Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
DIPOLUL SIMETRIC
4.1. NOIUNI GENERALE
Dipolul simetric este una dintre cele mai simple antene. Se compune din
dou conductoare identice situate de-a lungul unei axe la distan relativ mic
ntre ele (figura 4.1). La capetele apropiate se conecteaz fiderul, prin care se
introduce (emisie) sau se extrage (recepie) energie de nalt frecven.
d
2l
fider
Fig.4.1 Dipolul simetric
Cnd dipolul simetric este folosit ca anten de emisie, sub aciunea
tensiunii aplicate la borne, prin conductoarele lui va trece un curent de nalt
frecven, iar n spaiul nconjurtor vor fi radiate unde electromagnetice. n cazul
dipolului simetric folosit ca anten de recepie, sub influena cmpului
electromagnetic din proximitatea lui, la borne apare o tensiune care prin fider se
transmite la intrarea receptorului.
Din punct de vedere teoretic, se poate obine foarte uor un dipol simetric
dintr-o linie bifilar n gol dac se deplaseaz capetele acesteia la 180 0 n jurul
unctelor BB(fig.5.a) n direcia indicat de sgei.
Sinusoidele
reprezint distribuia curentului de-a lungul liniei bifilare i a dipolului, la un
moment de timp ales arbitrar.
Lungimea l a prilor rabtute ale liniei, n majoritatea cazurilor se alege
egal cu /4, pentru ca s se obin un dipol simetric n /2, adic 2l=/2.
Distana dintre conductoarele liniei, sau ceea ce este acelai lucru, dintre bornele
dipolului (B-B), este considerabil mai mic dect lungimea de und i de aceea
poate fi neglijat.
Dac se rotesc capetele conductoarelor liniei n jurul punctelor A i A,
atunci evident, se obine un dipol cu lungimea 2l=.
Folosindu-se aceast metod se pot obine dipoli cu lungimi oarecare i cu
distribuii ale curentului de-a lungul braelor, diferite. n dipolul simetric n /2
(2l=/2) are loc un proces de oscilaie analog cu cel dintr-un circuit rezonant cu
constante concentrate.
Generator
A,
a)
Generator
A,
b)
C
I
2l
z
0
/4
deci,
I 0 e l
2 sh l
l
I 0e
I0
I
e z e ( 2l z )
d 2shl
2shl
(l z )
e ( l z ) ,
2l=/2
2l=
2l=5/4
y
M
r0
2l
2
Fig.4.5. Determinarea cmpului electric
Pentru deducerea cmpului n punctul ndeprtat M se aplic teorema
superpoziiei, cunoscut din electrotehnic,
30 I 0
E M E1 E2 j
2cosl cos cos l
r0 sin l sin
(4.10)
60 I 0 cosl cos cos l
j
r0
sin
unde I m I 0 / sin l .
Separnd termenii care depind de , rezult funcia de directivitate a
dipolului simeric, i anume:
cos l cos cos l
f ( )
.
(4.11)
sin
2
2
l
, deci
n cazul dipolului simetric n / 2 , l / 4 i l
4 2
funcia sa de directivitate este:
2
.
f
(4.12)
sin
cos
n cazul n care dipolul simetric se afl n apropierea suprafeei Pmntului,
pot fi deosebite urmtoarele situaii: dipolul situat ntr-un plan orizontal la
nlimea h i situat ntr-un plan vertical , avnd centrul de radiaie la nlimea h .
n cazul orizontal , funcia care ine seama de influena pmntului este de
forma
5
(4.13)
f 20 sin h cos
iar n cazul antenei verticale
(4.14)
f 2v cosh cos
n care este unghiul considerat fa de o ax vertical ce trece prin centrul de
radiaie al antenei .
Funia de directivitate a dipolului simetric vertical este
cosl cos cos l
.
(4.15)
g cosh cos
sin
4.4. CARACTERISTICA DE DIRECTIVITATE
Prin reprezentarea grafic a funciei de directivitate , se obine caracteristica
de directivitate. Din relaia (4.11) rezult c n cazul dipolului, caracteristica de
directivitate depinde, pe lng unghiul i de raportul l / .
n figura 4.6 sunt reprezentate caracteristicile de directivitate ale dipolului
simetric pentru diferite valori ale raportului l / .
Se observ din figur c , odat cu creterea raportului , se micoreaz
unghiul de deschidere al caracteristicii de directivitate . n cazul n care l / >0.5 ,
pe lng lobul principal , care are direcia de radiaie maxim perpendicular pe
axa dipolului , apar i lobi secundari , al cror nivel crete odat cu creterea
raportului l / . n cazul l = , lobii secundari devin prepondereni , iar fostul lob
principal dispare complet .
l /4
l /2
l 5/8
a)
b)
c)
Z i R RP Rref j ( X i X ref )
(4.16)
30
d f , sin d
30
2 f 2 , sin d .
30
2
0
(4.17)
....
u
3.3! 5.5!
0
x
cos u 1
x2
x4
(4.20)
Ci x C ln x
du C ln x
....
u
2
.
2
!
4
.
4
!
0
Calculnd pentru cazul particular cnd l / 4 , adic pentru dipolul
simetric n /2, rezult R =73,08 .
Reactana proprie (Xi) poate fi calculat utiliznd relaia de la liniile lungi:
(4.21)
X i jZ c ctgl
unde impedana caracteristic Zc se poate determina cu una din relaiile:
2
(4.22)
Z c 120 ln
0,577
d
(4.23)
Z c 120 ln 0,69
r
LI dz CU
2
z
2
0
dz ,
(4.24)
l
l
/2
/4
x0
0
-x 0
distana l=/4-l , unde reactana dipolului este nul, linia n gol are o reactan
egal cu -X0.
Astfel se poate scrie:
(4.25)
X 0 Z c ctg / 4 l
de unde rezult c
X
1
(4.26)
l arctg 0
Zc
Dac n apropierea dipolului simetric se gsesc obiecte metalice , datorit
crora la borne apare o reactan reflectat (Xref) , relaia (4.26) devine
X 0 X ref
.
(4.27)
Zc
Cu ajutorul relaiilor (4.26) i (4.27) se poate calcula cu ct trebuie scurtat
dipolul simetric pentru ca reactana la bornele lui s fie nul. n cazul dipolului
scurtat, lungimea de und proprie este dat de relaia:
arctg
0 4l0 l ,
(4.28)
hef
dz
,
I0
n care I 0 I m sin l , iar I z I m sin l z , deci:
l
I z dz 2 I m sin (l z )dz 2I m
iar
hef
(4.29)
1 cos l
2 1 cos l 2 l l
tg tg .
sin l
2 2
(4.30)
n cazul dipolului simetric n /2 nlimea efectiv este mai mic dect /2,
hef
(4.31)
10
dat de relaia
(4.34)
(4.35)
cea raportat la
11
Mai sus a fost tratat dipolul simetric de forma unui conductor liniar,
cilindric, tiat la mijloc i alimentat n punctele unde a fost tiat (figura 4.1) .
Pentru a-l deosebi de alte tipuri de dipoli, dipolul obinut astfel a fost numit dipol
tiat.
Din categoria dipolilor tiai mai fac parte i dipolul biconic (figura 4.9.e) ,
dipolul plan (figura 4.9.f) etc.
n practic, n afar de dipolii tiai, care pun probleme grele de prindere i
simetrizare, se folosesc i dipolul buclat (figura 4.9.a), dipolul untat (figura
4.9.c) precum i dipolul combinat (figura 4.9.d).
Dipolul tiat cilindric, dipolul buclat i chiar cel untat se folosesc de obicei
ntr-o band de frecvene relativ ngust n jurul frecvenei de rezonan. Celelalte
tipuri enumerate sunt de band larg .
Studiul impedanei de intrare a dipolilor buclat, untat i combinat se poate
frealiza, cel mai simplu, cu ajutorul metodei teoriei liniilor lungi.
c
a
a b
l1
c
a
b)
a)
c)
2/2
1/2
a b
a
b
e)
d)
b
f)
12
d
d
d
/4
e
e
c e
/4
c
a b
a
a)
b)
c)
13
a
r1
k
1
a
ln
r2
d
d
unde r1 1 i r2 2 .
2
2
ln
(4.38)
/2
/2
d2
d2
a
a b
a b
d1
d1
d
1 q a
ln 2 ln 0,5 1
q
a1
d2
i
q k 1 / 2 .
(4.40)
/2
/2
d2
a
a
d1
a b
d1
a
a
a b
d2
a)
d2
d2
a
/2
d1
a
b
d2
d2
b)
Rab 2200
c)
14
2 ln
k
a a 1
a 1
ln l ln(
)
r1 r1
r1
1 .
a 1 a
ln
ln
r1 r1 1
(4.41)
/2
d2=d1
d1
k=7,3
d2=d1
2r 2 d 2
a)
d2=d1/2
a
k=5,7
d2=d1/2
d1
a
2r1 d1
b)
/2
c)
2r 2 d 2
/2
d)
d2=2 d1
k=9,85
d2=2 d1
a
d1
a
jZ
tg
l
2
2
c
2
15
l1
c
a
l1
a b
a)
l2
b)
(4.45)
sin 2 l1 sin 2 l1
i neglijnd ultimii doi termeni de la numrtor n comparaie cu primul , deoarece
Ri <<Zc , obinem
Z 2 cos2 l1
Zi c
.
(4.46)
73
Din relaia (4.46) se poate observa uor c impedana de intrare a dipolului
untat este activ i se poate modifica n limite largi prin deplasarea punctelor c-d
ale fiderului . Dipolul untat , ca i dipolul buclat , are punct de potenial nul la
mijlocul distanei c-d , putnd fi deci fixat n acest punct .
4.9.3. DIPOLUL COMBINAT
Dipolul combinat (figura 4.9.d) este o combinaie de dipol simetric buclat cu
dipol untat. La lungimea de und 1 el este buclat, iar la lungimea de und 2
untat. Alegnd numrul conductoarelor i lungimea lor, se poate face impedana
de intrare egal n ambele cazuri. Dac se realizeaz dipolul cu impedan
caracteristic mic , se poate obine o modificare nensemnat a impedanei de
intrare ntr-o band larg de frecvene.
16
(2.47)
Z c.bic. 276 lg ctg
2
R 60 f 2 , sin d ,
(2.49)
iar
X 60Si 2l 30Ci 4l ln l C sin 2l 30Si 4l cos 2l . (2.50)
Parametrii i l i schema echivalent a dipolului biconic sunt prezentate n
figura 4.15.
l
l
a
Zs
b
Z ab Z c.bic.
17
(2.51)