Tiristoare . Principiul de funcionare. Parametrii de baz. Deducerea caracteristicii voltamperice din modelul a dou tranzistoare bipolare.Utilizarea.

Teristoare snt numite o familie de dispozitive semiconductoare, care au propriiti

bistabile i pot trece dintr-o stare n alta. ntr-o stare tiristorul are o inpedan mare i cureni
mici (stare nchis), n alt stare teristorul are inpedana mic i cureni mari (starea deschis).
Principiul de lucru a teristorului este stns legat de lucrul a tranzistorului, n care la fel elictronii
i goluri particip la mecanizmul de conducie.
p1 n1

Anod

J1

n2

J2

p2 Catod

J3

Fig
.2

Fig.1
Schema structural a tiristorului esta
prezintat n fig.1
Teristorul prezint un coatripol p-n-p-n care are trei jonciuni p-n legate consicutiv
J1,J2,J3. Contacul cu stratul exterior de tip-p este numit anod,
iar contactul cu stratul exterior de tip-n catodul .
n cazul general p-n-p-n structura poate avea dou borne de comand . n cazul dipolului cnd
lipsesc bornile de comand dispozitivul este numit dinistor. Structura p-n-p-n cu o singur
born de comand este numit tiristor sau triod.
n fig.2 este prezintat distribuia concentraiei a inpuritilor n straturile din care este
forma teristorul. n calitate de material de baz este folosit semiconductor de tip-n. Prin metoda
de difuzie pe ambele pari a suportului ( materialului
p1 n1
n2 p2
de baz) se formez straturile de tip-p [p 1,p2]. n
ultima faz pe unul din straturi se formeaz stratul n 2
prin metoda de aliere sau difuzie.
n fig.3 este prezintat caracteristica V-A
teristorului fr aplicarea tensiunii la grila de
comand. Poriunea 0-1 corespunde cu starea nchis
1020
cu inpedana nalt. Trecirea teristorului n starea de
schis se realizeaz cu condiia dU/dI=0; Acestei stri
1018
corespunde tensiunea UBF i curentul de conectare Is.
ntre punctile 1 i 2 este poriunea a
1016
caracteristicii cu inpedana negativ;
14
10
poriunea ntre punctile 2 i 3 corespunde
strii deschise. n punctul 2 unde dU/dI=0,
prin tiristor curge curentul minim de reinere
Ih
Ih crui corespunde tensiunea minm Uh.
UBR
Is
Poriunea ntre 0 i 4 corespunde cu starea
nchis a teristorului la polarizarea invers.
Uh
UBF
Poriunea 4-5 corespunde regimului de
strpungere.

Co
nce
ntr
aia
imp
2
urit
il
or,
cm-

Fig
.3

Astfel tiristorul n regiunea de polarizrii directe este un eliment bistabil, care posed
proprietatea de trecere dintr-o stare deschis n alta nchis.
Regim de polarizare invers
n regim de blocare invers la anod este aplicat un potenial mai mic de ct la catod, ca rezulta
jonciunea J1, j3 snt polarizate invers. Dac distribuia concentraiei a inpuritilor este ca n
fig.2 atunci cea mai mare parte a tensiunii este aplicat pe jonciunea J 1. ndependen de
grosimea stratului n1 spargerea este cauzat de multeplicarea prin avalan sau prinspargere
(are loc contopirea sarcinilor spaiale a jonciunilor J1 i J2).
Regim de blocare direct
n regim de blocare direct, la anodul este aplicat un potenial mai mare de ct pe catod,
ca rezultat avem J1 i J3 snt polarizate direct. Cea mai mare parte a tensiunii cade pe jonciunea
IC=IE+IC0

IK

Ig

IB2

IK

IE

IB2
IB=IE(1-)-I
C0

IC1

IC1

Ig
Fig.6c

Fig.6b

IA

IB1=IC2

p
n
IB1=IC2

p
IA

Fig.6a

J2.
Pentru analiza procesilor tranzitorii n tiristor la polarizarea direct, este folosit modelul
a dou tranzistoare.
Din fig. 6a putem vedea c tiristorul poate fi analizat ca un cuplu de tranzistoare p-n-p i
n-p-n. Jonciunea J2 prezint un colector de goluri injectai de J1 i a elictronilor injectai de J3.
Depindenile curenilor emitorului, colectorului i a bazei i coeficientului de amlificare
pentru tranzistorul p-n-p este dat n fig.6c unde I c0 curentul invers de saturaie a jonciunii
colector-baz.
Din fig. 6b se vede c curentul colectorului a tranzistorului n-p-neste deasemenea
curentului bazei a tranzistorului p-n-p. Deasemenea curentul colectorului a tranzistorului p-n-p
i curentul de comand Ig ntr n baza tranzistorului n-p-n.
Ca rezultat dac coeficientul comun de amplifcare va fi mai mare ca 1 va fi posibil
procesul de reginirare.
Curentul bazei tranz. p-n-p este
Ib1=(1-1)IA-Ic01
Curentul colectorului tranz. n-p-n este
Ic2=2IK+Ic02
2

1
2
C
~

RS

R
Egaliznd Ib1 i Ic2
Ib1=Ic2;
(1-1)IAIc01=2IK+Ic02;
IK=IA+Ig;
IA

2I g I c01 I c02
1 (1 2 )

Ecuaia de mai sus

descrie
caracteristicile
Ih
UBR
statice a dispozitivului n
Is
domeniu
tensiunilor
U
Uh
inclusiv i cele de
ISC
stpungere.
UBF
Dup
spargere
dispozitivul lucreaz ca
dioda PIN, pn cnd
inegalitatea este mai mic ca unu IA este mic (1+2)<1.
Cnd 1+2=1 numrtorul se transform n zero ce corespunde cu strpungere.
Parametrii de baz a tiristorului.
UBF tensiunea de prag
Is curentul de conectare
Uh tensiunea tensiunea minim n starea deschis
Ih curentul minim de meninere a starea deschis
UBRtensiunea de strpungere
ISC curentul de scurgere
Utilizarea
Tiristoare pe larg se utilizeaz n redresoare comandate, stabilizatoare de tensiune, i
elimente comutare n sisteme de reglaj.
n figura de mai jos este prezintat schema de utilizare a teristorului n calitate de eliment
de redresare.

Schema funcioneaz astfel, curentul trece prin sacina tiristorului numai atuci cnd
tensiunea pe anod i tensiunea pe grila de comand au aceleai valoari pozitive. La aplicarea
tiristorului tensiunii sinusoidale, prin sarcina tiristorului va curge curentul numai ntro semi
perioad(redrisor n monoalternan). Dac grila de comand este condus de tensiunea
sinusoidal, atuci timpul n care tiristorul este deschis va depinde de defazajul ntre tensiunea pe
anod i gril, dac defazajul este egal cu zero atunci tiristorul conduce ntreaga semi perioada
pozitiv. Dac defazajul ntre tensiunile se mrete atuci timpul n care tiristorul este deschis se
micoreaz, deacea c timpul n care tensiunea pe anod i la gril este pozitiv n acelai
moment de timp se micoreaz.
Ca rezultat modificarea defazjului permite reglarea mrimii curentului prin sarcin.