dispozitivul se comport ca o rezisten negativ, curentul crete, iar
tensiunea culeas pe dispozitiv scade. Dup punctul V dispozitivul se comport asemenea unei diode
semiconductoare aflat n conducia direct. Pentru aceste dispozitive sunt specificate n cataloage,
curentul i tensiunile punctelor: M,V.