Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
An2 Dispozitive-Electronice
An2 Dispozitive-Electronice
2 of 3
1.1.
(5p)
In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2 VT=1,8V si =0,01/V S G
D 0 2 0,15 Transistorul este:
A) in zona activa(cvasiliniara)
B) in zona de rezistenta variabila
C) in saturatie
D) in blocare
2.1.
In circuitul din figura curentul prin dioda Zener este:
(10p)
A) Iz=0;
B) Iz=((Vcc-V)/R2)-ID1.
C) Iz=Io;
3.1.
(6p)
D) Iz=((Vcc-V)/R2)-Io
n circuitul din figur jonciunea baz-colector a tranzistorului este ntrerupt. Celalt jonciune este functionala. Tensiunea pe
colectorul tranzistorului este:
A) 0.2V
B) 0V
C) 15V
D) 9.3V
4.1.
(6p)
LD Tensiunea masurata la bornele unei diode redresoare este 0,7V Dioda este polarizata :
A) fie in strapungere fie in conductie
B) fie in strapungere fie in blocare
C) in blocare
D) in conductie
5.1.
(6p)
6.1.
(6p)
7.1.
(6p)
05.01.2011 15:44
Proiect
3 of 3
A) RG1;
B) RG1 // RG2;
C) .
D) RG2;
05.01.2011 15:44