Optoelectronica

DOROGAN Andrei

LASERI PE SEMICONDUCTORI

Se utilizeaz urmtoarele materiale semiconductoare:

Nr. Stratul activ
Stratul de inveli
Baza
Grupul III - V
1 AlxGa1-xAs
AlyGa1-yAs
GaAs
2 GaInAsP
GaInP
GaAs
3 GaInAsP
AlGaAs
GaAs
LASERI PE SEMICONDUCTORI

Optoelectronica

4
5

GaInAsP
AlGaAsSb

PbSnSeTe

ZnSSe

DOROGAN Andrei

InP
AlGaAsSb
Grupul IV VI
PbSnSeTe
Grupul II - VI

InP
GaSb
PbTe
GaAs

Intervalul de lungimi de und ale radiaiei laserului

Rezonatorul Fabry Perout este creat prin achierea cristalului din ambele pri.
Structura laserului este cu mai multe straturi. Stratul activ se gsete ntre alte dou
straturi cu coeficient de refracie mai mic.
- Lungimea rezonatorului L z 300 m ;
- Grosimea stratului activ d 0,1m ;
- Limea stratului activ W 2m ;
- Coeficientul de reflexie al oglinzilor R 0,2 ,
n 1
R1 R2

n 1

unde n - coeficientul de refracie al stratului activ.

Pentru GaAs: n 3,5 ; R1 R2 30% . Atunci tl
- Factorul de calitate Q 5,6 10 3 ;
- Curentul de prag I th 1...2 kA cm 2 .
- N 0,85m ; N 0,34nm .
z

,
50cm 1 .

LASERI PE SEMICONDUCTORI

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Spectrul de amplificare al diodei laser pe semiconductori este de 100 ori mai larg
ca lrgimea unei mode. Deci sunt amplificate ~ 100 mode longitudinale.
REGLAREA CU NUMRUL DE MODE
Reglarea cu modele transversale.
Din cauza generrii modelor transversale se mrete valoarea curentului de prag,
apare o instabilitate n diagrama directivitii, se nrutete caracteristica de modulare.
De aceea, este necesar de a lichida aceste mode, sau de ignorat numai modele de ordin
mic.
Aceasta se efectueaz constructiv. Sunt micorate gabaritele seciunii transversale
ale laserului. Dac stratul activ posed coeficientul de refracie n1 , straturile vecine - n 2
, iar diferena lor relativ este:

n1 n 2
0,08 ,
2

atunci pentru a excita o singur mod transversal sunt necesare condiiile: d 0,45m ;
W 0,45m . Este uor de primit d 0,1...0,2 m , ns, a primi W 0,45m ste destul de
complicat. Ca regul W 2m .
Pentru a rezolva problema dat a fost inventat un ghid de unde cu efect de
refracie.
Esena: ghidul de unde posed o diferen a coeficientului de refracie n ambele
direcii (X i Y).

LASERI PE SEMICONDUCTORI

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Cristalizare dubl i izolarea stratului activ

Efectuate prin epitaxie selectiv

n astfel de construcii modele transversale sunt absorbite, iar unda longitudinal
poart caracter unimod.
Reglarea cu modele longitudinale.
Exploatnd dioda laser a fost observat urmtorul efect. n timpul modulrii
emisiei laser are loc trecerea de la o mod la alta instantaneu. Deci, este necesar de a
forma un rezonator, care, spre deosebire de rezonatorul Fabry Perout, posed pierderi
mici numai pentru o singur mod longitudinal.
Deci se folosete o structur cu legtur invers distribuit.

LASERI PE SEMICONDUCTORI

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Aici, n ghidul de unde este format o reea de difracie. Lungimea de und pentru
care coeficientul de reflexie va fi maximal este:
B 1 ,
unde B - lungimea de und Brag;
B 2 n m ,
unde - perioada reelei de difracie; m - numr ntreg ce reflect ordinul difraciei;
1 - constant ce caracterizeaz adncimea reelei, lungimea rezonatorului etc.
Se mai utilizeaz i structuri ale diodelor laser cu reflector Brag.

Aici, reeaua de difracie Brag se formeaz de o parte a stratului activ sau pe

ambele pri. Materialul reelei este diferit de materialul stratului activ. Aici este
generat doar o singur mod, chiar i n regim de modulare la frecvene nalte. Astfel de
lasere se formeaz din soluii solide de InGaAsP. Lungimea de und a luminii generate
este 1,3...1,6m .
Pentru sistemul GaAsAlGaAs este necesar o reea de difracie cu o perioad (
) mult mia mic, ceea ce este destul de dificil de efectuat. n afar de aceasta,
prezena Al complic tehnologia confecionrii (el se oxideaz).
LASERI PE SEMICONDUCTORI

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

CARCATERISTICILE DIODELOR LASER I A LUMINII EMISE

1. Puterea luminii emise i eficiena cuantic.
2. Curentul de prag depinde de eficiena cuantic intern, pierderile optice n

rezonator, grosimea i limea stratului activ etc. Valoarea lui minim pentru
generare n continuu este ~ 2,5mA (teoretic). Practic, pentru laserii pe baz de
AlGaAs el constituie 10 30mA .
3. Puterea luminii n regim continuu i la temperatura camerei constituie
1...10mW . n cele mai bune lasere pe baza soluiilor solide AlGaAs P 200mW .
4. Eficiena cuantic: Po Pemis 60% .
Eficiena diferenial este raportul numrului de cuante de lumin la creterea
numrului de electroni injectai este 40...60% . Pentru frecvena curentului de
modulare f 10 MHz predomin efectul de temperatur. Pentru f 10MHz predomin
efectul purttorilor de sarcin, deci, efecte de rezonan i relaxare.
5. Caracteristicile de temperatur
Toate caracteristicile laserului depind mult de temperatur. Cu mrirea
temperaturii ( T ) se mrete curentul de prag I th , se micoreaz eficiena cuantic
diferenial.
I th I th S exp T TS T0 ,
unde I th S - curentul de prag pentru temperatura etalon; T0 - constant,
caracteristic pentru materialul laserului i se numete temperatur caracteristic.
Pentru GaAs T0 120...150 K , iar pentru InGaAsP T0 50...70 K .

LASERI PE SEMICONDUCTORI