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FUENTE DE CORRIENTE
Aldana Javier. Mahecha Jonathan.
Kmiloaldana_19@hotmail.com, jonafranco_94@hotmail.com
Universidad de Cundinamarca
ResumenEn el siguiente informe se sustenta el tema
correspondiente de la prctica, que en este caso se
enfoca en el diseo de una fuente de corriente ideal de
100mA esquematizada en el modelo de una fuente de
corriente Wilson que consume intensidad. Teniendo el
diseo como base se procedi a la toma de datos
importantes haciendo uso de los clculos y formulas
predeterminadas; teniendo en cuenta los parmetros de
operacin ms importantes. El presente trabajo se divide
en una pequea introduccin, marco terico, materiales,
planteamiento y procedimiento, metodologa de
construccin, simulaciones y conclusiones que se
consideraron importantes durante la experiencia.
FUENTE DE CORRIENTE
T
referencia; donde el transistor 3 ( 3 ) est conectado
como diodo y hace que la corriente fluya en la misma
magnitud que la corriente del transistor 1 (
T 1 ), por lo
I C 1 I C 3=I C 2
1+ BF
I
=I R C 2
2+ BF
BF
I O =I C 2=I R
Como
BF
( 2+ B F ) BF
2
B F +2 B F + 2
] [
=IR 1
2
BF + 2 B F +2
2
aproximacin
IO I R
Re =r o 1 R1
III. MATERIALES
ECUACIONES:
I E 2=( 1+ f )=(I R + I C 1) ( 1+ f ) .
2
f
( )
PREVIO
Las especificaciones para el diseo de una fuente de
I E 2=I C 3 1+
resistencia de salida
R0
I 0 , la
y el voltaje de alimentacin
V cc .
I C 2=I E 2
Bf
2 Bf
=I C 3 (1+ )
1+Bf
f 1+ Bf =
I C 3 =I C 2
1+ B F
2+ B F
I C 1=I RI B 2=I R
IC 2
BF
1
1 V
26 mV
= = T=
=261.30m
g m gm Ic 1 99.5 mA
CALCULOS
gm =g m =3.8
1
A
V
1 V T 26 mV
= =
=260 m
g m Ic 2 100 mA
2
gm =3.8
2
V
A
r =r =gm =2163.8=820.8
1
V BE =V BE =V BE =0.7 V
2
r =g m =2163.8=820.8
2
Io=100 mA Vcc=30 V
1
V T =26 mV
V A =150V
r O R1
1
B f =216
'
R e=
Io=Ic 2
r + R 1
2
1+ gm R1
I R=100 mA
R 3=
820.8+286
=1.01
1+3.8286
1
1
=
=263.15 m
gm 3.8
3
R 1=
( VccV BE V BE )
1
IR
( 30 V 1.4 V )
=286
100 mA
Ro=r O 1+
2
Valor Comercial=270
gm r
2
'
Re
'
(R3 / R e) =1.5 k 1+
3.8820.8
(0.20
1.01
r O =r O =
1
rO =
2
1+ B f
1+ 216
=100 mA
=99.5 mA
2+ B f
2+ 216
( )
VA
150 V
=
=1.5 k
Ic 2 99.5 mA
V A 150 V
=
=1.5 k
Ic 2 100 mA
V. METODOLOGA DE CONSTRUCCIN
Se procedi a disear la fuente de corriente teniendo en
cuenta los parmetros de operacin del transistor, con la
ayuda de la herramienta de trabajo Proteus se verifico su
funcionamiento y finalmente se implement el circuito
en Protoboard para ltimamente comprobar el correcto
desarrollo de la prctica en el laboratorio. (Por motivos
del formato IEEE las simulaciones del circuito se
anexaran en la parte final del informe).
280
-15
-10
-5
Anexo 2: Modo de Comprobacin de la Fuente de
Corriente.
Vce
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
10
270
-0,116
-0,103
-0,09
-0,0261
0,0951
0,103
0,103
0,104
15
20
0,11
3
0,10
1
0,08
7
0,02
6
0,09
4
0,09
8
0,09
8
0,09
8
270
0,11
5
0,10
2
0,08
8
0,02
6
0,10
1
0,10
1
0,10
1
0,10
2
-0,116
-0,103
0,103
0,104
0,11
9
0,10
6
0,09
2
0,02
6
0,09
5
0,10
9
0,10
9
0,11
Corriente (Io)
280
0.1
275
0.2
0.1
-0.2
270
20
0,026
1
0,095
1
0,103
0,11
8
0,10
4
0,09
1
0,02
6
0,09
5
0,10
6
0,10
6
0,10
7
260
0.2
0
-20 0
-0.1
0
-20 0
-0.1
-0,09
265
Resistencia Variable
Resistencia Constante
Corriente (Io)
275
270
20
40
265
260
Voltaje (Vce)
40
-0.2
Voltaje (Vce)
Anexo 3: grafica 1
Anexo 4: grafica 2
A partir de la grfica anterior se observa que al variar la
resistencia no se obtiene un cambio en el valor de la
corriente; pues esta permanece constante.
4
REFERENCIAS
Anexo 3: grafica 1
Resistencia Constante
0.15
0.1
0.05
Corriente (Io)
-20
-15
-10
-5
0
0
270
5
10
15
20
25
-0.05
-0.1
-0.15
Voltaje (Vce)
Anexo 4: Grafica 2.
Resistencia Variable
0.15
0.1
0.05
280
275
Corriente (Io)
-20
-15
-10
-5
0
0
270
5
10
15
20
25
265
260
-0.05
-0.1
-0.15
Voltaje (Vce)