Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
23 Fotorezistori
23 Fotorezistori
DOROGAN Andrei
FOTOREZISTORI
N F , Poptic
Poptic h
n NF
W LD
W LD
(2)
1
Optoelectronica
DOROGAN Andrei
I p q
h
I ph q
h
L
t tr
unde
t tr
L
vd
A1 2 B 1 2
m Poptic
cm Hz
12
max
min
unde m I I
- gradul de modulare al frecvenei, I - intensitatea semnalului optic;
max
min
A - aria suprafeei fotorezistorului; B - banda de transparen a frecvenelor.
Exemplu: Pentru 0,5m cea mai mare sensibilitate o posed CdS. Pentru
10 m se utilizeaz HgCdTe.
n tabelul 1 de mai jos sunt prezentate lrgimile benzilor energetice interzise i
pragul rou a fotoconduciei (fotosensibilitii) pentru cele mai utilizate materiale
semiconductoare.
Tabelul 1
2
Optoelectronica
Materialul
Ge
Si
CdSe
CdTe
CdS
GaAs
InP
PbS
PbSe
, eV
0,67
1,11
1,74
1,5
2,42
1,43
1,28
0,29
0,15
Eg
DOROGAN Andrei
0 ,
m
1,85
1,12
0,71
0,83
0,51
0,87
0,97
4,28
8,27
Caracteristicile fotorezistoarelor
1. Caracteristica curent-tensiune
Sunt simetrice n raport cu originea axelor de coordonate, deoarece rezistena lor
nu depinde de polaritatea tensiunii aplicate. De obicei, se construiesc fotorezistoare
numai pentru o polaritate a tensiunii aplicate.
I I 0 I L C 0 U C f 0 U ,
unde I , I 0 , I L - respectiv curentul total, curentul de ntuneric, fotocurentul; C 0 , C f constante ce sunt determinate de proprietile fizice ale semiconductorului la ntuneric i
la iluminare; - coeficientul de neliniaritate a caracteristicii energetice; U - tensiunea
aplicat.
Optoelectronica
DOROGAN Andrei
3. Caracteristicile spectrale
Prezint un maxim pronunat n regiunea absorbiei fundamentale, unde
1,24 E g
Optoelectronica
DOROGAN Andrei
Optoelectronica
DOROGAN Andrei
I0
1 0