Lucrarea nr.

ETAJE FUNDAMENTALE DE AMPLIFICARE

4.1. Scopul lucrrii

Se studiaz caracteristicile etajelor fundamentale de amplificare cu tranzistoare bipolare
(TB) n conexiunile: emitor comun (EC), sarcin distribuit i colector comun, i cu tranzistoare cu
efect de cmp (TEC) n conexiunile surs comun (SC) i dren comun (DC).

4.5. Desfurarea lucrrii

4.5.1 Etajul de amplificare cu TB n conexiunea emitor comun (EC)
VC C

VC C

VC C
12Vdc

Se deschide un proiect pentru analiz n

mediul ORCAD i se deseneaz schema din fig.
4.9.

R C
4k

R 1
100k

C 2
Q 1

C 1
47u

1m Vac

Se seteaz parametrii pentru analiza de

curent alternativ, folosind descrierea de mai jos:

47u
BC 108C

Vi
R 2
100k

0Vdc

C 3
470u

R E
5 .2 k

R L
4k

Fig. 4.9. Etaj de amplificare cu TB n conexiunea EC

PSpiceEdit Simulation Profile
AC Sweep/Noise
General Settings

AC Sweep Type
Logarithmic
Decade Start Frequency:

End Frequency: 1G

Points/Decade: 100

Se determin PSF-ul pentru Q1 i se noteaz: VBE =6.62E-01 , VCE =2.76E+00 i IC = 1.00E-03.

Amplificarea n tensiune
Se vizualizeaz amplificarea n tensiune funcie de frecven, V(RL:1)/V(Vi:+) i se
salveaz ntr-un document WORD. Folosind explicaiile din seciunea 4.2 se determin banda de
frecven a amplificatorului (banda la 3 dB): fj = 12,12Hz, fs =26,7MHz.
Se determin din graficul obinut amplificarea n tensiune pentru f= 1 kHz i se noteaz:

av,sim f 1kHz 72,67

Se calculeaz amplificarea n tensiune, av,calc = .. cu relaia (4.5) i se compar cu cea
obinut prin simulare.

av gm ( RC || RL ) =-80
80

40

0
1.0Hz
10Hz
V(RL:2) / V(Vi:+)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz
Frequency

Rezistena de intrare
2

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

Se vizualizeaz rezistena de intrare n c.a.: V(Vi:+)/I(C1), se salveaz ntr-un document

Ri,sim f 1kHz 46,6 kOhm

WORD i se noteaz valoarea acesteia pentru f= 1 kHz:

calculeaz Ri,calc = . cu relaia (4.2) i se compar cele dou rezultate obinute.

. . Se

Not: Pentru calculul parametrului hie se va folosii hfe = = 510.

RBB ( R1 || R2 )

Ri

R1 R2 100k *100k

50k
R1 R2
200k

vi
50 * 510
RBB || hie hie
45,55k
ii
50 510

hie
, unde

gm

g m 40 I C
(4.2)

50K

25K

0
1.0Hz
10Hz
V(Vi:+) / I(C1)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz
Frequency

Amplificarea n curent

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

Se vizualizeaz amplificarea n curent: I(RL)/I(C1), se salveaz ntr-un document WORD

ai ,sim f 1kHz 189,3

i se noteaz valoarea acesteia pentru f= 1 kHz:

cu relaia (4.19) i se compar cele dou rezultate obinute.

. Se calculeaz ai,calc = 0,443

4.5.2. Etajul de amplificare cu TB n conexiunea sarcin distribuit (SD)

Se elimin condensatoarele C2, i C3 i rezistorul RL din schema amplificatorului din fig.

4.9. Se obine astfel un amplificator n conexiunea SD ca cel din fig. 4.4.
Se reiau etapele descrise la seciunea 4.3.1, pentru calcularea: av, Ri, i ai folosindu-se

relaiile: (4.7), (4.12) i (4.14). Se va considera

Se noteaz:

av,sim f 1kHz 0,76

Ri ,sim f 1kHz 48,8k

ai,sim f 1kHz 9,3

.,

hoe1

>>RC.

av,calc 0,76

Ri,calc = 49,22 k

ai,calc 9,3

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7
1.0Hz
10Hz
V(RC:1) / V(Vi:+)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

Frequency

av,sim f 1kHz V(RC1)/V(V i : +) = 0,76

av

RC
1
RE
gm

RC
4k

0,76
RE
5,2k

60K

40K

20K

0
1.0Hz
10Hz
V(Vi:+) / I(C1)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz
Frequency

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

Ri,sim f 1kHz 48,8k

Ri

vi
50 * (510 5,2 * 511) 158360
RBB || Ri ,T RBB || [hie (h fe 1) RE ]

49,22k
ii
50 3167,2
3217,2

10

0
1.0Hz
10Hz
I(RC) / I(C1)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

Frequency

ai,sim f 1kHz 9,3

io ib ic io
hoe1
hoe1
RB
RB
ai
h fe 1

h fe 1
9,3
ii ii ib ic RB Ri ,T
hoe RC RB hie (h fe 1) RE
hoe RC
VC C

4.5.3. Etajul de amplificare cu TB n

conexiunea colector comun (CC) sau
repetor pe emitor

VC C

VC C
12Vdc

R 1
100k

Q 1
BC 108C

C 1

C 2

47u

47u

1m Vac Vi
R 2
100k

0Vdc

6
0

R E
5 .2 k

R L
4k

Fig. 4.10. Etaj de amplificare cu TB n conexiunea CC

Se deschide un proiect pentru analiz n mediul ORCAD i se deseneaz schema din fig.
4.10.
Se realizeaz o analiz de c.a. ca la seciunea 4.5.1.
Se determin PSF-ul pentru Q1 i se noteaz:
VBE = 6.62E-01, VCE = 2.76E+00 i IC = 1.00E-03 .

Amplificarea n tensiune
Se vizualizeaz amplificarea n tensiune funcie de frecven, V(RL:1)/V(Vi:+) i se
salveaz ntr-un document WORD. Se determin banda de frecven a amplificatorului (banda la
3 dB): fj = 26,83Hz, fs = -Hz.
Se determin din graficul obinut amplificarea n tensiune pentru f= 1 kHz i se noteaz:

av,sim f 1kHz V(RL : 2)/V(Vi+) = 986,432

Se calculeaz amplificarea n tensiune, av,calc = cu relaia (4.18) i se compar cu cea
obinut prin simulare.

av

(h fe 1) ib ( RE || RL )
vo
( RE || RL )
5,2 * 4 / 5,2 4
2,26

0,08
vi hie ib (h fe 1) ib ( RE || RL ) 1
25 5,2 * 4 / 5,2 4 27,26
( RE || RL )
gm
(4.18)

Rezistena de intrare
Se vizualizeaz rezistena de intrare n c.a.: V(Vi:+)/I(C1), se salveaz ntr-un document

Ri,sim f 1kHz 47,54 k

WORD i se noteaz valoarea acesteia pentru f= 1 kHz:

. . Se
calculeaz Ri,calc cu relaia (4.15), Ri,calc = .. i se compar cele dou rezultate obinute.

Not: Pentru calculul parametrului hie se va folosii hfe = = 510.

Ri

vi
50 * (510 511(5,2 * 4 / 5,2 4) 83243
RBB || Ri ,T RBB || [hie (h fe 1) ( RE || RL )]

48,56k
ii
50 1664
1714

60K

40K

20K

0
1.0Hz
10Hz
V(Vi:+) / I(C1)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

Frequency

Amplificarea n curent
Se vizualizeaz amplificarea n curent: I(RL)/I(C1), se salveaz ntr-un document WORD

ai,sim f 1kHz I(RL)/I(IC ) = 11,72

i se noteaz valoarea acesteia pentru f= 1 kHz:

calculeaz ai,calc = . cu relaia (4.19) i se compar cele dou rezultate obinute.

. . Se

12

0
1.0Hz
10Hz
I(RL) / I(C1)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

Frequency

i i i i
RB
R
ai o b e o
(h fe 1) (1) E 11,72
ii ii ib ie RB Ri ,T
RE R L

(4.19)

4.5.4. Etajul de amplificare cu TEC-MOS n conexiunea surs comun

Se deschide un proiect pentru analiz n mediul

ORCAD i se deseneaz schema din fig. 4.11.

VD D

VD D
VC C
12Vdc

Se realizeaz o analiz de c.a. ca la seciunea 4.5.1.

R 1
30M EG

R D
5k

100u

C 1

Se determin PSF-ul pentru M1 i se noteaz:

M 1
M 2N 7000

100n

VGS = -1.41E-29 , VDS = -5.64E-29 i ID = -0.00E+00 .

Vi
1m Vac
0Vdc

R 2
10M EG

Amplificarea n tensiune

C 3

C 2

R S
1k

R L
5k

220u

Fig. 4.11. Etaj de amplificare cu

TEC-MOS n conexiunea SC

Se vizualizeaz amplificarea n tensiune funcie de frecven, V(RL:1)/V(Vi:+) i se

salveaz ntr-un document WORD. Se determin banda de frecven a amplificatorului (banda la
3 dB):
fj = ..Hz, fs = ..Hz.
Se determin din graficul obinut amplificarea n tensiune pentru f= 1 kHz i se noteaz:

av,sim f 1kHz V(RL : 2)/V(Vi+) = 168,35

Se calculeaz amplificarea n tensiune, av,calc = cu relaia (4.22) i se compar cu cea
obinut prin simulare. Pentru determinarea parametrului se va folosii ecuaia de dispozitiv:

I D VGS VT 510 * (-1.41E - 29 - 1,73) 2

2

i datele din PSF. Tensiunea de prag pentru acest tranzistor este: VT = 1,73 V.

av

vo
g m ( rds || RD || RL ) g m ( RD || RL )
vi

, n care

g m 2 VGS VT

(4.22)

Rezistena de intrare
Se vizualizeaz rezistena de intrare n c.a.: V(Vi:+)/I(C1), se salveaz ntr-un document

WORD i se noteaz valoarea acesteia pentru f= 1 kHz:

Ri,sim f 1kHz 7,668M

..

Se calculeaz Ri,calc cu relaia (4.20), Ri,calc = .. i se compar cele dou rezultate

obinute.

10

8.0M

6.0M

4.0M

2.0M

0
1.0Hz
10Hz
V(Vi:+) / I(C1)

Ri

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

Frequency

vi
30 *10
RGG R1 || R2
7,5M
ii
40
Amplificarea n curent
Se vizualizeaz amplificarea n curent: I(RL)/I(C1), se salveaz ntr-un document WORD

ai,sim f 1kHz 211,946

i se noteaz valoarea acesteia pentru f= 1 kHz:

..

300m

200m

100m

0
1.0Hz
10Hz
I(RL) / I(C1)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz
Frequency

11

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

4.5.5. Etajul de amplificare cu TEC-MOS n

conexiunea dren comun

VD D

VD D
VC C
12Vdc

R 1
30M EG

0
C 1

Se modific n proiectul anterior schema amplificatorului

astfel nct s corespund cu cea din fig. 4.12.
Se realizeaz o analiz de c.a. ca la seciunea 4.5.1.
Se determin PSF-ul pentru M1 i se noteaz:
VGS = 1.91E+00, VDS = 1.09E+01. i ID = 1.09E-03.

M 1
M 2N 7000

100n

C L

Vi
1m Vac
0Vdc

R 2
10M EG

100u

R S
1k

Se vizualizeaz amplificarea n tensiune funcie de frecven, V(RL:1)/V(Vi:+) i se

salveaz ntr-un document WORD. Se determin banda de frecven a amplificatorului (banda la
3 dB):
fj = ..Hz, fs = ..Hz.
Se determin din graficul obinut amplificarea n tensiune pentru f= 1 kHz i se noteaz:

av,sim f 1kHz 907,83

Se calculeaz amplificarea n tensiune, av,calc = cu relaia (4.25) i se compar cu cea
obinut prin simulare. Parametrului are aceeai valoare ca la seciunea 4.5.4.

vo
RS || RL
1* 5 / 5

1
0,038
vi 1
25 1
( RS || RL )
gm

Rezistena de intrare
12

Fig. 4.12. Etaj de amplificare cu

TEC-MOS n conexiunea DC

Amplificarea n tensiune

av

R L
5k

Se vizualizeaz rezistena de intrare n c.a.: V(Vi:+)/I(C1), se salveaz ntr-un document

WORD i se noteaz valoarea acesteia pentru f= 1 kHz:

Ri,sim f 1kHz 7,66M

..

Se calculeaz Ri,calc cu relaia (4.23), Ri,calc = .. i se compar cele dou rezultate

obinute.

Ri

vi
30 *10
RGG R1 || R2
7,5M
ii
40

8.0M

6.0M

4.0M

2.0M

0
1.0Hz
10Hz
V(Vi:+) / I(C1)

100Hz

1.0KHz

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

100MHz

1.0GHz

Frequency

Amplificarea n curent
Se vizualizeaz amplificarea n curent: I(RL)/I(C1), se salveaz ntr-un document WORD

ai,sim f 1kHz .............

i se noteaz valoarea acesteia pentru f= 1 kHz:

4.6. Interpretarea rezultatelor

13

..

Se completeaz tabelul 4.1 cu rezultatele obinute prin simulare i prin calcul.

Tabelul 4.1
Nr.
crt.

Tip amplificator

Ri
calculat

av
simulat

ai

calculat

simulat

calculat

simulat

Cu TB n conexiunea EC

45,55k 46,6k

-80

72,67

189,3

0,443

Cu TB n conexiunea SD

49,22k 48,8k

-0,76

0,76

9,1

9,3

Cu TB n conexiunea CC

48,56k 47,54k 0,08

986,43

10,13

11,72

Cu TEC-MOS n
conexiunea SC

7,5M

7,668M

168,35

211,94

Cu TEC-MOS n
conexiunea DC

7,5M

7,66M

38

907,83

4.7. ntrebri

1. Ce etaj a oferit amplificarea n tensiune cea mai mare?

Raspuns: TB n conexiunea EC a oferit amplificarea n tensiune cea mai mare.

2. Ce etaj a oferit amplificarea n curent cea mai mare?

Raspuns: TB n conexiunea EC a oferit amplificarea n curent cea mai mare.
14

3. Ce etaj a oferit rezistena de intrare cea mai mare?

Raspuns:TEC-MOS n conexiunea SC si TEC-MOS n conexiunea DC au oferit rezistena de
intrare cea mai mare.

15