Jonciuni pn.

Diode semiconductoare

Capitolul 3

3. Jonciuni pn. Dioda semiconductoare

3.1 Procese fizice la jonciunea pn
Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice cu dou
terminale, care au n structura lor o jonciune pn, o regiune de tip p i una de
tip n, realizate n aceeai reea cristalin continu, i dou contacte ohmice
(terminale). Valoarea conductivitii electrice depinde de sensul tensiunii
aplicate: pentru sensul direct, care micoreaz bariera energetic de
echilibru, conductivitatea are o valoare ridicat, iar pentru sensul invers,
care mrete bariera energetic, conductivitatea devine redus. Exist multe
tipuri de diode: redresoare, stabilizatoare, de detecie, de comutaie,
VARACTOR, tunel, IMPATT, PIN, GUNN .a.
n continuare se vor analiza procesele fizice din jonciunea pn,
modul de polarizare al acesteia, o serie de tipuri de diode cu aplicaiile
principale i exemple concrete de dispozitive.
La contactul dintre dou solide cu nivele Fermi diferite, se formeaz
o barier energetic Wb datorit difuziei purttorilor de sarcin dintr-un
mediu n altul. Se opereaz cu potenialul de difuzie definit ca Vb=Wb/q.
(La metale, acest potenial se numete potenial de contact i este localizat
pe un spaiu foarte ngust la suprafaa de contact).
Se consider un material semiconductor n care se realizeaz o
regiune de tip n i una de tip p. La suprafaa de separaie a celor dou
regiuni se formeaz o jonciune pn caracterizat prin: lrgime, sarcin
spaial, cmp electric, potenial de difuzie i capacitate electric. Jonciunea
pn este elementul de baz n majoritatea dispozitivelor electronice. Dac
prin dopare se realizeaz condiia ca valorile concentraiilor NA i ND n cele
dou regiuni s fie constante iar variaia acestora s aib loc numai la
suprafaa de separaie, jonciunea se numete abrupt i ideal. De obicei, n
practic NA ND. n regiunile p i n ndeprtate de jonciune, concentraiile
purttorilor de sarcin sunt determinate de dopare i de temperatur (n
regiunea p: pp np i pp NA, iar n regiunea n: nn pn i nn ND).
Trecnd de la o regiune la alta concentraiile electronilor i golurilor variaz
brusc. Purttorii majoritari difuzeaz dintr-o regiune n cealalt: golurile
difuzeaz din regiunea p n regiunea n, iar electronii din regiunea n n
regiunea p. Pe o poriune din imediata vecintate a suprafeei de separaie nu
mai este satisfcut condiia de neutralitate electric: n regiunea p apare o
sarcin electric negativ format din ioni acceptori imobili, iar n regiunea
n apare o sarcin spaial pozitiv format n principal din ionii donori
imobili.
71

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Fig. 3.1 Prezentarea grafic a proceselor fizice n dioda semiconductoare cu

jonciune pn.
Spaiul n care se ntinde sarcina spaial se numete regiune de trecere i
este definit longitudinal prin:
72

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

l0 l0 l n0

(3.1)

n care l0, lp0 i ln0 au semnificaiile din fig.3.1c. Prezena sarcinii spaiale d
natere unui cmp electric E avnd sensul de la n la p. Acesta se opune
deplasrii n continuare prin difuzie a purttorilor majoritari dintr-o regiune
n alta. Existena cmpului electric duce la apariia unui potenial Vb numit
potenial de barier sau de difuzie. Prin acumularea unei sarcini electrice
regiunea de trecere prezint o capacitate electric. Dup realizarea
jonciunii, n sistem se stabilete echilibrul termodinamic caracterizat prin
aceea c nivelul Fermi are aceeai valoare n toate mediile ce compun
sistemul. Stabilirea echilibrului se face ntr-un timp foarte scurt n urmtorul
mod: deoarece nn np i pp pn electronii din regiunea n vor trece n
regiunea p, iar golurile din regiunea p vor trece n regiunea n.

Fig. 3.2 Modelul benzilor energetice la dioda semiconductoare.

Ca urmare a acestei deplasri are loc egalizarea nivelelor Fermi
WFn=WFp i formarea barierei energetice Wb. n afara regiunii de trecere
concentraiile purttorilor rmn neschimbate i poziiile nivelelor Fermi
73

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

aceleai (fa de Wv i Wc). n regiunea de trecere, unde raportul

concentraiilor se schimb i este prezent sarcina spaial distanele dintre
nivelul Fermi i limitele benzilor de conducie i valen variaz. Valoarea
lui Wb poate fi determinat ca diferena dintre nivelele Fermi ale celor dou
regiuni de semiconductor [5]:
Wb WFn WFp Wg kT ln NcPv / NDNA

(3.2)

nlocuind Wg cu expresia sa din relaia (2.23) se obine:

Wb kT ln

Vb

NDNA
n i2

Wb kT N D N A
N N

ln
VT ln D 2 A
2
q
q
ni
ni

(3.3)

(3.4)

Echilibrul termodinamic nu reprezint o stare ngheat. Un

anumit numr de purttori de sarcin circul dintr-o regiune n cealalt a
jonciunii: deplasarea purttorilor majoritari prin difuzie d natere
curenilor de difuzie jnD i jpD; deplasarea purttorilor minoritari datorit
cmpului E d natere curenilor de drift jnE i jpE. Curenii de difuzie i de
drift sunt egali i au sensuri opuse. innd cont de relaiile:
n i2 n n p n p p n p
nn ND

(3.5)

pp NA

se pot deduce concentraiile purttorilor minoritari de o parte i de alta a

jonciunii din relaia (3.4):

p n0 p p0 e

n p0 n n0 e

74

Vb
VT

Vb
VT

(3.6)

(3.7)

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

Indicele 0 arat c exist stabilit echilibrul termodinamic. Se deduc relaii

[4,5,7] pentru:
Lrgimea total a regiunii de trecere la echilibru termodinamic.
l 0 l p0 l n0

2Vb

qN A 1 N A /N D

2Vb

qN D 1 N D /N A

2Vb N A N D
l 0
qN A N D

(3.8)

(3.9)

3.2 Polarizarea jonciunii pn

Lrgimea regiunii de trecere n funcie de tensiunea aplicat din exterior.

2 N A N D

Vb V
l
q NA ND

l 0 1

Vb

(3.10)

a) La polarizri inverse (- pe regiunea p i + pe regiunea n) are loc

mrirea barierei de potenial:
Vj Vb Vi

(3.11)

i a lrgimii regiunii de trecere. S-a notat Vj tensiunea rezultat la nivelul

jonciunii, i Vi tensiunea de polarizare invers aplicat.

V
l l 0 1 i
Vb

(3.12)

b) la polarizri directe (+ pe regiunea p i pe regiunea n) are loc

micorarea barierei de potenial:
Vj Vb Vd

(3.13)

i reducerea regiunii de trecere:

V
l l O 1 d
Vb

75

(3.14)

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

S-a notat cu Vd tensiunea de polarizare direct pe jonciune.

3.3 Ecuaia diodei ideale
Ecuaia diodei ideale (ecuaia Shockley) exprim dependena dintre
curentul prin diod i tensiunea aplicat la bornele acesteia.
I f (V)

(3.15)

Expresia analitic a curentului prin diod se deduce n baza unei serii

de ipoteze simplificatoare care sunt valabile i n cazul majoritii
structurilor reale :
1) jonciunea este abrupt i ideal;
2) tensiunea extern aplicat se regsete n principal la limitele regiunii de
trecere; n afara acestei regiuni cmpul electric este nul;
3) lrgimea regiunii de trecere este foarte mic n raport cu lungimile de
difuzie ale purttorilor, astfel c n aceast regiune se pot neglija procesele
de generare-recombinare;
4) exist nivele mici de injecie, concentraia purttorilor minoritari fiind
mult mai mic dect cea a purttorilor majoritari;
5) lrgimile regiunilor p i n sunt mult mai mari dect lungimile de difuzie
Ln i Lp , nct purttorii minoritari n exces se recombin nainte de a
ajunge la contactele ohmice.
n regim staionar, n orice seciune a diodei, curentul este constant
fiind dat de suma curenilor produi de purttorii majoritari i de purttorii
minoritari. Regiunea de trecere fiind foarte ngust, dac se neglijeaz
procesele de recombinare, curentul datorat unui tip de purttori rmne
constant n limitele acestei regiuni. Este suficient s se determine
componentele de difuzie ale curenilor de purttori minoritari n exces. Dup
efectuarea calculelor [4,5] se obine descrierea curentului prin diod (ecuaia
Shockley):
VF
VT
V VT

e
I IS e
1 S

IS

unde VT = kT/ q = 0,025V.

76

pt. Vd > 0,1V

pt. Vi > 0,1V

(3.16)

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

D p p n0 D n n p0

I S S jS Sq

L
p
n

unde VT = kT/ q = 0,025V, jS este densitatea de curent de saturaie, S este

aria jonciunii, IS este curentul de saturaie prin jonciune i are valori
cuprinse n domeniul 10-16 10-12A.
Caracteristica voltamperic a jonciunii pn: I=f (V), este o
exponenial n cazul polarizrilor directe i o dreapt aproximativ paralel
cu abscisa n cazul polarizrilor inverse, pn la o anumit valoare la care
survine strpungerea jonciunii. n cataloage, la caracteristica diodei se
folosesc notaiile: a) la polarizare direct tensiunea se noteaza cu VF
(Forward Voltage), curentul cu IF; b) la polarizare invers tensiunea se
noteaz cu VR (Reverse Voltage), curentul cu IR.
Caracteristica static experimental difer de cea ideal. La
polarizare direct rata de cretere a curentului n funcie de tensiunea
aplicat este mai mic dect prevede teoria deoarece apar cderi de tensiune
pe regiunile p i n. La polarizare invers IS este mai mare dect cel calculat
teoretic deoarece n regiunea de trecere au loc fenomene de generare a
purttorilor att termic ct i prin cmp electric; la creterea lui IS contribuie
i fenomenele de suprafa, precum i impuritile accidentale din
semiconductor.

Fig. 3.3 Caracteristica static a unei jonciuni pn.

Caracteristica de polarizare direct (I i II) este definit prin tensiunea de
deschidere VF0 i rezistena diferenial rd definit prin relaia:
dI

rd
dVF

77

VF VFQ

(3.17)

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Punctul de coordonat VFQ, IQ se numete punct static de funcionare

al diodei. Uneori se folosete i mrimea numit conductan diferenial a
diodei:
g d rd 1

(3.18)

Tensiunea de deschidere VF0 depinde de tipul jonciunii (vezi tabelul 3.1).

Tabelul 3.1
Tipul jonciunii
Tensiunea de deschidere
(domeniu de variaie) (V)
Tensiunea de deschidere
(tipic) (V)

Germaniu

Siliciu

Metal- semiconductor
(Schottky)

0,150,3

0,50,6

0,10,3

0,18

0,55

0,1

Caracteristica de polarizare invers este definit printr-o valoare

extrem de redus a curentului invers IR (Reverse curent) IR < 10A, ntr-un
domeniu larg de tensiune (III). Acesta depinde de tipul diodei, la unele
tipuri: IR < 10nA. La atingerea unei valori critice a tensiunii inverse aplicate,
notate cu VRM numit tensiune invers maxim, (Maximum Reverse
Voltage), curentul prin diod crete brusc datorit intrrii n conducie prin
multiplicare n avalan a purttorilor. Funcionarea sigur a diodelor
impune ca tensiunea invers s nu ating valoarea VRM. Seciunea
transversal a unei diode uzuale este cuprins ntre 1mm2 i 100mm2;
densitatea de curent medie admis la siliciu este de 1A/mm2.
3.4 Modele liniare pe poriuni pentru diodele semiconductoare
innd cont de forma ecuaiei Shockley (3.15), funcionarea diodei
semiconductoare n circuitele reale poate fi modelat n patru variante.
1. n cazul tensiunilor ridicate din circuitul de lucru al diodei, dac se
neglijeaz cderea de tensiune pe diod n conducie direct i curentul
invers, se obine caracteristica din fig 3.4-1 a diodei ideale modelat de
relaiile:
VR < 0, IR =0
V = 0, IF >0

(3.19)

Dioda ideal se comport ca un ntreruptor comandat n tensiune,

dar cu conducie unidirecional.
78

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

2. n cazul tensiunilor reduse de lucru i a curenilor direci mici se ia n

consideraie cderea de tensiune pe diod, ca n fig. 3.4-2:
UR < 0,

IR = 0
(3.20)

UF VFO, I > 0
3. n cazul tensiunilor reduse de lucru i al curenilor mai ridicai se ia n
model i rezistena direct a diodei RD format dintr-o parte constant rm i
din rezistena diferenial a jonciunii rd , fig. 3.4-3:
UR < 0, IR = 0
UF VFO, IF =

(3.21)

VF VFO
RD

(3.22)

4. La tensiuni de polarizare inverse ridicate, modelul 3 se completeaz cu un

rezistor RINV conectat n paralel cu dioda ideal ca n fig. 3.4-4:
VR < 0,

IR =

VR
R INV

(3.23)
I

IF

IF

VF0
-

K +

VF0
I

I
IF

1
RINV

1
RD V
0
A

VF0
RD

1
RD V
0

IR
+

IF

VF0

VF0
RD

VF0
RINV

Fig. 3.4 Modele liniare pe poriuni pentru dioda semiconductoare

79

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Construcia diodelor
Dioda real este format din structura semiconductoare nchis ntr-o
capsul etan prevzut cu terminale electrice. Partea activ a
dispozitivului o reprezint structura semiconductoare n care s-a realizat
jonciunea pn i zonele superficiale puternic dopate p+ i n+ care asigur
contacte ohmice cu rezisten serie neglijabil. Suprafeele corespunztoare
anodului i catodului sunt metalizate, iar suprafaa lateral a
semiconductorului este pasivat i protejat cu dielectrici anorganici (Al2O3,
sticl) sau organici (rini poliamidice sau siliconice) care asigur
stabilitatea funcionrii prevenind contaminarea jonciunii prin factori
externi i evitnd o conducie "paralel" cu jonciunea prin mediu.
Structurile cu putere redus se lipesc cu catodul sau cu anodul (mai
rar), pe capul metalic al capsulei (ambaz), cu aliaje pe baz de plumb sau
mai rar prin alierea unor straturi adiacente. Cellalt electrod se lipete la un
terminal metalic izolat fa de ambaz de regul pe capacul capsulei.
Capsula unei diode are cteva cerine impuse: s protejeze structura
semiconductoare fa de mediu (umiditate, ageni chimici corozivi) printr-o
etanare perfect; s asigure legtura electric ntre jonciune i circuitul
extern; s evacueze cldura din jonciune spre mediul extern; s fie
rezistent mecanic la manevrele care se fac. n fig.3.5 se prezint structura
mecanic a unei diode de putere medie.

Fig. 3.5 Constructia unei diode de putere medie in capsul metalic

80

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

Materialul semiconductor utilizat cel mai frecvent la realizarea diodelor este

siliciul. Ca tehnologii de obinere a jonctiunilor pn n diode n prezent se
utilizeaz difuzia din stare solid i implantarea ionic (vezi cap. 7).
3.5 Dioda redresoare. Redresarea curentului alternativ
Pentru alimentarea cu curent a circuitelor electronice se folosete
tensiunea continu. Reeaua de transport i distribuie a energiei electrice n
Romnia utilizeaz curentul alternativ cu tensiunea de 220V/380V i
frecvena de 50Hz. (n unele state exist alte tensiuni i frecvene ale
reelelor de distribuie). Pentru aplicaii n care este necesar o tensiune
continu se folosesc redresoare care realizeaz conversia tensiunii
alternative n tensiune continu.
n general un redresor are trei pri principale:
transformatorul cu rolul de a modifica tensiunea reelei pentru ca la
ieirea redresorului s se obin o anumit valoare a tensiunii redresate.
Raportul de transformare este n1: n2 = U1m: U2m ;
elementul redresor propriu-zis cu caracteristic neliniar i conducie
unidirecional care realizeaz redresarea ;
filtrul de netezire care reduce pulsaiile tensiunii redresate i este
constituit de obicei din elemente pasive R, L, C. n unele aplicaii redresorul
poate s nu fie prevzut cu filtru de netezire (alimentarea unor servomotoare
de curent continuu, circuite de generare a impulsurilor .a.)
Parametrii care definesc un redresor sunt:
tensiunea medie redresat obinut n sarcin: Us
curentul mediu redresat care strabate sarcina: Is
factorul de ondulaie, definit ca:

Up
Us

(3.24)

unde Up este amplitudinea armonicii de frecvena cea mai joas prezent la

ieire. O redresare de calitate presupune un factor de ondulaie sczut.
Randamentul de redresare, definit de relaia:
P
U
(3.25)
PC
81

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

unde PU =USIS , este puterea util n sarcin, iar PC este puterea furnizat de
transformator n circuit.
Exist n principal dou tipuri de redresare: monoalternan i
bialternan.
3.5.1 Redresor monoalternan
Schema redresorului monoalternan este dat n fig.3.6, i const
din: transformatorul de reea Tr., dioda D i rezistena de sarcin RS.
Tensiunea medie la bornele rezistenei de sarcin este:

U med

T2

1
u(t)dt
T

T2

RS
RS
U
U 2Msint dt 2M
RS R t
RS R t

(3.26)

Fig. 3.6 Redresor monoalternan i diagramele de funcionare

unde U2M este amplitudinea tensiunii din secundarul transformatorului,
este pulsaia acesteia, Rt este rezistena total a diodei i a secundarului
transformatorului de reea. Dac se neglijieaz Rt se obine:
U
U med 2M

I med

U med
U 2M

R S Rt
(R S Rt )
82

(3.27)

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

Curentul maxim prin diod va fi:

U 2M
RS

(3.28)

U RM U 2M

(3.29)

I max

iar tensiunea invers maxim pe diod va fi:

Dac se ia n consideraie cderea de tensiune pe diod de valoare

aproximativ constant UD0, atunci tensiunea medie pe sarcin devine:

U 2M U D0

3.5.2 Redresor bialternan n punte

US

(3.30)

Schema redresorului bialternan n punte de diode este prezentat n

fig. 3.7. Pe durata alternanei pozitive a tensiunii furnizate de
transformatorul de reea diodele D1 i D3 sunt polarizate direct i conduc, n
timp ce diodele D2 i D4 sunt blocate. Pe durata alternanei negative diodele
D2 i D4 conduc, iar diodele D1 i D3 sunt blocate. Curentul IS prin rezistorul
de sarcin RS are tot timpul acelai sens.

Fig. 3.7 a- Schema redresorului bialternan n punte;

b- diagramele tensiunilor i curenilor.
Tensiunea medie la bornele rezistorului de sarcin este:
T

U med

2 2
2
u(t)dt
T 0
T

R
0

RS
RS
U
U 2Msin t dt 2 2M
RS R t
S Rt
83

(3.31)

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

unde Rt reprezint suma dintre rezistenele n conducie ale perechilor de

diode D1, D3, respectiv D2, D4 i a rezistenei nfurrii secundare a
transformatorului de reea.
Dac se neglijeaz Rt atunci:

2U 2M

(3.32)

U S 2U 2M

RS
R S

(3.33)

U med
Curentul mediu redresat este:

I med

Curentul maxim prin diodele punii este acelai ca la redresarea

monoalternan. Tensiunea invers maxim pe o diod va fi jumtate din
tensiunea din secundar (avem dou diode n serie):
U RM

U 2M
2

(3.34)

Dac se ia n consideraie cderea de tensiune pe o diod i se

consider c aceasta are o valoare aproximativ constant UD0 , atunci
tensiunea medie pe sarcin devine:
US

U 2M 2U DO

(3.35)

Forma semnalelor corespunztoare redresrii bialternant cu punte

de diode este dat n fig. 3.7 b.
Redresorul bialternan cu priz median
Schema redresorului cu priz este dat n fig. 3.8. Pe durata
alternanei pozitive a tensiunii de reea conduce dioda D1, D2 fiind blocat,
iar pe durata alternanei negative conduce D2, D1 fiind blocat.

84

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

Fig. 3.8 Schema redresorului bialternan cu priz median

Se poate arta c relaiile stabilite pentru tensiuni i cureni n cazul
redresrii bialternan cu punte de diode sunt valabile i aici ca de altfel i
formele tensiunii i ale curentului. Totui tensiunea invers pe o diod este
mai mare n cazul redresorului cu priz median dect n cazul redresorului
cu punte de diode.
n tabelul 3.2 se dau parametrii reprezentativi pentru fiecare din
redresoarele prezentate anterior, parametri utili n proiectare.
Tabelul 3.2 Compararea performanelor diferitelor tipuri de
redresoare
Tipul redresorului
Monoalternan Bialternan Bialternan
cu priz

n punte
Eficiena de conversie
0,406
0,812
0,812
Frecvena pulsaiilor
f
2f
2f
Tensiunea continu de ieire
0,318 U2
0,636 U2
0,636 U2
Coeficientul de pulsaii
1,21
0,482
0,482
Tensiunea invers pe o diod
2U2
2U2
U2
Coef. de utilizare al transf.
0,287
0,693
0,812
3.5.3 Filtrarea curentului redresat
Filtrele de netezire sunt filtre trece jos care atenueaz pulsaiile ten siunii redresate, lsnd neschimbat componenta continu. Se folosesc filtre
cu diferite structuri care conin capaciti, rezistene, inductane. Cele mai
folosite sunt filtrele capacitive.
85

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Redresorul cu filtru capacitiv.

n fig. 3.9 a, se prezint schema redresorului monoalternan cu filtru
capacitiv (un condensator de capacitate mare conectat n paralel cu sarcina).
n fig. 3.9 b,c,d, se prezint diagramele de funcionare. Condensatorul
schimb regimul de funcionare al diodei. Aceasta va conduce n intervalul
1 2, cnd dioda este polarizat direct. Atta timp ct dioda conduce,
curentul care o strbate este egal cu suma dintre curentul de ncrcare al
condensatorului i curentul prin sarcin. Pe timpul ct dioda este blocat
condensatorul asigur curentul prin sarcin, cu alte cuvinte acesta se
descarc prin rezistena de sarcin. Acest timp este egal cu T (2 1) pe
durata unei perioade (T) a tensiunii de reea.

Fig. 3.9 a- redresor monoalternan cu filtru capacitiv; b- curba real a

tensiunii de ieire; c- curbele reale ale curenilor iD; iC; iS; d- curba
idealizat a tensiunii de ieire.
Pentru determinarea valorii medii Umed i a factorului de pulsaie se
presupune c n intervalul de timp ct dioda este blocat tensiunea US
86

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

variaz liniar n timp i crete brusc cnd tensiunea din secundar devine
maxim. n aceast situaie tensiunea medie pe sarcin va fi:

U med U 2M

Ur
2

(3.36)

unde Ur este amplitudinea variaiei tensiunii pe sarcin, care se numete

tensiune de riplu, ea fiind dat de:
Ur

Q I med T I med

C
C
fC

(3.37)

Q reprezentnd variaia sarcinii condensatorului n intervalul [/2 - 5/2].

Deoarece tensiunea pe sarcin variaz liniar n intervalul ct dioda nu
conduce cu amplitudinea UrUmed curentul debitat de condensator se poate
considera constant i egal cu Imed. n aceast situaie tensiunea medie pe
sarcin devine:
U med

U 2M
1
1
2fR S C

(3.38)

Dac se ia n consideraie cderea de tensiune pe diod i se

aproximeaz c aceasta are o valoare constant UD atunci tensiunea medie
pe sarcin devine:
US

U 2M U DO
1
1
2fR S C

(3.39)

Fenomenele sunt asemntoare i n cazul redresorului bialternan

cu filtru capacitiv. Diferenele ce apar au drept cauz faptul c pulsaia
tensiunii pulsatorii obinute n cazul redresrii bialternan este dubl i prin
urmare timpul de descrcare al condensatorului pe rezistena de sarcin este
mai scurt. Pe timpul unei perioade a tensiunii de reea condensatorul se
ncarc de dou ori. Deasemenea cderea de tensiune pe diode este 2U D0
deoarece n serie cu sarcina exist dou diode.
n tabelul 3.3 se dau parametrii reprezentativi pentru redresoarele
monoalternan i bialternan prevzute cu filtru capacitiv.
87

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Tabelul 3.3 Parametri reprezentativi pentru redresoarele monoalternan i

bialternan
Tipul redresorului
Puterea tipic a
transformatorului
Tensiune n secundar
Tensiune invers pe diod
Curentul mediu prin diod
Curentul n secundarul transf.
Valoarea condensatorului
(mF)*
Tensiunea maxim pe
condensator
Curentul max. la pornire
(C in mF)
Frecvena riplului

Monoalternana
1,73PS

Bialternan
cu priz
1,48PS

Bialternan n
punte
1,24PS

0,95US
2,4US
1,0IS
2,1IS
5Is/Ur

0,9US
2,25US
0,51IS
1,1IS
2Is/Ur

0,9US
1,13US
0,51IS
1,57IS
2Is/Ir

1,4US

1,41US

1,41US

0,7CUS

0,7CUS

0,7CUS

50Hz

100Hz

100Hz

*Ur reprezint amplitudinea maxim a riplului adic a tensiunii alternative

pe sarcin.
3.6 Dioda stabilizatoare de tensiune (zener)
Pentru meninerea funcionrii aparaturii electronice la parametrii
impui una din condiiile necesare este asigurarea unor tensiuni de
alimentare constante. Diodele stabilizatoare de tensiune care se mai numesc
i diode zener sunt utilizate la realizarea unor stabilizatoare parametrice
bazate pe faptul c tensiunea la bornele diodei prezint la o anumit
tensiune de polarizare invers variaii foarte mici fa de variaia curentului
care o strbate.
Dioda stabilizatoare este constituit dintr-o jonciune pn la care
concentraiile impuritilor n regiunile n i p sunt mai mici ca la dioda
redresoare dar cu condiiile: NDNc i NAPv. La aplicarea unor tensiuni
inverse are loc fenomenul de strpungere electric (fenomen reversibil dac
nu provoac prin nclzire distrugerea structurii) caracterizat printr-o
cretere rapid a curentului invers. Acest fenomen este provocat de trei
cauze concurente: instabilitatea termic, efectul tunel interbenzi,
multiplicarea n avalan a purttorilor minoritari. Analiza fcut asupra
ponderii acestor mecanisme arat c cel mai important este procesul de
88

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

multiplicare n avalan, cnd la tensiuni ridicate n regiunea de trecere

exist un cmp electric intens i purttorii minoritari acumuleaz energii
mari i n urma ciocnirilor cu atomii reelei se genereaz perechi electrongol care la rndul lor provoac noi ionizri de impact. Apare astfel o cretere
important a curentului invers prin jonciune fapt care descrie fenomenul de
strpungere electric a jonciunii. n fig. 3.10 este prezentat caracteristica
static a unei diode zener. Curentul invers este neglijabil i egal cu curentul
IS al jonciunii pentru tensiuni negative mai mici n valoare absolut ca
valoarea tensiunii de strpungere. Dup atingerea tensiunii de strpungere,
curentul Iz crete puternic, iar ntre valorile Vzm i VzM evolueaz n
domeniul Izm i respectiv IzM. n circuit trebuie introdus o rezisten de
limitare R1 care s mpiedice intrarea n regiunea de disipaie depit
evideniat de hiperbola de maxim disipaie: Pdmax=IZVZ.

Fig. 3.10 Caracteristica static a unei diode zener

Mrimi importante n funcionarea i utilizarea diodelor zener
A. Coeficientul de temperatur, vz
Diodele zener prezint o dispersie tehnologic a valorii tensiunii
stabilizate Vz, care este garantat la temperatura ambiant de referin
(Tamb=25C). Pentru calculul tensiunii stabilizate la o temperatur diferit se
utilizeaz relaia:

Vz T Vz Tamb 1 vz T Tamb
89

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

unde:

vz

1 dVz
K 1

Vz dT Iz ct

vz are valori negative pentru diodele cu Vz 5,56V i valori pozitive

pentru diodele cu Vz>6V. Schimbarea de semn se datoreaz trecerii de la
strpungerea prin efect zener la strpungerea prin multiplicare n avalan.
Coeficientul de temperatur este minim la diodele cu Vz 56V. Pentru a se
realiza o stabilitate ridicat a unor tensiuni de referin se realizeaz
dispozitive cu compensare termic care conin diode zener nseriate cu
diode redresoare care i compenseaz reciproc coeficienii de temperatur.
B. Rezistena diferenial pe caracteristica de stabilizare, rz
n cazul general rezistena diferenial, rz are dou componente:
rezistena diferenial pentru condiii izoterme rzj i rezistena diferenial
termic rzth:

rz

dVz Vz
dT
V

z
dI z I z T ct T I z ct dI z
rz rzj rzth

Dac variaia curentului prin dioda zener este rapid, nct temperatura nu o
poate urmri atunci rezistena total va fi egal cu rzj. Acesta este cazul
valorilor indicate de productori pentru rz deoarece msurtorile se fac la
frecvena de 1KHz. n general, cu creterea curentului rzj scade , deoarece se
manifest mai ales strpungerea prin multiplicare n avalan.
C. Zgomotul diodelor zener
n funcionare diodele zener genereaz zgomot datorit caracterului
statistic al fenomenului de strpungere i formarea microplasmelor. Cu
creterea curentului prin diod tensiunea echivalent de zgomot prezint
maxime i minime n funcie de numrul de puncte n care apare
strpungerea. Cel mai mare zgomot este generat n zona de "cot" a
caracteristicii. Pentru a reduce zgomotul se cupleaz n paralel cu dioda
zener un condensator de cca. 100nF care are rol de filtru trece jos.
90

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

3.6.1 Stabilizator parametric de tensiune cu dioda zener

n fig. 3.11 a se prezint schema electric a unui stabilizator
parametric de tensiune cu diod zener. Elementele acesteia sunt: sursa de
tensiune care alimenteaz montajul, modelat de sursa de tensiune ideal E
i rezistorul r1 care reprezint rezistena intern a sursei reale, rezistorul " de
balast" R1,care cupleaz alimentarea sursei reale la dioda zener n polarizare
invers i rezistorul de sarcin RS.
Funcionarea este urmtoarea: sursa de intrare trebuie s asigure un
asemenea curent prin dioda zener i sarcin nct punctul de funcionare al
diodei s fie situat n regiunea liniar a caracteristicii. Astfel tensiunea pe
sarcin va avea valoarea Vz (ntre Vzm i VzM). Dac tensiunea de intrare
variaz n limitele admise n proiectarea schemei datorit cderii de tensiune
variabil pe rezistorul R1, tensiunea la bornele sarcinii rmne constant.
Stabilizarea tensiunii pe sarcin are loc i pentru un anumit domeniu de
valori ale rezistenei acesteia.
R
r

+
E

catod
U

I a I
Iz

DZ

anod

I a IS
IZ
Rd

UZ

US

RS

Fig. 3.11 Stabilizator de tensiune parametric cu diod zener:

A- schema electric, B- schema echivalent
Pentru a determina elementele unui astfel de stabilizator se trece la
schema echivalent din fig. 3.11. Dioda zener se nlocuiete cu o surs de
tensiune ideal Uz n serie cu o rezisten care modeleaz rezistena
diferenial a diodei. Rezistena intern a sursei de alimentare se neglijeaz
deoarece are valori sub 0,1, n timp ce R1 are valori peste 100. R include
r i R1.
Scriind ecuaiile lui Kirchhoff pentru circuit se obine sistemul:
E Uz = IR + IzRd
Uz = -IzRd + ISRS
I = Iz + IS
91

(3.44)

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Rezolvnd acest sistem n raport cu R se obine:

1
EU R I
R

d z

R U
I z 1 d z
RS RS

(3.45)

Pentru ca circuitul s stabilizeze valoarea lui R trebuie astfel aleas nct

punctul de funcionare al diodei s nu ias de pe caracteristica de stabilizare,
adic s varieze ntre IzM i Izm. Curentul prin diod va avea valoarea
maxim IzM atunci cnd:
E = EM ; RS = RSM; IS = Im

(3.46)

Impunnd condiiile (3.46) n expresia (3.45) se obine:

Rm

E M U z R d I zM

R U
1zM 1 d z
R
R SM
SM

(3.47)

Curentul prin dioda nu trebuie s fie mai mic ca Izm pentru cazul
extrem n care:
E = Em ; RS = RSm; IS = IM

(3.48)

Condiiile (3.48) introduse n relaia (3.47) conduc la:

RM

E m U z R d I zm

R U
I zm 1 d z
R Sm R Sm

(3.49)

Rezistena R trebuie s satisfac condiia:

Rm < R < RM

(3.50)

Scriind sistemul de ecuaii (3.44) i explicitnd US se gsete expresia

tensiunii de ieire:
US

Rd
RdR
R
E
Uz
IS
Rd R
Rd R
Rd R

92

(3.51)

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

Coeficientul de stabilizare este:

1
R R R
S0
d

Rd
Rd
U S
E I2 ct.

(3.52)

deoarece RRd.
Rezistena intern a stabilizatorului este:
U
RdR
R i S E ct
Rd
Rd R
IS

(3.53)

Dependena de temperatur a tensiunii de ieire US este exprimat

prin coeficientul de temperatur al stabilizatorului, K0, determinat n special
de coeficientul de temperatur al diodei zener:
R dU z
U
K S Ect

R R d d

(3.54)

Coeficientul de temperatur al diodelor zener depine de tensiunea

nominal i de punctul de funcionare. O micorare a dependenei
coeficientului de temperatur al stabilizatorului de curentul prin diod se
poate face prin conectarea n serie cu dioda zener a unei diode polarizate
direct avnd un coeficient de temperatur opus diodei zener.
3.6.2 Aplicaii speciale ale diodelor zener
A. Obinerea referinelor de tensiune cu diode de referin
Aceste diode sunt diode zener compensate cu temperatura. n
general diodele zener au un coeficient de temperatur negativ sau pozitiv,
variabil cu temperatura. Pentru a realiza o diod de referin se nseriaz cu
dioda zener jonciuni pn polarizate direct care i compenseaz coeficientul
pozitiv de temperatur. Obinerea unei stabiliti termice ridicate a diodei de
referin este asigurat de meninerea unui curent constant prin diod, lucru
care se obine prin folosirea unei surse de curent constant. De regul diodele
de referin au tensiuni cuprinse ntre 6,2V i 9V. n fig. 3.12 se prezint
variaia tensiunii stabilizate n funcie de curent i temperatur pentru dioda
1N935.
93

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Fig. 3.12 Dependena tensiunii stabilizate n funcie de temperatur pentru

dioda 1N935
Caracteristicile de stabilitate ale unei diode tipice cum este MZ605
sunt: tensiunea zener, Uz=6,2V5%; curent zener Iz=7,5mA; variaia
maxim a tensiunii zener Uz= 2,5mV; temperatura de lucru = -25C
+100C; variaia n timp a tensiunii stabilizate: 30V/1000h.
Diodele de referin sunt utilizate n surse de tensiune i curent, n sisteme
de conversie analog-numeric, n sisteme de automatizare i control .a.
B. Protecia circuitelor electronice la supratensiuni de alimentare
Se utilizeaz cnd durata supratensiunii este mic astfel nct dioda
zener s poat prelua ocul fr a se distruge termic. n fig. 3.13 se prezint
configuraia unui circuit de protecie de acest tip. Dimensionarea
elementelor se face innd cont de valoarea estimata a supracurentului ce
poate aprea.

Fig. 3.13 Circuit de protecie la supratensiune, cu diod zener

Pentru creterea puterii absorbite se pot folosi diode zener de putere
ridicat sau conectarea n paralel a acestora. De regul se presupune c
supratensiunea apare singular cu o constant de timp mare. Pentru a proteja
circuitul electronic n cazul unor supratensiuni de durat mare se utilizeaz o
combinaie diod zener - siguran fuzibil, ca n fig. 3.14.
94

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

Fig. 3.14 Circuit de protecie la supratensiune cu

diod zener i siguran fuzibil.
Presupunnd c dioda DZ nu ar fi conectat, dac la un moment dat
tensiunea furnizat de surs crete nepermis, curentul prin rezistorul R va
crete determinnd topirea fuzibilului F, dar dup un timp mai lung necesar
nclzirii acestuia. Conectnd dioda zener DZ, aceasta nu permite creterea
tensiunii la bornele sarcinii (RC) peste valoarea ei de strapungere i
determin topirea fuzibilului printr-un curent suplimentar pe care l poate
prelua. n fig. 3.15 se prezint variaia tensiunii pe sarcin n cazul
conectrii diodei zener de protecie.

Fig. 3.15 Variaia tensiunii pe sarcin cu protecie.

Rezistorul RS are valoare mult mai mic ca R i are rolul de a limita
curentul prin dioda zener la intrarea acestuia n conducie la o valoare care
s nu duc la strpungerea termic a acesteia.
C. Protecia instrumentelor de msur
Dioda zener poate fi utilizat la protecia instrumentelor sensibile de
msur, foarte vulnerabile la supracureni. n fig. 3.16 se prezint modul de
protecie a unui instrument de msur analogic.
95

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Fig. 3.16 Circuit de protecie cu diod zener

pentru instrument de msur.
D. Protecia tranzistoarelor i a circuitelor integrate
n capitolul urmtor se va vedea c la tranzistoarele cu efect de cmp
apariia unor tensiuni electrostatice ce depesc anumite valori pot conduce
la deteriorarea lor. Pentru a preveni acest lucru se conecteaz ntre terminale
diode zener care limiteaz convenabil valorile de lucru.
La circuitele integrate, deasemenea aplicarea unor tensiuni mari n
intrare pot conduce la distrugerea structurii. n fig. 3.17 se prezint o
configuraie de protecie cu diode zener pentru un circuit integrat utilizat ca
amplificator diferenial.

Fig. 3.17 Limitarea tensiunii difereniale de

intrare la un amplificator integrat
E. Limitatoare i formatoare de semnal cu dioda zener
Caracteristica neliniar a diodei zener permite crearea unor circuite
formatoare simple. n fig. 3.18 se prezint un circuit formator de semnal
dreptunghiular.
96

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

Fig. 3.18 Formator de semnal dreptunghiular cu diode zener.

Pentru a asigura simetria tensiunii de ieire trebuie sortate diode cu
aceeai tensiune zener. Semnalul este dreptunghiular dac tensiunea
sinusoidal aplicat la intrare are o amplitudine mare n raport cu Uz. Dac
amplitudinea este mai redus se obine un semnal trapezoidal.
F. Indicator de nivele de tensiune cu diode zener
Folosind diode zener cu valori diferite se pot separa nivelele de
tensiune care apar ntr-un circuit. Se pot crea testere pentru nivele logice sau
VU-metre pentru aparatura de sonorizare audio. n fig. 3.19 se prezint
schema unui indicator de nivele cu diode LED.

Fig. 3.19 Indicator pentru nivele de tensiune cu diode zener.

Dac diodele zener DZ1 ...... DZn au tensiuni de deschidere alese
convenabil n sens cresctor ledurile LED1 ..... LEDn vor lumina gradat, n
funcie de nivelul tensiunii aplicate la intrare, Vin.
97

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

3.6.3 Dioda cu capacitate variabil VARACTOR

Acest diod folosete proprietatea jonciunii pn de a se comporta la
polarizare invers ca o capacitate dependent de tensiunea aplicat. Legea
de variaie a capacitii cu tensiunea aplicat jonciunii depinde de modul n
care variaz concentraia de dopare n regiunea de trecere.
De obicei expresia capacitii este dat de :

Cb

Cbo

V
1
Vb

(3.55)
2

unde, Cbo este capacitatea la polarizare nul.

Capacitatea de barier crete la polarizri directe i scade la
polarizri inverse. n fig. 3.20 se prezint caracteristica capacitate-tensiune
pentru dioda BB121. Dioda VARACTOR lucreaz numai la tensiuni de
polarizare inverse deoarece factorul de pierderi trebuie s fie ct mai redus,
lucru care nu este posibil la polarizri directe cnd apare un curent direct
prin diod.

Fig. 3.20 Dependena capacitate-tensiune invers la dioda BB121

98

Jonciuni pn.Diode semiconductoare

Capitolul 3

n fig. 3.21 sunt: a- schema echivalent a diodei VARACTOR bsimbolul diodei. Utilizarea capacitii de barier a jonciunii pn la acordul
circuitelor oscilante a fost realizat de Bell Laboratoires n 1961.

Fig. 3.21 a- Schema echivalent a diodei VARACTOR, b- Simbolul diodei

VARACTOR
Capacitatea Ct este elementul esenial al diodei. Obinerea unui raport
Ctmax/Ctmin ct mai mare, necesit o plaj extins pentru tensiunea de
polarizare. De obicei acest raport este cuprins ntre 4 i 20.
Rezistena serie rs este suma rezistenelor parazite de contact i a
siliciului din afara jonciunii. Creterea tensiunii inverse de polarizare duce
la scderea rezistenei serie prin extinderea regiunii de trecere. Valoarea
rezistenei rs este de 0,51 i se msoar la nalt frecven cu ajutorul
unor puni speciale.
Factorul de calitate:
Q

1
Ct rs

( 3.56)

crete la o frecven dat cu tensiunea de polarizare invers.

Inductana serie, Ls este datorat terminalelor diodei i este de ordinul a
2,5nH la capsula DO-35.
Inductana serie i capacitatea total conectat n serie determin o
frecven de rezonan:

f0

1
2 Ct Ls
99

(3.57)

FLORIN MIHAI TUFESCU

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Frecvena de rezonan proprie diodei VARACTOR are valori tipice

de circa 1,42 GHz.
n fig. 3.22 se indic un mod de utilizare al diodei VARACTOR ntrun circuit oscilant acordabil. Avantajul deosebit este c se poate modifica
capacitatea prin intermediul unei tensiuni continue. Funcionarea montajului
este urmtoarea: n paralel cu circuitul oscilant format din bobin i
condensatorul C1 se conecteaz dioda VARACTOR Ct , n serie cu
condensatorul C2, de capacitate mult mai mare dect cea a diodei; prin
rezistorul R1 se aplic diodei o tensiune de polarizare invers care i
modific controlat capacitatea. Valoarea rezistorului R1 este de cca.1M
acesta avnd i rolul de separare al circuitului oscilant fa de sursa de
alimentare (aceasta ar putea unta circuitul oscilant). Prin modificarea
tensiunii sursei de polarizare se modific continuu frecvena de oscilaie.
Acest tip de montaj permite i realizarea unor circuite de acord
automat al circuitelor oscilante, caz n care se face compararea frecvenei
reale cu frecvena dorit i se aplic o tensiune de reacie diodei
VARACTOR pentru a menine mereu circuitul oscilant pe aceast
frecven. Exist numeroase aplicaii ale acestui mecanism de stabilizare al
frecvenei n receptoarele radio i TV i n echipamentele de comunicaie.

Fig. 3.22 Acordul unui circuit oscilant cu dioda VARACTOR

Dioda VARACTOR se mai utilizeaz n amplificatoare parametrice,
la generarea de armonici la frecvene foarte nalte i n amplificatoare cu
modulare-demodulare.

100