Lucrarea 2

Pagina |1

DIODASEMICONDUCTOARE

1. Scopullucrrii:
Determinarea principalilorparametri aidiodelorsemiconductoareistudiul comportrii lorncircuitele
elementare.

2. Noiuniteoretice
Circuitele electrice sunt, ntro anumit msur, similare celor pneumatice sau hidraulice. Astfel, o
funcieesenialnaceste circuite estepermitereacurgerii fluidului (curentului electric) numaintrunanumit
sens. Ea este realizat cudispozitive numitesupape(diode).Deundetiu supapelesensul ncarefluidulare
tendina s circule pentru a decide dac sl lase, sau nu, s treac? Simplu: fluidul curge de la presiune
(potenial) mare la presiune mic, iar supapele sesizeaz tocmai aceast diferen de presiune (diferen de
potenial), deoarece eaesteproporionalcufora net exercitatdefluidasupra supapei.Dacforaare sensul
corectidacmrimeaeidepseteoanumitvaloaredeprag,supapasedeschideifluidulpoatestreac.
n circuitele electronice,aceeaifuncieestendeplinit dectre diode(Figura 1).Diodaconducenumai
ntrunsens:delaanodlacatod.

polarizaredirect

polarizareinvers

Fig.1.Diodasemiconductoare:polarizaredirect,respectivpolarizareainvers

iD = I 0 e

qud
kT

1 = I0 e

ud
uT

(2.1)

Caracteristica static reprezint dependena teoretic curenttensiune a unei diode semiconductoare,

dedusprinanalizafenomenelorfizicenjonciuneaPNidealceauloclaaplicareauneitensiunidinexterior.
Semnificaiamrimilordinformuleste:
I0curentulinversdesaturaiealdiodei
uDtensiuneadepolarizare
kconstantaluiBoltzman
qsarcinaelectronului
TtemperaturangradeKelvin
factordeidealitate/coeficientdeemisie
uTtensiuneatermic,uT=q/kT.

Lucrarea 2

Pagina |2

Fig.2.Caracteristicastaticadiodeisemiconductoare

Tensiunea termic uT, la temperatura camerei, este egal cu 25 mV. Curentul de saturaie Io este
dependent de parametrii fizici, tehnologici i geometrici ai jonciunii PN. Valorile uzuale ale curentului de
saturaiesunt:10100nApentrudiodadinsiliciudemicputere.
Observaie:Ioestedirectproporionalcuariajunciunii,drepturmare,pentru odioddeputeremaimare
(ce va aveaaria jonciuniimai mare),Iovaavea ovaloaremai mare,nemaiputndfineglijatn cazulanumitor
aplicaii.

La cureni direci de ordinul 110 mA (valori des ntlniten practic)tensiunea direct pe diod(uD)
este de 0,2 0,3 V pentru diodele din germaniu respectiv 0,6 0,8V pentru diodele din siliciu.nconducie
direct, curentul crete exponenial, valoarea sa multiplicnduse cu 10 la fiecare cretere a tensiunii de
120mV(ladiodeledinsiliciu).

Coeficientul de emisie depinde de locul din structura diodei unde are loc o anumit faz a
mecanismuluiinterndetransportalcurentuluiiarevaloareacuprinsntre1i2(pentrusiliciuestemaiaproape
de2).Acesatvaloaredifernfunciedemrimeacurentuluiprindiod.
Latensiuni directemaimari,caracteristicastatic tindesseliniarizezedatorit cderilordetensiunepe
zoneleneutrealejonciuniiPN,carenumaipotfineglijate.

DeterminareamrimilorI0i
Sereprezintecuaiadiodeisemiconductoarelascarsemilogaritmic(canFigura3).
Peabscissereprezinttensiuneaaplicatpentruconduciedirectlascarliniaripeordonatcurentul
prindiodlascarlogaritmic.
Panta dreptei astfel obinute permite deducerea coeficientului . n relaia (2.1) se neglijeaz I0 i se
logaritmeaz,dupcaresefaceseparareadevariabilepentruobinerearelaieilui(2.2)
Prinprelungireaaceleiaidrepte,lainterseciacuaxaordonatei,seobinecurentuldesaturaieI0.

1 1 uD
uT 2.3 lgiD

(2.2)

Lucrarea 2

Pagina |3

Fig.3.Caracteristicastaticadiodeilapolarizaredirect,lascarsemilogaritmic

Punctul static de funcionare

n circuitele electronice, diodele semiconductoare pot ndeplini mai multe funcii (redresare, detecie,
limitare,etc.),nmultesituaiifiindnecesarstabilireaunuiregimstaticdefuncionare.

Fig.4. Circuit pentru determinarea punctului static de funcionare al diodei

Fig. 5. Determinarea teoretica punctului static de funcionare al diodei

Lucrarea 2

Pagina |4

Pentru circuitul elementar din Figura 5 punctul static de funcionare se determinprin rezolvarea
grafoanalitica sistemului de ecuaii format din ecuaia caracteristicii statice a diodei (2.1) i ecuaia dreptei
statice de funcionare :

uD = E R iD

(2.3)
Punctul static de funcionare M are coordonatele UD i ID, iar nacestpunct defuncionaredioda este
caracterizat,dinpunctdevederealsemnalelorlentvariabile,printrorezistendinamic.
Rezistenadinamic

Fig.6.Definirearezisteneidinamice

Atunci cnd curentul sufer variaii relative mici ( iD/iD 1 ), putem considera c poriunea de
caracteristicpe care sedeplaseazpunctulstaticdefuncionareeste,practic,oliniedreapt(Figura6)iputem
introducerezistenadinamicfolosindlegealuiOhm:
du
u
r = di D = i T
(2.4)
D
D

Observm cesteinversproporionalcuvaloareacurentuluiderepaus(estecurentulprindiodla
unmomentntimp),rezultcladiodeledinsiliciu:

r 50mV

(2.5)
i
D

Lavalorimici alecurenilor (iD = 1mA),rezistenadinamicarevalorimici:pentru=2,r=50.La

curenimari(iD=100mA)rezistenadinamicscadeimaimult,devenindr=0.5.

ATENIE: Rezistena dinamic a diodei se calculeaz cu ajutorul legii lui Ohm dac i numai dac
diodaseaflntrunpunctstaticdefuncionare!Eavariazinfunciedepunctulstaticdefuncionare(UDiID)!

Lucrurile se complic atunci cnd n jurul punctului static de funcionare intervin i semnale
sinusoidale.AceastsituaieestereprezentatnschemadinFigura7.
Sursa de tensiune DC i rezistenaR1suntfolositepentrustabilireaPSFului.La acesteaseadaugsursa
de tensiune AC (pentru a varia UD i ID n jurul PSF) i condensatorul C1 pentru a realiza cuplarea acesteia.
Rezistena R2 este introdus pentru a forma un divizor de tensiune rezistiv ce va facilita calculul rezistenei
dinamice. Condensatorul C2 este utilizat pentru decupla ieirea divizorului (n acest fel obinem un semnal
sinudoidalfroffset).

Lucrarea 2

Pagina |5

Formuladecalcularezisteneidinamiceseextragedinrelaia:

Uo =

AC RMS(R1||r)
R2+R1||r

(2.6)

Observaie:Pentrudeducereaformulei(2.6)sefoloseteprincipiulsuperpoziiei.

Fig.7.Circuitpentrudeterminarearezisteneidinamice

RegimstaticRegimdinamic

Fig.8.Circuiteobinuteprinaplicareaprincipiuluisuperpoziiei

Polarizareinvers
La polarizare invers, curentulprindioda ideal estenul. nrealitate,lapolarizareinvers,regiunea de
sarcin spaial semreteiapareuncurentde generare,dependent detensiuneaaplicat,astfelc,nconducie
invers, curentul uneidiode variazcutensiunea aplicat(putndcretedecteva ori).Cureniiinverisuntde
ordinulzecilordenApentrudiodeledinsiliciu.
Dacmodulultensiunii inversedepete ovaloarenumittensiunedestrpungere,curentul inversI0
cretebrusc cutensiunea (Figura2),valoare luifiind limitat doardecircuitulexterior.Existdoumecanisme
carecontribuielafenomenuldestrpungere:efectul Zener(dominantpentrutensiunidestrpungeremaimicide

Lucrarea 2

Pagina |6

5 V) i efectul de multiplicare n avalan (dominant dac tensiunea de strpungere estemaimarede 8V).

Cndtensiuneadestrpungereestentre5i8V,fenomenularelocprinambelemecanisme.
Observaie: Fenomenul Zener reprezint smulgerea de purttoridinreea prin cmpulelectricimpus.
Fenomenul demultiplicarenavalansesuprapunepestefenomenul Zener i presupunecretereasemnificativ
anumrului depurttoridesarcin. Acestlucrusentmplpringenerareadepurttorinsemiconductor(diod),
accelerarealorncmpulelectricimpusiciocnireacualielectroni.

DiodaZener(stabilizatoaredetensiune)
Diodele stabilizatoare de tensiune (impropriu, dar frecvent denumite diode Zener) sunt caracterizate
printro tensiune de strpungere bine definit, caurmareaefectului de multiplicaren avalance determin o
creterefoarteputernic acurentuluiinvers nzona destrpungere.Tensiuneadestrpungereestecontrolatprin
concentraia de impuriti. Funcionareanormala diodeise facenzonareprezentatnFigura9 (caracteristica
static,attceadirect cticeainvers).Aceastapermitenelegereanoiuniidetensiunestabilizat,precumi
determinarearezisteneidinamiceadiodei,rZ,conformrelaiei:

U
rZ = I Z
(2.7)
Z

Fig.9.CaracteristicastaticadiodeiZener

DiodaSchottky
Diodele Schottkyserealizeazprinjonciunemetalsemiconductor.Lacontactulmetalsemiconductorse
formeaz o barier de potenial i o regiune de sarcin spaial extins numai nsemiconductor.Astfel,dioda
Schottky funcioneaz numai cu purttori majoritari, electroni n cazul semiconductorului de tip N i goluri
pentruP.
Laechilibrutermodinamic,curentulprindiodestenul.
La polarizare direct (uD > 0) barierade potenialse micoreaziapare un curentprinjonciune, prin
deplasareaelectronilordinsemiconductornmetal.

qud

iD = I 0 e kT 1 ,cu1.

(2.8)

Lucrarea 2

Pagina |7

Lapolarizareinvers(uD<0) bariera de potenial crete, iar fluxul de electroni de la semiconductor

spremetalscadefoartemult.Nuexistcurentrezidual.
Proprieti:
cderede tensiune directmaimic(0,4V Schottky)n comparaiecuodiodsemiconductoare
detipPN(0,6VdioddeSiliciu)
funcionarefoartebunlafrecvenemariitimpidecomutaiefoartemici(maimicide100ps).
Explicaia:spredeosebiredediodeledinsiliciucarenuprezintpurttoridesarcin nregiuneagolit,
diodeleSchottky nu auoastfelderegiune, rezult cnuexistrecombinriintrepurttoriide tipNiP,decinu
existzonegolitedepurttoridesarcin.

Diodaelectroluminiscent(LEDLightEmittingDiode)

LEDurilesuntrealizate dinjonciuniGaAs,semiconductorce arebandainterzisdecirca1,61,7eV.

Caurmarearecombinrilordirecte, seemitcuantedeluminn spectrulvizibil,cudiferite culori,nfunciede
lungimeadeundaluminiiemise.Diferite lungimide und seobinprinadugareadeimpuritinprocesulde
dopare.Diodeleelectroluminiscentefuncioneazdoarlapolarizaredirect,lacurenideordinuliD=20mA.

Culori i materiale RGB

Culoare

Rou (R)

Verde (G)

Albastru (B)

Lungime de und
(nm)

610 < < 760

500 < <570

450 < < 500

Tensiune (V)

Material

1,63 < V < 2,03

AlGaAs
GaAsP
AlGaInP
GaP

1,9 < V < 4

InGaN / GaN
GaP
AlGaInP
AlGaP

2,48 < V < 3,7

ZnSe
InGaN
SiC ca substrat

Seobservctensiuneadirectcorespunztoareestemaimaredectceaadiodelordesiliciu.

Puntearedresoare
Puntearedresoare(redresorbialternan)este formatdin4diodepoziionatecanFigura10iunulsau
mai multecondensatoare.Rolurile acestuicircuit sunt de ameninepolaritateasemnaluluideieireindiferent de
polaritatea semnalului de intrare i de a converti curentul alternativ n curent continuu. Fr acest circuit
utilizarea echipamentelor electronice este imposibil, pentru c reeaua electric ofer curent alternativ, iar
acesteafuncioneazdoarncurentcontinuu.

Lucrarea 2

Pagina |8

Fig.10.Redresorulbialternan

n funciede polaritateatensiunii de intrare, diodele dincircuitsenchidisedeschidconformfigurilor

demaijos:

Uin>0Uin<0

Fig.11.Funcionarearedresoruluibialternan

Acestcircuit poateavea caechivalent matematicfunciamodul.Totui,trebuiesinemcontdecderile

de tensiune de pe diodele din puntea redresoare. Acestea au ca efect reducerea amplitudinii semnalului de la
ieirearedresorului.

Semnaldeintrare(Vin)SemnaldeieireVout(frcondensator)

Fig.12.Efectultensiuniidirectedepediode(VD)asupraamplitudinii
semnaluluidelaieirearedresorului

Observaie: Prezena unui condensator la ieirea circuitului este necesar pentru a evita fluctuaiile
tensiuniideieire.Caregulgeneral,cuct valoareacondensatoruluieste maimarecuattfluctuaialuiVout
estemaimic.Aceastaesteinfluenatidecurentuldelaieireacircuitului.

Lucrarea 2

Pagina |9

Fig.13.SemnaldeieireVout(cucondensator)

Regulidealegereavaloriicondensatorului:
1
1. RS C f ,unde:
RS este rezisten echivalent a circuitului conectat ntre bornele ( + ) i ( ) ale
circuituluideredresare(msuratin)
Cestevaloareacapacitiidelaieireacircuitului(msuratnFarazi)
festefrecvenasemnaluluisinusoidaldeintrare(masuratnHz)
I sarcin
2. V = 2fC
,unde:
Cestevaloareacapacitiidelaieireacircuitului(msuratinFarazi)
festefrecvenasemnaluluisinusoidaldeintrare(msuratinHz)
Isarcin este curentul de la ieirea circuitului de redresare i depindedeRs(rezistenade
sarcinconectatlaieireaacestuia)
V msoar fluctuaia semnalului de ieire i este egalcudiferena dintre valoarea sa
maximsiceaminim.

Fig.14.Calcululfluctuaieiiesiriiinfunciedetimp

figuri:
Fig.10:
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/1/1d/Diode_bridge_smoothing.svg/600pxDiode_bridge
_smoothing.svg.png
Fig.11:http://en.wikipedia.org/wiki/Diode_bridge

Lucrarea 2

Pagina |10

4. DESFURAREALUCRRII

Fig.15.Montajuldelaborator

In cadrullucrrii curente,sevautiliza un aldoileamontaj,ce constituieo sursde curent. Acestaseva

alimentala16VntreborneleINsiGND.

1.
Ridicareacaracteristicilordirecte
Ridicarea caracteristicilor directe se realizeaz cu montajul din Figura 16. Curentul prin diod se
msoar cumiliampermetrulanalogic, peoscarcorespunztoare decureni,iartensiunea la bornele diodeicu
voltmetruldigital.
Pentru realizarea montajului, sursa de curent se conecteaz la (+)ul miliampermetrului, borna () a
miliampermetrului la(+)uldiodei.Sursadecurentsealimentezdinsursadetensiunecu16V.Atenieladioda
stabilizatoaredetensiune:montajulvafidiferitfademontajulfolositlacelelaltediode.
Reglai curentul la valori pentru care se poate face o reprezentare comod la scar logaritmic, adic
multiplii i submultiplii zecimali ai numerelor 1, 2 i 5 (ai cror logaritmi zecimali sunt, aproximativ, 0, 0.3,
respectiv0.7).Maiexact,sevafolosisetuldevalori:0,1mA,0,2mA,0,5mA,1mA,2mA,5mA,10mA.

2.
Trasareacaracteristiciistaticelascarsemilogaritmic
Trasai caracteristicile statice ale diodelor la scar semilogaritmic (ca n Figura 3) i determinai
parametriiI0i.

Lucrarea 2

Pagina |11

Fig.16.Montajpentruridicarea
caracteristicilordirecte

3.

Fig.17.Montajpentru
determinareaPSF

Fig.18.Montajpentru
msurareacurentului
inversI0

DeterminareaPSF
3.1.
Metodagrafoanalitic
Trasaicaracteristicilelascarliniarpentru fiecarediod. Pe acelaigrafictrasaiidreaptastaticde
funcionare (ecuaia(2.3), cu E=5V i R =1k)ideterminaipunctulstaticdefuncionareM(prinprecizarea
coordonatelorsale,UDiID)canFigura5.

3.2.
MsurareID,UD
SerealizeazcircuituldinFigura17pentrufiecarediodcu E =5V i R=1kisemsoarmrimile
caracteristice punctului static de funcionare, UD i ID, i se compar rezultatele cu cele obinute prin metoda
grafoanaliticlapunctulprecedent.AtenielaconectareadiodeiZener!.

4.
MsurareacurentuluiinversI0
Cu montajuldinFigura18semsoarcurentulinversprindiodeledeSilatensiunileE={0,5V, 10V,
20V}.Comparailcucelobinutprinmetodagrafoanalitclapunctul2.

5.
Msurarearezisteeidinamice
Sedorete msurarearezisteneidinamicea diodelorde Sipentruuncurentdeaproximativ4mA,pentru
unsemnalde1VRMS,laofrecvende3kHz.
SerealizeazmontajuldinFigura7.
ATENIE:Sursade tensiune continuvafi setat la 5V, i conectatntre A1iGND,respectivA2 i
GND.SursadesemnalsevaconectantreUiiGND.
NUconectaisursadesemnalnparalel(mpreun)cusursadetensiune!
Montajul echivalent n regim dinamic este prezentat n Figura 8. Astfel, se poate calcula valoarea
rezisteneidinamicecuformula:

U oR1R2
U oR
r = U R U
,
pentruR
=R
=R
r
=
(2.55)
1
2
U i2U o
o(R1+R2)
i 1

Lucrarea 2

Pagina |12

6.

CaracteristicainversadiodeiZener
Semsoarcaracteristicainvers adiodei Zener cumontajuldinFigura18,pentrutensiuni(E)ntre5 V
i 20 V. Se traseaz caracteristicile invers i direct a diodei Zener (vezi Figura 9), la scarliniar.Pentru
trasareacaracteristiciidirectefolosiivdemsurtoriledelaexerciiul1.
n punctul staticde funcionarecaracterizatprinIZ =10mA,sedetermin rezistenadinamiccurelaia
(2.4),msurndtensiuneapediodlacurenii:IZ=5mAiIZ=15mA.

Fig.18.MontajpentrudeterminareacaracteristiciidiodeiZener

7.

Redresorulbialternan
Seregleazgeneratoruldesemnallafrecvenade60Hziamplitudineantre5si11Vpp.
Sedeconecteazcondensatoareledelaieirearedresorului.
Seconecteazieireageneratoruluidesemnal laborneleAC1iAC2,iarosciloscopullaborneleVR+i

VR.
Msurai amplitudinea Vpp a semnalului de ieire i justificati de ceestemai micdect jumatatedin
amplitudineaVppasemnaluluideintrare.
Observatie! Nu msurai semnalul de intrare i semnalul de ieire n acelai timp! Sondele
osciloscopuluiauGNDcomunsiveipunepunteadediodeinscurtcircuit.
Conectai condensatoarele de 10uF, respectiv 100uF, la ieirea circuitului i menionai care dintre
acesteaasigurofluctuaiemaimicasemnaluluideieire.