Solutiileconstructivepentrusenzoriisitraductoriimicromecanicisedeosebescdeceleutilizatefrecventastazi.

Pentru ca motivul principal al micrometizarii este acela al integrarii senzorilor in structuri comune cu
sistemeleelectronicedeprelucrare a semnalelor,unul dinmaterialele cele maiutilizatepentruconfectionarealoreste
siliciulmonocristalin
.
Analog cu prelucrarile mecanice caretransformasemifabricatelein piesede diferiteforme si profile,totasa
microprelucrarea siliciului monocristalin permite obtinerea cavitatilor elasticedetipul arcurilorlamelaresaual
arcurilorspiraleplanedubleetc.
Producerea acestor forme se bazeaza pe eroziune chimica umeda, selectiva, anizotropa si cu influentarea
formeiprindopajcontrolatalmaterialuluidincaresuntconfectionate.
Selectivitateasianizotropia sunt exploatateinprocesultehnologicderealizareamicrostructurilorinsensulca
potfi selectate materialelestraturilorde structurare si solutiiledeatac,astfel incat actiunilesa fie convergentesau
divergente pe baza anizotropiei recunoscute a materialelor cristaline poate fi accentuata sau diminuata tendintade
corodare,prinorientareacorespunzatoareacristalului.

Anizotropia
Anizotropia este capacitatea materialelor cristaline de a prezenta comportari sau proprietati fizice diferite,
functiededistributiapreferentialaaatomilorsaumoleculelorinspatiu.
In procesul configurarii unei microstructuri prin eroziune chimica cu diferite substante, comportarea
materialuluidifera,putandoscila,teoretic,intreoizotropiesianizotropietotalesauideale.
Anizotropiapoatefiexprimataprintrorelatieincareraportuldintremarimeacorodariipedirectiadeactiunea
substantei de corodare, care reprezinta adancimea corodariihsimarimea corodariipedirectiaperpendicularala, care
reprezintaatacullateral,e:
A=1e/h
Figura 6.1 infatiseaza cele doua situatii ideale: cand A =0,pentru corodarea totalizotropa si A= 1,pentru
corodaretotalanizotropa.
Inrealitateoriceprocesdecorodareestecaracterizatdeunanumegraddeanizotropie,deci:
0<A
real
<1
Cateva notiuni de cristalografie (fig. 6.2) sunt necesare, pentru ca intreaga tehnologie a structurilor
micromecaniceinsiliciumonocristalinsebazeazapeanizotropiacristalinaaacestuia.
Este cunoscut faptul ca materialele cristaline sunt structurate in
14 retele tridemensionale de cristalizare
(Bravais),provenind din
7sistemecristalinedebaza
,a carorunica
celulaelementaraesteunpoliedrucu6fetede
forma unui patrulater, 12muchii si 8varfuricele7 sisteme cristaline debazaprovin din diferentacarepoateexista
intrelaturilea,b,calepoliedrului
constanteleretelei
,casiintreunghiuriledintrelaturi..............
Pentru notarea
varfurilor sau
nodurilor retelei se foloseste sistemul de coordonate al celulei elementare,
coordonatele nodurilor fiindexprimatein indicicarearata valoarearaportuluiintrepozitiarealaanoduluisiconstanta
retelei,consideratacavaloareunitara.

Exemplede
noduri
alereteleicristaline:000,100,010,001,110,101,011,111.

Sau,pentrureteauacubicacufetecentrare,coordonatelecentrelorcelorsasefetevorfi:
0,0,0,1,1,1.
Directiile cristaline sunt determinate de drepte care contin cel putin doua noduri. O directie
cristalina este definita prin indici intregi corespunzatori coordonatelor nodului care prin unire cu originea
celuleielementaredeterminadirectiaindiciisuntintrodusiinparantezepatrate[].

Exemplede
directii
alereteleicristaline:

[1

11]estedirectiaobtinutaprinunireaorigineiceluleielementare cunodul111

[1

11]estedirectiaobtinuraprinunireaorigineiceluleielementare cunodul acaruicoordonata

c
este insenscontrarcoordonateidereferinta.

Totalitatea
directiilorechivalente
dinreteauacristalinasenoteazacuparantezeunghiulare<>.
Deexemplu,pentrusistemulcubic,diagonalelefetelorcubuluiformeazamultimeadirectiilorechivalente:
<110>=[110],[110],[110],[110],[101],[101],[101],[011],[011],[011],[011]
Infigura6.2dpoatefivazutamultimeadirectiilorechivalentealediagonalelor<111>pentrucelula
elementareasistemuluicubic:
<111>=[111],[111],[111],[111],[111],[111],[111],[111].
Planulcristalin
estedeterminatdetreinodurialereteleisiestenotalprinindiciiMiler(h,k,l)introdusiin
parantezerotunde().
IndiciiMillerseobtindinraportul:

/CoordonatapunctuluiIcareplanulcristalinintersecteazaaxasau

axeleceluleielementare.

Figura6.2e,esteunexemplugeneraldeobtinereaindiciilorMillersau,pentrusistemulcubicfig.6.2f,
notareaplanuluicarecuprindefetelecubului(100),aplanuluicarecuprindediagonalelefetelor(110)siaplanului
carecuprindediagonalacubului(111).
Planeleechivalente
senoteazacuacolade{}.
Deexemplu,toatefeteleceluleielementarealesistemuluicubicformeazaplaneleechivalente{100}.
{100}=(100),(010),(001),(100),(010),(001)
Profileledecorodare
obtinuteprineroziunechimicapotfidiferitefunctiedecorelareaanizotropieisubstantei
deataccuanizotropiamaterialuluidestructurare.
Siliciulcristalizeazainsistemulcubicsiarestructuradiamantului.Celulasaelementaraesteunoctaedru
limitatdefamiliadeplane{111}(fig.6.4)siasaseexplicaunghiurileformatedeperetiiinclinatiaicavitatilorcu
planurile(100)/(110)/(111),dupacaresuntdebitateplacheteleincareseformeazacavitatilesaucanalele.
Astfel,eroziuneachimicaanizotropaformeazapesuprafatauneiplachetedebitatadupaplanul(100),cavitati

cuconturulunuipatrulatercuunghiuridrepte,aicaruiperetilateraliformeazacuplanul(100)unghiuride54,74grade
(fig.6.3aI).Adancimeaacestorcavitatiestelimitatadeintersectiaplanelor(111)carestopeazaactiuneasubstantei
deatacdeaceea,latimea1siadancimeahaleuneicavitatipiramidalesuntdependenteunadecealalta:
l/h=2.
Orientareamastii
inraportcuplanelecristalineinfluenteazaatatformacavitatiicatsicapacitateaderealizare
astructurilorsuspendatedetipulgrindasaumicropunterezonanta(fig.6.3g,h).Deaceea,orientareaplacheteide
siliciuprintesire,inprimeleoperatiideprelucraremecanica,estecuatatmaiimportantalaobtinereastructurilor
micromecanice.
Orientareasaueroareadeorientareamastiipedirectiaplachetei(100)vaduce,oricum,laaparitiacavitatilor
piramidalecuperetiinclinati(fig6.5a).Peplacheta(110)corodareaanizotropavaducelaaparitiaunuicontur
paralelipipedic(fig.6.5b),cuunhiurilede:70,5gradesi109,5grade,formatedeplanele{111},aleperetilorverticali.
Pentruobtinereastructurilorsuspendate,orientarealorpelungimetrebuiesatinacontincadinproiectarede
evolutiacorodariidealungulplanelorcristaline(fig.6.6).Laplachetele(100),(fig6.6a)desprindereastructuriide
substratesteasiguratadaca0>arctg1/L[6.6]intimpceplachetele(110)(fig.6.6b)desprindereastructuriiorientate
perpendicularpeplanulinclinat(111)esteposibilanumaidaca:
1/L<tg(9070,5)=0,354[6.5].
Oposibilitatedeapuneinevidentacomportareaanizotropaasiliciuluimonocristalinesteoferitadecorodarea
uneisferedinsiliciumonocristalinintrosolutiesecifica:deexempluC
s
OH[6.9]autoriiauprelucratmecanicosfera
cudiametrulde~6mmsirugozitateasuprafeteimaimicade5......,cuabaterideformamaimicide3..Inurma
spalariicuapadeionizata,introbaieactivacuultrasunete,sferaafostintrodusaintrocuvacusolutieapoasa40%de
C
s
OH,latemperaturade50gradeC.
Dupa24deoredecorodare,probaacapatatoformadodecaedricacu14varfurisi12fete.Varfurilerezultala
interferentaatreisaupatrufete,functiedeorientareacristalinaaacestora.Sepoatedetermina,astfel,experimental,
directiaceleimaimariratedecorodarepentruanumiteconditiitehnologice(naturachimicasiconcentratiasolutiei,
temperatura).
Incazulexperimentuluiprezentatsaconchisca:

cea

maimareratadecorodareoprezintaplanele{110}

rata

decorodareaplanelor{311}estemaimaredecatla{111}si{100},

darmaimicadecatla{110}.

Selectivitateaprocesuluidecorodare
SelectivitateaSaprocesuluidecorodareinseamnaraportuldintreratadecorodareastratuluidestructurare,
R
s
siratadecorodareamaterialuluimastiisauastratuluidestopareacorodariiR
x
.
Laobtinereamicrostructurilorseutilizeaza,deobicei,ca
materialdestructurare
siliciullpentru
masti
se
recomanda:Si0
2
Si
3
N
4
AuCrTaMofotosauelectronorezistca
stratdestopare
acorodariisepoateutiliza:
Si
3
N
4
siliciuldopat.
Diferitesolutiideatacdacaseiaindiscutienumaicorodareaumedadauratediferitedecorodarepentru
straturileSi0
2
,Si
3
N
4
,diferitemetalecaAl,Au,siliciudopat,sicarediferafataderatadecorodareasiliciuluipur.De
exemplu,estestiutastazicastraturisaunumaizonedinsiliciuputernicdopatecuborasiguraratefoartemicide

corodareinraportcusiliciulnedopataceastaproprietateesteutilizatapentruastapanimaiusoradancimeade
corodare,prinrealizareaunuistratdestopareacorodariisubstratulacaruigrosimevareprezentachiaradancimea
structuriideobtinut(fig.6.7).
Pentruobtinereauneistructurideadancimeh,sepornestedelaunsubstratdinmaterialuldestructurare,de
grosimemaimica(fig.6.7a)alcaruistratsuperficialestedopatcuunelementcarereducemultratadecorodarea
materialuluidestructurare(fig.6.7b)dupacrestereepitaxialacugrosimeah(fig.6.7c)siaplicareamastii(fig.6.7
d),princorodareinzoneledescoperitedemascaseobtinestructuradorita,acareiadancimehvaficonditionatade
stratulde
stopare
(fig.6.7e).
Pentrucaefectelecorodariimastiiasupradimensiunilormicrostructuriisafiecatmaimici,serecomandaca
raportul:
S=R
S
/R
x
safiecatmaimare.
Inacestraport,ratadecorodareminimaesteconsideratadreptvaloareunitaradereferinta.
Selectivitatea
poatefiinfluentata,inprincipal,prindoifactori:compozitiasubstanteideatacsitemperatura
baii.Pentrucomparare,intabelul6.1sedaucatevasolutiidecorodarepentrumaterialeleuzualfolositelarealizarea
micostructurilor.
Deexemplu,selectivitateasolutieiBHFutilizatalacorodareaSiO
2
estedeosebitdemareinraportcusiliciul:
R
siO
2
/R
si
~100
ceeacefaceca,dupacorodareaintregiiadancimiamastiideSiO
2
,stratuldescoperitdeSisa
actionezecaunstratdestopare.
Dealtfel,peselectivitatesebazeazasiutilizareastraturilordesacrificiuacarornaturasicompozitiesealege
astfel,incatsaleasigureoratamaximadecorodareinraportcumaterialulstructuriimicromecanice.

Efectelecorelariianizotropieicuselectivitatea
Infigura6.8sepoatevedeacearinsemnacorelareaselectivitatiiidealecuanizotropiaidealalaobtinereaunui
profilcaracterizatprintrodimensiuneinplan
d
sioadancime
h
.
Pentrutoatesituatiileprezentateseconsideracaselectivitateasubstanteideatacestemaximafatade
materialuldestructuraresineglijabilafatadestratuldestopare.
Infigura6.8a,structuracudimensiuniledsihcorespundedimensiunilormastiisirespectivgrosimii
stratuluiadaugat,dacaselectivitateasubstanteideatacestemaximapentrumaterialuldestructurare(S
MS
=max),si
nulapentrumaterialulmastii(S
M
=0),iarprocesulesteperfectanizotrop(A=1).
Infigura6.8b,procesuldecorodaresecaracterizeazaprin:S
MS
=maxS
M
=0A=0,deoarecesubstantade
ataclucreazauniformatatinadancimecatsilateral,submasca.
Infigura6.8c,substantadeatacactioneazasiasupramaterialuluimastiireducanduigrosimeasimodificand
dimensiuneademascarecuatacullaterale:S
MS
=aS
M
=1(a>1)A=1.
Infigura6.8d,sevederezultatulunuiprocescu:S
M
=0S
MS
=max0<A<1formastructuriirezultateeste
posibilalamaterialelecristaline,debitatedupaanumiteplanedecristalizare,care,cucatsuntmaidensecuatatsunt
maigreudecorodat.
Deexemplu,incazulsiliciuluiratadecorodareesteminimapentrudirectiile<111>,cevamaimarepentru
directiile<110>simaximapentru<100>

Aplicatii:Membrane
In structura microvalvelor cu trei cai (fig. 6.11 a), a microcapsulelor aneroide (fig. 6.11 b) sau a
micropompelor (fig.6.11c), intraunelementconstructivcomun:omembranaacareielasticitatesedatoreazavariatiei
grosimiisale dupa un profilcarepoate fi obtinutprincorodare anizotropaoperatia seaplicapeambelesuprafeteale
placheteide siliciu,introsinguraetapadecorodare sau doua, dupa cumadancimeadecorodareesteegalapeambele
suprafete,respectivinegala.
Pentruformadinfig.6.12suntnecesare chiar trei operatii de corodare(fig. 6.12 b,d,f)peadancimidiferite
h1,h2,h3cutreimastidiferitedeSiO
2
,ceeacepresupunetreioperatiideoxidareconfigurare(fig.6.12a,c,e).
GrosimeastratuluideSiO
2
estede~1,5.CorodareasefacecuKOH33%,la80degradeC.
Ansamblarea membranelor intre ele se poate faceprinsudare anodifaccuoplacutadesticlaPyrexsauprin
intermediulunuistratdesticla Pyrex cugrosimeade~0,4. depus prin pulverizareinplasmareactiva(O
2/Ar)si
configuratprinmascadeSi
3
N
4
,inainteamicroprelucrariiplachetelor.
Principaleledezavantajealemembranelorastfelobtinutesunt

concetrarea

detensiunicareaparlatrecereadelagrosimeasubstratuluila grosimeamembranei

forma membraneiesteconditionatadedirectiileplanelorcristalinelde
membranelorsuntdeformapatratasauin

aceea

majoritatea

generalcuconturdeterminatdedirectiilecristaline.

Acesteneajunsuri pot fievitatedacaseexploateazaproprietateadeselectivitateasubstantelordeatac,functie

dedopajulsiliciuluimonocristalin,inzonaundesedoresteunanumitcontursau/sisectiuneamembranei.
Operatia se poate face prin difuzarea sau / si implantarea ionica locala de ioni care reducdrasticviteza de
corodare in zona de interes selectarea zonelor de impurificare in plan se face prin masca, iar adancimea prin
cantitateadeioniindusainsubstrat.
Au fost astfel obtinute membrane profilate in sectiune (fig. 6.13 a) sau cu contur circular (fig. 6.13 b), cu
trecerilentespregrosimilemici.Aufostutilizateplachetedesiliciu(100)prelucratepeambelesuprafete.
Sauaplicatdouadifuziiselective:peadancimeade12(primadifuzie)si3(adouadifuzie),pesuprafata
A.Inurmacorodariianizotrope pe suprafata B realizata introsinguraoperatieaufostobtinutemembranecugrosimi
cevamaimaridecatadancimilededopare:15si,respectiv5