RAPORTUL STIINTIFIC SI TEHNIC

Tema: Actuatori electromagnetici i electrodinamici procesai prin tehnologie LIGA

Etapa de executie nr. 1: Studii privind actuatorii electromagnetici de tip MEMS i
microsisteme de scanare
1. Obiectivele generale. Dezvoltarea unui nou Sistem ElectroMecanic (MEMS), prin
utilizarea unei tehnologii LIGA.
2. Obiectivul etapei de examinat. Dezvoltarea unor Studii privind actuatorii
electromagnetici de tip MEMS i microsisteme de scanare.
Activitatea 1.1.: Studii privind standardizarea microsistemelor. Studii privind modelele
matematice (analitice i FEM) utilizabile pentru proiectarea MEMS.
In cadrul acestui obiectiv, n activitatea 1.1, a fost prevzut ca:
- partenerul CER s dezvolte un studiu privind: Standardizarea microsistemelor;
- partenerul UPB s realizeze dou studii:
- studiu privind metodele de modelare i simulare a sistemelor MEMS
(elaborarea unor modele fizico-matematice i implementarea lor FEM pentru analiza
proceselor i intercaiunilor electro-mecanice pentru familia de dispozitive MEMS de interes
pentru proiect);
- studiul privind proprietile de material n domeniul MEMS.
- partenerul INCDMTM s realizeze un studiu privind arhitecturi pentru sistemele
de comanda ale MEMS;
- partenerul ApelLaser s realizeze un studiu privind sistemele de scanare cu laser.
n plus fa de cele propuse initial pentru aceast etap, consoriunl a decis
proiectarea i executia unui prototip la scar macroscopic. Concluziile studiului privind
principiile de modelare i simulare au fost aplicate pentru studiul acestui model. Aceste
model este n faza de execuie i va fi testat privind caracteristicile mecanice i electromagnetice. Compararea rezultatelor experimentale i de simulare va permite optimizarea
modelelor matematice i o mai bun nelegere a fenomenelor (realizarea la scara
macroscopic permite un mai bun control al parametrilor de material, dimensiunilor, o
analiz experimental cu mijloace conventionale) i implicit reducerea numrului de
variabile dificil de controlat, cu anse sporite de a identifica problemelele de nelegere
fenomenologic ce au condus la diferene teorie-structur real.
Activitatea 1.2. Studiu privind principiile de control de inalta precizie a scannerelor
o p t i c e - p a r t e a 1 . A c h i z i t i a echipamentelor/licentelor software esentiale.
In cadrul acestui obiectiv, n activitatea 1.2, a fost prevzut ca:
- partenerul UPB s nceap un studiu privind comanda si controlul MEMS i sa
realizeze achizitia unor echipamente necesare evoluiei proiectului. Acest studiu va fi
definitivat n etapa a aII-a mpreun cu ali parteneri. Achiziia a constat n tehnic de calcul
necesar grupului din UPB ce este implicat n activitatea de modelare electro-magnetic a
MEMS cu acionare electromagnetic (laptop, dou sisteme de calcul staii de lucru;
software penntru proiectare CAD i simulare tip SolidWorks).
1

- partenerul Apel Laser s nceap un studiu privind principiile de control de nalt

precizie a scannerelor optice - partea 1 i s realizeze achizitia unor echipamente i software
necesare n etapele ulterioare de proiectare a structurilor MEMS dar i a standurilor de
testare.
Cele dou studii sunt complementare, primul urmrind analiza metodelor de
comanda a actuatorilor electromagnetici tip MEMS iar al doilea urmrind analiza nivelului
ierarhic superior de comand comanda scanerului pentru a obine deflexiile dorite ale
fasciculului laser n regim static i dinamic.
Aceste studii vor fi definitivate n etapa a 2-a, din 2015.
Studiile actuale privitoare la principiile de comand, dup updatarea cu noi
informaii tiintifice, vor fi completate i cu solutii de circuite electrice i algoritmi pentru
programele de comand, ce vor fi proiectate, simulate i executate n etapele ulterioare
(primul va fi destinat prototipului macroscopic, pentru a fi validate conceptele de baz).
Activitatea 1.3. Initiere - proiectarea, simularea si fabricatia unor structuri de test cu
elemente de cuplare/aliniere
In cadrul acestui obiectiv, n activitatea 1.3, a fost prevzut ca:
- partenerul UPB s nceap proiectarea unor structuri de aliniere la nivel mini
(pentru prototipul iniial de lucru care valideaz modelul matematic i modelul folosit la
simulare) dar i la nivel micro pentru sistemul final;
- partenerul ApelLaser s nceap proiectarea standului de testare a soluiilor de
aliniere a MEMS.
Cele dou studii sunt legate deoarece standul de prob va necesita realizarea unor
elemente care s permit evaluarea exact a pozitiei relative a componentelor de aliniere
(unor marcaje) ce sunt fi luate n considerare la proiectarea structurilor de test.
Structurile de test proiectate au urmrit limitele tehnologice ale tehnologiei LIGA,
disponibil la partenerul ICPE-CA. S-a decis realizarea unor structuri de prob cu diferite
configuraii i la diferite scale. Dimensiunile i performanele necesare deduse din simularea
efectuat de partenerul UPB (a fost analizat influenta impreciziilor de aliniere de
orientare n plan/rotaie i de poziie relativ a componentelor) sta la baza stabilirii
performantelor de msurare a alinierii pentru standul de prob.
n acest moment (04. Decembrie 2014) sunt disponibile:
- proiectele pentru 5 soluii de aliniere i proiectele pentru instalatia de prelucrare
LIGA bazate pe elementele geometrice din soluii;
- o schem de stand de prob.
n continuare sunt prezentate extrase din studiile mentionate:

Standardizarea microsistemelor
Studiul i-a propus s analizeze stadiul standardizrii n acest domeniu cu semnalarea
cerinelor specifice impuse de caracterizarea unui material care intr n structura unui sistem
MEMS, tehnnologiile de testare i cerinele impuse de standarde pentru un protototip. Elementele
semnalate sunt de mare utilitate att n faza de proiectare a sistemului MEMS -caracterizarea
materialelor- ct i n etapa de validare a caracteristicilor oferite de prototip performane-,
asigurate prin ncercri riguroase i posibilitatea trasabilitii activitilor.
Complexitatea i marea varietate de dispozitive MEMS existente astzi pe pia se
reflect i asupra tehnologiilor de ncercare, unele comune diverselor tipuri de dispozitive,
altele specifice tipului ce urmeaz a fi dezvoltat. De aici i explicaia numrului relativ redus
de standarde elaborate de Comisia Electrotehnic Internaional CEI. Studiul a analizat
2

coninutul acestor standarde, tipurile de ncercri, extrgnd elemente utile att pentru faza iniial
ct i pentru faza de prototip; s-a considerat util s se prezinte bune practici n testri i
normalizare ntlnite la firme din domeniu.
Un alt capitol al studiului dezvoltat, este rezervat abordrii n oglind a modului n care
prevederile tehnice din standarde pot fi asigurate de echipamentele de msur specifice acestor
ncercri existente la parteneri. Analiza fcut la parteneri a artat c exist echipamentele
necesare pentru determinarea Modulului Young i coeficient Poisson a materialelor, aparatur
pentru ncercri mecanice n domeniul micro-nano (oboseal, traciune, rugozitate, flexiune,
forfecare, tensiuni interne), optice sau ncercri climatice.
In ideia utilizrii unui limbaj adecvat i dat fiind noutatea domeniului MEMS -cu multe
concepte nc neclarificate- s-a prezentat un glosar de termeni extrai din standardele CEI i
glosarele unor firme recunoscute, o terminologie a domeniului care rmne deschis pentru
completri viitoare.
Studiul dezvoltat, este organizat pe 8 capitole la care se adaug bibliografia de baz,
Capitolul 1. Sistemele MEMS. Elemente caracteristice
Capitol introductiv al Studiului, el prezint elementele specifice ale unui sistem MEMS i
varietatea soluiilor constructive, de unde i nevoia unei atente standardizri a metodelor de
caracterizare a unui material utilizat i a testrii unui sistem realizat.
Diversitatea aplicaiilor i specificitatea lor, se reflect att n proiectarea sistemelor
MEMS, ct i n realizarea i testarea lor, sesizndu-se unele elemente comune care recomand
standardizarea lor dar i elemente care satisfcnd doar unele cerine ale acestor sisteme, sunt
particularizate la specificul unui anumit MEMS. Aceast constatare explic i motivul pentru
care dispozitivele MEMS realizate sub form de senzori i actuatori -dimensiunile acestora
ncadrndu-se n gama 100 nm1000 microni-, sunt fabricate astzi utiliznd att procedee
specifice tehnologiei circuitelor integrate ct i a unora specifice MEMS, la realizarea unui
MEMS ntlnindu-se tehnologii de natur optic, mecanic, termic si fluidic (n special
pentru actuatorii din medicin).
Prezentul studiu i propune ca din analiza acestor reglementri, s extrag acele
tehnologii de ncercare specifice dispozitivului MEMS care urmeaz a fi dezvoltat n cadrul
Proiectului -tehnologii de ncercare aflate n standardele existente i normele practicate de
firme activnd n domeniu- specifice dispozitivului MEMS care urmeaz a fi elaborat i apte de
a da informaii privind performanele.
Capitolul 2. Tipuri de ncercri ale MEMS, practicate astzi n laboratoare din lume
Sunt analizate bune practici din experiena unor mari firme, cu scopul de a utiliza aceste
date n realizarea sistemului MEMS ce face obiectul Proiectului.
In practica marilor laboratoare din lume, ncercarea unui dispozitiv MEMS -senzor sau
actuator- nu se face doar n faza final de verificare a performanelor de asigurat, ci pe ntreg
procesul de realizare: de la definirea caracteristicilor de material utilizate i comportarea ntr-un
ansamblu impus de construcia dispozitivului, la modul n care aceste caracteristici pot fi afectate
de tehnologia folosit i caracterizarea dispozitivelor. /4-7/
Tipurile de ncercri ntlnite la dezvoltarea unui dispozitiv MEMS sunt de natura:
electric, mecanic, optic, condiionri climatice, funcie de specificitatea aplicaiei: Metodele de
ncercare a MEMS i instrumentaia aferent, depind dac ncercrile sunt la nivel de
plachet/structur, material sau n dispozitivul ncapsulat (static sau n funcionare).
Se prezint tipuri de ncercri practicate n domeniul testrii sistemelor MEMS.
Incercri optice /13-16/, Incercri electrice /13, 14, 18/, Incercri mecanice i
msurarea caracteristicilor de material, ncercri climatice.
Capitolul 3. De ce standardizare n dispozitivele MEMS
Abordeaz problema necesitii standardizrii sistemelor MEMS din punct de vedere al
competitivitii i al interesului firmelor n asigurarea unor sisteme de calitate care s asigure
evaluarea corect a performanelor, fiabilitatea tot mai ridicat a sistemelor. /19-25/

Exist conturat tot mai pregnant o opinie a specialitilor /34/ c este nevoie de
standardizare n MEMS: Is need of standardization n dezvoltarea elementelor comune ntlnite
la MEMS, a metodelor de derminare a parametrilor i cerinelor, a caracteristicilor pe care trebuie
s le asigure echipamentele de testare, trasabilitatea operaiunilor constructiv/tehnologice, politici
de care Proiectul trebuie s in seama.
O analiz a literaturii de specialitate arat ns ca acest domeniu datorit complexitii
lui i a particularitilor constructive a dispozitivelor din familia MEMS (optice, magnetice,
electrostatice, giro, sa) -rezultat al unor participri interdisciplinare precum mecanica, optica,
fizica materialelor, electronica i TIC- standardizarea este ntr-o faz de nceput, de unde
interesul actual al firmelor de accelerare a acestei activiti. Exist multe opinii ale specialitilor
care aprecaaz c tehnologia MEMS este mult mai complex dect a circuitelor integrate de unde
i dificultile de a stabili un standard.
Corelat cu dezvoltarea dispozitivului MEMS, colectivul i propune ca din analiza
standardelor existente s selecteze acele ncercri care pot defini peformana, elaborarea
programului de ncercri propus.
Capitolul 4. Analiza standardelor CEI elaborate pn la aceast dat n domeniul
dispozitivelor microelectromecanice (MEMS)
Acest capitol este important pentru c, din studierea standardelor dezvoltate n cadrul CEI,
rezult o anumit grupare /19-24/ i anume:
* Standarde privitoare la terminologia domeniului -importante pentru c definesc
conceptele cu care se va opera
* Standarde destinate metodelor de ncercri menite a caracteriza o proprietate de
material, realizarea epruvetei, procedura de testare a straturilor subiri utilizate n dispozitivele
MEMS (traciune, oboseal, flexiune, rezistena la colaj, s.a.).
* Standarde care se refer la un anumit dispozitiv MEMS (RF MEMS, Filtre i
duplexoare BAW, ntreruptoare MEMS, accelerometre, giroscoape).
Studiul prezint elementele eseniale cuprinse n aceste standarde -22 aprute pn la
aceast dat -pn n anul 2014- semnalnd acele prevederi i tehnologii de testare care pot fi
luate n considerare la realizarea dispozitivului MEMS prevzut a se dezvolta n cadrul
Proiectului, definirea unor regimuri de ncercare i dimensionarea epruvetelor pentru
ncercarea la traciune, specificaii generice pentru MEMS, proceduri de ncercare i msurare,
trasabilitate i manipularea materialelor, Standarde produs MEMS microntreruptoare,
MEMS giro Radioferecventa, filtre i duplexoare, ncapsulare.
Capitolul 5. Prezentarea standardelor CEI care se prevede c se vor elabora de CEI,
n perioada anilor 20142016, atrage atenia asupra unor tendine care se semnaleaz n
domeniul MEMS rezultat al activitii grupelor de lucru ale CEICT 47 (Terminologie, metode
de msurare a tensiunilor reziduale n filme, plachete, msurarea ncovoierii cantileverului,
determinarea tensiunilor reziduale, metode de deflecie, msurarea proprietilor mecanice a
filmelor, metode de testare a fritelor de sticl, dispozitive semiconductoare, MEMS cu electrei
(harvesting).
O a doua grup de standarde care trebuie luate n considerare -n special dup
finalizarea prototipului- este cea elaborat de CT 104: Condiii de mediu, clasificare i
metode de ncercare, n cadrul creia au fost elaborate un numr de 128 standarde i are n
pregatire pentru urmtorii ani, nc 7.
Capitolul 6. Echipamente i aparatura de testare a performanelor unui dispozitiv
MEMS, existente la partenerii din Proiect
Un al doilea principal obiectiv pe catre Proiectul i-a propus s-l abordeze a fost acela legat
de capacitatea partenerilor de a cunoate cum cerinele standardelor menionate anterior pot fi
satisfcute de ctre echipamentele existente la parteneri. In realizarea acestui obiectiv au fost
dezvoltate analize la parteneri, constatndu-se existena unor echipamente care pot asigura o
gam deosebit de larg de testri.

Capitolul 7. Terminologia MEMS

Domeniu relativ nou, cu participri a numeroase discipline tehnice n dezvoltarea
dispozitivelor MEMS, el nu dispune de o terminologie standardizat care s acopere toate diretiile
de dezvoltare a domeniului.
In prezentul glosar de termeni dezvoltat n proiect, s-a cutat s se ofere celui care lucreaz
n acest domeniu un instrument util, impus a fi fcut datorit unui standard care nu cuprinde
termenii noi aparui n ultimii ani.
Capitolul 8. Concluzii
- Studiul realizat, a rspuns unui obiectiv important al Proiectului acela de a asigura c la
baza proiectrii sistemului MEMS stau date existente n standardele internationale CEI privind
caracterizarea unor parametri, metodele de testare i validare ale rezultatelor, care s confere
prototipului competitivitate.
- Studiul comunic date privind tehnicile de carcterizare a proprietilor de material care
intr n structura unui MEMS, tehnologiile specifice de control, validate i permind o comparare
corect a rezultatelor.
- Finalizarea acestui studiu -viznd stadiul standardizrii n domeniu- este nsoit de o alt
contribuie i anume aceea, c identificnd echipamentele de testare existente la parteneri, asigur
i condiiile ca ncercri existente n standarde sa poat fi realizate.
- Un glosar de temeni n domeniul MEMS este realizat, el urmnd ca pe parcurs s fie
completat cu noi concepte care apar.
- Se poate aprecia c obiectivele etapei de execuie au fost ndeplinite.
BIBLIOGRAFIE
/1/ R Feynman : Infinitesimal Machinery. Journal of Microelectromerchanical Systems Vol 2, Nr
1 March 1993. p 4-44
/2/ Titus Bajenesco: Microcomutatoaren RF MEMS: Fiabilitate. Moduri si mecanici de defectare
/3/ TongGio s.a MEMS Characterisation Based on Optical Measuring Metods / Cap 5
www.interchopen.com.
/4/ *** Reliability, Testing & Characterisation, Sandia National Laboratorues,
http:// / www.mems.sandia.gov
/5/ W Piyawattanametha, Zhen Qin Optical MEMS capit.12; In Microelectromechanical Systems
and Devices, Editor Nazmul Islan, Ed Intech, Croatia, 2012
/8/ Tashiyuki Tsuchiya : Evaluation of Mechanical Properties of NENS Materials and their
Standardisation
/10/ N Randall: Characterisationof the Mechanical Properties of MEMS Devices using nanoscale
techniques .www.astm.org/COMMIT/images/C28Presentati
/12/ Bruker 3 D Static and Dynamic MEMS Characterisation , apr 2013 In
www.bruker.com.improving_yields_3D_Static_and_dynamic_MEMS_characterisationapril_2013.pdf
/17/ *** Roger Traynor Non contact Vibration Measurement of Microstructures
www.lamdaphpto.co.uk calc mare smems 07
/19/ Seria de standarde de ncercri climatice. 60068-1; 60068-2; 60068-3.
/20/ *** Microsysteme Technology Standardisation Roadmap. Project IST -2001- 37682.
MEMSTAND /
/30/ *** Glossary of MEMS Technology
http://www.inems.com/Student_area/Glossary/MEMS_terminology.htm
/33/ *** Vocabularul CEI Electropedia www.iec.ch
/34/ Fischer - Labossiere: MEMS Fatigue Testing tu Study Nanodcale Materials Response

Metodele de modelare i simulare a sistemelor MEMS - exemplificare

n aceast etap s-a studiat un concept de actuator de tip consol care este prevzut cu o
matrice de magnei permaneni la captul liber al unei lamele elastice, care este construit dintr-un
material de tip Polyimide (PI) (super)paramagnetic. Alternativ, lamela poate dintr-un material
nemagnetizabil (permanent sau temporar), ns atunci ntre magnei si lamel este inserat o
plachet de tip Permalloy. Magneii interacioneaz cu cmpul magnetic produs de curentul
electric care circul printr-o bobin de excitaie, palanar, spiralat, plast pe o plac suport
construit din siliciu. Fig. 1 prezint cele dou variante constructive care au fost analizate.
Curentul electric este reglabil, i asigur ajustarea deflexiei lamelei PI flexibile.

Polyimide

Substrat
Bobin
Magnei

a. Actuator cu o dou lamele.

b. Actuator cu o singur lamel.

Fig. 1 Modelele CAD ale actuatorilor cu lamele de tip consol.

Analiza funcionrii actuatorilor, prezentat n acest raport, necesit rezolvarea unor

probleme de cmp electric staionar (electrocinetic), magnetic staionar i de rezistena materialelor,
cuplate: curentul electric, soluie a problemei de cmp electric, este (mpreun cu magneii
pemaneni) sursa de cmp magnetic, ce produce forele electrodinamice care acioneaz asupra
sistemului actuator.
n aceast etap, modelele matematice care descriu fenomele fizice sunt cuplate ntr-un
singur sens cmpul magnetic nu modific distribuia curentului electric n bobin, iar
deformrile structurale nu modific distribuia cmpului magnetic n sistem. Considerarea cuplajului
cmp magnetic structur n ambele sensuri necesit, n rezolvarea numeric, utilizarea unor reele
de discretizare deformabile. Aceste aspecte vor fi considerate n etapa urmtoare.
Acest studiu cuprinde i o analiz modal structural, care permite determinarea primelor
ase frecvene proprii (structurale) ale actuatorilor i deformrile asociate.
n ultima parte este propus un model de cmp electrostatic, necesar pentru determinarea
capacitii electrice echivalente a actuatorului un parametru important n proiectarea electronicii
de comand.
6

2. Modelul matematic
2.5 Materiale i proprieti
Substratul actuatorilor este construit din silicon, nfurrile sunt din cupru, lamelele elastice sunt
din polyimide (PI), iar magneii permaneni sunt de tip NdFeB [3-6] Tabelul 1.
Tabelul 1 Proprieti electrice, magnetice i mecanice ale componentelor actuatorilor
E [GPa]

Materialul
Lamelele elastice (polyimide)
Suport (silicon)
nfurarea (cupru)
Magneii permaneni (NdFeB)

(1)

(2)

st [kg/m3] (3)

r (4)

r [T] (5)

r (6)

[S/m] (7)

2.94
170
110 128
150245

0.35
0.28
0.35
0.24 0.281

1410
2329
8700
7500

1
1
1
1.1

1.2 1.4

3.4
12.1
1
1.05

6700

5.998107
7.143105

(1) Modulul lui Young; (2) Raportul Poisson; (3) Densitatea de mas; (4) Permeabilitatea magnetic relativ; (5) Inducia remanent; (6) Permitivitatea electric; (7) Conductibilitatea electric.

Magneii sunt orientai cu inducia remanent, Br, n planul xOy, paralel cu axa Ox, Fig. 1. Se
presupune c interfaa dintre ei i lamela PI este o folie (super)paramagnetic, pentru care s-a
presupus r = 10. Prezena ei este modelat atribuind lamelei PI proprietile magnetice ale foliei. O
analiz mai detaliat a acestei interfee (permeabilitate, dimensiuni) i a dispunerii magneilor
permaneni vor fi ntreprinse n urmtoarea etap.
Cmpul magnetic produs de magneii permaneni interacioneaz cu cmpul magnetic produs de
curentul de acionare, rezultatul fiind o for care produce deformarea lamelelor PI. Este necesar
ca aceast for s fie de repulsie. Deformarea lamelelor este analizat n condiii de lucru
staionare.
3. Modelarea numeric
3.1 Un model 2D cartezian simplificat
Analiza aciunilor pondero-motoare poate fi, ntr-o prim instan, efectuat pe un model
simplificat, 2D, care reprezint planul de seciune vertical (xOz), median (y = 0), al actuatorului cu
o lamel Fig. 2.

Br
Br

a. Inducia magnetic. Valoarea maxim este 1.75 T.

b. Inducia magnetic. Valoarea maxim este 2.99 T.

Br

Br
c. Forele magnetice ridic lamela PI.

d. Forele magnetice apas lamela PI.

Fig. 2 Rezultate de simulare numeric pentru modelul 2D cartezian inducia magnetic i

deformarea. Br trebuie orientat n sensul lui Ox.

Este rezolvat problema de cmp magnetic (1)-(2) i sunt calculate forele care acioneaz asupra
magneilor. Fig. 2,a,b prezint spectrul induciei magnetice: linii de cmp pentru dou orientri ale
Br: dup axa Ox respectiv dup axa Oy. Densitatea de volum a forelor este calculat din
densitatea de energie, folosind teorema forelor generalizate (lucrul mecanic virtual) [1,2].
7

Apoi, folosind forele magnetice calculate n urma rezolvrii problemei de cmp, se rezolv
problema structural. Fig. 2,c,d prezint deformrile determinate prin simulare numeric.
Fora total care acioneaz asupra matricei magetice este de 520.78 N/m, pentru Br orientat n
direcia Ox, i -352.809 N/m pentru Br orientat n direcia Oy. n aceste mprejurri, soluia
constructiv ce trebuie adoptat este alinierea magneilor cu inducia remanent orientat
orizontal, n sensul axei Ox Fig. 2,c.
3.2 Modelarea 3D
Domeniile de calcul utilizate n modelarea 3D sunt artate n Fig. 1 volumul care conine
actuatorii i nchide problema de cmp magetic este eliminat (se poate observa n Fig 3).
n prima etap se rezolv o problem de cmp electrocinaetic pentru determinarea distribuiei
densitii curentului electric de conducie din bobin. Apoi, similar modelrii 2D, se rezolv
problema de cmp magnetic (se determin forele de volum magnetice) i, n a treia etap, se
integreaz problema structural. Pentru rezolvarea FEM a problemei electrocinetice au fost
utilizate elemente Lagrange ptratice, pentru cmpul magnetic elemente vectoriale liniare, iar
pentru deformri elemente Lagrange ptratice.

Cmpul magnetic
Fig. 3 arat cmpul magnetic prin benzi de flux fascicular de inducie magnetic.

a. Actuatorul cu o lamel.

b. Actuatorul cu dou lamele.

Fig. 3 Inducia magnetic n modelele 3D.

Liniile de cmp B sunt n principal n direcia Ox ntre magnei i bobin (a se vedea i Fig. 2, a), ceea
ce explic efectul de repulsie al lamelei PI.

Actuaia
Fig. 4 prezint prin hri de culoare deformrile pentru cei doi actuatori, pentru Br = 1.3 T, i
densitatea curentului electric Jn = 5 A/mm2. Comparnd rezultatele, modelarea 2D poate da o
estimare a actuaiei n sensul ordinului de mrime.

a. Deformarea maxim este 1.876 mm.

b. Deformarea maxim este 1.280 mm.

Fig. 4 Deformri, n condiii de lucru staionare.

Analiza senzitivitii defleciei n raport cu diferii parametri (curent de excitaie, numrul,

dimensiunile i proprietile magneilor matricei) este un obiectiv al etapei urmtoare.
8

3.3 Analiza electrostatic

Capacitile electrostatice utilizate n schemele de circuit cu parametri concentrai ai actuatorilor
se determin din energia electric obinut rezolvnd o problem de regim electrostatic, (3). Fig. 6
arat rezultatele simulrii numerice prin hri de culoare ale potenialului electrostatic (01 V)
ntr-un plan de seciune xOy, i tuburi de flux de intensitate de cmp electric. n acest studiu,
bobinele nu sunt parcurse de cureni, iar lamelele se afl n poziiile de repaos.

a. Actuatorul cu o lamel.

b. Actuatorul cu dou lamele.

Fig. 6 Cmpul electrostatic reprezentat prin tuburi de E (culoare i dimensiuni proporionale cu V) i

hart de culoare (proporional cu V) n actuatorii din Fig. 1. Bobinele i magneii sunt armturi.

Capacitile electrostatice determinate energetic sunt C = 3.483 pF, pentru actuatorul cu o lamel, i
C = 3.1798 pF, pentru actuatorul cu dou lamele. Diferena este atribuit contribuiei lamelei /
lamelelor, ca medii dielectrice. n etapa urmtoare se vor considera variaiile acestor capaciti n
raport cu deflexiile lamelelor (pentru diferii cureni electrici de acionare).
3.5 Parametrii circuitului electric echivalent
Soluiile numerice ale distribuiei cmpului magnetic staionar permit determinarea inductivitilor

actuatorilor, L, utiliznd definiia energetic L 2 w m dv I 2 [H], unde wm [J/m3] este

densitatea energiei magnetice, I [A] este curentul electric la borne, iar este domeniul de calcul.
Folosind aceast metod rezult L = 2.846 H pentru actuatorul cu o lamel i L = 2.3413 H
pentru actuatorul cu dou lamele.
Rezistena de curent continuu pentru cei doi actuatori este R = 0.3272 .
Tabelul 2 Parametrii circuitului electric echivalent al actuatorilor
Parametrul de circuit
R []
L [H]
C [pF]

Actuatorul cu lamel

Actuatorul cu dou lamele

0.3272
2.846
3.483

0.3272
2.3413
3.1798

Tabelul 2 sintetizeaz parametrii de circuit pentru cei actuatori, Fig. 7.

Identificarea parametrilor de circuit permite tratarea acestor dispozitive ca elemente de circuit
electric cu efecte de cmp electromagnetic, i includerea lor n schemele electrice de comand
9

etap necesar n proiectarea electronicii de comand.

4. Concluzii
n aceast etap s-au realizat modelarea matematic i simularea numeric a interaciunilor n
cmp electromagnetic care au loc n doua variante contructive de actuatori de tip consol (grind),
lamelari, n condiii de lucru staionare, i au fost stabilit o modalitate de determinare a
capacitilor electrice proprii ale acestor sisteme.
Modelele de cmp electromagnetic staionare i structurale (eforturi-deformare) statice sunt
cuplate univoc: forele electromagnetice sunt date de intrare utilizate n analiza structural.
Unghiurile de deflexie ale lamelor flexibile PI pot fi controlate prin reglarea curentului electric, de
acionare, din bobine.
Modelarea 2D poate da o estimare a actuaiei n sensul ordinelor de mrime ale forelor
electrodinamice i deformrilor mecanice.
n acest studiu este propus i un model pentru analiza cmpului electrostatic n scopul determinrii
capacitii electrice utilizat n poiectarea circuitelor cu parametri concentrai pentru actuatori.
Eventualele efecte pondero-motoare de natur electric fac obiectul urmtoarei etape.
Referine bibliografice
[1] C.I. Mocanu, Electromagnetic Field Theroy, 2nd ed. (in Romanian), Ed.D.P., Bucureti, 1982.
[2] COMSOL A.B. v. 3.5a 5.0.
[3] B. M. Dutoit, et.al., High performance micromachined Sm2Co17 polymer bonded magnets, Sensors
and Actuators, vol. 77, pp. 178-182, 1999.
[4] KATCO, Performance Materials, http://www.katco.eu/index.htm
[5] http://www.ndfeb-info.com/characteristics.aspx
[6] http://www.intemag.com/magnetic_properties.html
[7] http://www.mit.edu/~6.777/matprops/polyimide.htm

ASPECTE ALE MATERIALELOR UTILIZATE N

STRUCTURILE MEMS
1. INTRODUCERE

n ultimul deceniu al secolului XX, s-a observat o dezvoltare rapid a microsistemelor

electromecanice (MEMS), cretere ce se preconizeaz s continue. Premisa de baz din spatele
conceptului MEMS este aceea c beneficiul unei producii de volum mare la un cost unitar relativ
sczut, al industriei microelectronice din ultimii 50 de ani, poate fi translatat ctre dispozitive n
care componentele mecanice i electrice sunt integrate pe un singur cip de siliciu (sau structur
echivalent). Pe lng beneficiile economice poteniale, o asemenea integrare poate permite
obinerea unei productiviti unice prin realizarea de dispozitive la o scar foarte mic, cum ar fi
senzori [1, 2], actuatori [3], dispozitive generatoare de energie [4], reactoare chimice [5] i
dispozitive biomedicale [6, 7]. Posibilitatea integrrii caracteristicilor funcionale mecanice,
biologice sau chimice cu electronica necesar circuitelor de putere i control ntr-un singur
dispozitiv permite utilizarea conceptelor precum reele cu distribuie nalt folosite pentru
monitorizarea strii unor sisteme i structuri de mari dimensiuni [8] sau n scheme chimice de
producie i putere distribuite.
Structura lucrrii, n continuare, este urmtoarea: n seciunea 2 se discut efectele
reducerii dimensiunilor (efectele de scar) asupra proiectrii dispozitivelor MEMS; n seciunea
10

3 se revd, pe scurt, trei procese de fabricaie predominante utilizate la realizarea dispozitivelor

MEMS; n seciunea 4 sunt prezentate materialele pentru structurile MEMS care apar n cele trei
procese de fabricaie; n seciunea 5 se discut aspectele materialelor asociate cu etapele cheie de
fabricaie; n seciunea 6 sunt discutate aspectele materialelor asociate cu proiectarea
dispozitivelor MEMS i rolul caracterizrii lor; n seciunea 7 sunt prezentate direcii viitoare de
dezvoltare n domeniul MEMS i rolul materialelor privind aceast dezvoltare.
2. EFECTUL REDUCERII DIMENSIUNILOR (EFECTUL DE SCAR)

nainte de a ne concentra asupra caracteristicilor materialelor folosite n dispozitivele

MEMS, este important s menionm pe scurt influena efectului de scar asupra proiectrii,
fabricrii i a performanelor dispozitivelor micromecanice.
Efectul de scar este important n proiectarea dispozitivelor MEMS i are implicaii asupra
comportamentului materialelor utilizate n cadrul acestor dispozitive. n acest context, este util
mprirea efectului de scar asupra proiectrii i performanelor dispozitivelor MEMS n trei
categorii: cvasi-fundamental, dependent de mecanismul de scar i extrinsec (sau indirect).
Exemple ale acestor efecte de scar sunt furnizate n urmtoarele trei seciuni.
2.1. Scalare cvasi-fundamental
2.2. Scalarea dependent de mecanismul de scar
Pentru metalele ductile exist o literatur extins despre influena efectului de scar asupra
rezistenei, rezumat n Ref. [10]. Introducerea constrngerilor, cum sunt particulele dure sau
frontierele de granulaie, sau suprafeele i interfeele care lipesc (prin care ader) un strat subire
pe un substrat, determin restrngerea formrii i propagrii dislocaiilor, avnd ca rezultat duriti
foarte mari la scara mic.
Tabelul 1. Dependenele cheie cvasi-fundamentale ale parametrilor de proiectare,
de scara lungimilor, pentru MEMS
Nr. Parametrul
Scara Observaii
crt.
1
Lungimea (L)
L1
Fundamental
2
2
Aria (A)
L
Fundamental
3
Volumul (V)
L3
Fundamental
1
4
Aria suprafeei/Volum (A/V)
L
Fundamental
5
Masa (M)
L3
Se presupune densitatea independent de
scar
6
Fora de inerie (F)
L3
Variaz (se scaleaz) cu masa
1
7
Tensiunea de inerie max. ()
L
Pt. un sistem mas-arc cu acceleraie max.
8
Tensiunea centrifugal max. () L0
Pt. viteza max. la marginea unui disc rotitor
2
9
Puterea (W)
L
n ipoteza (5)
1
10 Puterea/volum (W/V)
L
n ipoteza (5), de asemenea puterea/mas
11 Frecvena natural structural
L1
Modul i densitate independente de scar
()
12 Timpul de difuzie caracteristic
L1/2
Pt. un coeficient de difuzie constant
(t)
13 Fora electrostatic (FEI)
L2
Se presupun independente de scar
permitivitatea i tensiunea de strpungere a
dielectricului
1
14 Acceleraia max. datorat forei L
n ipoteza (13) i (5)
electrostatice (aEI)
15a Fora magnetic (electromagnet) L4
Se presupune densitatea max. de curent
(Femag)
independent de scar
3
15b Fora magnetic (magnet
L
Se presupune rezistena magnetic
permanent) (Fpmag)
independent de scar
11

16

Fora piezoelectric (Fpiezo)

L2

17

Pierderile termice (qTh)

L2

18

Rezistena la oc termic (Tcrit)

19

Tensiunea superficial

~
L1
L1

Se presupun independente de scar

constantele piezo-mecanice i tensiunea de
strpungere
Pt. un coeficient de transfer de cldur
independent de scar
Variaz (se scaleaz) cu numrul lui Biot
Se presupune independena de scar

Modelele pentru restricionarea dislocaiilor n straturile subiri cu grosimi ntre 0.2-2.0 m

amintesc de rezistene de curgere care variaz invers proporional cu grosimea stratului [18,19], i
acest comportament previzionat a fost demonstrat experimental [20]. n cazul dispozitivelor
MEMS, aceast cretere a rezistenei poate avea att consecine negative, ct i pozitive. Pe de o
parte, aceasta permite o cretere a capabilitii n transmiterea forelor, ns pe de alt parte, pot s
rezulte tensiuni reziduale mult mai mari dect cele care ar fi normale la scar mare.
2.3. Scalarea extrinsec (indirect)
Unele dintre cele mai importante efecte ale scalrii asupra proiectrii i performanelor
dispozitivelor MEMS nu pot fi atribuite unui singur factor fizic. De exemplu, traseele (procesele)
tehnologice care sunt apte s asigure toleranele dimensionale necesare sunt restrictive n ceea ce
privete formele ce pot fi obinute. Ca atare, dispozitivele MEMS constau, n general, din
elemente electro-mecanice care sunt fie plane, sub forma unor straturi suprapuse, fie prismatice
sau cilindrice. Aceast restricie duce MEMS n zone ale proiectrii ce nu ar fi niciodat luate n
calcul n cazul elementelor macroscopice. Similar, valoarea mare acordat funcionalitii
microsistemelor MEMS, ca dispozitive microelectronice, permite utilizarea unor materiale ce nu
ar fi folosite niciodat n aplicaiile la scar macro. Costurile de fabricaie ale unui cip pentru
unitatea de procesare central a calculatoarelor de nalt performan se ridic la 105 U.S.$/kg, cu
mai mult de dou ordine de mrime dect costul specific al structurilor aerospaiale avansate.
Factorii de scalare extrinsec au deseori origini cvasi-fundamentale. De exemplu, restricia
asupra formelor geometrice poate fi discutat n legtur cu procesele tehnologice disponibile. La
rndul su, utilizarea acestor procese, precum depunerea, corodarea i doparea limitat n cazul
difuziei, poate fi discutat n legtur cu argumentul scalrii c procesele care acioneaz pe
suprafee sunt mult mai atractive din punct de vedere economic la scar mic datorit scalrii cubptrat a volumului la aria suprafeei.
3.

TEHNOLOGII DE FABRICAIE SPECIFICE MEMS

3.1. Microprelucrarea de suprafa dezvoltat in studiu

3.2. Microprelucrarea de volum dezvoltat in studiu
3.3. Procedeul LIGA
Cea de-a treia tehnologie specific MEMS o reprezint realizarea componentelor
micromecanice ale dispozitivului prin depunerea galvanic de material metalic ntr-o form
microfabricat, utiliznd procedeul LIGA (acronimul provine din expresiile germane ale etapelor
principale ale procedeului: litografie (LITHOGRAPHIE), galvanizare / electroformare
(GALVANOFORMUNG) i turnare (ABFORMUNG)) [29, 30]. Procedeul const n obinerea
unei forme din polimer (PMMA polimetilmetacrilat) prin litografie adnc (litografie cu raze X),
pentru a crea structuri cu raport nalt de aspect (raportul dintre nlime i dimensiunea n plan a
structurii) [31, 32], urmat de depunerea galvanic a unui metal n cavitile formei.
Un exemplu tipic de aplicaie a procedeului LIGA, cu parcurgerea primelor dou etape,
litografie i galvanizare, n combinaie cu tehnica stratului de sacrificiu, este prezentat n Fig. 6, i
o microfotografie a unei structuri de acionare de tip pieptene fabricat prin acest procedeu este
prezentat n Fig. 7, care ilustreaz ct de mici pot fi dimensiunile i toleranele ce pot fi obinute.
Procedul nu se limiteaz doar la depunerea galvanic. Etapa de turnare este aplicabil altor
12

materiale, cum ar fi siliciul policristalin i carbura de siliciu, care pot fi depuse prin depunere
chimic de vapori [33, 34], iar structuri ceramice refractare au putut fi obinute prin procese
specifice tehnologiei pulberilor depunere din suspensii urmat de sinterizare, utiliznd, din cauza
temperaturilor mari, forme din material metalic realizate la etapa de galvanizare. Avantajul
procedeului LIGA este c permite o varietate mult mai larg de materiale care pot fi luate n
considerare pentru construcia dispozitivelor MEMS, fa de cele ntlnite tradiional n
microelectronic.
Din punct de vedere al dimensiunilor considerate, procedeul LIGA are aceleai avantaje ca
i n cazul componentelor microprelucrate n volum, cu toate acestea, utilizarea de materiale i
procese necompatibile CMOS limiteaz capacitatea de a obine nivele nalte de integrare a
funciilor mecanice i electrice. Dei a fost acumulat o experien notabil n domeniul placrii
metalice, exist o nevoie semnificativ de a rafina capacitile acestei tehnologii, astfel nct s fie
capabil s realizeze controlul foarte precis al dimensiunilor i proprietilor de material necesare
pentru aplicaiile MEMS.
Clasificarea convenional a microfabricaiei n cele trei tehnologii principale este oarecum
simplist i exist exemple de abordri hibride ce pot depi restriciile menionate anterior.
Exemplele includ utilizarea procedeului LIGA n combinaie cu tehnica stratului de sacrificiu
(SLIGA/sacrificial LIGA) [35] pe plachete de siliciu, precum i lipirea plachetelor pentru a
combina traseele tehnologice pe un singur dispozitiv. Astfel, se poate considera c lipirea/sudarea
plachetelor, reprezint un proces de microfabricaie distinct, de sine stttor, n msura n care
acesta asigur capacitatea de a transfera o anumit funcionalitate, care n mod tradiional ar fi
realizat printr-o ncapsulare de nivel primar, dispozitivului microfabricat n integralitatea sa.
Straturi sub iri metalice Au/Cu/Cr
pentru ini ierea depunerii galvanice

Substrat

Configurarea i corodarea
straturilor sub iri metalice
Depunerea, configurarea i
corodarea stratului de sacrificiu

Strat de sacrificiu de Ti
Radia ie X
sincrotronic

Membrana m tii pentru raze X (SiN)

Strat absorbant pentru raze X (Au)

Expunerea rezistului cu grosime

de 100 1000 m

Rezist sensibil la raze X (PMMA)

Developarea rezistului

Microstructur metalic
depus galvanic

ndeprtarea rezistului i
a stratului de sacrificiu

Partea mobil/suspendat a
structurii

Partea fix/ ancorat la

substrat, a structurii

Fig. 6. Etapele procesului tehnologic pentru un dispozitiv obinut prin procedeul LIGA.

13

4. Gama de materiale folosite n dispozitivele MEMS

Cele trei tehnologii de fabricaie descrise mai sus au definit pn acum, n mare parte,
materialele ce pot fi utilizate de ctre proiectanii MEMS. Una dintre soluiile utilizate pentru
atingerea unui nivel ridicat de fiabilitate i a unui cost unitar redus pentru dispozitivele
microelectronice este aceea c este utilizat un set limitat de materiale i componena acestora este
foarte atent controlat pentru a asigura o performan reproductibil. Principalele materiale
folosite n dispozitivele VLSI includ: plachete de siliciu monocristalin dopat ca substrat
semiconductor i straturi depuse de siliciu policristalin pentru elementele rezistive, aluminiu i
cupru ca material conductor principal i oxid de siliciu, nitrur de siliciu si nitrur de titan pentru
izolare electric i pasivare/protecie. Aceast selecie limitat de materiale a constituit, totodat,
baza pentru majoritatea dispozitivelor MEMS microprelucrate pe suprafa i n volum. Siliciul
monocristalin, siliciul policristalin i nitrura de siliciu sunt utilizate, n general, ca material de
structurare pentru componentele micromecanice, aluminiul ca i conductor electric de putere i
transmisie a semnalului, iar oxidul de siliciu ca strat de sacrificiu, pentru a permite eliberarea
structurilor mobile sau suspendate.
Limitarea la acest set de materiale asigur compatibilitatea cu procesele folosite pentru a
realiza componentele microelectronice i permite astfel un grad ridicat de integrare pe un singur
cip. Din punct de vedere mecanic, aceste materiale sunt, de asemenea, atractive. Siliciul, oxidul de
siliciu i nitrura de siliciu sunt materiale elastice care nu prezint fenomenul de curgere sau
histerezis la temperatura camerei, o cerin cheie pentru senzorii de mare precizie i actuatorii care
folosesc componente micromecanice. Dei aceste materiale au o tenacitate sczut, rezistena
nalt a materialelor fragile la scar mic mrete nivelele de deformaie ce pot fi atinse i reduce
posibilitatea de degradare i rupere, care mpiedic utilizarea acestor materiale pentru dispozitive
la scar macro.
Cu toate c s-a demonstrat utilitatea materialelor CMOS pentru realizarea componentelor
micromecanice, setul de materiale din microelectronic bazate pe siliciu pare s fie restrictiv, dac
se consider ntregul potenial al dispozitivelor MEMS ce ar putea fi realizat i gama larg de alte
materiale posibile de cercetat. Astfel, materialele pentru MEMS ar putea fi mprite n materiale
care permit obinerea de componente micromecanice cu performane superioare i materiale
necesare elementelor sensibile, care permit conversia puterii sau a semnalelor dintr-un domeniu
fizic ntr-altul.
4.1. Materiale pentru componentele micromecanice
Msurarea performanelor materialelor destinate componentelor micromecanice este bine
cunoscut [37]. Aceste principii de selecie a materialelor se aplic n mod egal dispozitivelor
MEMS. Trei dintre componentele micromecanice de baz, care sunt frecvent utilizate n
dispozitivele MEMS, sunt diafragmele/membranele pentru senzorii de presiune, elemente
vibratoare de nalt frecven pentru giroscoape i discuri rotative pentru pompe i turbine de
producere a energiei. Indicatorii de performan pentru aceste aplicaii sunt prezentai ca [37]:
f3/2/E, E/, f/, unde f reprezint rezistena la rupere, E este modulul lui Young i este
densitatea. Tabelul 2 prezint sintetic aceti indicatori de performan pentru mai multe materiale
din domeniul microfabricaiei. Siliciul este un material foarte atractiv pentru aplicaiile de nalt
rezisten, cum sunt microsenzorii de presiune i microdispozitivele cu turbine, ns pentru
dispozitivele pentru care este necesar o anumit rigiditate/duritate, diamantul, carbura de siliciu i
oxidul de aluminiu pot oferi mbuntiri semnificative ale performanelor.
Cea mai bine organizat ncercare de a extinde gama de materiale disponibile pentru
proiectanii MEMS este utilizarea procedeului LIGA. Acesta permit considerarea oricrui material
care poate fi depus galvanic din soluie. Nichelul i aliajele de nichel sunt cele mai frecvent
utilizate materiale, dar un set mult mai larg este disponibil, incluznd cupru, crom, fier i cobalt. n
plus, este posibil depunerea galvanic a anumitor aliaje [38] i a materialelor durificate prin
ncorporarea particulelor dure n matricea placat [39]. Capacitatea de a microfabrica metale cu
mare precizie este atractiv pentru dispozitivele n care sunt necesare fore mecanice mari i nivele
14

nalte de putere. Ductilitatea relativ a metalelor reduce riscul de degradare prin rupere, inevitabil
n cazul utilizrii materialelor fragile din setul de materiale de baz CMOS, n principiu, acest
lucru permite fabricarea unor dispozitive semnificativ mai mari.
Carbura de siliciu a prezentat un interes considerabil ca material pentru dispozitivele
MEMS [40]. SiC monocriatalin este un semiconductor cu lime de band mare, capabil s
funcioneze la temperaturi ridicate i nivele de putere mare, comparativ cu siliciul [41, 42]. n
plus, ofer o rigiditate, duritate, tenacitate i rezisten la uzur mult mai mare dect materialele de
baz din setul CMOS. Acestea sunt caracteristici deosebit de atractive pentru aplicaiile MEMS.
Dorina de a produce dispozitive care utilizeaz aceste proprieti, pentru a obine o
performane superioare n aplicaiile din microelectronic i din domeniul microsenzorilor, s-a
concentrat asupra dezvoltrii tehnicilor de obinere a monocristalelor cu dimensiuni mai mari din
SiC [43] i asupra mbuntirii proceselor de microfabricaie similare celor disponibile pentru Si.
Aceste eforturi sunt ngreunate de reactivitatea chimic relativ sczut a SiC, de
temperatura sa de topire extrem de ridicat i de tendina de a forma mai multe tipuri de structuri
cristaline i defecte de cristalizare. Cu toate acestea, un progres considerabil a fost realizat prin
crearea unor monocristale fr defecte, iar dispozitivele semiconductoare au nceput s devin
disponibile n comer, cel puin un senzor de presiune MEMS din SiC fiind dezvoltat [44].
Dispozitivele MEMS din SiC au demonstrat, de asemenea, tehnicile de turnare n care
carbura de siliciu este depus chimic din vapori n forme sau matrie de siliciu microprelucrate.
Un exemplu de astfel de dispozitiv este atomizorul de combustibil prezentat n Fig. 8. Metoda
utilizat a fost crearea de forme sau matrie de siliciu prin microprelucrare de volum, care sunt
apoi acoperite cu SiC [45, 46]. Aceast abordare folosete posibilitile de fabricaie disponibile
pentru siliciu, putnd fi realizate dispozitive cu performanele cerute.
Pn acum, utilizarea SiC n dispozitivele MEMS nu a fost foarte dezvoltat, n comparaie
cu microprelucrarea de suprafa i de volum a siliciului, i cu materialele LIGA. n consecin,
aspectele materialelor sunt numeroase, variind de la prelucrarea substraturilor de SiC, tehnologiile
de mascare i corodare, precum i problemele asociate cu tensiunile reziduale ale straturilor
depuse.
Monocristalul din oxid de aluminiu (safir), oxidul de aluminiu amorf, silica (SiO2) topit
(cuarul) i diamantul [47] sunt disponibile sub form de plachete i ultimul dintre aceste materiale
poate fi depus chimic din vapori pentru a crea dispozitive MEMS [48].
Tabelul 2. Indicatorii de performan ai materialelor pentru componentele micromecanice i
valorile acestora, dependente de tehnologia de microprelucrare aplicat. Dintre acestea,
rezistena la rupere prezint cea mai mare dependen de procesele utilizate
Material

Desitatea,
(kg/m3)

Siliciu
Oxid de siliciu
Nitrur de siliciu
Nichel
Aluminiu
Oxid de aluminiu
Carbur de siliciu
Diamant

2330
2200
3300
8900
2710
3970
3300
3510

Modulul
Young, E
(GPa)
129-187
73
304
207
69
393
430
1035

Rezistena la
rupere, f
(MPa)
4000
1000
1000
500
300
2000
2000
1000

E/
(GN/kg m)

f/
(MN/kg m)

f3/2/E
(MPa)1/2

72
36
92
23
25
99
130
295

1.7
0.45
0.30
0.06
0.11
0.50
0.303
0.28

1.5
0.43
0.10
0.54
0.75
0.228
0.208
0.31

Aa cum se arat n Tabelul 2, aceste materiale ofer o rigiditate specific superioar, i de

aceea se obin frecvene de rezonan mai mari dect n cazul siliciului (diamantul avnd cea mai
mare rigiditate specific cunoscut pentru un material, fiind, totodat transparent optic). De
asemenea, trebuie remarcat faptul c n aplicaiile MEMS diferite tipuri de sticl sunt folosite, n
principal, ca izolatori sau ca straturi de ncapsulare n dispozitivele microprelucrate n volum, mai
degrab dect din motive de performan mecanic.

15

Pentru dispozitivele MEMS, unde performana structural nu reprezint o problem, sunt

disponibile alte tipuri de materiale, n special polimerii. Folosirea direct a litografiei n
modelarea/configurarea polimerilor, pentru a crea canale de curgere [49, 50] sau alte componente
micromecanice este foarte atractiv din punct de vedere economic, deoarece elimin multe dintre
etapele de fabricaie specifice materialelor mai dure. Utilizarea unor astfel de materiale pentru
MEMS ofer, de asemenea, posibilitatea de a crea structuri MEMS flexibile i ncapsulri care ar
putea fi deosebit de utile pentru sistemele integrate cu structuri ngropate.
De asemenea, n categoria performanelor mecanice non-structurale apare problema crerii
barierelor termice. Au fost propuse diferite scheme pentru motoarele cu micronclzire [51], iar
randamentul termodinamic al acestui tip de dispozitive necesit ca diferena de temperatur
maxim posibil s fie meninut pe ntreg ciclul de funcionare. Acest lucru solicit materiale sau
structuri cu o rezisten termic ridicat. Cu toate acestea, strategiile de izolare termic care
funcioneaz la scar macroscopic, cum ar fi straturile barier sau separarea fizic, sunt mai greu
de implementat n domeniul MEMS din cauza dimensiunilor mici, care diminueaz n mare
msur beneficiile ce pot fi obinute prin utilizarea de materiale cu o conductivitate termic
redus.
4.2. Materiale pentru elementele sensibile ale dispozitivelor MEMS
Senzorii i actuatorii MEMS necesit mijloace de conversie a intrrilor mecanice n ieiri
electrice i invers. Dup cum s-a menionat n Seciunea 2, principiul de detecie utilizat n mod
uzual este cel electrostatic, n care sunt utilizate modificri de capacitate pentru a msura
deplasrile n senzorii de presiune i accelerometre, sau sunt utilizate forele electrostatice pentru a
realiza deplasrile n cadrul actuatorilor, ca n cazul actuatorilor de tip pieptene [52, 53] sau
micromotoarelor [54, 55].
Pentru dispozitivele macroscopice, forele electromagnetice sunt mijloacele dominante de
conversie a energiei electrice n energie mecanic, ns acest principiu a fost utilizat destul de
puin la scar microscopic. Dup cum s-a menionat n Seciunea 2, aceasta provine din scalarea
favorabil i uurina n implementarea funcionrii electrostatice, i dificultile relative de
microfabricare a bobinelor pentru inductoare i motoare. A fost nregistrat un recent succes n
utilizarea depunerii galvanice pentru a crea magnei permanenti microprelucrai, care ofer unele
promisiuni pentru dispozitivele electromagnetice [56, 57]. Avnd n vedere capacitatea n
domeniul microfabricaiei dispozitivelor electromagnetice, se poate observa c performana lor va
fi n mare msur comparabil cu cea a dispozitivelor electrostatice, i, probabil, superioar pentru
dimensiunile mai mari ale dispozitivelor MEMS [58].
Materialele piezoelectrice sunt capabile de densiti de energie i putere foarte mari la
scar mic. Frecvena mare de funcionare specific dispozitivelor MEMS se potrivete bine cu
capacitatea materialelor piezoelectrice de a dezvolta frecvene nalte, iar scalarea favorabil a
rezistenei n domeniul scrilor mici depete unele dintre limitrile ntlnite n utilizarea
piezoceramicii pentru dispozitive macroscopice. Cele mai frecvent utilizate materiale
piezoelectrice n dispozitivele MEMS sunt titanatul zirconat de plumb (PZT) [59], oxidul de zinc
(ZnO) [60] i nitrura de aluminiu (AIN). Acestea sunt, de obicei, depuse sub form de straturi
subiri prin pulverizare catodic cu magnetron sau metoda sol-gel, n unele cazuri, pe
componentele microprelucrate de siliciu [61]. n plus, tehnicile de turnare pot fi utilizate mpreun
cu procesarea convenional a materialelor ceramice - procese specifice tehnologiei pulberilor
depunere din suspensii urmat de sinterizare, pentru a crea componente piezoelectrice mai mari,
integrate cu procedeul LIGA [62]. Unele progrese au fost, de asemenea, realizate cu polimeri
piezoelectrici, n special polifluorur de viniliden (PVDF) [63].
Este de remarcat faptul c siliciul este un material piezorezistiv i aceast proprietate a fost
folosit n muli senzori de presiune. Alte fenomene au fost, de asemenea, folosite pentru a realiza
traductoare MEMS, inclusiv aliaje cu memoria formei [64, 65], i materiale magnetostrictive [66].

16

Proiectarea, simularea si fabricatia unor structuri de test cu elemente

de cuplare/aliniere
nainte de realizarea dispozitivului la scar miniatural sunt necesare o serie de teste la
scar macro pentru a putea stabili cu o precizie ct mai bun limitele tehnologice ale
echipamentelor ce vor fi utilizate pentru manufacturarea elementelor componente.
De asemenea, testarea macro n cadrul sistemelor microelectromecanice (MEMS Micro
Electro Mechanic Systems) ajut si la verificarea unor ipoteze, ipoteze ce pot fi mai greu validate
la scar micro din cauza erorilor ce pot apare n cadrul msurtorilor parametrilor electrici,
mecanici samd.
ntr-o prim faz se intentioneaz crearea unei versiuni de test a sistemului
microelectromecanic la scar macro, dimensiunile aproximative fiind 23 x 10 x 1,7mm (L x l x ).

Fig. 1 Dimensiuni versiune test a sistemului microelectromecanic

Elementele componente ale sistemului microelectromecanic de testare la scar macro sunt:

plac suport; parte fix; bobin; matrice magneti permanenti; lamel bronz-beriliu; sistem
centrare.
O vedere n sectiune partial se poate observa mai jos, pentru una din solutii. Sistemul de
centrare, respectiv bobina nu a fost sectionat.

Fig. 2

17

Sistemul de centrare se va realiza prin procedeul LIGA raze ultraviolete. Acest procedeu permite
realizarea unor matrite temporare ce pot fi folosite pentru crearea unor elemente metalice. Matrita
este apoi eliminat rezultnd componenta final dorit.
Se vor realiza mai multe forme conjugate de pad-uri ce vor avea drept rol alinierea ct mai facil a
lamelei de partea fix, respectiv a prtii fixe de placa suport. n figuri este evidentiat doar sistemul
de centrare situat la nivelul lamelei, respectiv al prtii fixe. Un rol aditional al sistemului de
centrare este acela de evitare a rotatiei lamelei elastice n planul orizontal. Dimensiunile pad-ului
suport sunt de 2 x 3 mm

SCANNERE LASER
In cadrul acestui studiu s-a realizat o documentare legate de realizarea si folosirea unor scanner
optogalvanice ca un prim pas in realizarea unor scanner cu microactuatori in vederea obtinerii de
scannere optice de foarte mici dimensiuni. MEMS-urile optice s-au dezvoltat mult in ultimii ani,
mai ales in domeniul telecomunicatiilor inlocuind componentele active traditionale (laseri,
detector, modulatori) si passive (multiplexori, izolatori, polarizori, cuplori). Se include mai nou
comutatori cu selectie spectrala, filtre acordabile, etc.
Pentru inceput s-a facut o prezentare a scannerelor optice clasice urmand sa tratam apoi
problema folosirii microactuatorilor in aplicatii de scanare laser.
Cerinte pentru oglinzile laser dimensiuni, reflectivitate, prag de distrugere;
Oglinzile laser folosite la scannerele optogalvanice pot fi de dimensiuni relative mari (de ordinul
centimetrilor) intrucat puterea motoarelor este suficient de mare. Aceasta inseamna ca sectiunea
transversala a fasciculului laser poate fi suficient de mare astfel incat densitatea de putere laser pe
oglinda sa fie mult sub pragul de distrugere. Este esentiala folosirea unor oglinzi cu reflectivitate
cat mai mare (peste 99%) deoarece ceea ce nu este reflectat de oglinda se absorbe si aceasta duce
la incalzirea oglinzii si la modifiacrea proprietatilor ei. Pentru a avea o reflectivitate cat mai buna
se folosesc oglinzi specific fiecarei lungimi de unda. De exemplu, se folosesc oglinzi cu depunee
de aur pentru laserii in infrarosu (cu CO2), oglinzi cu depuneri de dielectrici pentru domeniul
vizibil si infrarosu apropiat.
Pentru laserii in impulsuri pragul de distrugere al unei oglinzi depinde si de durata impulsului. Cu
cat impulsul este mai scurt cu atat pragul de distrugere este mai coborat conform unor nomograme
care sunt folosite in astfel de situatii.
SCANNERE MEMS IN AFISAJE - INTRODUCERE
Inca de la prima publicatie a unei oglinzi-scanner din silicon in 1980, sistemele
microelectromecanice (MEMS) pentru scanarea optica, au participat la foarte multe aplicatii.
Primele modele de scanner MEMS s-au focalizat pe aplicatii de imagistica precum microscopia
confocala, citirea codurilor de bare si senzori de amprenta. La inceputul mileniului, tehnologia
optical cross-connects (OXC) a reprezentat motorul de antrenare al scanner-elor 2D. A fost
inlocuit ulterior de afisajele de proiectie miniaturizate cu cerintele sale pretentioase in ceea ce
priveste frecventa, unghiul de scanare si gabairtul. Alte aplicatii include her applications include
spectroscopie optica coerenta , si afisajul cu scanare de retina - retinal scanning display (RSD),
imprimarea , afisajele head up precum si tehnologia LIDAR pentru industria auto.
Pentru aplicatii de imagistica, cerintele cu privire la scanner-ele laser nu sunt la fel de mari ca la
afisaje. Performantele sistemelor de scanare imagistica sunt de obicei limitate de optica, care
implica un spot focalizat de dimensiuni reduse si focalizare dinamica si nivele scazute ale
semnalelor care implica timp de intregrare mai mare si viteze de scanare mici. Astfel, majoritatea
scanner-elor de mare performanta care vor fi discutate in acest articol sunt destinate dezvoltarii
aplicatiilor in domeniul afisajelor.
A. Scannere MEMS in afisaje
18

Pentru aplicatii in domeniul afisajelor, exista 3 tipuri de arhitecturi unde tehnologia MEMS a fost
folosita:
(1) matrici 2D care actioneaza ca un modulator optic spatial - spatial light modulators (SLM). Cea
mai dezvoltata tehnologie in acest sens este oferita de catre Texas Instruments, respective
Procesorul Optic Digital - Digital Light Processor (DLP), folosind Dispozitive Digitale cu Microoglinzi - Digital Micromirror Devices (DMD) unde component MEMS este o matrice de
dimensiuni mari formata din micro-oglinzi bistabile.Aceste dispositive au o dependenta directa
intre numarul de oglinzi si numarul de pixeli. Matrici unidimensionale , unde o matrice 1D este
scanata pentru a genera o imagine 2D complete. Doua implementari foarte cunoscute, folosind
componente optice de difractie, sunt tehnologia grating light valve technology (GLV) si
tehnologia modulatorului interferometric - interferometric modulator technology (iMoD) [1].
Aceste tehnologii sunt detinute azi de catre Silicon Light Machines si Qualcomm, respectiv
dispozitive 2D de scanare laser dispozitive flying spot 2, unde o singura sursa laser modulata
este scanata simultan in 2 dimensiuni , precum este detaliat in acest. O prezentare exhaustiva a
dispozitivelor MEMS este data in [3].
B. Laserii in tehnologia afisajelor
Primul afisaj laser a fost propu deja din anii 1960, dar disponibilitatea comerciala a tehnologiei , in
special a implementarii miniaturizate, a fost limitata datorita gabaritului si al costului ridicat al
surselor laser. Primele exemple ale scanner-elor laser compacte au aparut in anii 90. Primul
display disponibil comercial, care utiliza scanarea laser cu ajutorul unui MEMS a fost RSD,care
proiecta o imagine virtuala direct pe ochiul utilizatorului, folosind o scanare laser de tip raster.
Sistemele RSD au existat pentru o decada, insa acuma interesul este acordat sistemelor de afisajele
de proiectie mobile. Totodata, dezvoltarea proiectoarelor miniaturizate cu un spectru cromatic
complet a fost ingreunata de sistemele complexe utilizate pentru dublarea frecventei, care erau
utilizate pentru obtinerea radiatiei laser verde. In 2010, disponibilitatea comerciala a diodelor laser
cu emisie directa in verde a determinat obtinerea unor surse compacte RGB (red-green-blue) .
Acest lucru a determinat obtinerea proiectoarelor laser portabile si cu adevarat miniaturizate,
reprezentand inceputul a ceea ce vedem acum.
C. Proiectoare pico
Cele trei tehnologii dispobile pentru proiectoare miniaturizate sunt: scanare laser cu MEMS, DMD
si afisaje cu cristale lichide. DLP and LCoS sunt amandoua exemple ale tehnologiei SLM. LCoS
este similar cu DLP ca si principiu de functionare, dar lumina reflectata este modulate de cristale
lichide, in loc de oglinzi bistabile. Avantajul principal a scanarii laser sunt: gama larga de culori,
scalabilitatea rezolutiei la acelasi gabarit, si o imagine intotdeauna focusata. Cele doua din urma
sunt importante in special pentru afisajele miniaturizate . Comparativ cu sistemele SLM,
modularea directa a laserilor pentru fiecare pixel conduce la o mutare a complexitatii arhitecturale
de la optomecanice la electronica. Modularea directa faciliteaza o eficienta energetica ridicata si in
mod inerent,un contrast ridicat. Dezavantajul principal al scanarii laser este distributia neuniforma
a fasciculului laser datorata propagarii luminii laser prin aer.
D. Scannere laser
Tehnicile traditionale pentru scanarea laser include scanner-ele acusto-optice, scanner-ele poligon
si cele galvanometrice. Scanner-ele MEMS sunt dorite pentru a permite miniaturizarea,consumul
scazut de energie, precum si o performanta ridicata la actionari cu frecvente ridicate de rezonanta.
O clasificare a scannerelor cu MEMS este data in [2]. O forma simplificata de clasificare a
scanner-elor MEMS se poate face in functie de urmatoarele 3 categorii: (1) principiul de
functionare (oglinda reflectanta, lentila de refractie, retea de difractie), (2) principiul de actionare
(in principiu electrostatic,electromagnetic, piezoelectric, si electrotermic), (3) tehnologia de
fabricatie (e.g. microprelucrare din bloc de material, microprelucrare de suprafata, si metode
hibride de fabricatie).
Totusi, marea majoritate a scanerr-elor pentru afisaje sunt formate din oglinzi de torsiune realizate
din microprelucrarea siliciului, cu o singura modalitate de actionare.
19

IV. PRINCIPII DE ACTIONARE

Aplicatiile de afisaj laser de mare performanta necesita deplasari mari a unor oglinzi cu o aperture
mare cuplate cu o deplasare de mare precizie. Scanner-ele rezonante utilizeaza factorul de calitate
mechanic (Q) pentru a ajunge la unghiul cerut. La presiunea atmosferica unn cuplu de actionare
foarte mare este necesar pentru a invinge air damping. Problema poate fi rezolvata prin folosirea
unui pachet in vid care este costisitor si conduce la alte probleme tehnice [7]. In plus, masa
suspendata devine grea datorita gabaritului oglinzii si cerintelor de planeitate dinamica. Operarea
non rezonanta a scanarii vertical necesita la fel un cuplu ridicat pentru a invinge rigiditatea la
incovoiere, care nu poate fi redusa datorita necesitatii de rezistenta la socuri si a unei manipulari
robuste. Cele trei principii de actionare discutate in acest articol pot fi: actionarea electrostatica
(ES), actionarea electromagnetica (EM) si actionarea piezoelectrica (PE). Multe cercetari au fost
realizate in sensul actionarii electrotermale (ET). Datorita unui timp de raspuns ridicat a
dispozitivelor ET, scanner-ele bazate pe aceasta tehnologie nu sunt potrivite pentru folosirea in
tehnologii de afisaj, mai degraba folosite in a actiona scanner mai lente in combinatie cu un
scanner rapid, care foloseste alta metoda de actionare. Atunci cand comparam scannere pentru uz
comercial, cel mai critice aspect care trebuiesc luate in considerare sunt: rezolutia
activata,simplitatea constructive, eficienta energetica, cerintele de alimentare, robustetea,
compactitatea si stabilitatea pe termen lung. Fiecare principiu de actionare are avantaje in anumite
directii in timp ce in alte directii prezinta dezavantaje.
Actionare electromagnetica
Exista 2 arhitecturi principale in ceea ce priveste actionarea EM: magnet mobil si bobina mobila.
Primul foloseste o bobina externa impreuna cu un magnet sau un film magnetic subtire depozitat
pe dispozitiv. Ofera o fabricare simpla si elimina necesitatea unor contacte electric, daca
deplasarea este realizata cu o bobina-cip on/off. In cazul bobinei mobile, o bobina este fabricata pe
un scanner si magnetii externi sunt folositi pentru a asigura un camp magnetic static, asa cum este
ilustrat in figura 3.

Figura 3
BIBLIOGRAFIE
[1] A. Londergan, E. Gousev, and C. Chui, Advanced processes for MEMS-based displays, in
Proc. Asia Displays, Shanghai, China, 2007, pp. 107112.
[3] H. Urey, S. Madhavan, and M. Brown, MEMS microdisplays, Handbook of Visual Display
Technology, J. Chen, W. Cranton, and M. Fihn, Eds. Bristol, U.K.: Springer-Verlag, 2012, pp.
20672080.
[5] H. Urey, D. W. Wine, and T. D. Osborn, Optical performancerequirements for MEMSscanner based microdisplays, Proc. SPIE, vol. 4178, pp. 176185, Aug. 2000.
[7] U. Hofmann, J. Janes, and H. J. Quenzer, High-Q MEMS Resonators for Laser Beam
Scanning Displays, Micromachines, vol. 3, no. 2, pp. 509528, Jun. 2012.
20