2.2.

Alte etaje cu tranzistoare bipolare, folosite n amplificatoare

2.2.1 Etaj de amplificare cu un tranzistor bipolar, n conexiunea baz comun (BC)

Figura 2.22: Etaj cu TB n conexiunea BC

n figura 2.22 este prezentat un circuit cu TB n conexiunea BC. Baza este pus la mas de
condensatorul C2. Circuitul de polarizare este identic cu precedentul (2.1.10).
Cicuitul echivalent de c.a. este prezentat n figura 2.23 (inclusiv varianta valabil pentru semnal
mic).

Figura 2.23: Circuit echivalent de c.a., conexiunea BC

Pentru calculul amplificrii de tensiune (fr sarcin, generator ideal de tensiune):
U
Ib = i
hi
U s = RC [h f I b + ho (U s U i )]

U s (1 + RC ho ) = U i RC (

hf
hi

+ ho ) , de unde
hf

+ ho )
h f RC
h f RC
Us
hi
1
Au =
=

.
Ui
1 + ho RC
hi
1 + ho RC
hi
hf
>> ho i ho ( RC || R s ) << 1
Au fost neglijate succesiv:
hi
R || R s
Au = h f C
Cu rezistena de sarcin:
hi
RC (

(2.22)

Se observ c amplificarea de tensiune are aceeai form ca cea de la conexiunea EC, cu excepia
semnului. Semnul arat c tensiunea din colector este n faz cu cea din emitor. O diferen
important o constituie impedanele.
Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

24

Amplificarea de curent (fr sarcin):

h
I i I b h f I b i I b
RE
I s h f Ib

Ai =

hf

1
hi
hf +1+
RE
Impedana de intrare n etaj, impedana de intrare la bornele tranzistorului:
Ui
hi
Z i ,T
=
.
(h f + 1) I b h f + 1
Z i = R E ||

(2.23)

(2.24)

hi
h
, Zi i .
hf +1
hf

(2.25)

Pentru evaluarea impedanei de ieire, se pasivizeaz sursa de semnal, se aplic generator la ieire,
ca n figura 2.24:

Figura 2.24: Circuit pentru calculul impedanei de ieire

R E || R g
U
I b = 1 = I 2
hi
hi + R E || R g
U 2 = U1 +

h f Ib I 2
hf
I2 h f Ib
I
= hi I b + 2
=
(
+ hi ) I b
ho
ho
ho
ho
ho

R E || R g
R E || R g
U2
1
1
(1 + (h f + hi ho )
)
(1 + h f
)
=
(2.26)
I 2 ho
R E || R g + hi
ho
R E || R g + hi
Nu se neglijeaz admitana de ieire a tranzistorului, dar hi ho << h f . Impedana de ieire din
Z o,T =

tranzistor are valoare foarte mare.

De cele mai multe ori, impedana de ieire din tranzistor este mascat de ctre rezistena de colector,
necesar pentru polarizare. Rezult: Z o = RC || Z o,T .
Excepie remarcabil: circuitele cu sarcin acordat, la care rezistorul de polarizare face parte din
circuitul de sarcin.
Observaii:
Mrimile Z i,T , Z i , Au i Z o,T dependente de p.s.f..
Amplificarea n tensiune, semnul +
Amplificarea n curent (fr sarcin), semnul Impedana de intrare (zeci de ohmi), avantajos atacul n curent
Impedana de ieire din tranzistor, impedana de ieire cu rezistena de colector
Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

25

Amplificator ideal de curent

Plasarea n cascad a mai multe astfel de etaje este nefolositoare
Utilizare n amplificatoarele de frecven nalt, cu sarcin acordat.
2.2.2 Etaj de amplificare cu un tranzistor bipolar, n conexiunea colector comun (CC)

Figura 2.25: Etaj cu TB n conexiunea CC

Schem de polarizare asemntoare cu precedentele. ntruct semnalul de ieire se preia din emitor,
tensiunea pe rezistorul din emitor (p.s.f.) trebuie s fie proiectat astfel nct s acopere i
amplitudinea maxim a semnalului.

Figura 2.26: Circuit echivalent de c.a., conexiunea CC

Amplificarea de tensiune se calculeaz pe schema din figura 2.26b, fr rezistena de sarcin i cu
generator ideal de tensiune:

Ui U s
hi
U s = (h f + 1) I b R E
Ib =

Ui U s
hi
U s (hi + (h f + 1) R E ) = U i (h f + 1) R E
U s = (h f + 1) R E

Au =

(h f + 1) R E
Us
=
.
U i hi + (h f + 1) R E

(2.27)

Din nou, amplificarea de tensiune este pozitiv, ceea ce arat c tensiunea din emitor este n faz cu
cea din baz. Modulul amplificrii este apropiat de unitate.
(h f + 1)( R E || Rs )
U
Au = s =
Cu sarcin:
.
U i hi + (h f + 1)( R E || R s )
Impedana de intrare n tranzistor:
hi
U
Ui
hi =
Z i,T = i =
= hi + (h f + 1)( R E || R s )
1 Au
Ib Ui U s
Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

(2.28)
26

Este o valoare mare, adecvat pentru atacul n tensiune, dar care este mascat de rezistenele de
polarizare:
Z i = R12 || Z i,T .
(2.29)
Amplificarea de curent:
R12
Ii
Ib =
R12 + Z i ,T

I
RE
1
Ai = s = (h f + 1) I b

RE + Rs I i
Ii
Ai = (h f + 1)

RE
R12

R E + R s R12 + Z i,T

(2.30)

Impedana de ieire la bornele tranzistorului se calculeaz pe circuitul din figura 2.27:

Figura 2.27: Circuit pentru calculul impedanei de ieire

Ib =

U2
hi + R g || R12

I 2 = (h f + 1) I b = (h f + 1)

U2
hi + R g || R12

Rezult:
U 2 hi + R g || R12
=
I2
hf +1
1 hi + R g || R12 hi + R g || R12

||
(2.31)
ho
hf +1
hf +1
Impedana de ieire din tranzistor are valoare foarte mic, adecvat pentru ieirea n tensiune.
Impedana de ieire a etajului mai ine cont i de rezistorul de polarizare din emitor, dar acesta are o
pondere mic:
Z o = R E || Z o,T
(2.32)
Z o ,T =

Observaii:
Parametrii amplificatorului snt dependeni de p.s.f., dar ntr-o msur destul de mic
Amplificator ideal de tensiune, dac nu exist rezistenele de polarizare
Rezistenele de polarizare micoreaz substanial impedana de intrare
Adaptor de impedane, "repetor pe emitor"
Amplificarea de curent este important
2.2.3 Etaj de amplificare cu un tranzistor bipolar, cu sarcin distribuit
Nici un terminal al tranzistorului nu este legat la potenialul comun (mas). Intrarea se aplic ntre
baz i mas (figura 2.28). Circuitul are dou ieiri, ctre dou sarcini. Impedanele de ieire snt
diferite. P.s.f. ca la precedentele.

Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

27

Figura 2.28: Etaj cu TB, sarcin distribuit (emitor i colector)

Figura 2.29: Circuit echivalent de c.a., TB cu sarcin distribuit

Notaii n circuitul echivalent de c.a., din figura 2.29: Re = R E || R se , Rc = RC || R sc .
U i = hi I b + U e
U e = Re [(h f + 1) I b + ho (U c U e )]
U c = Rc [h f I b + ho (U c U e )]
Rezultatele aproximative (aproximarea ho ( Rc + Re ) << 1 ):
(h f + 1) Re
U
Aue = e =
U i hi + (h f + 1) Re

Auc =

(2.33)

h f Rc
hi + (h f + 1) Re

(2.34)

Se observ semnele amplificrilor n tensiune, care arat c tensiunea din colector este n antifaz
cu cea din baz (ca la EC). Tensiunea din emitor este n faz cu cea din baz (ca la CC). Sintetic,
trebuie reinut c singura configuraie n care se inverseaz faza tensiunii, este cea n care semnalul
este aplicat n baz i cules din colector.
Impedana de intrare n tranzistor:
h f + 1 + ho Rc
Z i ,T = hi + Re
hi + h f Re
(2.35)
1 + ho Rc + ho Re
Din nou, impedan mare de intrare n tranzistor (ca la CC), dar mascat de rezistenele de
polarizare:
Z i = Z i,T || R12 .
(2.36)
Impedana de ieire din colector se calculeaz pe schema din figura 2.30:

Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

28

Figura 2.30: Circuit pentru calculul impedanei de ieire n colector

U e = Re [h f I b + I b + ho (U 2 U e )]
1
I b = U e
hi + R g || R12
I 2 = h f I b + ho (U 2 U e )
Re (h f + ho hi + ho R g || R12 )
Re
U
1
1
[1 +
]
[1 + h f
] (2.37)
Z oc = 2 =
hi + R g || R12 + Re
I 2 ho
hi + R g || R12 + Re
ho
Impedana de ieire n colector este foarte mare (similar cu BC), dar este mascat de rezistena de
polarizare:
Z o = Z oc || Rc .
(2.38)

Impedana de ieire n emitor se calculeaz pe circuitul din figura 2.31:

Figura 2.31: Circuit pentru calculul impedanei de ieire n emitor

U2
Ib =
hi + R g || R12
I 2 = I b h f I b + ho (U 2 U c )
U c = Rc [ h f I b + ho (U 2 U c )]

Z oe =

(h i + R g || R12 )(1 + ho Rc )
h i + R g || R12
U2

=
I 2 h f + 1 + ho (h i + R g || R12 + Rc )
hf +1

(2.39)

Impedan mic de ieire (ca la CC). Ponderea rezistenei din emitor este mic: Z o = Z oe || Re
Observaii:
Proprieti de etaj CC i de etaj BC
Ieiri n antifaz (se poate aranja egalitatea n modul), pentru etaj defazor.
Ieirile au impedane diferite!
Ieirea din emitor: adaptare de impedan.
Impedana de intrare mascat, impedana de ieire n colector mascat.
Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

29

2.2.4 Tehnica Bootstrap

Scopul acestei tehnici este eliminarea influenei rezistoarelor de polarizare, care mascheaz
impedana de intrare (la conexiunea CC). Esenialul este nclzirea punctului mijlociu al
divizorului din baz (cel care mascheaz impedana de intrare), adic aducerea lui la un potenial
apropiat de cel al intrrii. Semnalul n faz cu intrarea este luat din emitor (se comport ca surs de
tensiune, pentru c are rezisten mic de ieire). Efectul este c la ambele capete ale R5 se afl cam
acelai potenial, deci curentul de semnal prin R5 este mic. (n figura 2.32, RC nu este necesar; dac
exist, atunci condensatorul C3 decupleaz colectorul.)

Figura 2.32: Tehnica bootstrap n etaj cu TB, conexiunea CC

Pentru p.s.f. se echivaleaz divizorul de polarizare cu un generator, apoi rezult:
R2
U BE
E
R1 + R2
. Apoi I C , U CE .
IB =
R1 || R2 + R5 + ( + 1) R E

Figura 2.33: Circuitul echivalent de c.a.

U i = hi I b + U s
h
1
U s = ( I b + i I b + h f I b )( || R12 || R E )
R5
ho
h
1
(h f + 1 + i )( || R12 || R E )
h f ( R12 || R E )
U
R5 ho
Au = s =

h
1
Ui
hi + h f ( R12 || R E )
hi + (h f + 1 + i )( || R12 || R E )
R5 ho

(2.40)

h
1
hi + (h f + 1 + i )( || R12 || R E )
U
Ui
R5 ho
Zi = i =
=
h
h
Ii
I b (1 + i )
1+ i
R5
R5

Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

(2.41)

30

n calculele de mai sus, a fost considerat circuitul fr R s . Acesta se introduce n formule prin
nlocuirea lui R E cu Re = R E || R s . Se observ ameliorarea substanial a impedanei de intrare, n
comparaie cu cea de la etajele CC i sarcin distribuit ((2.29) i (2.36)).
Amplificarea de curent sufer o modificare nesemnificativ fa de circuitele menionate:
1
Ai h f
(fr R s ).
(2.42)
hi
1+
R5

Figura 2.34: Circuit pentru calculul impedanei de ieire

Impedana de ieire se calculeaz pe circuitul din figura 2.34:
R5
U2
Ib =

R5 + hi R g + hi || R5

h
I 2 = I b (h f + 1 + i )
R5
h
hi + R g (1 + i )
R5
U2
=
h
I2
hf +1+ i
R5
h
hi + R g (1 + i )
R5
Z o,T =
|| R12
hi
hf +1+
R5

(2.43)

Ponderea rezistenei din emitor este mic, ca i la CC i sarcin distribuit: Z o = Z o,T || R E

Observaii:
-

Amplificarea de tensiune este apropiat de 1 (difer foarte puin de CC)

Impedana de intrare este mare i nu mai este mascat de divizorul de polarizare
Circuitul este un bun adaptor de impedane: mare la intrare i mic la ieire. Similitudine cu CC,
exceptnd mascarea impedanei de intrare
Funcioneaz bine la frecvene medii
Rezultate asemntoare se obin dac colectorul nu este decuplat
Tehnica de "nclzire" cu semnal n faz: reacie pozitiv (se va analiza ulterior efectul asupra
stabilitii i benzii)

Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

31

2.2.5 Generator de curent cu tranzistor bipolar

Scopul acestui circuit este s furnizeze curent constant altor etaje, fr a fi afectat de semnalul care
se propag dinspre acele etaje. ntruct generatorul de curent trebuie s aib o impedan intern
mare, cea mai bun soluie este s folosim colectorul pentru ieirea n curent. Pe circuitul echivalent
al tranzistorului bipolar se vede c spre colector merg generatorul de curent intern i o impedan
mare. n cadrul analizei, elementele eseniale snt impedana care se vede la ieire i excursia
maxim de tensiune pe sarcin, care nu scoate tranzistorul din RAN. O schem posibil este cea din
figura 2.35.

Figura 2.35: Generator de curent cu TB

Analiza polarizrii (fr a scoate TB din RAN): valoarea curentului continuu absorbit de la sarcin:
R R
R2
R B = R1 || R2 = 1 2
EB = E
;
R1 + R2
R1 + R2
E B U BE
I s = IC =
,
(2.44)
R B + ( + 1) R E
E R E I C U CEsat
(condiie de RAN).
(2.45)
dac R s <
IC
R2
Limita de jos a tensiunii de colector (captul inferior al sarcinii): E
R1 + R2
R1
Excursia maxim a tensiunii pe sarcin: [0, E
].
R1 + R2
Limita din stnga se obine cnd rezistena de sarcin este nul. Limita din dreapta se atinge cnd
rezistena de sarcin ajunge la valoarea maxim, precizat n (2.45).

Figura 2.36: Circuitul echivalent de c.a.

Pentru analiza regimului dinamic se consider circuitul din figura 2.36 i se fac notaiile:
1
1
i Z E = R E (sau Z E = R E ||
Z B = R1 || R2 ||
). Scopurile snt de a evalua impedana
jC1
jC E
de ieire i de a stabili care este configuraia cea mai avantajoas, vis-a-vis de decuplarea
divizorului din baz, respectiv a rezistorului din emitor.
Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

32

Impedana de ieire (ca la BC):

Zo =

U2
ZE
1
1 + h f
=
I 2 ho
hi + Z B + Z E

(2.46)

Se observ c, pentru impedan de ieire maxim, trebuie ca rezistenele de polarizare s fie

decuplate, iar rezistena din emitor nedecuplat.
Alt variant de generator, atunci cnd avem la dispoziie surs dubl de alimentare, este prezentat
n figura 2.37. n acest caz, limita de jos a tensiunii de colector (captul inferior al sarcinii): 0 V.

Figura 2.37: Generator de curent cu surs de alimentare dubl

2.2.6 Etaje de amplificare cu dou tranzistoare bipolare; tranzistoare compuse
Etajul CC-EC
Generatorul de curent constant, pentru polarizarea tranzistoarelor,
poate fi nlocuit cu un rezistor. Proprietile:
- impedan mare de intrare (ca la CC)
- impedan de ieire medie (ca la EC)
- amplificarea de tensiune dat de al doilea tranzistor
- amplificarea de curent mare (amndou amplific n curent)
Etajul CC-CC
Proprieti:
- impedan de intrare foarte mare (mai mult dect la CC)
- impedan de ieire mic (ca la CC)
- amplificare subunitar de tensiune
- amplificarea de curent mare (amndou amplific n curent)
Noiunea de tranzistor compus
Structura Darlington.
Avantaj: aceeai capsul. Dezavantaje:
- al doilea tranzistor nu se satureaz niciodat, ceea ce micoreaz
randamentul n etajele de putere;
Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

33

n circuite liniare, al doilea tranzistor primete n baz reacie intern, prin capacitatea de barier
i prin admitana de ieire ale primului tranzistor (probleme de lrgime a benzii i stabilitate).

Alt variant de tranzistor compus.

Proprieti de semnal mare:
- este tot echivalent npn, cu jonciunea baz-emitor aparinnd primului
tranzistor. De regul, tipul echivalent este stabilit de prima jonciune
baz-emitor
- ca i n cazul precedent, al doilea tranzistor nu se satureaz
- ca i n cazul precedent, ambele tranzistoare suport aproximativ aceeai
tensiune colector-emitor, iar curentul important trece prin al doilea tranzistor
Proprietile dinamice asemntoare cu Darlington, dei modelul de semnal mic este diferit.

Etajul EC-BC (cascod)

Proprieti:
- impedan de intrare ca la EC
- impedan de ieire mai mare dect la BC
R
- amplificare de tensiune Au = h f 2 s . Seamn cu EC,
hi1
dar amplific n tensiune numai T2.
- amplificarea de curent ca la EC, amplific T1
Avanatajos la frecvene mari, pentru c primul tranzistor lucreaz
cu amplificare mic (impedana de sarcin este mic), deci
reacia prin C devine neglijabil.

Etajul CC-BC (cuplaj prin emitor)

Proprieti:
impedan de ieire Z o mare (ca la BC)
etajul funcioneaz ca atare n amplificatoarele difereniale,
cnd snt atacate nesimetric.
hi 2
hi 2
Z iT 2 =
Z i = Z i1 = hi1 + (h f 1 + 1)
2hi
;
hf 2 +1
hf 2 +1
(h f 1 + 1)
Au1 =

hi 2
hf 2 +1

hi1 + (h f 1 + 1)

hi 2
hf 2 +1

1
2

Au =

Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

h f 2 Rs
hi 2

Au1

1 h f 2 Rs

2 hi 2

34

2.2.7 Etaj diferenial cu tranzistoare bipolare

Figura 2.38: Etaj diferenial cu TB

Intrarea n etaj este diferena a dou tensiuni. Este util atunci cnd cele dou tensiuni de intrare au
fost perturbate puternic, de ctre acelai semnal, iar semnalul util este diferena celor dou. Ieirea
poate fi asimetric sau simetric (diferenial).
Notaie:
U + U i2
U ic = i1
, tensiunea de intrare de mod comun
2
U id = U i1 U i 2 , tensiunea de intrare diferenial.

Componenta de mod comun furnizeaz polarizarea, dar poate fi i semnal perturbator.

Scopul circuitului: tensiunea pe sarcin s conin intrarea diferenial amplificat i s fie
insensibil la componenta de mod comun a intrrii.
Analiza circuitului se face separat, pe modul diferenial i pe modul comun:
Mod diferenial
Presupunem c tensiunea de mod comun este constant i evalum amplificarea semnalului
diferenial de intrare. n regimul de semnal mic, abaterile snt simetrice la intrare i la capetele
sarcinii. Capetele rezistenei de sarcin au excursii simetrice fa de valorile de regim staionar.
Rezult circuitul echivalent al abaterilor mici, pentru jumtate din etaj, pe mod diferenial (figura
2.39a).
hf
U
R
U c1 = id
( RC || s )
2 hi
2
hf
U U c2
U
R
Aud = c1
= 2 c1 =
( RC || s )
(2.47)
2
U id
U id
hi

Figura 2.39: Circuit echivalent de semnal mic, modul diferenial (a) i modul comun (b)
Mod comun
Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

35

Presupunem c intrrile snt legate mpreun (tensiune nul de mod diferenial). Circuitul echivalent
de semnal mic (pentru jumtate din etaj), apare n figura 2.39b.
h f RC
U c1 =
U ic
hi + (h f +1 ) 2 R E

Auc =

h f RC
U c1 U c 2
=
=
U ic U ic
hi + (h f + 1) 2 R E

(2.48)

Rezistena din emitor trebuie luat foarte mare i nedecuplat capacitiv. Deoarece asta nseamn
micorarea curentului de colector, deci pant mic, ea este nlocuit cu generator de curent constant.
2.2.8 Amplificatoare cu sarcin acordat (amplificatoare selective)

Figura 2.40: Etaj de amplificare cu sarcin acordat

Exemplu studiat: etaj EC, sarcina este un circuit rezonant paralel. Util n amplificatoarele de
radiofrecven i de frecven intermediar.
Tranzistorul trebuie s furnizeze ieire n curent, pentru circuitul acordat RLC: I c = g mU i
g mU i
1
U s = g mU i Z s =
. Exist rezonan la pulsaia: 0 =
, Z ( 0 ) = R
1
1
LC
+ j C +
R
j L
Probleme ale amplificatorului selectiv:
- alinierea circuitelor acordate (acordul circuitului selectiv de la intrare este influenat de acordul
circuitului selectiv de la ieire i reciproc, datorit reaciei interne)
- stabilitatea (circuitul poate deveni instabil, datorit reaciei interne)
Soluii:
- etaj cascod (paragraful 2.2.6, EC-BC)
- cuplare prin emitor (figura 2.41).

Figura 2.41: Cuplare prin emitor pentru etaje cu sarcin acordat

Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

36

Amndou soluiile au proprietatea c primul tranzistor lucreaz cu amplificare mic de tensiune

(este diminuat efectul capacitii de barier)

Laureniu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale 2008

37