Curs BioNEC

Capitolul. 6. Tranzistoare de tip

BioFET

6.1. Starea artei

1970, Bergveld - ISFET (Ion Sensitive Field
Effect Transistor). => pHFET, pKFET, alti ioni.
1985, Caras - EnFET (Enzymatic Field Effect
Transistor) Rec. enzimatic in poarta
tranzistorului.
1990, Schasfoort, Immuno-FET (Ac = Rec)
2001, ADN-FET permite analize ADN.
2012, Na Liu, ADN-Organic-FET, ADN este
atasat pe suprafata Sc.Org. (Pentacena).

6.1. Definitii
La cap.3-5 au fost trecuti in revista toti biosenzorii (cu traductori
optici, piezo, termici etc si receptori de orice natura).
Aici ne focalizam doar pe acei biosenzori cu traductor de tip FET
(Field Effect Transistor) si la care elementul Bio-receptor este
integrat pe langa aria traductorului FET, adica Bio-FET.
Prin urmare pot fi considerate urmtoarele mecanisme de baz
ale generrii potenialului pentru BioFET-uri:

i) schimbri de potenial care sunt cauzate de ctre un

produs al reaciei catalitice. Spre exemplu produsul de reacie
dintre o enzim i un substrat poate fi detectat de ctre un
BioFET.

6.1. Definitii BioFET

ii) schimbri de potenial care sunt cauzate de ctre efectul de polarizare a
suprafeei sau de schimbare a momentelor de dipoli. Ca exemplu aici poate
fi dat reacia de afinitate antigen-anticorp sau cea de hibridizare a ADN.

iii) schimbri de potenial care vin din sisteme biologice vii ca rezultat
al proceselor biochimice metabolice sau de recunoatere celular.

Considernd toate aceste aspecte, BioFET-urile pot fi clasificate

corespunztor dup elementele de biorecunoatere ce sunt utilizate
pentru detecie.

Tranzistorul ISFET a reprezentat un dispozitiv de lansare a unei ntregi serii

de Bio-FET-uri, prin modificarea porii sau cuplrii ei la diferite elemente
de recunoatere biologic, cum ar fi enzime, rezultnd Enzyme-FET (EnFET) sau anticorpi, rezultnd Imuno-FET (Im-FET) sau celule, rezultnd
Microbial-FET.

Exemple
Detector
glucoza,
uree,
cholesterol
LAAS-FRANTA

Organic transistor-based biosensor by

introducing electric bias during DNA
immobilization.
* Organic Electronics 13 (2012) 2781
2785.

6.2. Tranzistoarele ISFET

ISFET Tranzistoare MOSFET cu electrod de poarta sensibil la ioni

ISFET

6.2. Tranzistoarele ISFET

Tranzistoarele ISFET pe siliciu sunt prezente n mod curent ca
element de baz structural ntr-o nou generaie de micro-biosenzori
i asigur o mulime de avantaje poteniale ca greutate i dimensiuni
mici, rspuns rapid, fiabilitate ridicat, impedan de ieire mic,
posibilitatea ncapsulrii automate la nivel de plachet, integrarea pe
un singur cip a reelei de biosenzori i a schemei de procesare a
semnalelor cu perspectiva n viitor a unei producii n mas cu
costuri sczute, sisteme de microanaliz portabile. Mai mult dect
att, posibilul lor domeniu de aplicaie se transfer de la medicin, la
biotehnologie, apoi la monitorizarea mediului, la industria
alimentar i la aprare sau securitate.
Astzi tranzistoarele ISFET reprezint elementele de baz structurale,
care fac parte integrant din BioFET-uri mai complexe, chiar dac
proprietile ion-senzitive nu mai sunt necesare pentru traductorul
de semnal (de exemplu la BioFET de afinitate sau pentru msurarea
potenialelor de aciune n celulele vii).

6.2. Tranzistoarele ISFET

Materialul din care este confecionat electrodul ISE (Ion Selective
Electrode), va da selectivitatea ISFET-ului pentru anumii ioni n soluie.
Ca pas adiional, filmul sensibil la ioni a fost fixat prin intermediul unor
membrane organice la tranzistorul cu efect de cmp, rezultnd
tranzistoarele Membrane-FET.
Bergveld a realizat un tranzistor ISFET in 80, pentru detectarea ionilor de
H+, fapt pentru care tranzistorul s-a notat cu pH-FET. Apoi, extensia de
limbaj a cptat amploare i a urmat tranzistorul pK-FET specializat pe
detecia ionilor de potasiu K+. Au putut fi realizai senzori de pH integrai
mpreun cu cei de pK pentru monitorizarea activitii cardiace. Structura
pK-FET-ului pornete de la tehnologia n-MOS standard, la care izolatorul
de poart conine 80nm SiO2 plus 100nm de Si3N4. Nitrura are proprieti
superioare oxidului de siliciu n ceea ce privete sensibilitatea la pH i
pentru stoparea migrrii ionilor de K+ spre semiconductor. Stratul metalic,
ce formeaz electrodul ISE, este compus din Ti/Pt, care este corodat prin
tehnici de lift-off.

6.2. Tranzistoarele ISFET

n mod corespunztor, curentul de dren al ISFET-ului, ID , poate fi dedus
din modelele tranzistorului MOSFET, prin adugarea cderii de potenial la
interfee, *9+. Astfel, concentraiile de analit vor afecta potenialul electric
al porii, VGS, conform relaiei lui Nerst:

VG VGext 0

RT
ln c A
zF

Potentialul portii:

unde este potenialul extern aplicat pe poart, potenialul standard de

electrod, iar este concentraia de analit.

Sensibilitatea:

dI D
ID

dc A
cA

6.2. Tranzistoarele ISFET

Pentru a evita scurgerile de curent via substrat ISFET
incorporat ntr-o structur de tip SOI Silicon On Insulator.

6.2. Tranzistoarele ISFET

Sensibilitatea, S, se definete ca raportul ntre variaia relativ a
mrimii de ieire a senzorului, (ex.ID ) i variaia relativ a
mrimii de intrare, cA:
dI D dVG c A
S

dVG dc A I D

Relaia sensibilitate - concentraie de analit este:

S I c

RT
zF
I D (VG (c A ))

(VD VS )

Concluzie: ISFET = MOSFET + ISE

6.3. Tranzistoarele EN-FET

Tranzistoarele En-FET (ENzyme-FET) sunt acele tipuri
de tranzistoare BioFET care integreaz pe un cip o
structur de tranzistor cu efect de cmp FET i o
enzim cheie, ca element receptor. Enzima catalizeaz
o reacie biochimic a analitului, ce are ca produi de
reacie ioni simpli sau molecule mult mai uor de
detectat, de obicei prin metoda electrozilor ISE.
Se obtin produi de reacie extrem de simpli: ioni O-2,
H+, OH-, NH4+, etc. Prin contorizarea acestor produi de
metabolism, urmrind reacia catalizat de enzim mol
la mol, se estimeaz apoi concentraia de analii ca
reactani.

6.3. Tranzistoarele EN-FET

Tranzistor En-FET pentru detecia glicemiei serice, ca structur transversal
de principiu.

6.3. Tranzistoarele EN-FET

Se considera cazul cel mai simplu, in care o singura enzima
actioneaza pe o molecula substrat i in care orice alt reactant
este presupus a fi in exces spre a nu limita reactia. Aceast
reactie urmeaza cinetica Michaelis-Menten, [4]:
k1

k2

S E ES P E
k 1

6.3. Tranzistoarele EN-FET

Modelarea sensibilitii unui En-FET

Sensibilitatea, S, se definete ca raportul ntre variaia relativ

a mrimii de ieire a senzorului (I) i variaia relativ a mrimii
de intrare (cA).
Dac se alege regimul de lucru peste prag, curentul este:
ID

f g n 0 C 0 VDS (VG VT )
1 (VG VT )

n schimb, dac se polarizeaz tranzistorul sub prag, curentul

va fi dat de relaia:
qV
I I D0 exp G
nkT

6.3. Tranzistoarele EN-FET

Prin derivarea acestei relaii, rezult expresia
sensibilitilor n aceste regimuri de lucru.
Cnd se menin constante potenialele: i pentru un
transistor En-FET cu canal n, concentraiile de analit vor
afecta potenialul electric al porii conform relaiei lui
Nerst, [14]:
VG VT 0

RT
ln c A
ZF

Dac se utilizeaz notaiile: VGS VT = v, RT/zF = r, iar 0

este potenialul standard, rezult o dependen de
tipul:
v 0 ln c rA

6.3. Tranzistoarele EN-FET

nlocuind aceast expresie n relaia (1) se obine
funcia traductoare global a En-FET:
I (c A )

a ( 0 ln c rA )
1 ( 0 ln c rA )

Sub prag, rezult o variaie expon. a curentului de

dren, I, mult mai pronunat :

q
I c1A/ nz I D0 exp 0
nkT

6.3. Tranzistoarele EN-FET

Sensibilitatea, S, se definete ca raportul ntre variaia relativ a
mrimii de ieire a senzorului (I) i variaia relativ a mrimii
de intrare (cA).
Dac se alege regimul de lucru peste prag , rezulta:
S1

r r(1 ) 0 ln c rA

1 0 ln c rA

Dac se polarizeaz tranzistorul sub prag, rezulta:

S2

RT

zF 1
nkT
nz
q

6.3. Tranzistoarele EN-FET

Dificultati in proiectarea En-FET pentru ACh
n continuare se propune proiectarea unui regim optim de lucru al unui EnFET pentru ACh sangvin plecnd de la modelele analitice anterioare.
tiind concentraiile minime / maxime de analit ACh n snge: cA =
403505 pg/ml [27], se dorete stabilirea unui regim de lucru peste prag.
Se presupun urmtorii parametri de model pentru tranzistorul FET cu
electrod de Pt, =2mA/V2, VT=1V, polarizat la VSB=VS=0V, VD=3V i
dou polarizri externe o dat la VG=2V peste prag i apoi la VG= -0.06V
sub prag, pentru o analiz comparativ.
n relaia lui Nerst, concentraiile se introduc n uniti de msur normate x
moli/l / 1mol/l. Masa molar a acetilcolinei rezult =78g/mol.
Concentraia de 1pg/1ml=1ng/l sau molaritatea de M=1ng/l/78g/mol =
12.8pmol/litru, iar n uniti normate concentraia de analit variaz ntre
cA= 51206400pico-uniti.

6.3. Tranzistoarele EN-FET

Calculul variaiei de tensiune pe poart cnd concentraia de analit

variaz de la valoarea minim la valoarea maxim se face dup
relaia lui Nerst. Prin scdere membru cu membru rezult variaia de
tensiune pe poart cnd concentraia de analit variaz de la
valoarea minim la valoarea maxim:
2 1

c
RT
ln A max
zF
c A min

Alegerea tensiunii externe pe poart se face pentru a obine o

variaie maxim pentru curent. Pentru Pt potenialul standard redox
este: 0=1.2V.
VG VGext 0

RT
ln c (2.961;2.964)V
zF

I D1

VG VT 2 (3.847;3.858)mA
2

6.4. Exemplu tranzistor EN-FET glucoza

Descrierea procesului tehnologic de fabricatie de
micro senzori chimici-cu-canal preformate (BioFET)
Substratul ales este plachta de siliciu de tip P
(bor dopat), cu orientare <100> rezistivitate de
10 cm (Na = 1015 /cm3). Mrimea plachetelor
de siliciu este de 3 inch, grosimea de 450 m.
Curatirea plachetelor de siliciu in baie baie de H2SO4
(90%) / H2O2 (30%) [3:1] timp de 10 minute.
Oxidarea de mascare

6.4. Exemplu tranzistor EN-FET glucoza

Difuzie de bor - P+(inel de garda)
Fotogravur N+; sursa - drena (masca #
3)
Difuzie sursa drena N+
Sectiune transversala prin structura difuzata

6.4. Exemplu tranzistor EN-FET glucoza

Oxidul de poarta (30nm)
Realizarea electroduli de poarta din TiO2
Pornim de la stratul subtire de Ti metalic
(90nm) depus peste oxidul subtire de 30nm .
Fotogravura deschidere de contacte (masca #
5)
Metalizare titan /aur (200nm/800nm)

6.4. Exemplu tranzistor EN-FET glucoza

structuri de BioFET
incapsulate
membrana/TiO2 nanostructurat de
40nm

6.5. Tranzistoare Imuno-FET

Tranzistoarele Im-FET (Immuno- Field Effect Transistors),
reprezint acele tranzistoare BioFET care cupleaz pe acelai cip
un tranzistor cu efect de cmp, uzual un MOSFET, cu un element
receptor de tip Anticorp Ac (sau Ab - Antibody).
Aceste biodispozitive capt o specificitate sau selectivitate
superioar tranzistoarelor En-FET, deoarece captarea analitului
de tip Antigen Ag, pe structura receptoare, se face dup un
mecanism strict "lact-cheie", preluat din imunologie.
De obicei membrana responsiv, ce conine Ac, se depune n
spaiul porii tranzistorului FET, astfel nct, prin legarea
analitului Ag de receptorul Ac se produce o modificare de sarcin
electric detectabil la nivelul suprafeei semiconductorului.

6.5. Tranzistoare Imuno-FET

Dei Im-FET-urile au fost propuse conceptual de acum 30 de ani, ele au
fost realizate doar la nivel de laborator, si abia in ultimii 4-5 ani au
capatat amploare in cercetare.
Problemele pe care le ridic construcia unui Im-FET sunt:
- Imobilizarea elementului receptor pe suprafee de tip SiO2, sau Si3N4,
care au suprafee lucioase, este dificil. Oricum, tehnicile de
funcionalizare a suprafeelor, conduc inevitabil la deprtarea
elementului receptor senzitiv (Ac) de suprafaa semiconductorului.
- Apare astfel cea de-a doua problem cu care se confrunt functionarea
biodispozitivelor Im-FET: un rspuns extrem de slab n curent, la
captarea analiilor pe structura receptoare.
- Tehnicile de imobilizare a receptorilor de tip Ac trebuie s nu afecteze
regiunile active, n care leag antigenii.

6.5. Tranzistoare Imuno-FET

Breviar de imunologie
n cursul evoluiei s-au generat
populaii de celule nespecifice
(fagocitele)
i
specifice
(limfocitele: tip B, T i NK), tot
mai eficiente funcional, care
neutralizeaz,
sechestreaz,
diger, sau omoar agenii
infecioi. Numrul limfocitelor
unui adult poate fi de cca. 1012 ,
iar
al
moleculelor
de
Imunoglobulin Ig, de pe
suprafaa lor de cca. 1020.

Limfocit de origine uman vizualizat

microscopic; (b) Anticorpi Ac liberi n form de
"Y" i Ac ataai la receptori, [37].

Imuno-globuline - Ac
Fig. (a) Schema moleculei de Ig n care
se observ: 1 - regiunea Fab, 2 regiunea Fc, 3 - lanul Heavy cu
domeniile constante CH1,2,3 i
domeniul hipervariabil VH, 4 - lanul
Light cu domeniul constant CL i
domeniul hipervariabil VL, 5 - situs
de cuplare a Ag, 6 - regiunea
balama; (b) Imagine 3-D a
moleculei Ig: cele dou lanuri grele
sunt colorate n rou i albastru, iar
cele dou lanuri uoare sunt
colorate n galben i verde.

Imuno-globuline - Ac
Variabilitatea maxim are loc n poziiile aminoacizilor 24-34, 50-55 i 89-97
pentru lanurile L, i n poziiile 30-36, 50-56, 86-91 i 95-100 pentru lanurile
H, numite i regiunile hipervariabile, care determin configuraia spaial a
epitopului. Regiunea balama conine o secven de cca. 15 aminoacizi, n care
sunt grupate toate resturile de cistein, ce formeaz puni S-S intercatenare.
Heterogenitatea izotipic definete variantele biochimice ale Ig, comune
pentru toi indivizii unei specii. Variantele biochimice de clas sau izotipice, se
datoreaz variaiilor secvenei de aminoacizi n regiunea constant a catenei
Heavy H. Exist 5 variante antigenice la Ig uman, notate: IgG, IgM, IgA, IgD i
IgE, fig. b. Aceti anticorpi sunt specifici tuturor indivizilor unei specii.

Fig. b.

6.5. Tranzistoare Imuno-FET

Privitor la modelarea imunosenzorilor, o legatura simpla a unui anticorp cu
antigenul sau este descrisa de urmatoarea reactie chimica:
ka

Ab Ag Ab Ag
kd

Ka

k a Ab Ag

k d AbAg

Fig. Dependenta concentratiei complexului Ag-Ab de concentratia antigenului,

pentru diferite concentraii totale ale anticorpului.

6.5. Tranzistoare Imuno-FET

Exemple de realizari practice ale Im-FET.
Folosirea ISE i a polimerului conductor, polipirol, ca un sistem traductor i
de recunoatere integrat pentru detectori de tip Im-FET de afinitate,
nereactivi, a fost demonstrat de ctre Geoffrey i colab., [41]. Sistemul a
incorporat polipirol ca matrice de imobilizare pentru anticorpul
antiluteinizat (anti-LH), blocat prin electropolimerizare poteniodinamic
din soluia anticorp-monomer. Bio-dispozitivul antigenic rezultat nu
prezint schimbri n parametrii de impedan Bode (|Z| sau ) pe
expunere la LH. Cu toate acestea, urmnd un ciclu redox, apare o
schimbare semnificativ cu privire la vrful de unghi de faz, . Procesul
ciclului redox s-a presupus a avea ca rezultat realinierea catenelor
polimerului conductor urmnd interaciunea anticorp-antigen. Se observ
2 procese de transfer de sarcin cu 3 filme de polipirol, cu ncrcare de
anticorpi, care au fost destinate conduciei polaronice la frecvene reduse
i conducie electronice la frecvene ridicate [41].

6.6. Tranzistoare Microbial-FET

Sunt tranzistoare cu microorganisme, sau cu culturi celulare.
Astfel de senzori pentru glucoz i alcool au fost studiai de
Kitagawa, [48]. Oxidul de poart al tranzistorului a fost
acoperit cu celule de Gluconobacter Suboxidans, ce
convertesc etanolul n acid acetic. Celulele au fost imobilizate
ntr-o pelicul de alginat de calciu i apoi acoperite cu un strat
de nitroceluloz. Tensiunea pe poart a crescut liniar cu
logaritmul concentraiei de etanol, pn la concentraia de 20
mg/l. Timpul de rspuns a fost 10 min. Sub 300C senzorul a
fost stabil peste 40 de ore, [48].

6.6. Tranzistoare Microbial-FET

Un tranzistor Microbial-FET mai recent a combinat nanotehnologii tip nanofire pentru a

realiza un tranzistor nanoWire-FET detector de toxine celulare, [50]. Biodispozitivul conine
6 nanofire de 50nm din polisiliciu dopat, ataate la dou terminale mici de aur, separate una
de cealalt printr-un spaiu de 150nm, ce servete ca arie activ a tranzistorului pentru
detectarea toxinelor bacteriale, fig. 4.19. Afinitatea acestui biodispozitiv la medii celulare s-a
testat cu Enterotoxina B (SEB) a Staphylococcus aureus. Limita de detecie a toxinei SEB a
fost deosebit de sczut, ajungnd pn la 1035fM.

6.6. Tranzistoare Microbial-FET

Modelarea raspunsului unui Microbial-FET.
Se va aplica teorema conduciei electrice neliniare. n acest scop,
pentru rspunsul experimental din fig. 3.18, a fost ales modelul:
a c
f (c)
1 c

Relaia f(c) nu respect condiiile TCEN. De aceea se construiete

funcia auxiliar h(y), cu schimbrile de variabil: h = ln(f), y = ec,
care acum admite asimptote la ambele capete ale domeniului de
definiie.
a ey
h ( y) ln
1 e y

6.6. Tranzistoare Microbial-FET

Fig. 4. Curbe experimentale i analitice pentru rspunsul unui
microbial-FET: (a) necesar depistrii Bacillus S.; (b) necesar
depistrii Trichosporon C.

6.6. Tranzistoare Microbial-FET

Se poate aplica corolarul TCEN pentru determinarea
concentraiei de prag.
yT

1 1
ln

1
cT

1/

Au rezultat urmtorii parametri de model de fitare, [52]:

Pentru Bacillus S: a=18nA/mg, =2.8x10-2(mg/l)-1, =1.
Pentru Trichosporon C: a=15nA/mg, =9.9x10-3(mg/l)-0,94,
=0.94.
Prin aplicarea rezultatului (3.34) au rezultat conform TCEN
urmtoarele concentraii de prag: cT-BacillusS=35,71mgO2/l,
cT-TrichosporonC=135,61mgO2/l.

6.7. Tranzistoare ADN-FET

Tranzistoarele ADN-FET detin ca element biologic incorporat
n poarta unui tranzistor MOSFET fie material genetic ADN
(acid dezoxiribonucleic), fie fragmente din nucleotide.

Fig. 1.Structura ADN cu cele 4 componente;

n ARN, uracilul nlocuiete timina.

6.7. Tranzistoare ADN-FET

Fig. Ilustrarea funcionalizrii suprafeelor n vederea captrii moleculelor
de ADN.

6.7. Tranzistoare ADN-FET

Park reuete fabricarea unui BioFET ce funcioneaz ca detector simultan
pentru proteine specifice i ADN, [57]. Acest lucru este posibil deoarece
proteinele i ADN-ul folosit sunt ncrcate cu sarcin electric pozitiv,
respectiv negativ. Poteniometria este metoda agreat aici pentru a
traduce variaiile de potenial induse de biomolecule n spaiul porii.
Structura FET fabricat n acest scop este prezentat n fig. 4.
Captarea ADN pe poarta tranzistorului MOS s-a fcut pe o pelicul de Aur
depus peste izolatorul de poart. Suprafaa aurului a fost funcionalizat
prin tratare chimic n tehnica SAM (self-assembly mono-layer). Astfel au
fost depuse 2 substane organice peste aur, ce se comport ca nite
elemente receptor pentru moleculele de ADN: acidul 11-Mercaptoundernoic i acidul 3-Mercapto-propionic, [57].
Figura pagina urmatoare.

6.7. Tranzistoare ADN-FET

Fig. (a) Un BioFET apt pentru detecia proteinelor i ADN [57]; (b) un
tranzistor ADN-FET cu nanotuburi de carbon CNT i curbe de curent
obinute [58].
(a)
(b)