Sunteți pe pagina 1din 19

UNIVERSITATEA POLITEHNICA ,

TIMISOARA

PROIECT
NANOMATERIAL
E

PROFESOR COORDONATOR:
C. Craciunescu
STUDENT:
Nume si prenume:
Martinescu Cosmin

TIMISOARA
DECEMBIE 2014

CRISTALE FOTONICE

TEMA
PROIECTULUI:

PROFESOR COORDONATOR:
C. Craciunescu
STUDENT:
Nume si prenume:
Martinescu Cosmin

CRISTALE FOTONICE

CUPRINS

INTRODUCERE....................................................................................................... 3
CRISTALE FOTONICE............................................................................................. 4
Cristale fotonice consideraii generale................................................................4
Proiectarea unui mediu periodic............................................................................ 6
METODE DE OBINERE I CARACTERIZARE OPTIC A CRISTALELOR FOTONICE....9
Tehnici de litografie consideraii generale...........................................................9
Tehnica de litografiere prin fascicul electronic.....................................................10
Metode de caracterizare optic a cristalelor fotonice..........................................11
REALIZAREA I CARACTERIZAREA OPTIC A CAVITILOR CRISTALELOR
FOTONICE............................................................................................................ 12
Realizarea prin metoda EBL de caviti n cristale fotonice la o tensiune de 10Kv
............................................................................................................................ 13
Realizarea prin metoda EBL de caviti n cristale fotonice la o tensiune de
accelerare de 30 kV............................................................................................. 13
Proprietile de fotoluminiscen ale unor compui organici depui pe cristalele
fotonice................................................................................................................ 14
BIBLIOGRAFIE...................................................................................................... 15

CRISTALE FOTONICE

INTRODUCERE

Lumina influeneaz vieile noastre de zi cu zi n diverse moduri, greu de imaginat cu


cteva decenii n urm. Lumina va juca un rol semnificativ n viitor, uurnd calea spre
progrese n comunicaiile prin fibr optic, n noi modaliti de a practica medicina,
biotehnologia, detecia optic etc.
Fotonica a devenit un domeniu important att pentru tiin ct i pentru
tehnologie,cuprinznd fenomenele fizice i tehnologiile asociate generrii, transmisiei,
manipulrii, detectrii i utilizrii luminii. Datorit dezvoltrii continue a unor domenii cum
ar fi nanotehnologia, tiina materialelor, optica, etc., precum i datorit dezvoltrii rapide a
tehnicilor de fabricare la scar micro/nano, fotonica a cunoscut o dezvoltare tot mai rapid.
[1]
ntr-o definiie general, cristalele fotonice cuprind structurile care au constanta dielectric
periodic n una, dou sau trei dimensiuni, i prezint band interzis. Aceast deosebire
geometric, combinat cu o varietate de materiale folosite implic un domeniu larg de
metode de fabricare i proceduri, care au tendina de a fi specifice pentru fiecare material n
parte, depinznd ns i de natura structurii ce urmeaz a fi fabricat. Cristalele fotonice pot
manipula lumina,meninnd totui dimensiunea mic necesar realizrii de dispozitive de
dimensiuni reduse.[2]
n particular, cristalele fotonice, dup decenii de cercetare i-au gsit din ce n ce mai mult
aplicabilitate n ghiduri de und, filtre de nalt rezoluie spectral, precum i n
telecomunicaiile bazate pe fibra optic. Mai nou, cristalele fotonice sunt folosite n laseri,
diode emitoare de lumin sau n filme subiri avnd structuri periodice ca strat de protecie
pe cardurile de credit. Cercettorii sper ca vor realiza diode i tranzistori din acest material,
deschiznd astfel calea n realizarea de calculatoare complet optice.[3]

CRISTALE FOTONICE
Obiectivul proiectului este acela de a studia proprietile optice ale unor materiale pentru
aplicaii n fotonic. Principalele materiale studiate sunt cristalele fotonice i materialele
organice, scopul proiectului fiind de a analiza unele aplicaii ale cristalelor fotonice, de a
vedea n ce msur materialele organice pot influena performanele cristalelor fotonice, i de
a studia noi substane organice.

CRISTALE FOTONICE

Cristale fotonice consideraii generale


Un cristal este definit ca o aranjare periodic de atomi sau molecule. Modelul dup
care atomii i moleculele se repet n spaiu constituie reeaua cristalului. Reeaua cristalin
poate bloca propagarea anumitor unde. Exist benzi de energie interzise n structura de
benzi a cristalului, ceea ce nseamn c electronii cu anumite energii nu se pot propaga n
cristal.
Analogul optic este cristalul fotonic, n care atomii sau moleculele sunt nlocuii prin medii
macroscopice avnd constante dielectrice diferite, iar potenialul periodic este nlocuit de o
funcie dielectric periodic (mai exact avem un indice de refracie periodic). Dac
constantele dielectrice ale materialelor sunt suficient de diferite i dac absorbia luminii de
ctre materiale este minim, atunci interferena ntre undele transmise i reflectate la diverse
interfee genereaz benzi permise i interzise pentru fotoni, analoage benzilor energetice
pentru electroni. Pentru formarea benzilor fotonice este necesar ca periodicitatea spaial a
cristalului fotonic s fie de ordinul lungimii de und a luminii . Banda interzis fotonic
definete o serie de frecvene pentru care lumina nu poate s se propage n cristal.[4]
Simetria translaional perfect a cristalului fotonic poate fi distrus ntr-o manier
controlat,oferind astfel posibiliti interesante de manipulare a fotonilor. De exemplu,
realiznd un defect linear n material obinem un fir optic din care lumina nu poate iei.
Dac realizm o cavitate n centrul cristalului fotonic obinem o stare fotonic localizat (o
cuc optic) n interiorul benzii de energie interzis, fcnd posibil localizarea fotonilor .
4

CRISTALE FOTONICE
O consecin a structurii benzii de energie interzis fotonic este posibilitatea apropierii de
zero a vitezei de grup, ncetinind astfel lumina n cristalul fotonic .[5]
Se pot proiecta i fabrica cristale fotonice prezentnd defecte punctiforme sau liniare i cu
benzi interzise fotonice pentru anumite intervale de frecvene. De exemplu, ghidurile de und
metalice i cavitile sunt folosite pentru controlul propagrii microundelor, dirijnd i
respective confinnd cmpul electromagnetic. n acelai mod, acelai tip de defecte realizate
n structure periodice ne ofer posibilitatea controlului undelor electromagnetice din
domeniul infrarou sau vizibil. Se pot fabrica cristale fotonice de o anumit geometrie i cu
dimensiuni de ordinal milimetrilor pentru controlul microundelor, sau de ordinul micronilor
pentru controlul radiaiei din infrarou.[6]
Cristalele fotonice sunt mprite dup periodicitatea straturilor periodice din care sunt
alctuite n: uni-, bi- i tri-dimensionale , aa cum se observ n Figura 1. Cel mai simplu
cristal fotonic este cristalul unidimensional (1-D) , format din dou materiale care alterneaz
periodic pe o direcie. n mod similar, ntr-un cristal fotonic bidimensional constantele
dielectrice alterneaz pe dou direcii, n timp ce cristalul fotonic tri-dimensional ofer un
control complet al radiaiei electromagnetice, datorit periodicitii pe toate cele trei direcii.

Figura 1. Cristale fotonice uni-, bi- , tri- dimensionale

Pentru a nelege modul de formare a benzilor interzise n cristalele fotonice, ne folosim de


ecuaiile lui Maxwell scrise pentru undele electromagnetice care se propag ntr-un mediu
fr cureni i sarcini libere.

H ( r , t )=


D ( r , t)
t

E ( r , t )=


B ( r , t)
t

D ( r , t )=0

B ( r , t )=0
5

CRISTALE FOTONICE
A i
H , sunt legate de inducia electric
D i de
Cmpurile electric i magnetic,
B prin dou relaii ce exprim rspunsul materialului la excitarea
induciamagnetic
B =
H i
D=
E .[7]
electromagnetic:

Proiectarea unui mediu periodic


Scopul simulrii prezentate n acest subcapitol este de a demonstra capacitatea
cristalelor fotonice anizotrope de a se comporta ca modulatori controlabili pentru
fasciculele de lumin. Structurile optice periodice, cunoscute sub denumirea de cristale
fotonice n cazul n care se formeaz o band interzis, prezint numeroase aplicaii n
circuitele fotonice i n dispozitivele bazate pe modificarea limii i a poziiei benzii
interzise prin alegerea potrivit a dimensiunilor straturilor periodice precum i a valorilor
constantelor dielectrice ale acestora [8].
Cu toate c s-au fcut eforturi deosebite n studiul teoretic i experimental al cristalelor
fotonice, efectul anizotropiei asupra rspunsului optic al acestora nu este nc explorat
ndeajuns de mult.
Anizotropia optic se ntlnete n special la materialele organice, fiind fie nativ fie
indus de cmpuri electrice. Un exemplu tipic de materiale organice optic anizotrope sunt
cristalele lichide [9].
Banda interzis fotonic definete un set de frecvene pentru care lumina nu se propag n
cristal: acordabilitatea benzii interzise prin controlul dimensiunii i simetriei structurii
fotonice este esenial pentru transmiterea informaiei la diverse lungimi de und. De
aceea, proiectarea unui mediu periodic const n aflarea poziiilor benzilor permise i
interzise n funcie de indicii de refracie i de grosimea straturilor.

CRISTALE FOTONICE

Figura 2. Structura strat peste strat


a) Inciden normal pentru unde transversal electrice
Prima parte a programului de modelare prezentat o constitue aflarea bezilor de energie
permise i interzise n funcie de grosimile straturilor, d1 i d2. Prin modificarea acestor
grosimi,regiunea interzis i schimb poziia i limea. Condiia de baz n alegerea
materialelor organice pentru construcia unei structuri periodice a fost aceea ca acestea s
prezinte valori destul de diferite ale indicilor de refracie. n prima parte se va lucra cu o
structur de straturi periodice n care indicii de refracie vor fi egali cu 1,7 pentru stratul de
organic 1 i 1,4 pentru stratul de organic 2.Pentru o grosime de strat de organic 1 d1 =
150 nm i pentru o grosime de strat de organic 2 d2 = 100 nm s-au obinut benzile permise
i interzise ale structurii periodice cu linie continu. Modificnd grosimile straturilor,
observm urmtoarele:
dac lsm distana d2 neschimbat i cretem grosimea de strat d1= 200 nm obinem curba
cu linie punctat;
dac lsm distana d2 neschimbat i scdem grosimea de strat d1= 100 nm astfel nct s
avem straturile de aceeai grosime obinem curba desenat cu linie ntrerupt;
dac modificm grosimea stratului organic 2, d2 = 150 nm i lsm grosimea stratului
organic 1, d1 = 100 nm obinem curba reprezentat n figur prin linie-punct.
[10]
A doua etap a constat n observarea modului n care se comport reflectivitatea structurii
periodice. Pentru o structura periodic caracterizat de o matrice totala M cu elemente mij ,
i,j= 1,2,i plasata intre medii izotrope, numite in i out, coeficienii de transmisie
aistructurii pot fi exprimai sub forma:

( m11+ m12 p out ) p +(m21+m 22 p out)

2 p

t=
7

CRISTALE FOTONICE
b) Mediu periodic anizotrop folosit ca modulator de fascicul
Plecm de la ipoteza c avem un cristal fotonic unidimensional avnd o perioad compus
din dou straturi nemagnetice organice avnd grosimile d1 i d2, respectiv indici de refracie
n1 i n2.Se consider primul strat ca fiind uniaxial, cu indici de refracie ordinar no1 = 1,5 i
extraordinar ne1 = 1,7, valori tipice pentru cristalele lichide [12]. O dependen a indicelui de
refracie fa de unghiul de inciden este posibil doar pentru unda extraordinar ntr-un
mediu izotrop uniaxial. Astfel, expresia indicelui de refracie este dat de relaia:
n 1=1/ cos2 1/n e 12 +sin 2 1/n e 12
Unde 1 este unghiul dintre vectorul undei incidente i axa optic a primului strat.
Cel de-al doilea strat din componena cristalului fotonic, este considerat izotrop cu o valoare
aindicelui de refracie egal cu n2 = 1,35.
Modularea fasciculului de lumin se bazeaz pe dependena rspunsului optic, n particular a
coeficienilor de transmisie, de unghiul de incident a radiaiei. O intensificare a modulrii ar
trebui s aib loc atunci cnd fascicolul incident constituie unda extraordinar n materialul
uniaxial, mai ales c n acest caz i indicele de refracie depinde de unghiul de inciden.[11]
c) Exemple de modulare a formei fascicului
Am demonstrat c un cristal fotonic anizotrop poate modifica forma unui fascicul incident
puternic divergent. Exist posibilitatea de a aproxima forma distribuiei cmpului prin
alegerea corespunztoare a celor nou parametrii disponibili: 1 , numrul de perioade N,
k0d1 , k0d2 , valorile indicilor de refracie ordinar i extraordinar a celor dou straturi no1,2,
ne1,2, i divergena fascicului, a.Primul parametru este deosebit de important pentru
modularea distribuiilor de lumin asimetrice.Datorit faptului c numrul de parametri este
mai mare (cu doi) dect n cazul cristalelor fotonice izotrope, distribuia dorit a cmpului se
poate produce cu o mai mare acuratee. Cum parametrii kod1 i k0d2 depind de lungimea de
und a radiaiei, rezult c aceeai structur poate produce diverse rspunsuri n funcie de
valorile lungimilor de und; totui o anumit distribuie a cmpului se obine pentru o
anumit combinaie a valorilor k0d1 i k0d2 pentru o anumit lungime de und a radiaiei
incidente pe cristalul fotonic, fabricat dintr-un numr prestabilit de straturi. Dependena
modulrii fasciculului de lungimea de und nu trebuie neglijat fiind util pentru modularea
fasciculelor pulsate sau cu lungimi de und multiple [14-16]. Pentru a demonstra posibilitatea
controlului formei intensitii fasciculului la ieirea din prob, am gsit parametrii care
reproduc dou forme dorite (scalate cu s i normalizate cu g) ale intensitii la ieire: a)
fasciculul Gauss Hermite de ordinul II, i b) un fascicul cu o derivat discontinu n origine
date.[12]

CRISTALE FOTONICE

METODE DE OBINERE I CARACTERIZARE


OPTIC A CRISTALELOR FOTONICE
Tehnici de litografie consideraii generale
Conceptul de fotolitografie apare pentru prima dat n literatura de specialitate n
secolul al 17-lea, fiind utilizat n aplicaii de imprimare cu cerneal. Cu toate c tehnicile i
aplicaiile litografiei sau diversificat odat cu trecerea anilor, definiia acesteia a rmas
aceeai: litografia constituie procesul de transfer al unei structuri dintr-un mediu n altul . n
funcie de rezultatul dorit,litografierea se realizeaz prin tehnici diferite ce pot fi clasificate n
funcie de echipament, natur i agent, care induc procesul, fenomenul, interacia sau reacia
care are loc.
Una dintre tehnicile cele mai folosite, fcnd parte din abordarea de sus n jos este
litografia cu fascicul electronic (EBL), regsindu-se n literatura de specialitate nc de la
sfritul anilor 60.Cel mai bun argument pentru folosirea acesteia versus fotolitografie este
acela c fenomenul de difracie este mult mai puin semnificativ n cazul fasciculului
electronic, unde lungimea de und folosit este dat de relaia lui de Broglie [13]:
h
h
electron= =
p m0 v
unde :
- h (constanta lui Plank) = 6,626 10-34 J/s;
- p (impulsul) = m0 v ;
- m0 (masa electronului) = 9,11 10-31 kg;
- v (viteza)

Principalele atribute ale litografiei cu fascicul electronic sunt:


rezoluie nalt;
este o tehnic flexibil care poate fi folosit n realizarea unor multitudini de structuri pe o
gam larg de materiale;
este o tehnic nceat comparativ cu fotolitografia;
este o tehnic scump i complicat echipamentele putnd ajunge la un pre de cumprare
de mai multe milioane de dolari, precum i datorit necesitii ntreinerii permanente.

CRISTALE FOTONICE

Tehnica de litografiere prin fascicul electronic


Aparatura de litografiere cu fascicule de electroni reprezinta un sistem experimental complex
utilizat pentru activitati de nanostructurare geometrica. Tehnica de nanostructurare a
suprafetei unui material prin litografiere consta in scanarea cu un fascicul de electroni
focalizat a suprafetei care urmeaza sa fie structurata geometric, care a fost acoperita in
prealabil cu un strat protector dintr-un material polimeric sensibil la actiunea fasciculului de
electroni. [28]
EBL este un sistem complex capabil s realizeze structuri n numr mic, de nalt
rezoluie,avnd dimensiuni exacte, i o poziionare bine determinat pe substrat. EBL este
eficient pentru aplicaii n domeniul semiconductorilor, n industria IC i nanotehnologie,
obinerea de dispositive electronice, componente optice, precum i o serie de structuri folosite
n stiina materialelor, energie, medicin. EBL este folosit n principal pentru fabricarea de
mti, realizarea unui numr mic de structuri specifice, dezvoltarea aplicaiilor stiinifice
fundamentale, i prototyping.
Tehnica EBL are la baz principiul microscopiei cu scanare electronic, fiind un proces de
scriere direct ce const n iradierea cu un fascicul ngust de electroni (folosit i pentru
achiziia de imagini de nalt calitate) a unei suprafee acoperite cu un strat de rezist, acesta
suferind modificri fizice i chimice. Energia depozitat n timpul expunerii rezistului creaz
o imagine latent care ulterior este materializat n timpul developrii chimice.[14]
Un microscop SEM obinuit este compus din: coloan, camera n care se afl platforma pe
care se pun probele aezat pe o mas antivibraii, sistem de vid ultranalt, i sistem de
operare i de afiare.
Tehnica/procesul de litografiere const n patru pai importani: 1) alegerea i depunerea
rezistului; 2) expunerea materialului sensibil la fasciculul electronic, 3) developarea rezistului
i 4) transferul structurii. Datorit faptului c rezoluia final este dat de efectul cumulativ al
fiecrui pas individual al procesului, este important s asigurm o legatur ntre acetia.[15]
n mod obinuit, o imagine SEM este realizat prin scanarea probei cu fasciculul electronic i
colectarea semnalului produs de interacia fascicul-prob. n procesul de litografie, acelai
fascicule electronic ajut la realizarea structurii n PMMA. Atunci cnd fasciculul electronic
lovete prob,interacia dintre electronii i atomii rezistului/substratului genereaz o varietate
de fenomene cum ar fi:
electroni secundari- electroni cu energii mici emii din prob datorit interaciei cu
fascicululelectronic (electroni primari)
electroni retromprtiai electroni primari care sunt reflectai din suprafa dup ciocnirea
cu nucleii atomilor.
raze X
catodoluminiscen

10

CRISTALE FOTONICE

Figura 3.Microscop electronic de baleiaj JEOL JSM 6390A echipat cu modul de


litografiere cu fascicul de electroni XENOS XP G2.

Metode de caracterizare optic a cristalelor fotonice


Fotoluminiscena-Spectroscopia de luminiscen este tehnica care msoar lumina
emis de o prob.Luminiscena constitue emisia luminii n vizibil i ultraviolet ca urmare a
dezexcitrii electronice a unei molecule (electronii de pe strile excitate se ntorc pe starea
fundamental), atunci cnd excitarea probei nu se realizeaz pe cale termic [9]. n funcie de
mecanismul de excitare al electronilor, avem:
a) chemoluminiscen starea excitat este generat de o reacie chimic, b) fotoluminiscen
tranziia de la starea fundamental la cea excitat este rezultatul absorbiei radiaiei
electromagnetice,
c) electroluminiscena lumina este emis de un corp prin care trece curent electric,
d)catodoluminiscen rezultatul bombardamentului electronic al probei, etc.[16]
In funcie de timpul de via al strii excitate, mai exact de timpul n care electronul st pe
nivelul energetic superior, fotoluminiscena se mparte n:
fluorescen = emisia luminii are loc ntr-un timp de nanosecunde sau milisecunde dup ce
procesul de iradiere a avut loc, i se emit fotoni cu lungimi de und mai mari ca urmare a
trecerii electronului din prima stare excitat n starea fundamental.
fosforescen = emisia luminii are loc dup un timp mai mare dect n cazul fluorescenei,
de aproximativ 104 s pn la cteva secunde, n care un electron se relaxeaz, trecnd de
pe prima stare de triplet (T1) n starea fundamental [17].
fluorescen ntrziat = const n formarea strii de triplet i reconversia n starea original
de singlet nainte ca emisia de lumin s aibe loc. Timpul de via corespunztor acestui
11

CRISTALE FOTONICE
proces este intermediar, mai lung dect n cazul fluorescenei, dar mai scurt dect n cazul
fosforescenei [18].
Fotoluminiscena este o tehnic optic care permite caracterizarea materialelor
semiconductoare i izolatoare. Principiul de funcionare este simplu: se excit electronii
substanei studiate cu ajutorul unei radiaii electromagnetice (n general monocromatic) i
apoi se detecteaz emisia spontan a luminii de ctre material. Fotoluminiscena este o
metod simpl, versatil, nedistructiv i dependent de natura excitaiei optice. Mai mult,
fotoluminiscenta depinde puternic de temperatur, msurtorile de nalt rezoluie fcndu-se
la temperatura heliului lichid, iar cele uzuale la temperatura camerei. [19]
Polarizarea constitue un alt grad de libertate n msurtorile optice. n experimentele de
fotoluminiscen, polarizarea emisiei depinde de orientarea dipolilor oscilatorilor. De obiecei,
toate orientrile sunt egal probabile n procesul de recombinare a unei perechi electron-gol,
astfel nct fotoluminiscena nu este polarizat. Totui, o variaie a intensitii
fotoluminiscenei la modificarea orientrii cmpului electric este de multe ori observat.
Anizotropia polarizrii n msurtorile de fotoluminiscen poate fi atribuit legturilor
asimetrice, modulrii compoziiei amestecului, sau deformrilor. Anizotropia polarizrii a fost
atribui legturii asimetrice locale de la interfa [20].

REALIZAREA I CARACTERIZAREA OPTIC A


CAVITILOR CRISTALELOR FOTONICE

Datorit dificultilor ntlnite n fabricarea cristalele fotonice tridimensionale,


structurile bidimensionale sunt cele mai intens studiate. n acest capitol se detaliaz
modul de realizare a cavitilor n cristale fotonice bidimensionale fabricate n membran
de nitrur de siliciu. Au fost realizate caviti n cristale fotonice folosind tehnica de
litografiere prin fascicol electronic prezentat anterior.
n procesul de fabricare al cristalelor fotonice, n particular a blocurilor cristaline fotonice
(photonic crystal slabs), toate etapele au o importan vital. Succesul aplicrii litografiei
cu fascicol electronic n realizarea de cristale fotonice este de multe ori influenat de
abilitatea acestei metode de a realiza structuri submicronice folosind un rezist adecvat:
pozitiv/negativ sau organic/anorganic.Dei, membranele de nitrur de siliciu sunt
caracterizate printr-un indice de refracie mai mic (~2) dect cele din Si (~3,5), acestea
prezint avantajul c pot fi folosite n fabricarea de component optice care pot lucra la

12

CRISTALE FOTONICE
lungimi de und din domeniul vizibil, optime pentru aplicaii legate de,biosenzori, dar i
n pentru aplicaii n domeniul biochimiei sau biomedicinei [21].

Realizarea prin metoda EBL de caviti n cristale


fotonice la o tensiune de 10Kv
Procesul de fabricare a unei caviti ntr-un cristal fotonic const din trei etape
principale: 1)depunerea e-rezistului pe membrana de nitrur de siliciu, 2) scrierea
structurii cu ajutorul fascicolului electronic, i 3) transferul structurii din e-rezist n
membrana de Si3N4.
Depunerea e-rezistului pe membrana de Si3N4:E-rezistul folosit a fost polimetilmetacrilat-ul (PMMA), caracterizat de faptul c, la developarea ntr-un solvent
adecvat, regiunile expuse pot fi ndeprtate. O doz moderat de iradiere electronic a
PMMA-ului duce la degradarea acestuia, respectiv formarea de fragmente cu mas
molecular mic, astfel nct n etapa de developare aceste fragmente sunt ndeprtate cu
ajutorul unui developant format din metil-izobutil ceton (MIBK) i propanol, ce nu
afecteaz rezistul neexpus [22].
Paii urmai n depunerea rezistului pozitiv sunt: a) nclzirea probelor la o temperatur
de 100 oC timp de 1 minut, pentru o mai bun aderen a e-rezistului la substrat, b)
depunerea prin spinare la 3000 RPM (rotaii pe minut), timp de 1 minut, a soluiei de
PMMA, n raport de 1:1 (MIBK:PMMA), c) uscarea stratului de rezist format la 180 oC,
timp de 10 minute. Stratul astfel format are o grosime de 230 nm, msurat comparativ cu
ajutorul unui profilometru i a unui elipsometru, valorile fiind aproximativ egale.
Transferul structurii din e-rezist n membrana de Si3N4:Conceptul de baz al litografiei
const n transferul unei structuri din substratul sensibil la fasciculul electronic (e-rezist),
n substratul/stratul dorit. Procesul de transfer poate fi realizat prin corodare uscat,
umed sau prin tehnica lift-off, fiind strns legat de structura final pe care dorim s o
realizm.Transferul n acest caz s-a realizat prin corodare uscat n tri-fluorometan
(CHF3), dup ce n prealabil proba a fost introdus ntr-un developant aflat la o
temperatur de aproximativ 23 oC pentru aproximativ 30 secunde, i respectiv n alcool
izopropilic pentru alte 30 de secunde, n scopul opririi procesului de developare. Probele
au fost inute n CHF3 timp de 16, 18 i 20 de minute, apoi curate n plasm pentru circa
18 25 de minute pentru ndeprtarea total a stratului de PMMA.[23]

13

CRISTALE FOTONICE

Realizarea prin metoda EBL de caviti n cristale


fotonice la o tensiune de accelerare de 30 kV
Procedeul de fabricare al cavitilor din cristalele fotonice prin tehnica de litografie cu
fascicule electronic folosind o tensiune de accelerare de 30 kV a fost identic cu cel utilizat
pentru structurile realizate la o tensiune de accelerare de 10 kV. Micile diferene au fost legate
de grosimea stratului de PMMA, care n acest caz a fost de 180 nm, i de valoarea dozei, care
a fost de 0,7 C/m2, cu un factor de doz de 1,3.La aceast tensiune de accelerare au fost
realizate cristale fotonice de form hexagonal prezentnd o deplasare a gurilor din
vecintatea cavitii optice de tip L3 - 3 guri lips n central cristalului fotonic. Astfel, prin
msurtori de spectroscopie n cmp ndeprtat, s-a urmrit calculul factorului de calitate i
dac valoarea acestuia este influenat de o deplasare a golurilor din vecintatea cavitii.
Montajul experimental folosit a fost acelai ca i n subcapitolul 3.1, n Figura 3.2.1 fiind
prezentat o imagine mai sugestiv a modului cum se realizeaz excitarea cavitii i
colectarea emisiei la un unghi de 90 grade.[24]

Proprietile de fotoluminiscen ale unor compui


organici depui pe cristalele fotonice
Scopul principal al msurtorilor de fotoluminiscen n cmp ndeprtat a straturilor
subiri de polimer este de a reui s se gseasc combinaia optim substan/matrice, astfel
nct s se poat obine spectrul unei molecule individuale, ce ulterior poate fi transferat n
nanocavitate.Studierea polimerilor conjugai cu ajutorul spectroscopiei de molecule
individuale (single molecule spectroscopy) este util din cel puin dou motive: a) din
interes pur tiinific, pentru a observa ce se ntmpl cu lanurile polimerice atunci cnd sunt
iradiate cu un fascicul de lumin, i b) dintr-un interes practic, de a analiza ce procese au loc
n aceti polimeri i cum pot fi controlate i folosite [25].
n interpretarea datelor obinute experimental n majoritatea cazurilor, pentru a putea discuta
de procesele moleculare care au loc ntr-o prob ne referim la molecule individuale. Din
pcate, de obicei majoritatea experimentelor implic un numr mare de molecule, denumite
ansambluri, i care sunt studiate ntr-un interval mare de timp. n prezent, cea mai practic
metod de a gsi i de a studia o molecul individual prin mijloace optice const n
detectarea fluorescenei induse de ctre un fascicol laser ntr-o prob mic de volum, n care
cel puin o molecul poate fi excitat de radiaia incident. Datorit tehnologiilor care au
fcut posibil realizarea de dispozitive la scar nanometric, metoda s-a adaptat la folosirea
de straturi subiri n locul probelor de volum redus. n acest caz, trebuie s ne asigurm c

14

CRISTALE FOTONICE
fascicolul incident cade pe o singur molecul i nu pe un agregat sau ansamblu molecular
[26].
Din punct de vedere cronologic, anul 1989 este anul n care se reueste pentru prima dat
detectarea unei molecule individuale dintr-o prob solid la temperaturi joase de ctre
Moerner i Kodor. n anul 1993, Betzig i Chichester fac public prima imagine de molecule
individuale realizat la temperatura camerei cu ajutorul microscopului optic cu scanare n
cmp apropiat. Ulterior, s-a descoperit c o metod mult mai uoar pentru detectarea
moleculelor individuale o constitue microscopia confocal. Polimerii organici cu care s-a
lucrat, folosii n general n fabricarea de diode emitoare de lumin, tranzistori organici cu
efect de cmp, sau celule solare, au fost: PFR (copolymer polifluorenic), P3HT (poli(3hexiltiofen)), i Lumogen Red (perilendiimid), acesta din urm fiind un colorant utilizat n
industria materialelor plastice. Totui, n acest rezumat am ales s prezint dect influena
PFR-ului.[27]

15

CRISTALE FOTONICE

BIBLIOGRAFIE
[1] Photonics and Optical Communication (Course Number 320352) Spring 2005
Introduction Photonics Instructor: Dr. Dietmar Knip;
[2] C. Paquet, E. Kumacheva, Nanostructured polymers for photonics, Materials
Today, Vol.11, No.4, pag.48-56, April 2008;
[3] B. Beri, Introduction to Electron Beam Litography, Joef tefan Institute,
Jamova 39,1000 Ljubljana, Slovenia;
nics, Vol. 58, No.20, pag. 2059-2062, Physical Review Letters , May 1987;
[4] Steven G. Johnson, Photonic Crystals: From Theory to Practice Phd. Thesis,
Massachusetts Institute of Technology, June 2001;
[5] E. Yablonovitch, T. J. Gmitter, R. D. Meade, A. M. Rappe, K. D. Brommer, and J.
D.
Joannopoulos, Donor and Acceptor Modes in Photonic Band Structure, Vol. 67,
No.24, pag. 3381-3383, Physical Review Letters, May 1991;
[6] M. Notomi, K. Yamada, A. Shinya, J. Takahashi, C. Takahashi and I. Yokohama,

16

CRISTALE FOTONICE
Extremely Large Group-Velocity Dispersion of Line-Defect Waveguides in Photonic
Crystal Slabs,Vol. 87, No. 25, Physical Review Lettres, 17 December 2001;
[7] Y. A. Vlasov, M. OBoyle, H. F. Hamann and S. J. McNab, Active control of
slow light on a chip with photonic crystal waveguides, Nature 438: 6569; 2005;
[8] K. Sakoda, Optical Properties of Photonic Crystals, Springer, Berlin, 2001;
[9] L. Vicari (Ed.), Optical Applications of Liquid Crystals, IOP Publ., Bristol, 2003;
[10] S.G. Johnson i J. D. Jannopoulos: Introduction to Photonic Cristals: Blochs
Theorem,Band Diagrams, and Gaps (But No defects), MIT, 3rd February 2003;
[11] M. Born, E. Wolf, Principles of Optics, Pergamon Press, Oxford, 4th edition,
1970;
[12] A.K. Singh, R. Manohar, J.P. Shukla, and A.M. Biradar, Refractive indices,
order
parameter and optical transmittance studies of a nematic liquid crystal mixture, Acta
Physica Polonica A, vol. 110, no. 4, pp. 485-493, 2006;
[13] J. G. Goodberlet, J. T. Hastings, and H.I. Smith, Performance of the Raith 150
electron beam litography system, J. Vac. Sci. Technol. B 19(6), 2001
[14] David J. Grant: Electron-Beam Litography: From Past to Present, ECE 730-10,
Departament of Electrical & Computer Engineering, University of Waterloo, 2003;
[15] Mark A. McCord and Michael J. Rooks, Electron beam litography, in P. RaiChoudhury,editor, Handbook of Microlitograhy, Micromachining, and
Microfabrication, volume 1, chapter 2.SPIE Optical Engineering Press, London, 1997
[16] M. Kirchner i M. Kahl, Raith Electron Beam Litography for Research,
Proceedings of the III National Conference on Nanotechnology, NANO 2009, ACTA
PHYSICA POLONICA A,Vol. 116 ;
[17] Molecular Luminescence Spectroscopy online document,
http://www.monzirpal.net/Instrumental%20Analysis/Lectures/Lectures
%2021-/L28.pdf.; [18] Photoluminiscence, - Travaux avances de phisique,
http://www.tp.physique
.usherbrooke.ca/experiences_fichiers
/Photoluminescence/Cours/Photoluminescence.pdf;
[19] Francesco Zezza, Proprieta ottiche de nanocristalli colloidalli di solfuro di
cadmio, Tesi di laurea, Universita degli studi di Bari, 2002-2003;
[20] D.Heiman, Photoluminiscence spectroscopy, Physics U 600, Adv. Lab1
Physics of Waves and Optics Summer 2004, Northeastern University;
[21] M. Barth, J. Kouba, J. Stingl, B. Lchel and O. Benson, Modification of visible
spontaneous emission with silicon nitride photonic crystal nanocavities, Vol. 15,
No.25, Optics Express 17231, 2007;
[22] H. Yu et al., Systematic consideration for the patterning of photonic crystal
devices by electron beam lithography, Optics Communications 271, pag. 241-247,
2007;
[23] Y.S. Peng, B. Xu, X.-L.Ye, J.B.Niu, R.Jia, Z.-G .Wang, Fabrication of high
quality twodimensional photonic crystal mask layer patterns, Opt. Quant. Electron
41:151-158, 2009;
[24] H. Yahg, L. Fan, A. Jin, Q. Luo, C. Gu, and Z. Cui, Low-enery Electron-beam
Lithography of ZEP-520 Positive Resist, Proceedings of the 1st IEEE International
Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, January 18-21 ,
2006, China;
17

CRISTALE FOTONICE
[25] J. G. Goodberlet, J. T. Hastings, and H.I. Smith, Performance of the Raith 150
electron beam litography system, J. Vac. Sci. Technol. B 19(6), 2001.
[26] Oleg Mirzov, Single molecule spectroscopy of -conjugated polymers
Thesis ,Lund University, Departament of Chemical Physics, 2008;
[27] Ph. Tamarat, A. Maali, B. Lounis i M. Orrit, Ten Years of Single Molecule
Spectroscopy, J. Phys. Chem. A, Vol. 104, No. 1, 2000;
[28] http://www.phys-iasi.ro/PC-MAN_RO.htm#

18