Sunteți pe pagina 1din 175

A:inrrrrrrroir irrrpuritli,i se numesc acceptoare (cle tip p), iar semiconductorul

(ru liltl,uttll'lli rrr;r;o;:1.oare Se tlumegte Semiconductor de tip p. Intr-un asemenea


r,r,trr[;otttlttrili)r (itltpuritd,ti trivalente) purtdtorii mobili de sarcind majoritari
(1rr0voillll din atornii inipuritaiilo$ sLlnt golurite, iar purtiitorii mobili minoritari
(Jrtotltr;i de ruperea legdturilor covalente datoritd cregterii temperaturii) sunt

sau folosindu-ne de relaliile

(1

.7) 9i

,,

, Der:i, frtnclie cie cioparea cu irnpurit6li, semiconductoarele pot fi de trei tipuri:


- semiconcluctoare de tip i(intrinseci), la care concentralia atomilor donori
oste egale cu concenlralia atomilor acceptori (n=p)

J. = i".

io" = qnpLn.E

serniconductor $unl

(1.7)
(1 B)

unde Vn . Vo sunt vitezele de cdmp (drift) ale electronilor, respectiv golurilor,

ltn, Pp sunt mobilitatea electronului, fespectiv a golului iar E este intensitatea


c6mpului electric.
Mobilitatea puddtorilor de sarcind este un rezullat al ciocnirilor acestora cu
releaua atomilor de semic;onductor gi cu ionii de impr"rritate. La c6nrpuri electrice
rnici, viteza de drift rdrnAne proporlionali cu intensitatea cArnpului eleclric. Lir
cAmpuri electrice intense are loc o limitare a vitezei de drift.
Derrsitatea cufen,tilor de cAmp este:

|
,n

(1 s)

=*O.n.Vc

Ca pit

olul

SE

M I CO l,! D U

CTOARE

(1

.13)

(1

.14)

E
p

(1 .1

5)

(1 .1

6)

sau

o = conductivitatea semiconductorului.
B) Curenlii de difuzie

curen{ii de difuzie iau nagtere in urma deprasdrii puridtoriror de sarcind prin


semiconductor, deplasare cauzatd <1e prezenfa unor conceniratii
neuniforme de
purtdtori'
.Transportul purldtorilor de sarcind prin rnaterialul serniconrluctor se
explicd. prin tendinla tle uniformizare a concentratiilcr
respective.
Notand cu F = fruxur de parlicure 9i cu vc = gradierrtur de concentratie
(varialia concentratiei de purtdtori pe o directie x), intre
acestea *"iri; ;;;l;il;
qe proporiionalitate, factorul de proporlionalitate
fiind nurnit gi coeficient de

difuzie, notat cu D.

n.tnvu
|F --- -u.
(1.17)
Fluxul de parlicure reprez-intd nuil'rarur de particure care tra,,rerseaze
o
suprafa!6 unitarS, agezatd perpendicular pe direc,tia de
transpoft, in unitatea de

tirnp.

Particurariz6lrd reralia (1 .17) pentru erectrorri (c=n) si goruri (c=p)


vom
obline expresiile pentru densitri{ile de curent de difuzie
Jno respectiv ]oo :
J"o = (.-

(1.10)
16

p.pp).d

JC

intensitatea cAmpului.

Fh

q(n. p,n +

unde p este rezistivitatea semiconductorului, densitatea curentului de


cSmp totai
devine:

Aplicind un camp electric asupra unui semiconductor purtStorii de sarcine


vof cepdta o vitezd medie pe direclia cAmpului electric proporlionald cu

=,

q(npn + p. trp)

cAmpul eiectric gi gradientul concentraliei purldtorilor de sarcind.


A) Curen{ii de cAmp (de drift)

vn

+ oFpp.E

i.

in= -pLn.E

(1 12\

NotAnd cu

1.3. ECUATII DE TRANSPORT

in

(1.11)

Rezultd densitatea curentului de ciimp total;

- semioonductoare extrinseci de tip 11, la care n > p (conceniraiia electronilor


de cclnrluclie este mult mai mare decAt concentraiia golurilor)
- semiconductori extrinseci de tip p, la care p > n (concentra{ia golurilor este
rnult mai mare decet concentratia eiectronilor).
La temperaturi mari, semiconductorul extrinsec se iransform5 in semiconductor

Cauzele apariliei curen{ilor electrici de conduclie

Jp"=QP$pt

olorlrortli.

intrinsec datoritd fenomenului de generare tei'mica ce devine preponderent.

(1 .B)

c)(

= qD"vn

inu=OFo=*qDoVP
C;,t1tl(olui

SEMICONDUC"TAARE

(1 .1

8)

(1.1 e)
47

gi

dou6 constante
111-^il
3t 3ynt
respectiv gorului,
lar n6 respectiv p6

ttnde cofrfiriiortlii de clifuzie penl.ru electroni, respectiv golLtri sunt:


Dn
"

KI

=:ptn
n'

(1.20)

ce reprezint6 rimpii de viaJd ai erectr:onurui,


reprezintd concentralia erectroniror respectiv
a golurilor la echilibrullermic, concentrafii ce
respectd relatia:

Po.no=ni
kl

q'P _

Dn = -r'

"

(1.21)

pr

Ecualiile

(1

.26) gi (1.27) se nLlmesc ecuatiile de continuitate


$r caracterizeazd

-__
conservafea
sarcirrii erectrice pentru electroni

semiconductor.

Densitatea totalS de curent (J) intr-un semiconductor va fi datd de suma


dintre densitatea de curent a electronilor gi densitatea de curent a Eolurilor

:::
j j""F jp

Potenlialul erectrostatic dinti-un semiconductor

relafiei lui Poisson:

^2
o-v
Ax'

(1"22)

Densitatea de curent a electfonilcr este datorata at6t de cAmpul elecific


aplicat senliconductorulul cAt gi difuziei din materialul semiconductor.

pu-

+,qDnvn

= densitatea de sarcind din volumul semiconductcr

(1.23)

(1.24)

Dacd, cAmpul electric aplicat semiconductorului este variabil in timp, atuncl


(1 .22) se transforrnd in:

relalia

::-AE+
J

= Jn

t .f

Jo *

(1.2s)

1 4. ECUATil DE COr{T|NU|TATE
Conc;entratia pufldtorilor de sarcind poate varia in timp datoritd unor agen{i
externi care conduc la fenomenul de generane prir'l generari-recombindri interne,
datoritd fenomenelor de transport (prin intermediul curenlilor)

frn
iil,

ap=

rr-n^ 1,li
Tn qax
.,

..\J

P*l/0

,Jn

,r.li
t "J0

Tp qax

Capitolul 1. SEMICONDUCTOARE

{1.26)

(1.27)
c

a p it

c, t u

t- 1-.

E l: m iC an

Dffi

intr_un v'rum

se determind cu

Analog, pentru densitatea de curent a golurilor:

jp = lp. + jpd = qPPpF*QDpvP

gi goluri

P,

Deci:

J" - Jn" + jno = qnpn"F

(1.28)

ajutorul

(1.2e)

Adrlam Gnaur

ffi&trffitffi ffiLffi#Tffiffirun$frfi

Ftu.a

Ii

L:-"-.*..-.-"

Lriitr.ic:,'lr

i.d'^

Linive!'sitsli;

"*tfe/an llel &farg*

.qUCEAVA

Edif.u rsr lkTedisrnira


i q$7

/rt'/t.
{"1

./
(
/lt'r,/
L

*'-1
j

;-l
,
I

rI
*"Ediu

ra

MEtr)EAJ&{}

C"F. 117, CI.F"

Sq"A

Cluj*Nap*ea

CIwj

CUPRINS

INTRODUCERE

C{}LECTTA TNGfNAFIULUI _
A. Craur, - BAZELE ELECTRONICII

.r*

Rccenzori:

Prof. dr. ing. h4ircea Petrescu


Univesitatea,,Folitehnica" Bueuregti
Prof. dr. ing. Maxim Oheorghe
Universitatea Tehnicd,,Gheorghe Asachi" iagi
Prof. dr. ing. $tefan Holhan
Universitatea,,Politehnica" Timipoara
Consilier editorial: Prof. r!r. ine" Radu lvlunte:mu

O Toate clrepturile Bsuprs prerenfei r:di{i{ ap*r{im

Ectiturii Ntrediarnira, iar multiplicaren prixr erice


rni.|loace n }ucrbrii sfl$ a tlnei p5r{! din ece&$trl se p}6ate

fhce numai cu aeordul scris al Editurii.

Capitolul 2. DTODA SEMICONDUCTCARE

'1

ZV

..

1 {grylTlUNEA P-N LA EcHtLTBRU rERMtc...


................2a
? ? EIIRESIA LAT|tulil DE TREcERE "1" LA EcHtLtBRU TERMtc...... .......22
2.3. EXPRESIA POTENTIALULUI INTERN V. irV rUruCliE
DE COTICENTRATil
b:il irv nEcirrn siarlor.rnR .... . . :: . . :::. .: .. ......i3
CARACTERTST.A srArcA A J.NCTTUNTT p-r.riN i[Clnir
*2.5.1 {?lcTruGa
_ _ F_rgloNAR ...
. .. . . 31
2-6. ABATERI DE LA CARACTERISTICA IDEALA,A, JOhICiiUilir
P-r,r.
...
:S
2.7. V.ARIATIA CU TEMPERATURA A CARACTERISTICiI
SrArICr
_ 4JoNcTtuNil
.......s7
2.8. COMPORTAREA JONCTTUN' p_N r-,q irrusruH'
TNVERSE MARI ...........40
2.9. COMPORTAREA JONCTIUNII P-N iN REGIM VARIABIL,
LA SEMNALE
.,...,..........,...42

..

...",..

...

..

p_N......"......

MtCt
SEMICONDUCTOARE
........,............44
2.11. CARACTERISTICILE DIODEI
"...,...,46
2.12. TlpuRt DE DTODE SEMTCONpUCTOARE
........"...... ...,..48
,----t' 2.12.1. DtoDA, REDRESOARE..".......
....
.,........48
2.12,2. DIODE REDRESOARE RAPIDE
....
......49
2.12.3. DTODE DE COMUTARE................ . .
....... . .... ...:.... .........50
, 2.10 DtoDE

tststq 973-93S8'CI2-i|

iii

3l
2 1? 4 Dtc)t)R CtJ CONITACI- PL|NCTTFORM
?,.12,5. DtOpH VARTCAP
.
..
. .... 51
2.1'T.6. DIODE 'TUNEL
2".1 2.7 . DrODE STABILIZATOARE DE TENSrUNE...................,.............. 5s

BIFOLARE
DE FUNCT|ONARE...............

--,"Capitolul 3. TRANZISTOARE

,CAP|IOIUI

4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP CU JONCTIUNE.

131

. 4.1. GENERAL|TATI
I4.2,CURBELECARACTERISTICEDEDRENA.. ............,.,.,...133
4.3.CARACTERtSTtCADETRANSFER.............. ..................134
4.4. DEDUCEREA CARACI'ERISTICILOR STATICE FENTRU
, TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP CU JOI\,IGTIUI\E

ss

...................136
3.1. PRtNCtPtUL
..........,............ 60
4.5. EFECTUL VARtATtEI TEMpERATURil ..,.....................................,...... 13e
3.2. DEDUcEREA EXPRESIILOR PENTRU EFICIENTA Fl\lllTORULUl (y6),
, 4.6. POLARTZAREA TRANZTSTOARELOR CU EFECT DE CA[4p
FACTORUL DE TRAI\SPORT (itt) $tA FACTORULUI
"'13e
DE AMPLTFTCARE iN CURENT EMTTOR-COLECTOR (c{;).................. 63
4.7. CtRCU|TUL ECHTVALENT DE SEMNAL MtC.............
.....142
, 3.3. CIRCUITE ECHIVATENTE PENTRU ANALIZA TB
4.8. AMPLIFICATOR TENSIUNE SURSA COMUNA
4.9. CIRCU}T DRENA COMUNA JOASA FRECVENTA . . ..... ....
iru cuRerur
........... 68
..,...,..- 148
. 3.4. MONTAJE CU TRANZISTOARE... ... .
..............72
, Capitolul 5. TRANZTSTORUL MOS....... ..
3.5. CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTCIRULUI BIPOLAR ..... 74
3.6. TNFLUENTA TEMpERATURil ASUPRA REGIMLJLUT STATTC
. s 1 rRANZrsroRUrAL TRANZT$TORLJLUI
......"....... 79
5.2. TRANZTSTORUL MOS CU CANAL TNDUS . ..
.
3.7. RFGilVIUL TERMTC AL TRANZTSTORULUT ....................... 80
......,......... .....,... tsp
5.3.
REGIUNEA LtNilARA R CnRncrERtsTtctLOR.....^..."...........,,
. 3.8. CONSTDERATil PR|V|ND ALEGEREA pUNCTUt.Ut STATTC
..... . rsr
,
5.4.
REctUNEA DE SATURATTE A CARACTERTSTICTLOR .......................152
DE FUNCI'|ONARE St DETERMINAREA SA GRAF|CA ....................... 82
. 5.5. POLARTZARE TECTMOS CU CANAL tNtTtAL..".,...
3.9. CIRCUITE DE POLA.RIZARE CU DOUA SURSE DE ALIMENTARE..... 83
,...................152
, 5.6. POLARIZARE TECIVIOS CU CANAL INdUS
.. 3.10, CIRCUIT DE POLARIZARE SIMPI-U PENTRU CONEXIUNEA EC.......... 85
.... "... ,, r SS
, s.7. TRANZTSTORUL MOS iN REGTM DtNAMtC
......, ........... rso
. 3,11. CIRCUIT DE POLAR|ZARE PRACTIC PENTRL' CONEXIUNEA EC.., 87
3.12. PROTECTAREA ELEMENTELOR RETELET DE POLARTZARE........".. 90
Capitolul 6. ALTE DtSpOZtTtVE SEMTCONDUCTOARE
3 13. PROIECTAREA POLA.RIZARII PENTRU TRANZISTOARE
cu JoNCTtUNt
cu GERt\tAt\t1.,..............
......... 91
....,.159
3 14. PROCEDEF NELINJIARE DE STABILIZARE A PUNCTULUI STATIC ....." 93
6.'1 . TRANZTSTORU[_ UNtJONCTtUNE....."......."...,......
159
3 15. POLARIZAREA TB MOFiTAJ COLECTOR COlvlUN
-.6.2. TIRISTORUL...
160
$t BAZA COrUUNA....
.....,...."...95
6.3. TRANZTSTORUL UNTJONCTiUNE pROGRAMABIL.
toz
3.16^ CtRCUtTE ECiIIVALENTE DE CUADRtpOL.............".. ......,..............99
1a2
3.17. I\,loDEL CtFCUtr CU SARC|NA.........
L;apitolul 7. DlsPozlrlvE sEN4rcoNDUcroARE
3 rE. MoDEL pr - Hr8RrD....................................:....::.................................iG
oPToELEcrRoNlcE ...............................-......................... 165
s.19. DETERMTNAREA ELEMENTELoR crRcurrulur
'7_1.
3.20. MODELUL EBERS-MOLL-..........................._...._.......-............. ..........108
cENEFtALtTATI
........ 145
3.2r. crRcurrul E.HIvALENTALTB

- 9Y-{otcTIUNE

"" "

coNTTNUU

r";;, ;;;^, ;;;T,;,-

;i:

...

EcHTvALENT......107

FUNoTToNAND
3.2r.1 lToDELAFEA RAspuNsuLUr LA sEvrNAL trlc pE BAZA
FENOMENELOR OtN REGjUN|LE NEUTRE.........

z.z.

.......................114

3'21'2Go|\,PLETAREAcIRcUlTULUlEcH|VALENTDEsE|\,tNAL|\,|c118

EoHTvALEN\

FAcToRULUT

rRANzlsroRUr BrpoLAR lN

REGTM oE

coMUTATtE

"

. z +. ror^o,ii-e-riilsroiJL........ ... ...............


......... .. ................. ... ...: :. l3?
7.5. DTODA FOTOEMtstvA

3.21.3 coMPLETAREA crRcuf ruLur


TTNAND CONT DE EFECTUL EARLY............................._............119
3.22. cARAc-rERrsroA-DE FREcvENTa A
DE AI\TPLiFTCARE rN CURENT RF......... ...................._.. ...._....... ......722
3.24.

io-roidiiie'r.lir

................127 ;,

*il

7.e.r.

niiiu

nCf ior.irii

7.6.2. TUROMETRI

oi ini6idut iLjniir.io;

u.o.a.desb;iiiiii"oii

.....:..........:....:.......133

bLj ;;priCjiA#:..................................:...........

"^,
8iST,i?HBl""%,.rvensiiepureiii
.........

. .

l;B

......l,,i

8.3. FILTRAREA

ONDULAT||LOR........

s.14.1.8. pRotEcrAREA ETAJULUT FTNAL irrt ct_RsA n


CU TRANZISTOARE COMPLEIVIENTARE...,......., ........ -..,. 2B
1
",
9.14.1.9. EXEMPLU DE pROtECTARE..........
.. . ...... .....283
pCILARIZARHA
9.14.2.
TRANZISTOARELOR FtNA[_E...... ........... ,.......266
9.14.3. ETAJE DE CoIVIANDA A TRANZISToARELoR
FINALE ........,,..288

." . ."... ..179

REDRE$OARELOR CU FILTRL' CAPACITIV."" .'"'''I83


B.5. SI'ABILIZATOARE PARAMETRICE DE TENSIUI\IE CONTINUA
"'.' "....184
cu DIODE 28N8R........
8.6. F:XEMPLU DE PROIECTARE A Ut\Ul STABILIZATOR
1RR
CU DIODA ZENER.". ....
189
8.7. STABILIZATOR DE TEN$iUNE ..
B,B, STABILIZATOR DE TENSIUNE CU AMPLTFICATOR DE EROARE,.."193
... '..""...".197
8.9. EXEMPLU DE PRO|ECTARE........

" 8.4. PROIECTAREA

AMPLIFICATOARE
9.1. AMPLIFICATCJR CU EMITORUL COMUN.

Capitolul 9.

,
"

. '.. .'.200

.. .........,........ .200
9.2. ETAJ DE AMPI-IFICARE CU SARCINA DISTRIBUITA.. ... .. ...,.......,...209
9.3. ETAJ DE AIVIPLIFICARE CU TR{NZISTOR iN CONEXIUNEA
..............215
..LECTOR-COMUI!
9.4. ETAJ DE At\/lPtdFtcARE cu rRANZlsroR iru corurxluNEA
..-.. ..219
enzA-cotuuruA
9,5. AMPLIFICATORUT ECHILIBRAT DE CURENT CONTINUU ....".. ..."."'223
...................'."22'7
9.6. AMpLtFtcAToR cRsconA..
9.7. ROLUL ELEMENTELOR DE CIRCUi-1-DIN SCHEMA
.-....""225
uNUl ETAJ AMPLIFICARE -................
9"8. SCHEMA ECHIVALENTA OE SEN/INAL MIC A UNUI ETAJ
..............-230
DE AMPL|FtcARE. CALCULUL AMPLIFtcAntt
9.a.1. cALcULUL AMPLlFlcARll LA FRECVENTH MEDII ...... . ..........231
.."-..........232
9.8,2. COMPORTAREA [A FRECVENTE INALTE
LS.3. COMPORTAREA CIRCUITULUI LA FRECVENTE JOASE...... ....235
9.s. rdEToDA BoorsrRAP PENTRU N4ARIREA IMPEIIANTFI
.."....244
DE TNTRARE
9.10. UNILATERALiZAREA AMPLIFICATOARELOR "...........".242
9.11. AIV1PLIFICATOR CU MAI MULTE ETAJE CUPLATE RC..........,.... .....246
..,......,.,........,248
9.12. AMPLIFICATOARE DE JF DE TENSIUNE
9.13" PROIECTAI?EA AMPTIFICATORULUI OT UICA PUTERE
......,253
cu CUPLAJ RC............ .
z3 I
9"13,1. EXEMPLU DE PROIECTARE
,....,..,.. ...259
9.14. AMPLIFICATOARE DE PUTERE
........260
9.14.1. ETAJE FINALE........
9.14.1.1. ETAJ FINAL CLASA A CU CUPLAJ
....,..,....261
PRIN TRANSFORMATOR
...........26s
914"1.2. DISTORSIUNI DE NELlN|AR|TATE.......
s.1 4.1 .2. pRot EcTAREA ET,qJU Lut Ft NAL it'l cmsA A....................266
..."...........270
9.14.1 .4. EXEMPLU DE PROIECTARE ...........
e.'t4.1.5. ETAJ FINAL cLp,sA a iru coTTRATIMP urlLlzAREA
sltuETRlEl
""""""" 276
................ ....277
9.14.1.6. ETAJUI- FINAL "TOTEIV - POLE"
9.14.1.7. ETAJT]L FINAL CU SIMETRIE COMPL-EMENTARA
................".278
iru ctnsn 8..............

14c1.:.....

..

Capitolul 10. REACT|A..

GENERALE

. ..

.
2e0
REACTtEtASTJpRA DtSTORStUI.JiLOR... ........ .... ..... . zss
10.3. EFECTUL REACTIE| ASUPRA SEMNALET_OR PARAZ|TE.......
.......2es
10.4. TtpuRt DE REACI'|E
. .. ,......zes
191
991^sjDFTtt,'
10.2. EFECTUL

sERiE

:a^11
I=lgIiA sERrE _
14.4,2. REACTIA PARALEL . SERIE.,......
rn,'
o='ni+i'"'i-""'l.lTlf:-:::'::.""".""""
ru.+.r. KEAU
!lA rARALEI_ - PARALEL

..

..

. ... 2se

"""'...300
.........301

sERlE - PARALEL
,^1:1!.|$gf,o
r"ryfluEhrTA REAcrEr A$upRA

301

rrvrnronr..rlrl or ir.rrnnn*..........
! ANALrzn cu n;urbRUL cuADRrpoLrLoR'n
soz
nrn-iiEi "*

]g
10.6.

pARALEL_ pARALEL..
10.6.1 RErREZENTAnuE pr

crnCuii pENiRU

_.

.. l._. ...

... ......304
.. .30s

;;, I; sii . ..

10.6.2. ADMITANTELE nE TNTRARE


$r DE tE$iR8.............. .. ........... 308
10.7. ANALTZA CU AJUTORUL CUADRtpolrLoR
A

SERIE _ sERtE
10.2.1. REpREZENTAnUT

Capitolul

1 1,r

REACTtEI

nr ctRcutr

pEtlTRU e"
$i

................, ,....309
......"..... ... ... sr r

I,

OSCTLATOARE ARMCNTCE

11.1. INTRODI-JCERE.

"" " "'313


Rc...."...........:.......:....."
316
"'""""""
oscrr-nionRE cu RFTEA or nrrnJnRi
CU TRANZISTOAIRE BIPOLARE..
..., .316
11"2.2. osctLAToAFE CU RETEA WiEN...........
........ .....318
. .... .. . . ses
.1,11., 3l;?l?'11:91T Rc cu nrlen DUBLU r
I r.J. voL,rLr\rrJAKts LC... ...
1'1.2.

oscrLAroAR-E

11.2.1.

..

11.3.'r. pnrrucrpruinE
...................,......,..3;;
11.3.2. oscrLAToR Lc 1uNcTrorunn*..............".":
cu crRCUrr AcoRDA"r iHr cofrcfon......

1.3.3.

szo
puNcrn
..
."...... .. ...328
cENERA"LtfATt,
................:l28
... .. .."" ... ... ..:...'..'...........32s
..

osctLAToARE Lc iru rnn

11.3.3.1.
11.3.2.2. oscrLAT"oRuL Hnnrlrv
1 1.3.3.3. OSCTLATORUL COLP|TTS
......
11.3.3.4. OSCtmi-onuL

cLApF

11.34.oscluiSn'n*cucuART...

.,

"""""" "..332

..:

... : . :.

..333

Bibliografie
JJY

INTRODUCERE

1 SCURT ISTORIC
.

ELEOTRONICA pentru cei mai multi dintre noi, ne aduce in


minte o varietate

de lucruri, de la "cip-uri" $i compuiere, ra terevizoare gi aparate


de radio.

Electronica este gtiinta qi tehnorogia rnigcdrii sarciniror intr-un gaz,


vid sau
semiconducto,r. De notat cd migcarea sarcinii restrans6 la
rnetare nu este
consideratd ca linAnd de electronic5" Aceastd clivizare a fost folositi
mai ales la
inceputul secoluiui pentru a separa deja infloritorul domeniu al ingineriei
eiectrice

de noul domeniu ce apdrea, ar ingineriei erectronice. La acei datd


ingineria
electricd opera cu dispozitive care depindeau exclusiv tie migcarea
electronilof in
metale, cum ar fi motoare, generatoare, ldmpi erectrice, sisieme
cre comunicare
pe fir (telefon gi telegraf). Cum noi ne apropiem
de sf6rgiiul secolului XX, oricum
divizarea istorici intre ingineria electrici gi ingineria electronic6
nu rnai servegle

funcliei sale iniliale.


. Astazi practic inginerii erectricieni executai diverse funclii (proiectarc,
dezvoltare, produciie, cercetare 9i chiar invdtare) aperancr
la orLilu apricalii din
ingineria electronicd. Ei cpereazi cu sisteme pnn cafe
noi putern cor'unrca cu c)
parte sau arta a rumii, prin. care cantitdli vaste
de date sunt manipurate gi prirr
care procese de productie de inattS complexitate sunt
automatizate.
din aplicaliire mentionate se referd ra prerucrarea informaiiei, iar
,.P:tru
artil
parte la prelucrarea energiei. Distincfia intre prelucrarea
inforrnaliei gi prelucrarea
energiei servegte ra a separa erectronica de restur ingineriei'eiectrice.
in
consecinli noi vedem natura disciplinei de erectronicS cuprinzancl
cei patru c _
comunicare, calcul, control gi componente.
lstoria electronicii este divizat5 in doud perioade majore
de timp, referite ca
era tubului cu vid gi era tranzistorului, cea de
a doua incepnd cu inventarea
tranzistorului

in 1 94g,

originile ingineriei erectrice se bazeazd pe rearizEriie unor giganli


ai gtiintei
ca Ampere, Coulomb, Faraday, Gauss, Henry, Kirchhoff,
f\liiweil gi Ohm.
Primele utiliz5ri practice are muncii ror, in contextur
electronicii moderne, au
constat in dezvoltarea sistenrelor de comunicatie.
?n
ragz samuel Morse.
profesor de arte fine ra Universitatea
New york a pus ra punct teregrafur, Aceasta

":::::llntrofuoelea

unei mer.de efecrive de codare'a inrnrnnaii"iin semnare

--" *-

]NTR)DUC{.RE

, lr , lrr,

, 1'rrr Ir'lr'

,.1

lllrllr' { ()(lullr I\4ol;t teplezintd prima folosire a semriillelot'

'lr,1rl rl, il,l|,rli'l

t,i ,,1,' .lir,lr.

.rrrr rl.l t,rt,,rr (lri/()), l.ii:il a inventat ielefonul gi a intfodus 0


1r ,1, ,r,,l.lr. ,t lnl,rllr,tttr.t \,,1ltrrlu irt !;(jtltnell electric $i apoi decodarea
rr , l,'r '.' rrri,rlr, l.r rn I{, r'l)lr,r lttirlrtlrttclt cic caiire EcJison a fonografului in
lii, , .r,1, r'rl..tt,rl r,t ,,r,rrrrr,rlr.l' r'lr.clrrr;i'pol li :;1oi:arte S;i inrellistrate Secvential.
lltr,lr'lt.rt{,r ,1,, lr1, l1'1',,'tt.tl l)r,irl(. lr r rrrl,irlt:rillai cfi pfiffla mentOfte electfiCa de

r,,

1,,,

lll, i t )l\/1

Itrlr.rltlr r'r'.r r.trrrlrrr;rltr:l t;rrlto ,",11 lrlrzlrl;i I)0 Colltributia majorS a lui
.l.urr", ( l,,rr[ [r4.r"w, ll (;lr. lt lli(]lr it ,,1 rrrr,lrrr;tl oofcelarile ai"lt,-fi0afe inirro
lr'rrrl rrln'.t',llrl,r ,rr'1,'i lr()rr;r(ln('ll,rrrrrlrri, ilcunt tclol i1l-t ca ecua[iile lui Maxwell.
llillllrl nrirt(ir ltirltlr',r ll ,l r';tlt,'itl llln lrtcvi)(l('t(,i) (lo Ci1tre MaXWell a existenlei
lttttit:lrrl tlt't ltrrttr,rrlrrr'llr r' (;;il( lrrl li lrrulr;rllrrlo itt spatiu. De aceasta dalS ieofia
rr lrrlr:r'rl:tl o^l)('ltln(.llrl. riu .' t tlr rirri lrlri llir.,tiu I'li:r1z a produs gstfei de uncle
r)ili()tiri('nlill, irr lrrlior;rlli Mi)rr;otrr rr lil:;l prirrrLrl care a folosit undele hed;:iene.
Irt-l B{)0 lMlrrt:orri il ltirllit rt:,:;u{:(rot,iIlli tiu itl;llr,rl r]e trnde,'$i le-a detectat la Z miie
ilopatrlil c; ti-i:lu []ur; it:illi)l ba;:r:lr: tt;lcr;ralieri fiiril fir.
Otit;irtea tctntcrtultri "(rlectroni()iil" l)(i:rte fi alribuitd lui H.A. Lofentz cafe ift
1895 a 110:;Lulal exi$lc-.nta sarcinilor rJisr;r-ete nurnile de el "elecl'oni" (inlocuind
r:Urr6rrtrrl "arnber" fr.ilosil cle Erc.cii anlici). Drti ani mai tarziu J,J. Thompson a
vefificaI exl]eIilllotll!ll exisitenta electronilor. irr acelapi an Brann a coflsiruit
[)rirtUl lub electronic (CRT).

1,1

diodei, trioda de asemenea a,;ea proprietitile unur comutatof

Primele aplicatii ale tuburilor au fost in {elefonie gi con}unio.ttie radio. prirr


folosirea diodelor qi triodelor. ingeniozitalea ;nginefilof a ccndus la rioi cifcuite.
Printre ele au fost; arnplificatoare in cascada, a!-npliflcatoafe regenerative
(Armstrong, 19''l 2), oscilatoare (DeForest, jg12), heterr-rdinarea (Afmsifong,
1917) Si multivibratoare (Eccles - Jordan. 1918)
Oscilaiorul a fost prin'la exernplificare prin care selnnale electronice au foslt
generate prin mijloace electronice exclusiv.

a avut aproape imecliat aplicare comerciald in telefonia la


Realizirile in tehnologia tubului fdcirte de c.ompaniile teiefonice
au ajutat la a dez,volta o noue irrdustrie in reieaua radio. stalia KDKA cJin
Amplificatorul

mare. distant6.

Pittsburg, Pensilvania, a fost creatd de.cdtre westinghouse Eiectric coorporation

in 1920. Patru ani rnai tarziu, in statele unite aie Arnericii existau 500 stalii,
astfel ce din 1926 releaua de radiadifuziune era o realitate.

lnitial companiile de componente existau prin produclia unor vafiate iipuri de


dispozitive electronice ca elenrentele pasive rJe circuit (rezistoare. inductanle,
condensatoare, transfornratoare etc.). lrrginerii gi oamenii cte
$tiinla din aceste
organiza{ii au fbcut pagi importanli in dezrroltarea unor noi gi perfeclionaie
dispozitive: tubul cu catod incalzit indifect, tetroda 9i pentoda, in care un al
patrulea gi apoi al cincilea elecirod a fost introcius in clasica de acum
triod6.

semnalele radio sunt transmise la frecvente superioare lui 500 l<Hz. ca


frecvenlA, setnnalele reprezeniand informatia sunt cel mai adesea nruli suh
500
kHz. acesie ser-rrnale {rebuinrj sa fre codate
9i deplasate pe trecven!e purtaroaie

TUBLJL CU VID

Era iubului cu vid acopere prirna jurylatate

unilaterald
controlat.

a secolului nostru. in

1904

Fleming a inventat un djsrrozitiv cu doua elemente - dioda, pe care el a numit-o


larrpa; consta dintr-un fi!'incalzit, filarnentul, care en'ritea electroni (efect
F.clinson) gi era separai de un platou metalic, intreaEa stfuoturA e!'a incapsuiatd ilr
vid. Un potenlial pozitiv aplicat catodului (filament) producea ur') cLrrent, pe cata
vreme unul negativ reducea cufentul la zero. Aceasla proprjetate unilaterald a
lArnpii a fdcut ca el si fie folOsit ca detector gernrrale radio,
Doi ani rnai tarziu, Fickard a folosit un cristal de sillciu cr"r o "rrirs;iaiE de
pisica" (un fir punctiform presa pe cristal) ca un deiector. Aceasta a fost pr.inla
diocjd semiconductoare; oricurrt ea era nefiabilil gi a fost cuf6nd ailandonatA.
Astfei electi^onica semiconductoare a avut o moarte prematurd in .l g06.

Inventarea triodei cJe cdtre DeFr:rest in 19c6 consta dintr-un al tr-eilea


electrod (grila) inserat intre platclu gi catodui tutrLrlui lui F:lerning. Foten{ialul grilei
controla curgerea de sancind intre platou 5i catod. o micd schinibare a
potenlialului grilei condLrcea la o modificare esen{iala a tensiunii platanului, til{tda
lucrand ca un arnpli{icator.

Trioda a fost prirnlrl dispozitiv care manifesta proprietatea pe care acuirl o


refr:rim r-:a sursd controlat6 sau dependentfr. Deoarece ea pastra proprieiatea

mai inalte printr-un proces referit ca modulare. primul sistem radio a folosii
modularea in ampliiudine (At"4) peniru a iriibogdli ficlelitatea Si a reduce efectul
interferenlei atmosferice. Armstrong in 1930 a conceput si a dezvoltat
modulittia
in frecvenld (FIr/i).
Televiziunea alb-negru a demarat in 1930 gi a fost bazatd pe iconoscopul
9i
cinescopul lui Zworykin, Pdni in !40 teieviziunea in Stateie Unite
a tost utilizata
modest; r6spdndirea mai largd d ei a fost intArziatd de al cjoilea razboi
rnondial.
Dezvoltarea televiziunii color a inceput in jurr-ri anului 1gS0 in anii
60 a devenit
-si

sistemul cie televiziune dorninant-

Tehnicile folc,sile in radioriifuziune au fost adaptate in alte aplicatii.


sistemele telefonice au fost transforrflate intr-una din formele
majore aie
c0municatiilor eiectrsnice. Reciproc, c!r'cuitere cJezvo!taie

electronicd au fost iarg utilizate in sisterne de receplre radio.

trientru telefonia

Fiecare din irrovatiile rnen,ticlnate a cerut ca noi circuil'e sd fie


rnventate.
ReaJizdri impoftante sunt: arnprif!catorul cu reaclie negativd
inrrentat de Brack ?n
1927, regulatorul FtVl 9i ijiscrinrineiorul Fh/I. Un alt circLrit

imporlant realizat a fost


generatorul dinte de ferestrdu cai-e realizs
baza de iimp pentru pi irnele
osciloscoape Ei sistemele de deflexie in icleviziune.
[4ulte clin sisternele d]
cromunicatie mai noi au utilizat semnale cliscrete
in
locul celcr contirrr_ii. in
consecin{a o varietate de circuite de impulsur.i
au fost dezvoltate peiltru
ll\'!TFTADUCERE

tlpr LJ.rllHll rlr!

rr,'l',:,t

!l tlriltlttl;ttiF
lrr,ii lr,ll.'t',lltrrl

"ilt(

r{)ilt/'.il(| ill l(rrlt)viziune, radar, pentru generare de pulsuri

',rr r;l(:uilul intc0rat au condus la cregterea extraordinara a


itrrlrr,,lltrr t,;rlr,rrlirlo;rrclrrr, orilliniltl lor se gAsesc in eia tubului cu vid. in 1633
lir;lrlr,lr;rrrl rr rlr::,r.r i:;, ir r r;orcsponden{a cu prietenul sdu Kepler, un oalculaior
ilt('(:;ilil(, (,;il(i (rx(loulil ad'.rnarea, scSderea, rnultiplicarea 9i impSr!irea. Ei a
pr rrr:cl;rl o ro;rlil cu 'l 0 spile pe ea, din care o spit5 era mai lungd decdt celelalte.
/\(:{:iuilr'r rorrl;1 crer plasata al5turi de o aitd roatd similara. Dupd ce prima roata
liicoil 10 inc;r'ernerrli unghiulari, care corespundeau celor 10 digili, spila lungd
un(lrcna roarta urmStoare. Cu aite currinte el a inventai transporiul in aritmeticd.
Carrr in acelagi tirrp Pascal (1642) gi Leibnitz (1671) au avut idei sirnilare. Dar
prrinlul erfort serios pentru a construi un calculator mecanic a fosl ficut 200 de ani
rnai tArziu (1 833) de Babbage, un profesor de matematicd din Anglia. "Magina
analitioS", a$a a fosl numit calculatorul lui Babbage, conlinea toate elemetrtele
unui calculator numel^ic modern. El a folosit cartele perforate, inventale 30 de ani
mai devrerne de Jacquai"d, un tapiler francez, pentru intrare gi iegire. Coniinea
memorie gi o unitate aritrnetica. Oricurn, tehnologia nu a fost capabild sa
converteascd ideile lui intr-o magind practica.
Frimul calculator opera{ional a fost electrornecanic $i a fosl constfuit de
inginerii de la IBM sub direclia profesorului Aiken de la Universitatea Harvard in
1930. El avea 17n'r lungirne, 3 m inallime Si efa fsafte grosolan" Totugi el a fost
folosit pentru diferite calcule rnai muit de 15 ani.
Primul calculator electronic a fost realizat in '1 946 de citre Eckert 9i Mauchly
la Universitatea Pensylvania. El a con{inut 18.000tuburi, ocupa 40 rack-uri gi era

dispus intr-o camerd de cca. '1 30 mp.


in 1946 IBM a irrtrodus primul calculator electronic comercial mic, de tip 603.
Doi ani mai taziu primul calculator numeric de uz genefal, lBhil 604, a fost
realizal gi peste 4000 de magini au fost v6ndute in'l 2 ani. Astfel, 1948 poate fi
considerat ca inceputul industriei calculatoarelor. Coinciden_td, tranzistorul a fost
inventat iri acelagi an.

(altele decat cele din comr-rnicatii gi calculaloarr:) [)ispoz-ilivslg lolosite


erau
tiratroane, diode cu gaz, redresoare cu arc in rnerc;trr gi lrrllrrri irrallri pulere ?naltd
tensiune. Acesie dispozitive au fost folosite in circuitc ci:trer nr.l prodLts tensiune

inaltd gi diverse convertoare (redresoare sau utverloare). A6rlicaitiile au inclus


controlul vitezei motorurui, regrarea terrsiunii. incdrzirea pirin inducfie gi o

varietate de controale a proceselor industriale.


odata cu cregterea industriaid, a fost fdcut un important progres anaritic gi
teoretic. Analiza de circuit 9i tehnici de sinteza au fosi c]ezvoliate", in special
in
labofatoarele Bell; Bode gi Nyquist au dezvollat teoria anrpiificatoi"uiur cu
reactie.

shannon

in suA gi Koternikov in

uniunea sovietica, itrrr*punc*",.,t, 'uu

dezvoltat teoria informafiei, care a avut un mare impact asupra transmislei


de

date.

Folosirea algebrei Boole in anaiiza gi proiectarea circuitelor


de comutajie a
fost o altd contribu{ie a rui shannon (1 937) in Angria, conceptur

calcul universald
microprogramarea.

a fost

propusd

de'magind de

de Turing, iar wiites a

dezvortfft

sisterne de

date egantionate, introduse de Ragazzirri


Zadeh, au fost
utilizate in aplicalii de controi, pav6nd drumLrl pentru sisterre9i
de contror bazate
pe procesare cu calculatoare numerice.
$tudii de materiare., in particurar apiicarea mecanicii cuantice Ia
soiide, au
condus Ia noi dispozitive gi mai tAr-ziu au permis inventarea
tranzistorullui.
Traductoare, dispozitive prin care rumina, supetur, presiunea,
temperaiura gi arte
variabile au fost conveftiie 'in, gi din semfrate etrectrice,
uu pJrri* forosirea
avantajelor oferite de electronicd. Noi forme\e instrumentatie
de- masura s_au
dezvoltat' folosind atSt electronica in rnisurdtori cat gi la
testarea echlpamentului
electronic.

Anii 50 au fost de tranzilie. Fi au marcat sf6rgitul dezvoltarii


bazate pe trrbtrl
cu vid gi inceputul erei tranzistoruiui. ,Astdzi, intregul
clomeniu este

dispozilive semiconducioare exceptand apricaiii

inaltd.

le mrr* puteil

domlnnt

rj<,r

$r tensiune

La acel timp un numdr de institulii, incluz6nd

UniversitS,tile l-'larvard,
Princeton, Pensylvania, lnstitutul tehnologic l\4assachusetls, Institutul de Studii
Avansate, au fost antrenate in cercetdri de profil.
IBIVI 650 a fosl in{rodus in 1954" Acesta 9i alte magini produse cie alte
companii sunt cunoscute dfept calcuiatoare numerice din prima generaiie.
Calculaioare analogice au fost de asemenea dezvoltate in ultima parte a erei
tubului cu vid. Asenrenea maqini, folosite la a rezolva sisteme mari de ecualii
diferenliale sunt bazate pe constrirctia de circuite electronice a cSror compoftafe

este guvernatd de un set de ecuatii analog cu cel care trebuie rezolvat.


Analizorul diferenfial, dezvoltat de nusi-r la Instiiutul Tehnologic l,IassachLrsetts, a
fosi primul calculator analogic electlomecanic. Versiuni electronice au devenit o
realitaie cu i nvenlia anr plificatoru u i operalional,
Originea industriei conlrolului electronic a fost in "electronica industriald",
care poate fi definitS ca folosirea dispozitivelor electronice in controlul maginilor
I

INTRADUCERE

J.2. TRANZISTORUL

Viala erei semiconducltirului a inceput cu inventarea


tranzistorului
oricum
aceasta erd a demaratin munca anterioard,

in

1948.

rearizata intre 1s20 gi 1945.


In acea perioadd studie.rea
6rroprietaiilor electromagnetice ale senriconductoriJor
gj metalelor a fost in principar domeniur
fizicieniror. Liilientirar gi Heir, in anii 30,
fiecare a primit un brever pentru L,r dispozitiv
de amprificai-e, f,recursoarere
lonctiunii qi tranzistoarelor cu efect cJe c6mp MOS.
T.rf:urile cu virl aveau rinriiiiri majore: puteres
era consumata chiar sind ere
n_u
.erau in Lrlirizare, l'iramentere se anieau, cerdnd inrocuirea tuburiror. M.J.
Kelly, atunci rJirodor cje cercetare gi nrai t6rziu pregedinte
al l_aboratoareror Berl
t
previzir rrra cro
r*cunoaqte cd fiatl!riiatea, cornunicatia prin

i::lt

terefo'

'

' ''---::-::---

i-:-

IAI'Tf<ADUCERE

extinsd cereau mai ales electronice decdi electrornecanicS, vitezi de coinutare $i


anlplificatoare mai bune.
El a formal un grup de cercetare a semiccnductoarelor constAnd din fizicieni
teoreticeni gi experimentatori. un ingirrer eleciric Ai un chimist fizician care au
lucrat cu metalurgigtii, in laborator. Unul din scopurile cele rnai importante era sd
dezvolte un amplificator semiconductor care putea sd inl6ture neajunsurile
trrbului cu vid.
Un experirnent a fost fdcut in decembrie 1947 , Tn care doud sonde din fir de
aur plasate apropiat erau presate intr-o suprafald de cristal de germaniu.
S-a observat cd tensiunea de iegire la sonda "coleclor" in raport cu "baza"
g;ermarrirr era mai mafe decAt tensiunea de inlrare la sonda "ernitor". Brattain gi
Barclr:en ilLr recunosjcLlt cd acesta era efectr-rl pe care ei il ciulau, Si cd
arnlrlitic;atorul semiconductor sub forma tranzistor contact punctual s-a ndscut.

Porforrrranla prirnelor tranzistoare era foarte sdrace. Ele aveau cdgtig gi


llltr;irrttl do lri:rttrlli re-'ciuse pi prezentau zgomot. in plus caracteristicile lor variau
rrrrrll rlc la trrr rJispozitiv la altul.
l)lror;klcy, coticlucatorul grupului, a recunoscut ca dificultSlile erau cu
r'orrlilr:lill prrrrotural. El a p|opus tranzistorul jonc{iune gi aproape irnediat a
rl{r/vollirl loolia functionarii lui. Noile dispoziiive depindeau de purldtori de
rl() lrrrrberle pcllaritiiti; prin urmare ele erau dispozitive bipolare. Cele doud
";rr(;[ril
ltrrtltt;ttltt llilrt?ilo?rre erau bine - cunoscutii electroni gi alte "parlicule strdirre".
/\r;r:;lr: l)irrlioule straine pot fi explicate nuniai prin mecanica cuanticd $i se
r;rrilrp0ttilU aga dac6 erau sarcini pozitive" Ele au fost numite "goluri" deoarece
r'lo rcgrrr:z-entaru poziliile din cristal unde lipseau electroni.
Tcoria lui Shockley a prevdzut cd densitatea de curent rnare poate fi atinsd
;terttru potenliaie mici aplicate. Posibilitaiea de obtinere a dispor-itivelor practice
fAra filamente incdlzite a aodrut imediat.
Proprietdtile electfice ale tranzistoarelor au depins de continutul specific de
irxpuritate controlat cu gnija (1 atom de impuritate la 1clO milioane atorri
germanir.r). in consecin{d, clispozitive slgure nu puieau t'i fabricale fdrd cristale
exceplional de pure, la care impuritdii dorite puteau fi aCdugate.
lrr'l 950 Laboratoareie Bell au crescut crislalele de gerrraniu cu un conlinut

in

inipuritate mai nric

de 1 la bilion.

Datorit6 acestei dezvoltdri primele

iranzistoare cu jonctiune crescutd erau fdcute gl au fost urrnate un an mai tarziu


de tranzistoare cu jonctiL.rni aliate. ca urrnare, in 1951^ trei ani dupd descoperirea

anrplificdrii ?ntr-un solid, trarrzisioarele erau produse comercialeAmerican Telephone & Telegraph a luat o decizie rnonumentald: a nu pdstfa
secretul acestor descoperiri. Memlirii personaluiui iehnic au !irrut simpozioane la
care au impadagit cunoqtinlele lor cu prrofesori, care au trecui aceste cunogtinte
studen!ilor lor. Brevelul it fost ofr:rit altor companii interesste in fabricarea
tranzistoarelor. conrpaniiltl do lrrbu|i, ourn ar fi RCA, Raytheon, General Electric,
Westinghousei au 1o.sl prinrt:lc oirf o au fabricat ifanz-istoare. Alte conrpanil
existente sau reoer'rt f ottrtitlr.r, cilro illr rrrr;rrrrosr,:rrt potentialul acestof dispozitive,
au irecut curartd l;r lalrriclrrrr;t lol
-6-tN

li( \l)U()l

l.il

Una din aceste cornpanii, Texas Instruments.


in recentur iabcrator creat de
cJe Teal, a anunlat producefea
trarrzistoareior cu

starea solidult'ti, coltdus


1954.

siliciu irr

Bardeen, Brattain,gi s.hockrey au primit premiur


Nobel in fizicS in 1956 pentru
inventarea tranzistorurui gi contribLrtii ra inleregerea seniic.ncluctoriror.
Kilby, de ra Texas Instruments, in tsss a fundamentut
c,:rrceptut de circuit
monoliiic, prin forosirea germaniurui sau siriciurui
ra a construi un int'r*g circuit.
Rezistentere erau formate prin umfrarea
serniconducroriror sau prin difuzia
uttui semicondustor in aitul. Foiosind L,n strat
metalic pi ser-niconcluctorul pentru
eJectrozi gi un strat de oxid pentru dielectric,
l(ilby a fornlal
El ;e
96ndit de a$ernenea condensatorur jonctiune. pentru a o[monstra
",,nd'ensatoare.
prob,abiritatea
concepturui, er a constfuit at6t un oscirator cat
un ,.nriii"rt i"i"i din germaniu
fdcand interconexiunire circuiturui din fire cre si
aur fixate termic. Kiiny a anuntat
circuitul s5u sorid {rnai t6rziu nunrit circuit inteErat)
ra o o.nferinla i'19s9.
Aproximativ in ace.lagi timp Flnyce la Fairchild
senilcontju'cior (ulterior unul
din fondatorii lui lN'fEL) a av,,irJe a.serrrcnea
icleea circuituiui rnonoritic pentrir a
reaiiza dispozitive mullipre pe o singufd bucata
de siriciu, i, ,""prr cJe a face
interconexiunile irrtre clispozitive ca pirle a procesurr-li
de fabricajie !i prin urmare
a reduce mdrirnea, greutatea etc,, ca
9i cosiur pe elemenl activ. El a indicat cunr
rezistente $i condensatclri puteau fi fabricate,
clrr) Jonctiuni pn pr_rteau fi forosite
pentru a izola clispozitiv<l le urrr-rl cje celdlalt
co'ponentere circuitLrrui. prteau {i obti'r,rte prin 9i cu interconexiuni intre
evaporarea rretarurui intr_o
fereastrd din siriltul de oxid"

succesur fab'icarii circuiterrir

integrate r-a dat tranzistorur pranar gi


.
prer{rcrarea in lot. Teh'ologia
pranara a fJlosit tranzistoare in care
regiuniie bazi
$i etnitor erau difuzate in coiector. Pr-irnele tranzistoare
difLrzate
au
fost r.ea!izate
de Hoerni ra Fairchird (1958). Un pas
mal0ripre
succesur produntiei r-e constituit

pasivarea joncliunilor printr-un strat

de oxid oe suprafala. pdnd in j961 atat


Fairchild cdt gi rexas Instruments au
tiecut ia conrerciarizarea circuiteror
integrate"
Astdzi, subsisteme_gi chiar sisterne intregi
contirrand mii de componente pot
fi fabricate pe o sirrgura pastiii de silic!u.

r ermenul de "microefectronica"
se referd ra proiectarea gi rearizarea acestof
circuite integrate cu irrartd densitate
obi$naiit, ciimensiunire
pastilei de siticiu sunt in..jur.de.3*S Ju'io,np"nerlte.
*n-, jl avand grosim_; ;;0,3 mm (de
aproxrrxativ 3 0ri mai sur-rfire decdt pdrur
u,t,un;. pana in 1gB4 asifei de,,cip-uri,,
puteau conline p6n5 la
,
componente per mrn2" urm6toarere
-400.00b "n*fon"nt*, corespunz6nd la 30.000
.iate airo"irnative dau cdteva indicatii de
cregterea numirului
,,cip,,:

1951
1960
1966
1969

de cornponente pe
- tranzistoare discrete
- scala micd cieintegrare (SSl), mai pulin
tle ,4frO componente
- scala medie de integrare (MSl), 100
la ,! 000 cornponente
- scala larga cle integiare
tisli, iooo r" 0.o00 cornpronente
.1

lr,tT,ar\^t,^::ilutnul-)ULE1{t:

.-]:-

1tJ75

sjcala

de

irrtegrare foarte largd (VLSI),

mai mult de

10.000

t:otttlrclttotrtt':

a plopus tranzistorutl cu efect de cAmp cu jonc,tiune in 1951, dar


llrbricatia a r;iizut deoarece o suprafa,td stabild nu a putut fi oblinutd. Aceasla
tlili<:ultale a fost depagitd cu introducerea tehnologiei planare gi pasivirii
dioxicjului de siliciu (Si02). ln 1958 primul tranzistor cu efect de cAmp cu
jorrc!iunel a I'ost produs de Teszner in Franla.
Dezvoltarea industriei calculatoarelor a irnpus dezvoltarea unor noi circuile
irrtegrate. Viteza, consurnul de putere qi densitatea de componente sunt
corrsiderate impo{ante privind circuitele digitale. O primd familie de circuite
ihockley

logice bipolare a fost TTL, inventatd de Buie

(1

961) de la Pacific Semiconductor.

O trdsiture rnajord s circuitelor TTL este folosirea de tranzistoare cu


emitoare multiple pentru a imbundtd{i densitatea componentelor. O serie de
nrare vitezd ECL (Emitter- Complet Logic) a fost introdusd de Motorola in'l 962.
Cip-uri bipolare de densitate mare au fost realizate prin folosirea tranzisioarelor
cu colector multiplu (1972\.
Folosirea MOSFET-urilor a devenit imediat atractivd deoarece sunt oblinute
densitdli foarte mari de componente. Metode de fabricafie dezvoltate au conclus
la folosirea dispozitivelor cu canal n rnetal - oxid - semiconductor (NMO$).
Conductia in aceste tranzistoare este prin electroni gi se oblin perforrnarite de
vitezi mai ?nalte. in prezent tehnoiogia NMOS este preclominantd.
Semiconductorul metal-oxid complementar (CMOS), o configurafie de circuit
imbinAnd atat semiconductorul melal-oxid canal p (PMOS) c6t gi N[\,4OS, a fost

mai intdi utilizat la ceasurile digitale datodtd consurTruiui de puiere extrern de


cobor6t. Realizdrile recente, incluzdnd folcsirea porlilor polisiliciu gi reduceri in
mdrimea dispozitivului, au fdcut din circuitele CMOS o tehnoiogie numericd
imporiantS a anilof 1980.

in memoriile semiconcluctoare, lr,4OSFFT-urile sunt o for-!6 majord. RAM-uriie


au fost primele dezvoltate prin folosirea tranzistcarelor bipolare, in 1970 fiind
disponibile pe pia!5. Aceste prime memor^ii siocau aproximativ'l 000 bi{i de
informalie. Folosind tehnologia MOS, RAM-url de 16.000 bili au fost accesibile in
1973, cip-uride 64.000 bili?n 1978, RAM-uri de 288.000 bili in 1982, iar "cipurile"
de 1.000.000 bili in 1986.
Memoriile ROh4 au fost iniroduse in 1967. Dezvoltdri ulterioare au dus la
ROM-urile programabile (PROM) 9i cele reprogramabile (EPROM).

Mai mult de jum5tate din circuitele inteErate MO$

in

1970 au mers in

producfia de calcu!atoare. intr-un efort de standardizare a proiectdrii "cip-urilor",


producdtorii de circuite inlegfate au propus partilionarea arhitecturii calculatorului
pe funcliunile cifcuit. Acest concept a condus la primul microprocesor dezvoltat
de M.E. Hoff la Intel in 1969. tulicroprocesoare pe 4 bi{i au fost introduse de Intel
in 197'1 , urmate un an nrai tOrziu de un dispozitiv pe I bili. CurAnd, alli
producdtori aveau sa furnizeze microprocesoare gi unitati pe 16 biti, care erau
accesibile cStre sfdrgitul anilor 1970. Dezvoltarea micropnocesorului a condus la

INTRODUCERE

conceptul "r;alc;ulat0r pe un cip". cochran gi Boope de la Texas lnstruments


erau
posesorii unui trrevel in 'r g71 pentru L!n microcorJliruter pe
un singur,,cip,'.

Prima dezvortare importantd in circuitere integrate unuroqic;;


venit in 1964
c6nd widlar, atunci ra Fairchird, a dezvortat primul amp-iificator
operalionai
(pA709)' Alte circuite gi subsisterne aveau

si fie ulterior dezvr:ltate

iii
multip!icatoare anarogice, convertoafe diEitar-anaiog
$i *nrrog-cigitur, filtre
active' Mulie din aceste circuite forr:sesc iranzistoare biporare,
iar dispc,zitive
inc!udeau

MOS au fost de aserlenea folosite de la sl,Argitul anilor


19i0.

2. OBIECTIVE
Dispozitivele electronice sunt acele componente ale
circuitelor electrice a
cdror eornporiare se bazeazd pe coniroiul rni$cdiii pufiatorilor
rje sarcind in
corpul solid, in gaze sau vid. ln .ultimii ani aproape toate
dispozitlvele erectronice

folosesc conduclia in corpul solid, respectiv in serniconductoare.

In cazur acestor dispozitive, fenomenere erectronice


se petrec fie in vorumul
fie ra grani,ta <lintre regiuni semiconductoare

semicond.uctorurui (fotorezistenfd),

cu proprietdti diferite (dioda, tranzistorur etc"), fie ra contactur


dintre

semiconductor gi un metal.

Prezenta rucrare

va

aborda funcllonarea, caracteristicire

,
dispozitivelor semiconductoare.

$'

un

apricatiile

circuitele elecirice care folosesc dispozitive electron!ce


se numesc circuite
electronice'

Acestea au menirea de a realiza anurnite funcfii electronice


specifice
intre care: amprificarea, redresarea, stabiiizarea tensiunii,
generarea de osciratii
armonice, modularea gi demodularea $tc.

Amplificarea inseamnd mdrirea niverurui unei tensiuni


sau a unui curent, clr
anumitd lege de varia{ie in timp, pe seama..,energiei
furnizaie

de sursa de

alimentare.

pfesupune transformarea energiei de curent


arternativ, de obricei
,- T*dturll*a
Ia o
frecventA joasa,

in enerEre de curent continuu.

Generarea oscilaiiiro.r. este procesLrr prin care


se produc osciialii erecifice
sinusoidale sau nesinusoidare ra irecu*nl"'loase,
medii sau inaite.
Modularea insearnnd variafia dupd n rege oarecare
a unuia din parametrii
uneindrirni eiectrice periodice, 'cr,r scopur traismrterii
unei
irrforrriatii.
""""i,'.'rt?"irtr-"
presupune extragerea inr"rmuiiui
,Denrodurarea
undd
modulara.
Funcxiile erectronice pot fi asociate ra dou6
mari categorii cie apricatii:
- controlul 9i conversia energiei,
- pfet('crarea semnalelor electrice purtdtcare
de informa{ie.

Lucrarea este destinata studenliror

de ra specializdrire

respecliv Autonaricd gi Informaticd


Industriard, puiano
specializaroa Electrolehnic6 sau Hnergeficd
Industrield.
IN7'RODUCERE

fi forosit

carcuratoare
li ie cei cte

gi
ta

vaienla al eletnr:t-ttttltli trott:;itlrrt;rl; tlcr;i hotdrdsc cotnpottarea atclmulut respecti,,/


falride atonrii alt<lr cr<:rrrrrlrr. rrl .;r. irrtrii in reactie chimicd.
In migcarea lor, r:lr:r:rrorrii ;ro:;orlir i,rnrrrriite ertergii bine definite; deci pcisedd
anumite nivele e,ilr.:r1;clicc. lJrrrl;rlclr rlc rnRsu16 pentri.l nivelul epergettc se
numegte electronvolt (oV),

q;i

t,(i
Capitolurl

1 .1

CAnd are loc cuLrlittc:;,t

1 SEMICONDUCTOARE

. tvlE-I-ALE $r SEIVIICONDl-f CTOARE


Majoritatea concluctoarelor

de

eiectricitate solide sunt

fie

metale,

rie

semiconductoare. intrr-rcdt cureittu! este o manifestare a nrigciirii sarcinii in interiorul


unui material, este necesar sd se examineze originea gi compcriarea sarcinii capabilS
de migcare, pentru a putea infelege procesul de conduclie dintr-un maierial.

Serniconductoarele, intre care exempleie cele mai obignuite sunt siliciul 9i


gernraniul, difera de metale ciin mai multe puncte cje vedere. Diferenfa cea mai
importantd gi fundamentali este faplul cd la nivel microscopic, semiconducioarele csnduc curentul electric cu ajutorui a doud moduri distincte 9i independente

de miscare a electronilor. in timp ce urrul dintre acesle moduri poate

fi
reprezentat !a rrivelul macroscopic prin curgerea sarcinilor negative, celSlalt mod
trebuie reprezentai prrn curgerea sarcinilor poz"itive.
Metalele ?nsd conduc numai prin purlatori mobili de sarcind negativS, intr-trrr
nretal neexist6nd pr-lftdtori mobili de sarcind pozitivS.

Aceast6 distinc{ie

std la baz,a func]iondrii rnajorita{ii

semico nd uctoare cu joncl,i uni (ciiod a, tra nz-istoare

bi

dispozitirrelor

polare).

(llotrl11r11i;111

10 "'.J

rlo virlotrl;;i lri irlornilor vecini

ri%i l r*,o,*"
,;:"rri:{,4i

hirutr:r Ubpra

tondrrtie}

-{.de

_rl

li,arrrla

irrtr rlila

I,
;r barrda nrrrlllr
(vdenru.)
|

h.r

Fig.

i-1

I rtl |

La un rnaterial contjuofor (t=i1l. 1-l), lr;trrtlrr

" 1 .2.

t\tECANISMLjr- CONDUCTIEI

inir-o imagine sinrplificatd se admite cA ir{r:nul este forrnat dintr-un nucleu,


care contine nieutroni (pal1icule fdrd sarcini cleclrir:ii) 9i protoni (particule cu
sarcina eleclricd pozitivS), gi din electroni (partir;trlo

in

c;tr

sarcina electricE negativA)

jrrrLrl rrr.rc;leului central. CAnd numdrul


electronilor este egal cu cel al protonilor, alorrrul esle rreuIru dirr pLlnct de vedere

care gravite azd pe ciiverse orbite

electfic.
in anumite irnprejur5ri, eler:tronii lriil:;tl s;;ltIt cle pe o orbitd pe alta, emi!6nd
sau absorbincj cuante de eneri;ie. Ele:cJrorrii silrrilti 1:e ofbita c.ea rnai apropiat* de
nuclert sunt iegali mai strAns cJe irr:or;1i,r, prr r.;i:rntl electrr:nii de pe ultima oriritd electroni cle valenld, sunt cei nriri sllrll lrrlrrli tic rtucleu. Ei determind nulTrdful de
1A

Ci:t1ti(olttl

l ;'l Mlt:()NI)l.JOIOARE.

ciintr-un

cristal. electrclnii atornilor cLtliluli irr rr:lcrrrrir r:ri:,;l;rlirra,:ru posihilitatea


sa ocupe
nivelele energetic;e cu6lrinsc lrr;trrrrrrllo lrr,,rrzi clg elr1,.rgie, purrrite benzi permise,
gj nu nulnai nivele enerl;r,:tic;o rli:;clr:lc corcr;l)urzatoarrl
atoilului izoiar.
De reEuld, eieoirorrii or,;rrpii rrivclr: rlrr ct)r:f(.lic rninima rlirr l^rancta ocupata,
denumita Si banda de vtrlerrt{il. l)lrlorilri;rrlil;rlici 1rrrryl11.,', silu:;rrb
influenta unui
c6mp electric aplicat cjin cxlerior, llr,r;lrorrii ll,;i l,1.rorr:s;r: r:rrcrr;i.t;ri
froi-tr*"" pl
nivelele permise sutrlerioarc, irr lrirrrrl;r lrlrr.lr rJonurrril;i
i;i lrlrrrtiir tk) conduc;iie gi
astfel ei devirr eiectroni libcri sirrt t,lor:lrlrri rll r;orrrlrrrlic, r;i.rrc pol sa
circttle in
intreaga retea cristalina

ilt

y;11q.1,1.,:,r

rrrtil lrctrliait

",

rrrlrr:|;rlrrlrrie

cu
bandade conductie, iar ttuttt,titLtl olcrtrorrilor lilrr:ri .:,lc
t,,,,ir,r ,,,,,,,1'iiul) il(;liunea
unui cArnp electric clricdl tJc sllb, clr:<:ttorrii lrtir:1 r:;rp;rllr (|
61,,(i;ll(!
iri
sens contrar c6ntpului si 0sl1ol apltf{: c:rrrtrrlrrl clt.clrir':
'rrlgrprtA
rrr ,,,rlr1l r:{r1(11(;l()r.
or rrd
materialul COndilotor prinrt}5lc ort0rr;ir: rJirr lrl;rr;r (r:x:
irrrr;rl,,irr,), illIc.;ttoi.lii
liberi pot pdrdsi r:orpul, cllirrci rttr;;rr:rrl crrrir.;illrii ,rlr;rr'ri...;rlirr
La corpurile izOllrntc (Frg. 'l -2), nrrnr;turrl clcr:lrorrilor
lilrr,li1,,,1,, l{)lrl(. lnic, iar
benzile de conduo1;ie gi rlr; vulr,:n{ii, r;arc r;orr:ililrrii.r
lrrrrr.zilc plultjr,(,, ,,lrrl s;()l)arate
prtntf'o bandd interzisb cu lt.rrrgirntra 5-l0eV,
irr r:i.uc lur :;c;rllit rll(\( lt()ni. ln fi(j(.)sl.
caz^conduc!ia poate SA apata nurtiai rJar;ir
urur cltlr:lrolri rljrr lxtrrrlrr tit,: valunlA
dobAndesc prin incalzire prrternicd sau
srrll;,rrlirrrrc;r rrriui r:i.rrrrlr,,f,,,.f,,,,,fa'lr,ri"
intensitate. energii suficient de rlari penlru ;.r
rlt:v,cru lilrcri.
Corpurile semiconductoafe au o slruriLrr.;i ir lrcrrzilrrr
rlr r,rrl11;11, ilt.;(jrTlitnatoare cu cea a izolaioarelc)r. singura
dr:()setbirr.r lrirrrl llrrr;irtrr:il rrr;ri rrrir;rr ;t l)(,nzilor
Interzise. La_germaniu rdrgimea benzirorinrorzi:;r:
L: -,(),i(j 0V; ,;irir:irr r.. = .r ,1 oV.
C

apltolul 1 .

S E' M I CO tV I'.r t.t C I

t:. )

Alit

11

hurls lihera
bmde inteniaa

hmila otr4rain

Fig. 1-3
CAnd electronul posedE energie suficlentA, el poate sd treacd din banda de
valen[5 in banda de conduciie, ldsdnd in urrna lui un uivel energetic neocupai.
Abserrla unui electfon din banda de valen{d poartd numele de gol. Golul treiruie
privit ca o palticulS activd, cu sarcrna elecirice pczitivd, egala in \re.,loare absokjta
cu sarcina electrorrului. Electronii gi goluriie se numesc pudiitori de sarcirid gi

deci ei participi la conducfia curentului electric il-r semiconductor.


Trecerea unui electron ai reilelei cristaiine de pe un nivel al lrenzii de valenia
sau a! benzii interzise in banda de conduclie va ge''tera un electron de conduclie.
Dacd un electron pdrdsegte banda de valen[5 pentru a ocupa un nivel din banda

in acest Inod se
genereaz-a puflStorii de sarcinS.
Daca un electron al retelei cristallne pdrbseste banda de conductie sau t[ece
in bancla <ie valenfd, dispare un eiectfon de conducfie, fespeciiv un gol.
Fenomenul duce la recomhrinarea purtdioiilor de sarcind.
in majoritatea lor, electronii de valerrld ai aiomilor unui semiconductor {cum
arfi siliciul) nu sunt iiberi si se deplaseze in intregul volum al semicolrductorului.
interzisd sau banda de conductie se \/a gerlera rrn gol.

Fi participa in schimb la legdturile covalente care menlin ansamblul atomilof


setniconductorului dintr-o $tructurA cristalind periodica. l:iecare atonn ai cristalului

afe patru vecini imediat apropiati $i imparte cu acegti vecini electronii sai de
valenld (atomii semiconductorilor sunt elemente din grupa a lV-a).

In c;azur i' care toli erectronii de vaferiJd sunt rega{i


pfin reEdturi covarente,
conduclia electricd nu e'ste posibilS deoarece nu
existd purtdtori de sarcina liberi
care s6 se depraseze.
consecirrld, un lrateriar care are aceesiii
dispozifie
.in
electronilor se conrporl5
ca un izolalor. ca exemplu de astfel oe rnaterial a
se
poate cita dianrantur, care este o formd cristarind
a cartronurui.
Distribrulia reald a electronilor de valentd dintr-un
semiconductcir diferd fatd
de cea prezentatd prin faptur cd ra toate temperaturire
peste zero -or"rll"?r"1;"
reg6turi covarente sunt incomprete. Erectronii care
ripsesc din aceste legdturi nu
maisunt men{inuli in regiunea regaturiror, ci sunt riberi
sd se depraieze.
La temperatura camerei, aproximativ un
atom din fiecare z_ece rniriarde are o
legatura rupta (Fig. 1-4) pegi aceste legdturi rupte
sunt atat Je rare, ele au un
efect enorm asupra proprieiSlilor electri'ce ale semiconcJuctoarelcr.
Un material
este considerat drept semiconcrucior, gi nu
un izorator cum ar fi diamantur. in
cazui in care numdrul de legdiuri rupte este oe
or.<linui to.'i;;,;.
consecin{a acestor,regdturi couat"ni* iupte
este faptur ca exi.std doud grupuri
distincte 9i independente de puddtori de ,carcina
L u'L'
---'" iu,tl
:
r'vu' \u ."'r*rrii
eiectrici in
semiconductoare.
"uru
Electronii de conducjie care sunt produgi
in momeniul in care un etectron cle
valenla se eribereazd dintr-o regdturd, constltuie
o crasd
celalalt purtiitor de sarcirrd este asocial electronirorde purtdtori cle sarcina.
de valenta care riinr.in
legali in legaturire covarente. Este evident c-r
o regdtrrrd rLrpri este asociata cu o
regrune iocarizatd de.sarcind pozitivd (?n
vecindiat." lui-aiu,-r:i-rupie exista un
exces

de sarcind ionica pozitiva fale de sarcrna erectriod

neq*riv6). Aceasli
regiune de sarcind pozitivd.se numegte gor,
deoarece rezuita,ii,iti-,,,r cjofor:r sarr
loc liber in siructura leEdturilor.
Migcarea sarcinii pozitive locaiizate are
loc datoriia faplului ca un elec1r.o, de)
varentd dintr-o legdturd siiulta in apropierea
iegaturii. rirpte (in apropierea gorLrJui)
poate urnpre rocur riber, f5c6nd prin
aceasta ca gorui sd JU
se uLProrur
depraseze in direclie
opusri (Fig. 1-5).
in ferur acesta, electrorrii de valenld se pot
deprasa de ra regdtura ra regatura,
fdrd a dobandi totusi o energie suficientd
pentril a se elibera de structura
legdturilor' in consecinld, golur"se pout* j*irura
in l-naterjar fard ca prin acesta
sa influenteze in{r-un fel carecare electronii
de conductie.
Datoritd deprasdriror purldtoriror <te sarc;na,-pii?,"*turi"r
pot circr"rra curenti
cr:nduclie. Feriomenur
sta la'nata deprasirii purrdroriror
lll.it:::,1".
de sarci'E
prtn
material este ruperea legEturilor
"e covalente.
Numdrul legdturilor covalente
rupre cregte cu temperatura.
Fenomenul de generare a perechilor
eiectron-gol descris rnai sus
rur se numeste

getefare terrnica.
'r "'c'
Dac6 acceptdm conceptere ce gorr-rri gi
ereciro'i de condrictie vom putea
?n!elege irr cere mai mici amdnunte
.o*poriu,,*, fizicd gi

caracterisucire erectricr,:
alt: rlispozitivelor semiconductoare.
A1i'il rl0rurire c6t 9i erectronii pot
fi consideiati, din punctgr de verjere
ar co11rillrrlrilo'r)o

rare

Fig, 1-4
tz

l=ig. 1-lr
Capitolul 1. SElt4 rcANDUCTOARE

re arlL.rc ra conductia eiectrica, crept purtdtori


mobiii inoependenfi,
Ca

pitolut 1 . SE M tCA N D U CfOA

ne

13

itvrltr(l,,iu(lni tlo t;t,:tttn r:ontrar.I


Morlr,lrrl tlr: s;crrric;onrJ[iotor introdus corespunde semiconduciorului intrir]sec,

Itt

itt;r,r,l lrlr rtllcraua crislalind este considerat6 ca avdnd in noduri numai atomi ai
',rnrirxllrlrrr;lorrrlrri rlc bazi $i nu prezintd defecte. intr-un semiconductor intrinsec,
l)r ill rul,()r(,;l urrci lcglituri oovalellte se formeazd o pereche electron-gol, deci
t,otrr:rrrllo{iilo celor douii tipuri de puftiitori sunt egale.

Noliirrri cu "n" corrc;entra{ia de electroni gi cu "p" concentra,tia de goluri din


rrrirlr,'tii"rlrrl rierrriuortcjuctor", valoarea
irrtrltser;i-i $i e$te notat5 "n1".
Dor:i

lor

cornund

se

numeste concentralia

Electronul de impuritate, der,zenit liber, nu lasd in urma sa un gol ci un iorr


pozitiv de irnpuritate, fix, in reteaua cristalina a semiconductorului.
Datorita fenomenului de genefare termica prezent, in rnaterialul senliconductor
mai exista perechi de electron-gol generati pe aceast5 cale a cdror concentratii sunt
insd foarte mici in comparatie cu cea a eleclronilor de impuritate. Astfel, conc-entratia
de electroni cJin materialul semiconducior este aproximatd de concerrtralia electronilclr

de impudtate, neglijAndu-se astfel electronii generali termic.


Notnd cu nn concentra{ia de electroni, pn coircentralia de goluri din materialul
semiconductor, ND concenirafia atonrilor de impuritate, Npn concerrtra{ia de ioni

pozitivi, avem unldtoarele relatii:

n=P=ni

(1 .1)

nn=f.,lo=Ni

Concentratia intrinsecd depinde de temperetura (T) gi de ldrgimea benzii

n2

n
rn = -'-L
n

interzise (,tE).
lli =

tri

/I

rtr \

expt-._t
' \ 2.k.T)
LrL

(1.2)

A = consiantd
k = constanta lui Boltzman.
Concentna{iile golurilor g! electronilor sunt puternic influen,tale de cantitd}i
infime de impuritdti, care se adauge la un semiconductorin iirnpul fabricdrii !ui.
Procesul pi'in care intr-un serniconductor se introduc impuritiii se numegie
pare, iar sem conductori i respectivi sern iconductori extrinseci.
Dacd releaua cristalinS a unui semioondLrctor tetravaleni (germaniu, siliciu)
este dopata cu o inlouritate pentavalentd (stibiu, fosfor, arseniu, bismut), cel deal cincilea electron de valen!5 nu participd la forrnarea iegdtr-rrii covalenic+, fiirrd
slab legat cJe atomul sAu; chiar la tempefatura clamerei acest al cincilea electron
poate se devind liber gi astfel atomii de impuritate constituie o sursA de eleclroni
de conductie in reteaua semiconductorului.
do

(1.3)
(1.4)

Asemenea impuritaJi se numesc donoare (de tip n), iar semiconductorur cu


impuritAli donoare se numegte serniconductor de tip rr. intr-un semiconductor cle
tip n electronii de conduc{ie (datorati atomilor de impuritate) sunt in num6r mare
gi se numesc purtdtori mobiii cle sarcinA majoritari, iar goluiile
sr.rnt in numar mic
9i se numesc purtdtori de sarcind minorilari.
CAnd reieaua cristalind a unui semiconductor tetravalent este dopat cu impuritali
trivalente (atorni cie indiu, galiu, alurniniu etc.), aturrci o legdturd covalentd dintre
un
atom de impufitate si un atom de semiconductor rdrnene nesatisfacut5. Din cauza
agitafiei termice (chiar la temperatu!,a carnerei), electronii de valentd ciob6ndesc
un
surplus de energie, 9i unii dintre ei vor completa legdturiie covalente
nesatisfdcute ale

atomilor de impuritate. las6nd goluri in urrra lor.

Deoarece electronul care a completat legdtura covalenti liberd ramane

in cadrul iegdturii covaiente a atomului de impuritate, aceasta din urmdfjxat


se
transforme
astfel intr-un ion negativ.
Mecanismul de forrnare a unui gol nu a fost insotit de aparilia unui
electron
de conductie.
Datorita fenomenului de generare termicd rezultd perechr electron-gol
a c5ror

concentralii sunt mult mai r-nici dec6t cea a golurilor rezultate in urrna
doperii
materialului semiconductor cu atorni cle impuritate, Deci concentratia
de goluri
din semiconductor se va aproxima cu conceniralia golurilor tor*ut*
dalorit5

impuritdtilor.

Notdnd cu pp cor'lcentratia cJe gorLrri, np cor'centratia


concentfalia atomilor de impuritate, Nr- concentra{ia de
materialul semiconductor, avern u rnritoarele relatii

de erecrroni, rlA
ioni negativi din

Po=No=N;

(1.5)

ll

ll
no=

Fig. 'l-6
74

l'rig. 1-7
Ca pi{alt.tl 1 .

S F. M

ICO

nl

I(

1t-t At.tf

(1 6)

Fp
Ca pitc,! L.t I

E tvt I CA N D

CTO

RE

/3

ca urrnare a difuziei, in vecinatatea suprafe{ei de separaJie


a regiuniror ,,p,, gi
"n" se formeazd o zond de tfecere, sau de difuzie,
rurigi,-nuu"r oe o,rdinul
micronilor, caracterizatd printr-o anumitd distribufie a
", oenJitalii

de vorurn

a
sarcinii electrice spaliale.
Intr-adevdr, in regiunea "p" din imediata vecinatate
a suprafetei joncliunii,

plecand goluri

Capitolul 2. DIODA SEMICCNDUCTOARE


2 1. JONCTTUNEA p-hj LA ECH|LIBRU TERMIC
in tehnica gi-au g6sit largi aplicalii materialele semiconductoare formaie din
doud regiuni: o regiune Qogatq cu irnpurit*li acceptoare, in concentralie Na deci
de tip ip.9i o regiune dopatd cg lmpuritiji donoare. in concentratie Nr: deci de tip
*.'!rll: Siiriplist, un semiconductor "n" poate fi considerat ca format clin ioni donc'ri

gi sosind erecironi, apare sarcina electricd' negativa,


iar

in
regiunea "n" din apropierea suprafelei joncliurrii preacd etectroni giti'sesc
goruri,
incAt se formeazd o sarcind spatiald'pozitivd.
ca urmare se va stabiri un c6mp erectric intern orientat de ra
regiunea ,,n,,
spre regrunea "F". Acest camp electric transportd gorurire
dirr regirrnea ,,n,, in ,,p,,
gi electronii din regiunea "p" in "n", deci in se;rs
contrar fruxurirorde difuzie.
. c'.respunz5tor repartifiei de sarcind erectrici din dreptur jonc,tiunii
p-n, in
zona de trecere se produce o barierd de porenliai Vg,
cu ; ;;;;ij; in lungul
semiconductorurui. Aceastd barierd de poten{ial se opune
trecerii in continuare a
puttdtorilor
echilibru.

mobiii de sarcina dintr-o regiune

acceptori negativi ficAi gi goluri pozitive molrile.


SE considerdm cele doud regiuni unite printr-o structurd cristalind continud.
SuprafaJa care separd regiunile de tlp "p" gi de tip "ri" dintr-un serniconductor
eterogen reprezintd o jonctiune p-n.
In reglunea "p" golurile, in concentralie pu,r, sunt purtdtori mobili de sarcini
majoritari, iar electronii, in concentratie no"r, sunl purtdtori minoritari, concentratia
goluriior fiind nrult mai mare dec6t cea a electron!lor.
Ppo = Na

in

regiunea "il", dimpotrivS, electronii,

(2 1)

N"

in

concentratie

nns

No

n?
ND

i"t

Cel*cfurn
eau gol

n
cormentrati*

Ie sdronilu

/1

"fo

tl,

tr{

{
\z t)

Decl in regiunea "p" exisid o inaltd concentfatie de goluri, pe cAnci in


regiunea "n" existd o micS concentraJie cie goluri. De asemenea, in regiuusa "n"
exist6 o inaltd concentralie de electroni, pe cdnd in regiunea "p" existd o mice
concenIratie de electroni.
Diri cauza concentraiiei neuniforme, are loc difuzia purtdtorilor de sarcind qi
anume: electronii din regiunea "n" ,/or difuza in regiunea "p" E;i se vor- recombina
cu golurile de aici, iar goiuriie dirr regiunea "p" vor difuza ?n regiunea "n,' gi se vor
recombina cu elecironii de aici.
Capitolul 2. DIADA SEMICONDUCTAARE

,t3

sunt puilatori

rnajoritari, iar golurile, in concentralie p,,s, sunt purlSiori minoritari.


nno

arta 9i astrei se afunge ta un

, regiu** tle
1,,' ss.rrirle aB*.ti*_Ia

pozitivi ficai 9i eleclroni negativi mobili, iar cel de tip "p" ca fofmat din ioni

^2

in

7 !potentid

Blertsir

2.2. EXPRESTA LATTMil DETRECERE .t', LA ECHILIBRU TERMIC


Pentru a determina ldtimea de trecere
ecuatia lui Poisson:

"l' la echilibru termic vom porni de

pu

o?',0

la

v^(-t')=JoT';'-oT';q

d'v__p"
dxz e/
unde

-+ c., =

+c2 = o

(2.3)

c,

o*,3,

este densitatea de sarcind de volum 9i are expresia:

f-qNo
--l*qNo
"u

Deci, legea de varialie a potenfiaruiui in regiunea


"p" dupd crirectia x devine:

-l^n <x<0

(2.4)

o <x<lno

Vo

(4 = 4S*'."qlelloox+q!q.tfo

Adaptdnd ecualia Poisson pentru regiunea "p" vom avea:

d2vi
dX2

qNA
S

o'u.o
N^
-A = p-^
= o.
r PU=
dX2

Poo

Vo(x) =

(2.5)

Pentru zona "n', ecualia luj poisson devine:

_ ^ ND
;F= -q-J
drVo

dv" P-n
#=q.''".x+c1
oxE
Vo(x) =

D-^

2C;*"

Folosind condifiile ia limitd pentru x = -

(2.6)

r._

in continuare vom rezolva ecualia (2.5)

c${"*roo;,

nno

No =

n-^
::> drv_ -q-b-

otr=

in continuare vom rezolva ecualia (2.7)

+C.x+ C,

dV- _q_i!r.X+
n-

----:l- =
qxc

C.

lpo

v"fa =] q$x2 +C,x + C,


ZE

E(-lps)=0
Va (- lpe) = 0

Folosind condiliile la limitd pentru x


=

impreund cu expresia variafiei cAmpului electric dupd direclia x

E (lno) = 0

rdv^ = *E(x)
dX
vom deterrnina valorile pentru constantele C1 5i

Ino

V6 (lne)

C2:

o-"

-E(-lpo)=*q---Y" .lps +C1 =0


Capitalul 2. DIODA SEMI?ANDUCTOARE

\,/s

vom determina valorile pentru constantele


C,

-E(l"o)=-ott'"0 +c.
a

Si

C,

=9 :+

c.,

=qTr"o

e.7)

Vo(l"o) =

-olj-'l' -rqTli. + c, = \70

.:.,

c^ = v- -

Vo =

nno

'2e l?^""

:+ % = 12. flno'PPo
^1
le
flno I Ppo

Deci, legea de varialie a potenlialului in regiunea "n" dupd direclia xdevine:


Vo(x) =

-o*"'
Vo(x) =

qlrrl"or*

*lf

cfri,

tx-lno)2

r v"

2eV" n^" + p-^


flno 'Ppo
I

+Vo

lntroducgnd (2.6) 9i (2.8) fn relalia de mai sus oblinem:

:+

offrl.

*q*l;.

Na.lpo= No.

FXIBESJA POTENTIALULUI II{TERN


CONCENTRATII

(2.e)

x=0

VO

=' q

p(*t . po .E'- Q Dp .vp

I=qn(x).pn.E.iqDn.Vn

iN FUNCTIE DE

\L- | Z)

(2.13)

unde p(x), n(x) sunt variatia concentratiei


de goluri respectiv electroni ?n zona de
tfecere.

La echiribru termic

lno

j,

=0

deoarece curentur determinat de deprasarea

golurilor din regiunea "p" ?n regiunea


"n" este egal cu curentul goiurilor datorat

din care obtinem;


Ppo

deduce expresia poten!iarurui intern Vovom porni


,-^-l-"nl'u.u
de ra ecuaiiire de
transport ale semiconductorului...

::)

PunAnd condifia de continuitate a intensitdlii c6mpului electric pentru


rezultd [elalia:

luo
Ino

Reve.nind ra (2.10) se observd c6 regiunea de


trecere se intinde mai murt in
semiconduciorur dopat mai srab.
g,enlrat, ra jonctiunea p-n i*ri"onductorur
,in
'
"p" se dopeazd mai puternic, deci I loo-l . Ino.

16;

-alr3. =o?j-,;.

(2.11)

(2.s)

Din figura 2-1 se observd cd nu existd discontinuitAli pentru vailatia

Deci, pentru expresia ldtimii regiunii de trecere la


echilib,ru termic, vom avea

relafia:

poten[ialului intern pentru x = 0 9i atunci vom avea:


Vr (0) = Yo

e .c
1p.n r.fins)
l'fl.opuo
'" ''"(Fpo*nno)t
2e
-

fino
ppo

'

I po

loo
loo +lno

I'lno.

deplasdrii sub infruenta c6rnpului intern


Raliondnd in mod analog jn 0
=
gtiind cd:

Ino ::)

flno
I
+-Ino
ilno *ppo

ono

Fpo

dV

-.OX

(2.10)

l'po

9i folosind (2.12) obfinem:

Folosind (2.9) 9i (2.10) oblinem:


Caoitalul 2. DIODA SEMICONDUCTOARE

E din

= -tr(X)

regiunea ,,n,, in regiunea

,,p,,.

!rcl= --.9-ovr* +
dxkTCVr
v-,.

'n=

Ir

Vr =

P(x)

--

Deoarece

V(x)

n(lnq)

'n

0,026V

Vr = tensiunea termicd

=n.s $i

=c

=nno

V(lno)=Yo

*r(-+.)

Deci

l- r ir-r l

p(x)=c. exol-"t^'l
'L

v'l

I rr
**{-\p]

=n(x)=n"u

en)

Dar
F (-lpo) =

Din (2.14) vom obfine;

$i V (-lpo) = 0

Fpo

Jn-^
+U-Unn

P(rno) = Pno =

Deci:

I- vrxll

P(x) = Ppo .expl

Deoarece p(lno) =

pno gi V(lno)

=5-v"=y,yn&o
Pno VT
Pno

=tlnPpo

\/

Din (2.16) vom obfine:

#VT

n(-roo) = opo =

Deci:
P(x) = P"o .

u*P

Ve---Y!0

(2.15)

vr

--

Folosind (2.13) in condiliile de la echilibrul termic oblinem:

-.
q!r".n(x)

dV

dV(x)

!1EI

n(x)= Vr
=+

n(x) =

n(-lpo)

n(x)

=,n

5.=

Ooo Vr

v^ = V,

gi

Dno

pno =

ni

fipo

Vr=[.

In.

floo

ppo

= ni

Poo
I

= npogi V (-lpo) = 0

Capitolu! 2. AADA SEMICONDUCTOARE

!q

vom obline pentru potenlialul intern V6 expresia:

vT

VT

In

Ppo=Na 9i flno=No

v(x)
=
Vr

V(x)
exP;:

]-'l

c.expY()i

n(x) = nos

ono

n", u*o[-

gtiind cd

% =V,

==C=flpo

In

dn(x)

d;+9Vr tr"jf=0

*o[-+']
\ vt.l

(2.14)

.f"T I

= Vo vorn obline pentru constanta C gi expresia:

C=Pno. exp

ppo

(2.16)

. In .

onno
li

t\t
Nl
''A.'o

ni

(2.1 8)

JONCITUI{EA P-N iN REGIM STATIONAR

Dacd se conecteazd un semiconduc'tor cu jonc{iune p-n in circuitul unei surse


de curent continuu cu tensiunea Va la borne, astfel incSt borna + a sursei se se
tege li regiunbe "n" (plitaiiiared inversd a joncJiunii) cdmpul electric intern va
creste ca valoare, bariera de poten[ial cregte de la valoare-a V6 la valoarea
Vc+Vn, iar lungimea regiunii de trecere cregie de la I la l', | < l', ln aceastd silualie
vom avea;

,,

jzD(vo

. vA )

'=1 q
r'--

|,

n"o * Puo

t'\-pri

i-N/,1
rx1+i:r

curentur ro*,care se poate produce i'circuit.pe


seama goruriror (minoritare,
cJin "n,, irr ,,p,, se face in sensur
c6rnpului electric din semic.nductor, este
foante mic, deoarece concentralia oe
goluri in semiconductorur "n" este extrem
,ie mica" pentru o tensiune rnversd

ce se afrE in regiunea "n") gi a cdror trecere

V4
suficient de mare, toate,gorurire minoritare gi
cere generate termic in regrunea ,,n,,
vor trece in regiunea "p'" ating6ndu-se varoLrea
de saturalie a curentului ro".

(2.1e)

(2.20)

r in figura 2-2s-a notat cu lprv gi - Inv curen{ii produgi prin difuzia purtdtorilorde
sarcind majoritari$i cu lp,. gi--ln, cwentii cauzali de deplasarea purtdtorilor de
sarcind minoritari, sub- 6qfiiriea cdmpului electric determinat de sursd in
semiconductor,

Cresc6nd tliferenJa de potenlial in cazul polariz.Srii inverse a joncliunii,


numarul golurilor din regiunea "p", care ar putea trece in regiunea "n" pe seanra
agitaliei termice, scade tinzAnd cdtre zero.

npI

Fio. 2-3
Dacd sursa de curent continuu se conecteazd
in sens direcl, adica Lrorna +
se leagd la regiunea "p", campur etectric-intJrn
scade,
bariera de poten]iar scade
la valoarea Vo - Vr iar lungimea regiunii
ie irecere scade de la I la 1,, I > 1,. in
aceaste situatie vom obtine:

(2.21)

,-,.[]u
VV'

(2.22)

concomitent cu cregterea tensiunii


directe Va cregte cureniul lo1y1 pe seama
cregterii numirului de qoluri care
trec prin lontlirn* oin rugiunu" l,pl,'in

1^*giun*u
"n* deoarece
sJmiconduct"_ri,q ";o''"
turtArorii majoritari sunt goruri.
RaJionamentur de mar sus se apricS
5i pentru Lrectr<lnii riberi (vezi figura z-3).

ra

trio )-)
CapitaluJ 2. DIODA SEMICaNDUCT}ARE

c. a

1,i

ii i t - n
t

tj n Iit' rw

11:

o N t"w C fcA

E-----*ZE.

STATTCA A JONCT|UT{lt p-N iru nrclvr


G 5,,qw|CTER|STICA
!-''"
STATIONAR

fn cele ce urmeazd se va determina caracteristica static6 a joncliunii p_n.


Deducerea caracteristicii statice se efectueazd
lin6nd cont de cdteva ipoteze
simplificatoare.
Prima ipotezd se referd la nivelul de injectie care se presupune
a fi nric. Aceasta
se explici astfel: in cazul polarizdrii directe a jonctiunii p-n,
dace se corlsklera pro nivelul concentraliei de goiuri in regiunea oe iip ,'[. gi pno - nivelul
concenlratiei de
goluri.in regiunea de tip,'n", se creazd un excedent
de goluri p" = p("y prin;;;;
golurilor. din regiunea "p" in regiunea "n", pe <
nno (nn6 - niverur concentrafiei de

electroni

?n

regiunea "n,'t.

In acelagi timp erectronii difuzeazd din regiunea ',n,' unde erau


.

Fig.2-4
Caracteristica curent-tensiune a unei joncliuni p-n este neliniard. Daca sursa
in sens direct Vd, curentul direct:

p 1x <

de terrsiune este conectatd

r
lA --

|
lc --

lpt\4 *

r
ll
| \
InlV - \lorn a' InT,f

(2.23)

(? 24\

-lr)

poo

n {x > In) =

r.r,o

c6mpul electric dln regiunile neutre este toarte rnic.


1"

determinat de puriStrtrii de sarcind majoritari cregte repede cu Vo, iar dacd sursa
este conectatd invers Vr, curentul invers l1 are o valoare foarte micd, limitata de
curentul de saturafie.

ls=lp6+lnm

purt5tori

majoritari, irr regiunea "p" uncle electronii sunt purtdtori


minoritari cu concentratia
nos, creAnd un excedent
electroni n. = ncip) concentratia acestora fiirrd mai
.de
mica dec6t concentratia de goluri in aceeagi regiune ,,p,,, adicE
fl" < D^r
aceastd ipotezd, apoftur de sarcind
-foartein mic.
"upiir*nrlralr'r"n'l,rl,5t'neutre este
De alci vor rezulta u[m6toarele consecinte:
I concentraliile purt5torilor majoritari din regiunile neutre nu difera de cazul
echilibrului termic:

1x< -lo) =

J?

cauzat de purlatorii de sarcind minoritari"

De la o anumita valoare a tensiunii inverse vi", tensiunea de strepungere,


<:urentul invers l1 cregte brusc, iar in Semiconductor au loc procese ireversibile
care rjeterioreazd definitiv joncliunea.
r Proprietatea joncliunilor p-n de a conduce cLl uguiln,te curentul intr-un singur
sens (sensul direct) este folosit ia redresare, detec{ie, conrutalie.
r Joncliunea p-n constituie elementLll -- principal in realizarea de diode,

Fno

j"o

4
-

jo (x> l")

% &

nnO

joo

fil

\\\
\\
--\J

Pnq

L!

ni

+l'-

-A

tranzistoare, tifistoare gi la alte dispozitive semiconductoare.

Fig. 2-s

alt5 ipotezd se referd ra recombinarea excesurui de goruri


$i erectroni
in urma difuziei. Deoarece p" gi n" sunt sarcini minoiitare Tn
regiunire
unde au pitruns, ei se vor recombina cu purt6torii
majoritari
din
regiunire
respective. ca urmare, aceste concentratii excedentare
se anuleaza duoe
oblinut

an

Capitolul 2. DIODA SEMICONDUC'{AARE

Capitolul

2 DtoDA

SEMtCONDUCTAffiE

pal'oLtrgercJa lurrgirnii de dilrrzie L"u (perrlru golrrrile pdlrrinse

in

reg;ir.rrtca

"tt") sttu

(penlru eledrolrii p6lrurrgi in regiunea "p").


Deci, la distan!ele Lo gi respectiv Ln de la limitele zonei de tfecere se
regdseqte concentralia de sarcini minoritare de la echilitrru.
Aceste lungimi de difuzie au expresiile:

L,n

L,

==

;; si

JD;

L" . JD"

{"

avdnd in vecJere ca jo (x

In)

= jpa gi

!_(")_&._

ro

(2.25)
d-p (x)

- constanta de difuzie a golurilor


- constanta de difuzie a electrclnilor
'ro,t. - timpii de via{d a purtdtorilor minoritari.
De asemenea, se presupune cd in limitele regiunii de trecere, ale cdrei
dimensiuni sunt foafte rnici in raport cu lunginrile de difuzie se neglijeazd
Ir:rromenele cje recombinare 5i generare astfel incSt curenlii i +i I ramAn
00nstanti.
Nu in ultirnul rAnd se presupune cd joncfiunea p-n este abruptd qi ideala.

cd tensiunea exlerioard are valoarea V4, !indnd conl

_ p(x)
to

cx-

Do
Dn

(x) = Ppo

P"

p" = ppo

*, (-*)

"*o

dx'1212-D

p_^

(2.27)

=_:g

P(x)=p.n Fg..s1DI
FL2.expi_,_l
^..^( x'
,t .n

(2.28)

\ _p/

Pentru determinarea constanteror


cr gi c2 vom fo,osi conditiire ra rlmita
de

P(X+co)=Pno
p(t-) = p.o

lSiri;Jror"'n5

expy*

-_

v-f

p"

cu (2'28) dererrnins

c, 9i c2 asrfer

p(x) = p"c *

..

.Y^

Dar

o'p(x) p(x)

'to
-_

I vrxi - v"l
-',t;.l l
t \.j")

(il

o^:'p
. lx.!x) __ o

ecuatie ce are solulia

"*O L

=P0.)=Ppo. exp

Pn0

Do

Do

expresia (2.14) avem:

, tpr(x)

ci in regim stationar

vom obline urmdtoarea ecuatie:

unde:

ConsiderAnd

n,.

["np!

,]

inc6t, soruria eeua\iei (2.27)

"*\;

Densitatea curentului de goluri


este:
Ppo

eXp

{'r

Fl/ = 0""

vT

io(x)

Deci

p, = Fno

urof

e.26)

Ration,nd

linand cont de ecuatiile de continuitate gi de transport pentru goluri:

- Fno _1 al
_a_4.) _._p
qax
6l
ro

?n

j"(x)

*qDo

In

! *"pL--l

o"

# *.
=

n,,,(""rf

vom avea:

Capitotut

cJe

-, ""r[-Lq

jo =Qrp"p'E-qDp Vp
Capitolul 2. DIODA SEh4 ICON DUCTOARE

mod anarog vom obline densitatea


curenturui

(x)

Pentru x =

( v" \
:v\2
^p(x)= qD"o',1""0{:

Z AtoOn SeWlCWnUCrOanE

(2 30)

electru'i
(2.31)

io(r") =

0".["*o#
$"
-p\"T/-p

,r)

= p10"

o"o)

(2.32)

la

Pentrux=-lovomavea;
j"(-ro)

noo
-=|%'
Ln

-.lJ =lt(,.'" -,,.)


[*o#
Ln
VT ./
\

Curentul la prin joncliunea p-n va

- in cadranul l, cum Ve > 0 gi Vr > Vr


1 gi doci

rezuiti exp(Va/Vr) >>

(2.33)

fi proporlional cu suma jo(n) + j'(-lp),

lo = QA,

= Aj [jp(t") + j,,(-to)]

*,0.

- pno)+9A;

fl{n"

unde

F
-P

q'A;.p"0 *

p
_n

o.n,.noo

se inmullegte primul membru aJ rela{iei (2.40) cu nn6 /nnq gi


membrul al
Fpo, gi dacd notdm:

noo)

.p.n D"noo I
+-;s

[D"
lu = QAi .l -+-

(2.40)

A, reprezintd suprafala joncliunii.

Pno.flno = tpo .ppo = n3

(2,41)

oblinem:

NotAnd:

(2.39)

doilea cu ppo/

.=QA,tf"'i3](*'+-,
'LtPLnl

le=ls
Curentul rezidual are expresia:

l"
(2.34)

(2.38)

- in cadranul lll, cum Va < 0 gi Vn> Vr


rezultd exp (-VaiV) << 1 gideci

coeficientul de proporlionalitate, notat A,, reprezent6nd aria joncfiunii:


tA

E ls xp (VA/VT)

(n\
ls =J
-

(2.35)

(2"36)

----L-+-:"

\Lo.ono L".poo)

I nf

.q.n,

{2.42}

unde dacd notdm incd


flno = No (elemente donoare)
. 9oo = N4 (elemente acceptoare)

relalia devine;

(nn\

l-=l--'
" (Lo.No+-'a-l
L" No

obtinem expresia analitici a caracteristicii V-A a joncliunii p-n:

( v. )
In =ls.[".0t'-rJ

q.A,.nf

(2.43)

(2.37)

Cele doud ramuri ale caracteristicii statice a joncliunii p-n (Fig 2-6) pot fi

Dac-a se apricd statistica. Fermi - Dirac pentru concentralia


purtdtoriror de
sarcind in semiconductorul intrinsec se poate scrie:

ni(r) = n = p: const r3l2

aproximate astfel:

"*

(-

#)

(2.44)

2.6. ABATERI DE LA CARACTERISTICA IDEALA


A JCINCTIUNII P-N

in deducerea saracteristicii ideare a joncliunii p-n s-au fdcut o serie


de
aproxim5ri care au dus ra negrijarea fenomeneror
oe recomuinail-gen"rare in
regiunea de trecere, am presupu$ cd niverur
de injeclie 'purtatorir,ir minoritari
este mic, am presupus cd este nur ctmpur erectric
"r
din regiunire
neutre.
Tinand

Fig.2-6
Capitolul 2.

D lO

DA

E M ICO N DU

CTOARE

cont de aceste neglijAri, caractefistica icJeal6 a diodei semiconductoare prezinta


unele abateri, ca in figura 2-7
.

Penlru tensiuni inverse, curentul invers prin jonctiurle


este

rlctern.rinat cle
cJotE corrlpoaonte, uaa de difuzie r" gi una
de generarrr io. curentul de saturatie r.
variaza cu terrsiunea de porarizare inversd in ionreniur
tensruniroi rnici
9i se menline constani inlr-un domeniu mare de variatie

tlv^l< o,tvl
inverse.

g" generare a curentului

La polarizarea rlirect6, datoritd excesului de purtdtori cje sarcind din regiurrea


de trecere, in aceastd zon6 apare un proces de recombinare astfel incflt, o parte
din purtitorii de sarcinE dispar inainte de a ajunge in planele de separa{ie cu
domeniul opus. Curentul de recornbirrare devine important in cazul nivelelor
foarie mici de injec{ie, cJeci la curen,ti mici cAnd ca!'acteristica realS se afla sub
cea ideal;5 (l).
in domeniul curenlilor rnedii componenta de recoixbinare a curentului devine
neglijabila iar curentul prin jonc,tiune este dat practic de ecuaiia (2.37) (regiunea
t).

La nivele mari de injeclie este observatd aparilia unor cdmpuri electrice in


regiunile neutre care nu se mai pot neglija. ln aceastd situalie, din terrsiunea de
pc,larizare Va numai o parte Vi < Va se aplicd intre limitele regiunii de tfecere

yAF_LArLA CU

"
T.EIUPERATURA
sTATtcE A JONCT|UNI|
P_N

linu*lc+ls
componenta

de difuzie

16

(2 dF'\

este determinatd de extragerea purtetoriror

minoritari generaJi termic in reglunire neut;;. curenlur


de saturalie
tensiunea de polarizare inversd in clomeniul
tensiunilor,"i
f1V^l

16

variaza cu

.0,1 \i) gi se

menJine constant intr-un domeniu mare de


variatie a tensiunii inverse

ln regiunea de trecere predomin6 generarea


de purtdtori, astfel ca apare o
componentd de generare a curentului invers,
In.
componenta

de generare variaza cu tensiunea

de porarizare atat in
domeniul tensiuniror inverse mici, crat gi ra
tensiuni mai ridicate. Aceasta se
explicd prin faptur cd ra cregterea tensiunii
rie porarizare inu*,=a
gr.simea
regiunii de trecere, deci voLumur in care
"iogte
are roc generarea termicd
a purtdtoriror

determind componenta 1".


In dispozitivele pe baza ie Ge, caracterizate printr-o
ldtime reduse a berrzii
interzlse (AE = 0,76 e\r), predomine comfonenta
la, deterrninatd de generarea
discretd in domeniire semiconductoare p
ii n. cu urmare, curentur invers prin
jonctiunea pe bazd de Ge va
fi deterrninat
o t""trti* de forma:

(2.45)

",

care Gorespunde pentru regiunea lll.


Restul tensiunii Va cade pe rezistenlele regiunilor neLitre.
in cazui curenlilor foarle mari fegiunea db trecere dispare, iar joncliunea p-n

se comportA ca o fezistenld (regiunea lV). Tensiunea V, se apropie de

V0

(tensiunea de barierd) fdrd a o depdqi. Pentru varialii mici ale tensiunii ! curentul
prin jonc{iune variazl in limite foafte largi, limitarea lui fdcAndu-se numai prin
rezisten.ta de volum a domeniilor semiconductoare p 9i n.
Capitolul 2. DIODA SEtt4ICONDUCTOARE

"'A cARACrERtSlctl

care_

determindnd valoarea curentului prin joncliune.

r^=r"[*o]-rl

Pentru tensiuni inverse de varori moderate, curentur


invers prin jonclir_rne va
fi o sumd de cornponente si anume:

Fig.2-7

36

invers ls

variazd cu tensiunea de
^^,^9:Ifo-l:llu
po,afrzare at6t in dorneniur tensiunilor inverse
mici cdt gi ra ten;i;n; mai ridicate
datoritd cregterii 16rgimii_regiunii de trecere, deci
9i a volumului in care are roc
generarea terrnicd a purtatorilor care determine
componenta fr.
Deci, la tensiuni inverse mari, curentur invers prin joncliunL
va cre$te datoritd
cornponentei ls.

{1) calacterisfica ideala


(?i talactedstira reala

a tensiunii

lo = c6nst .

r'

*xpl'\ --)
kr,l

(2.47)

unde m este aproximaliv 2 ra Ge 'r ra


9i ,5 si ('entru aceeagi coilp'nent').
lnfluenla tenrperaturii as(Jpra curentuiul
de saturaiie este datd ,Je coeficientul
normat de ternperaturd.

--CfrtrtrtrMAR*

Din aceastd relalie, sau mai comod din relafia aproximativd

dlo
a1.c-')=
\ / 1.
lo dr =1r**aEl
r\ kr)

*=
KT ro la Ge 9i *KT
roosste sxpresle predomind termenul in S
KI
undc la tamperatura camerei

Dependenfa cu temperatura

(2.48)
r^ = r^
',A
-,." (
'" exp[!]L)
rTl

= ot la Si, astfel

si

in

se obline varoarea coeficientului normat de temperatura


a cufenturui direct

i dlot

,o Ail"'=-

curentului de saturalie este determinatd

(-ff-),

practlc de termonul exporrenlial, exp

"rr"

definegte probabilitatea de

trocre a electronului din banda de valen!6 ?n banda de conduc{ie.


ln dlspozitivele pe bazd de siliciu, caracterizate printr-o l5!ime relativ mare a
bonzil interzise (AE = 1,12 eV), la lemperatura camerei probabilitatea generririi
discrete este redusi fatd de generarea in trepte"

e.s1)

^ 1 eve
u-T'Tf

(2.52)

coeficientul de temperaturd a curentului direct fiind


mai mic decat coeficientul de
temperaturd a curentului invers.

T:'Tr
Ia(

IJTr

il\'s(Tr) 1|

IE
ro

La tensiune rsnstarta

La curent rcnstarrt

Fig. 2-8

Acea$e componentd In cregte cu temperatura de aproximativ dou6 ori mai


incet, fiind datd de relalia:
'
/ nF\
l^ - coflst . T"' exp | (2.4e)
I

/
\

-\

Experimental, cdnd se line seama de toate componentele curentului invers,


se constatd o dublare a curentului invers la fiecare aproximativ 6"C la joncliunile
cu $i, gi la fiecare aproxirnativ 10"C la jonc{iunile cu Ge.
Dependenla cu temperatura a curentului direct prin joncliunea pn poate fi
ilustratd astfel: in regiunea curenlilor medii predomind efectul componentei de
difuz-ie, a c6rei expresie este:
In = const

.T'

exp

Capitolul 2. DIO DA

1,;
Lr prezenta.urei reristente in serie R

zkTl
--*

/ ,rtr-n\/ \

(2.50)

[_:Ti-J

EM ICO N D

CTOAR

rig' zlg
Pentru

a deterrnina infruenla temperaturii asupra caracteristicii


directe

curent constant se utilizeazd expresia


tensiunii

ra

!I.rn-1r
qlo

(2.53)

v^

din carer rezultA

dV"
dT'.=.,

--A

KT.2* t, V",-lq

(2.54)

Practic acest coeficient are vsloarea tipica -2 mV.oC-r

in prezenJa unor
rezistente care asigurd o funcfionare aprclpiatd de reginiul de curent constant.
in

circuite joncliunile polarizate direct sunt correctate


Ia[,q
;.u"cJro"

lr
It
0.4

Fig. 2-11
Tensiunea

0.8

la care are |oc cregterea intensitalii curenturui ss

lftlu"c

I,r
t{

numegte

tensiune de strapurigere V=1, (Vsp), iar curentur invers care se stabiregte


poate fi
exprimat printr-o relafie de forma:
llnu

= M' is

(2.5s)

unde M - coeficient de multiplicare in avalangri

4soc

Ilp.Al

r=,,fru-jt

Fig. 2-10
Temperatura joncliunii p-n influenleazd substanlial curentul prin joncliune, in
sensi.rl cfegterii acestuia, alAt ia polarizarea directS, c6l mai ales la polarizarea
inversa.

,. z.'8.

,--'

coMpoRTARE JO[\JC]-IUNlt p-N LATENSTUNT TNVERSE MARI

in cazul polarizdrii inverse a jonctiunii p-n cOmpul electric extern este de

acelagi sens cu cel intern gi-l intaregte foarle mul|..{-/

CAmpul electric accelereazd purtdtorii de sarcind niinoritari, care se vof


ciocni in drumul lorde alte particule (atomi), le vorsrnulge electroni, provocAnd o
rnultiplicare in avalangi a purtStorilor rninoritari. Curentul invers va creqte, degi
lensiunea rdmAne constant6.

Capitoltrl

DIODA SEMICON DUCTOARE,

V;nu

(2.56)

fiind o tensiune inversa apropiata de cea de strdpungere. Atunoi cand

= Vstr, curentul cregte nelimitat.


Prin cregterea exageratd a curerrturui se incdrzegte joncliunea, gi
crupd oe se
.
_
strdpunge are loc conducfia in ambere sensuri; deci
nu mai este" o conduc[ie
unilaterald, si deci joncfiunea p-n a fost distrusa.
Vinu

Atunci cdnd regiunire de tip

rrorr

gi "fl" sunt puternic dopaie, as$er inc:6t

iungimea zonei de trecere este micd, mult mai micd


dec6r lungimea de difuzie a
purtatorilor majoritari, se obline efectur Zener,
adica are roc o strapungere
nedistructivE. Tn acest caz cdmpul electric este foarte mare
chiar la o tensiune de
cdliva volli (E * 10s V/cm) gi va snrulge erectroni, contribuind
ra cregrerea

curentuliii invers.
multiplicarea

in

in caz.rrr acestor jo*ctiuni puter'ic dopate, nu se pr.oouce


avarangd, deoarece erectronii nu intdinesc arte particure in

regtunea de trecere.

Jinand seama de acest fenomen, pentru pfotectia jonctiunilor p-n

se
realizeazd regiuni de trecere rnai mari printr-c dopare
sraba, care vor suporta mai
bine tensirrnile inverse mari.

Capitolul 2. DIODA SEMICANDUCTOARE

COMPORTAREA JONCTII.-'h,III PNI iN REGIM VARIABIL. LA


SEMNALE IVTICI

Fie o tjiocla semiconductoare functiondnd intr-un punct static de funclionare


dat, M, de coordonate Va6 gi

lpp.

_1 =

ltr

(2.63)

Ri dvo l'"0

Rl

fiind rezistenta internd a diodei.


Uiiliz6nd ecuatia diodei ideale rezultd:

KTlV-

(2.64)

q l. +loo l" +loo

-q
t

Atunci cand variatia ava(t) a tensiunii ra bornere diodei este cie frecventd
ridicatd,. curentul prin diodii este determinat gi de capacitdlil;;;;;;";i;
joncliunii: capacitatea de barierd c6
capacitatea de difLrzie cd, schema
9i
echivalentd fiind data in figura Z_13 a.

capacitatea de bariera corespunde sarcinii spatiale acumulaie


in regiunea de
trecere gi depinde de iensiurrea Va, in conforrnitate cu reiatia:

Cb= =:L

(2.65)

J1_VA/VAQ
unde Css este capacitatea de banerd la joncfiunea nepolarizatd

Fig.2-12

ln cazul in care lensiunea anodicd are varialii de joasd frecvenfd, in jurul


valOrii Va;1, rnici in comparalie cu tensiunea termicd V1 adicd

R.I

va(t) = Va6+ AvA(t)

{2.57)

A v4(t) = V" sin cut

(2.58)

Vu

<<

\'r

(2.5s)

spunenl ca este indeplinit6 condi,tia de semnal mic. in aceastd situatie se poate


presupune cd valorile instantanee ale curentului ia(t) urm5resc tenslunea vxf)
dupi aceeagi lege de dependen-t5 ca mdrimile statice, adicd:
i^,u =

r"[u*nltQ-

i4(1)

146+

r)

(2.60)

Ain(t)

(2.61)

Din punct de vedere grafic conditia de semnal mic (2.b9) este echivalentd cu
aproxtmarea caracteristicii in jurul punctului static de functionare M cu iangenta
la caracteristicri in acel punci. Deci varialia Aiq este determinatd funclie de Vr,
prin intermediul pantei la caracteristica staticd in M, adicd:

^i,

+:lv,,.Avo
dvot"'

=*.ouo
R

"

Fig. 2-13

capacitatea de difuzie corespunde efectuluj acumu!drii de sarcina,


datoritb
de difuzie a purtdtor,ilor de sarcind in regiunile neutre
ale
serniconductorului. Valoarea lui c,1 depinde de punctul
de fLinclionare al diodei,
fiind extrem de mic6 cAnd joncliunea este polarizatd invers (vezi
Fig. 2_15).
La polarizare directd, rezistenla internd R; a diodei este
foarti mica, asrfel

procesului

inc6t efectul capacitatitor Cn gi Co poate fi neglijat


tniS.

2_ii

(Fis. 2-13 c).

,r.ur1

Ltrrde

4?

Capitalul 2. DIODA SEMICANDUC'\OARE

bl.

La polarizarea invers6, rezistenta R; este foarte mare, deci capacrtatea


joncJiunii, egari practic cu cb, are un'efect
de guntare, care nu poate fi negrijat

Capitolul 2 DIODA SEMICONDUCTOARE

k - constanta lui Boltzmann


T - ternperatura absolutd (K)

vr =

KT

--

tensrunea termicd,

se exprimd dimensional in volti (25

l^

rnV

T=300f9.
PenirLr tensiuni inverse mari

IH ." 1 ;i la= 1..


dacd Va > Vr, exp ['$)
,krJtt 1

in rapoft cu

La polarizarea in sens direct,


Fig.2-14

V1,

exp

9i

- exofgL'l
\ kT/

ta=t^

Fie un circult electric format dintr_o diodd inseriatd cu o rezisten!6


R gi

sursd de i.e.m. E.

IAT
Fig. 2-15

,h
2.1 O. DIODE SEMICOI.,IDUCTOARE

Fio 2-16

a Diodele semiconducioare sunt dispozitive electronice formate dintr-o


jortcliune p-n gi doud contacte ohrnice (metal-semiconductor), Funclie de
structura 9i de profilul de dopare cu impuritdli a domeniilor semiconductoare,
rclzultd o serie de proprietdtl specifice, puse in evidenld la joncliunea p-n. Aceste
proprietali stau

la baza

realizdrii unei game foarte variate

de

diode

senriconductoare: diode redresoare, diode stabilizatoare, diode de cornutalie,


diode pentru frecvenle inalte cu contact punctiform, diode tunel, diode varicap,
fotodiode.
, La o diodi ideald, curentul invers se numegte curent de saturafie l" gi este
constant, depinz6nd de concerrtraliile purtatorilor rninoritari din cele doua zone.
Caracteristica teoreticd a unei diode ideale este de fofma:

D6ndu-se valorile E, R, precum


9i laracter"istica staticd a diodei h = f (Va), se
cere curentul prin diodd gi tensiunea la bornele
acesteia^
.
fenJru rezolvarea probrernei se utirizeazd caracteristica staticd a diodei gi
relatia obtinutd prin aplicarea teorernei a il a tui Kirchhoff:

lA: f

(VA)

l<'lA+ Va= b

(2.67)
(2.68)

solulia sisternurui oonstituie curentul prin diodd gi tensiurrea


ra bornere

acesteia, in cadrrrl sohernei analizaie.

tji' reralii este cratd in forma grafice, sorulia sistemurui de


ecualii se obfine grafic. Reprezentarea cerei
de a doua ecualii in pranur ra - Va se
nume$te dreapta staticd de sarcin6.
Deoarece una

,^=r"[e*n(*)-,]

(2.66)

unde:
Va - tensiunea aplicate la borne
44

Capitolul 2. DIODA SEIlIICONDUCTAARE

C;; t;it

;t,,t

DI i zu tco N D u craA R E

).E

Interseclia dreptei static:e <je

punct static de funclionare

al

sarc;inA
cJi(xiei,

reprezentdnd solu{ia problentei.

r;u (;alactcfistica dioclei se nurTleste


c;rlrlrdonatole accstuia, lrn $i Vno,

corespunzatoare unor valori tipice pentru curentul direct.


Aceastd comportare poate fi descrisd in doud moduri:
- o diodd cu jonc{iune permite ca intr-o direclie (conduclie direcld) sA ircat:A
curenli mari, dar permite un curent foarte mic in direc1ie contra16 (condt.rclie

inverse). Dacd curentul de conduc{ie directd poate fi in domeniul de zeci ile


miliamperi sau sute de millamperi, curentul invers este de obicei in dorneniul

2 ,I1. CARACTERISTICILE DIODEI


Analiza compoftdrii electrice statice

ln figura 2-17 este ilustratd comportafea diodei in jurui lui V = 0, punAnclu-se

in eviden!5 curentul invers, iarin figura 2-18 este redatd caracteristica cornpletii,

diodelor cu joncfiuni p-n poate fi

rezumata prin ecua[ia:

ro=rn["*p(*)-"1]

(2 6e)

Aici coeficientul ls este numii curent de saturalie al diodei; constanta

de

proporlionalitate kT/q are dimensiunile unei tensiuni gi se numegte tensiune termicd (k


- constanta lui Boltzrnan; q - sarcina electronului; T - temperatura absolutd).
Comproftarea diodei poate fi expliciiatd gi prin caracteristicile statice.

nanoamperilor adicd cu gase ordine de mdrime mai mic;


- o diodd cu jonc{iune permite o cSdere mare de tensiune in cazul polarizdrii
inverse, dar numai o foarte micd cddere de tensiune in cazul polariz6rii directe.
Dacd tensiunea inversd poate fi de citeva sute de volli, tensiunea directd este
rareori mai mare dec6t c6teva zecimi de volt.
' Av6ncl in vedere diferen{eie foarte mari intre comportarea in polarizare directi gi
cea inversd, o caracterizare aproximativd a diodei cu jonc{iuni este suficienta irr multe
aplicalii. Dacd dioda este utilizaid irrtr-un circuit in care curen{ii sunt mari in
comparalie cu curentul invers, iar tensiunile sunt mari in comparalie cu tensiunea
directS, dioda poate fi modelat6 prin urmdtoarea pereche de ecuatii:

v=0penirui>0
i=0pentruv<0

(2.71)

Acest model neglijeazd aiat cSderea de tensiune directS, cat gi curentul


invers al diodei. Modelul diodei definit de aceste ecualii este denumit cliodd
idealS liniarizati pe po(iuni.
Sinrbolul de circuit gi caracteristica | / V a elementului de circuit idealizat este:

Fig.2-17

Fig. 2-1 I
Dioda liniara pe portiuni nu permite ciidere de tensiune cAnd curentul este
pozitiv 9i nici scurgere de curent cdnd tensir:nea este negativ6. Altfel spus, cJioda
liniard pe porliuni se reduce la un scurlcircuit cdnd curentul este pozitiv gi la un
circuit deschis c6nd tensiunea este negativ6. Direc]ia curentului este aceeagi cu
direc{ia siigetii din simbol.

Fig. 2-18
Capitolul 2. DIA DA SEM ICO

N D U CTAARE

Capitolul 2. DIA DA

E M ! CAN DU

CTAARE

- Tensiunea inversd continuS Vq, tensiunea pe care o poale suporta


dioda,
mai micd dec6t Vnn gi cdreia ii corespunde lp.
, - Temperatura rnaximd a joncliunii,
\,nux.
- Rezistenta termicd R16, crr determind transferul
de cdldurd in exterior.
curentul invers la si este mult mai mic decat la ce datorite ldtimii
mar mari a
benzii interzise.

Un model mai complex al diodei se obline daca tinem cont de cdderea de


tensiune pe o joncJiune p-n in conductie clirectd.
Pentru ca sd devind sensibil curentul prin dioda, tensiunea in sens direct treiruie
sd creasci in sens direct cu cSteva zecimi de volt. Deasupra acestui prag curentul in
sens direct cre$e rapid cu tensiunea. Pragul de tensiune V6 cera apare in modele
este de obicei in domeniul A,2 - 0,4 V pentru diodele cu germaniu 9i in domeniul 0,5 0,7 V pentru diodele cu siliciu. In modelul urmdtor s-a linut cont at6t de tensiunea de
prag Vc cat $i de conductanls diodei, G (figura 2-20).

I4

Falta=8

"l-gt++--,
'vo
i---+
rtg- /-tt)

Fig. Z-21
Cdderea de tensiune directd este cuprinsd intre (0,1 +
0,3) V la Ge gi (0,6 +
0'B) V la si, pentru valori mici medii aie curenliror
9i
direcfi. pentru valori mari 5i
foarte mari ale curentilor direcli, caderile de tensiune pot
djunge pan;i;'0,;; |"i
Ge 9i 1,4 V ta Si (Fig. 2-21).
Tensiunea de strdpungere este determinati de
latinrea regiunii de tfecere,

2.12. TIPURI DE DIODE SEMICONDUCTOARE

care poate

fi

prin profirur de impuritdli gi geometfia structudi


semiconductoare. Diodere din si se pot reariza
cu tensiuni de strapungere mai
mari ca cele din Ge. Temperatura de rucru maximd
aiirrrisd pentru joncliune este
de 200 + 22o"c la si gi g5 + g0"c la Ge.
Diodere redresoare se_ utiriz-eazd pand ra frecvenle
de cca. 10 :20 kHz,
mai inatre
ie
barieri'produce
un puternic efecr
::"-i::^""]"-f!:"y:nl9
qe guntare a rezistentei interne, gi
"upa"'iraruu
proprietdtrile de r-edresare sunt tiiminuate, sau
chiar dispar.

2.12,1. DIODA REDRESOARE

' Utilizeazd proprietatea jonctiunii p-n de a conduce curentul, practic nurnai


atunci c6nd este polarizatS direct.
$e construiesc din Ge sau Si trebuind si aiba caracteristici c3t mai apropiate
de caracleristica ideald.
Diodele de putere medie gi mare au o construclie care permite montarea lor
pe radiatoare, in vederea cregterii suprafetei de disipare a cdldurii.
Parametri:
- Curentul mediu redresat 16, fBprezintd valoarea medie a curentului direct,
calculatd pe o perioadd completd pentru redresarea monoalternante monofazatd.

controratd

2.12.2. DIODE REDRESOARE RAPIDE

Curentul direct de vgrf respectiv lppp1, reprezintd valoarea maxirnd a


curentului direct in regim permanent, lncluzfind toate componentele repetitive gi
excluzandu-le pe cele nerepetitive. Acesl curent apare fie datoriti unor
deforrnalii permanente ale undei redresate, fie in cazul redresoarelor cu sarcina
capacitivS. De reguld diodele poi prelua astfel de curenfi de pAnd la (4+ 10) le.
" - Tensiunea inversS de vdrf repetitivd Vpp1,,1, reprezintd valoarea maximd a

De'arece trecerea diodei din starea de conduclie,


Ia un curent lF, lu starea
blocatS la un curent rp, flu ar roc instantaneu,
riintj necesaf un timp pentru
deplasarea purt5ioriror, se definegte timpur cre
colrutare invers t.,:

tensiun ii inverse insiantanee, incluzdnd toaie componelrtele repetitive.


' - Tensiunea de str"dpungere Vsp, reprezintS tensiunea inversi Vp pentru care

curentul invers Ip devine mai mare dec*t vaioarea specificatd l6p.

48

C a pit olu

I 2. Dl

DA,

E{vl f CO N D U C-TOARE

ca pitalut 2. Dio DA

sl

rW---Atr

In aceastd stare ele inrocuiesc contactur mecanic inchis (Fig. 2-24.a)

+(F---Df._l
rt\

:----Cd---r

Hllhl ft

rll

,r----1-_t------r-l

0--.<)---<:>-,*-{)

o--_-<]'4--.1

Fig.2-24
Fig.2-22
Obi$nuit timpul de comutare invers este lnai mare de 1ops. in echipanrenle

pentfu comlitare rapidd,

in

surse de alimentare fdrS transforlnator 9i in

televizoare, sunt necesafe diode cu timp de comutare invers mic (0,1 +

1;-is).

Acestea sunt diodele raPide.


construclia lor este asemSndtoare, dar la aceeagi capsula corespund puteri
mai mici.

La polarizare inversd, ra o tensiune cJe eca 15V, dioda se compona ca o


foa.rte mare (> 1MO) in paralet cu capacitatea rotaja a diodei (i + 2
:?1i.1:n!e
pl-). In aceasta stare ea materializeazd contactul deschis.
La lpRS Bdneasa se

produc tipurile de diode de comutare: 8,4243, 8,4244


etc.

2.12.4. DIODE CU CONTACT PUNCTIFORM

2.12.3. DIODE DE COMUTARE

se pot realiza cu joncliuni, prin tehnologia planar epitaxiali, prin ccntacte


rnetal - serniconduc{or (diode Schottky) sau cu contact punctiform.
Diodele de comutare planar - epitaxiale au o construclie specialS: zona n slab
dopatd cu impuritSli, este foarte ingustd 9i dopata cu atomi de aur in vederea mefidi
vitezei de fecombinare a purtdtorilor minoritari provenili prin difuzie
Aceste particularitali au ca efect micgorarea timpilor de trecere din starea de
conduclie in starea de blocare 9i invers (valori uzuale de ordinul ns sau zeci de ns).

Servesc la cornutarea benzilor de frecvenld sau de canale, in aparatele ile

radio gi televiziune. Constituie echivalentul electronic al contactelor rnecanice ale


comutatoarelor de canale.
in conduclie la un curent direct de (2 + 10) mA au o rezistenla dinamicd rr
foarte micd, sub 1 Q{a 100 MHz, in serie cu inductanla neglljabild aterminalelor.

Fig.2-25
sunt diode de micd putere utiiizate in circuitere de derectie gi de
comutare.
s.Liprafala materialului semiconductor de tip n se fixeaza
virful urrui fir de
,-Pe

worrfam. In procesul de fabricafie se transmite piln clispozitiv


un impuls de curent, de

valoare mafe, care morjificd tipul de corrductibilitate a semlconductorului


in jurul
vArfului de wolfram.

se formeazd astfer o micrqlonciiune p-n, de suprafatd foarte rnicd (cca. .r0-a


mm2),-avand capacitatea de barierd mai micd de 1pF, ceea
ce permite utilizarea
diodei in circuitele de deteclie, la frecvenle inaite, precum gi
in circuitele
de comurare.

2.12.5.DIODE VARICAP
Acestea suni diode care utilizeazii dependenJa capacitdlii
cle barierd a urrei
jonctiuni de tensiunea inversd de polarizaie
apricata vq, in scopul rnateriaiizdrii
une-i capacit6ti variabire.. se construiesc ?n a$a
fer,
*apa.itut*" de barierd
si fie cdi mai mare gi si aibd o dependenta dbritd cuinc6t
tensiunea inversd apricate.
Materialul semiconductor utilizat este si, iar joncliunea
se rearizeazi p*i o"or"
difuzie.

Fig. 2-23
Ca pitot

ul 2. Dl

DA

SEM

ICO

i'l D U CTOARE

capitctut 2. DtoDA

sEil/ltcoNDUCIOlRE -

Aici:
Se urrndlegte tealiearea urrei valori foarte nrari a rezistenlei interne Ri, astfel
ca efectul acesteia in scherna echivalentd a diodei sa fie neglijabil.

- r)prezintA inductivitatea firelor de conexiune


- rezistenfa eclrivalentd serie de pierderi a diodei

L5;

r5

C1e1

- cspacitatea totala a diodei cornpusd din C, (a jonctiLrnii) gi Q (la terminale).

Fiecare diodd caracterizat6 de o frecventi de tdiere f". la care rezistenta

serie parazitd este egala cu reactanla capacitivd a jonciiunii:

C1

\/.. t 5)

2nf. .C,

Factorul de caliiate este definil prin rela{ia:

Fig.2-26

(2.74)

Variatia capacitdlii cu tensiunea este datd de rela[ia;

f a-tr

-ln

n^1"":l
uv="tl
v-"v"1

(2.72)

Se vede cE la f = f" , factorului de calitate Q = 1. RezistenJa serie de pierderi


variazd 9i ea cu frecventa. Obignuit g depinde de frecvenld dupd o curbd ca cea
din figurd:

un0e:
C3 - capacitatea jonc{iunii la tensiunea inversd

Vn=3V
Vo = 0,7V petrtru dioda cu Si

n - coeficient subunitar (0,33 la diodele redresoare obignuiie; 0,75 la diodele


peniru acordul circuitelor oscilante RC)
Varia{ia tipicd la o diodd de acord;

Ls gi C1s1 determind frecventa rezonanid serie a diodei

(2.75)

] d 9lt
Principalele elemenie de catalog peniru alegerea diodelor Varicap
- C16r cdfe se indicd la o tensiune mice (3V) gi la o tensiut.te inverse mare Vp

Fi1.2-27

in afard de acordul circuitelor oscilante se mai folosesc la receplia UUS

$i

TV, precum, gi la controlul automat al frecvenlei CAF (AFC). Pentru realizarea


unor circuite oscilante de calitate are impodan!5 deosebiti factorul de calitate Q.
Pentru definirea lui utilizdm schenta echivalentd la frecvente inalte:

Ls

rs

Ctot

= 25V
- raportul de capacitate al diodei

valori

(2 +

30)

(210)

Cele cu y = 30 folosite pentru benzi UM gi rnai mici; V = 5 + 6 fotosite pentru


acord in UU$ gi TV, iar cele cu y = 2 pentru CAF.

Fis. 2-28
Capitolul 2. DIODA SEMICA
52

Car:itolui 2. DIODA SEMICONDUCTOARE

N DUCTOARE

53

- rezistenla serie a diodei rs se indice la o anurnitd lrecven!5 gi variazd intre


0,25 $i 2()
- f,, - frecvenla de tAiere
- f6 - frecvenla de rezonan{d serie
- [-s - in pH sau nH
- Van = 25 + 30 V tensiunea de strdpungere
- lp - cufentul invers la o tensiune apropiate de Vsq
- varialia imperecherii diodelor de lot + (1 + 3)%.
Cdteva din diodele de acest tip ce se produc la nci sunt: 88139, 88125,

2.12.7, DIODE SI'ABILIZATOARE DE TENSIUNE

. r Numite si diode de strdpungere sau diode Zener, utiliz.eaz.d propfietatea


ioncliunii p-n de a avea o tensiune inversd aproximativ constantd la borne, aturrci
cand lucreazd in regiunea de strapungere, la cregterea curentului prirr diodd.

88126 etc.
2.12.6. DIODE TUNEL
Diodele tunel au o caracteristicd elecirlcd in polarizare directd ?n forrnd de N,
ilustratd in figura 2-30.a.

In["rsl
Fig.

Fig. 2-30

Elementul

de noutate il constituie po(iunea P-V a cafacteristicii, care

prezinta rezisterrla diferentialS negativS. constructiv, dioda tunel este o joncfiune

pn

adicd are concentt-alii mari de impuritali

in

ambele regiuni. Datoritd

concentrafiilof mafi de impuritdfi, nivelul Fermi din fegiunea p (ErJ int16 in banda
de valentS, iar nivelul Fermi din regiunea n (ErJ intrd in banda de conductle. in
acelagl timp, regiunea de sarcind spalial5 are o ldtime foarte micd (regiunea
barierei de potenlial este foarte ingustd). Apare ca urmare posibilitatea tnecerii
electronilor din banda de conduclie a regiunii "n", prin efect tunel direct in banda
de valenld a regiunii "p" (la energie constanid). Curentul corespunzdiof, i1,,,"r, se
adund curentutui oblgnuit al jonctiunii pn (linia intreruptd 0V). Acest curent existd
numai la tensiurii directe rnici, pentru care se asiguri "suprapunerea" celor doua
benzi r.;nergetice.
Electronul ajuns prin efect tunel in regiunea "p", se afld de la inceput in

banda de valen!5, deci nu mai esle supus proceselor de recombinare.

2-31

se realizeazd din si, deoarece acesta prezintii o serie de avantaje faJd de


Ge (vezi Fig.2-21 .c):
- curentul invers inainle de intrarea in regiunea de strrpungere rnult
mai filic;
- intrafea in strdpungere se face brusc, incep6nd de la vaiori mici ale
curentului;
- caracteristica inversd este aproape verticald;
- rezist6 la temperaturi mai mari.
Prin dopare puternicd semiconcJuctoarele oblinute au V"i, micd,
iar cregterea
n-urentului la strdpungere foarte mare, se observd
cd tensiunea oe cade pe ele
rdmdne practic constantd intr-un domeniu larg de variatie a lui In.
La tensiuni 5 + 5,5 V, coeficientrrr cie tJmperatura ay, este foarte
..
mrc, de
ordinul (1 +2) . 1o-4/"c. La tensiurri nrai mici este negativ gi cregte
iir varoare cu
scaderea tensiunii. La tensiuni mai mari este pozitiv gi" cregie cu
tensiunea

stabilizatS.

Dacd se urmdregte obtinerea unei tensiuni stabilizate c6t mai constante


cu
temperatura se recomandd utilizarea unor tensiuni care conduc
la valori minime
ale lui
fie conectarea in serie a doud diode cu coeficient de lemperatura de
'.vr,
semn oplts.
'uneori irr serie cu dioda zener, cu c.eficient pozitiv
de temperaturE, se poate
lega o diodd redresoare polarizatd direct Pent,-u a se obtine tensiuni
stabilizate,
de valoare diferitd de are dioderor Zener disponibire, se poate
recurge ra regarea
in serie a mai murtor" diode, tensiunea de strapungere rezurtata (vs6)
fiind suma
tensiunilor de strdpungere indivicJuale

Din

aceastd cauzd, diodele tunel au o vitezd de conrutalie foarte mare.


Capittslul 2. DIODA SEMTCON DUCTOARE

Capitolul 2. DIODA SEMtCONDLtCT'AARE

\/ari;rzil funclie de construciia diodei intre (25 ,. 2000)

mic.i, cu atAt tensiunea stabilizatd se mentine mai constantd.

T-

- puterea rnaxirnd disipata

p,nu*;

Cu cAt este mai

variazd irrtre 0,3 $i zeci de wati.

(P.", =

e.

4 lr^*)

(2.78)

- domerriul de currenti lrr;x / lrn,u* in care se asigurd stabilizarea tensiunii. l.n,,n


este necesar pentru a trece cie zona neliniard a caracteristicii (1 : 10 mA). lrau"
este limitat de puterea maximd disipata pe dioda
mA + 2 A).
- coeficientul de temperaturd al tensiunii de{50
stabilizare cx,vz, caracterizeaza
dependenta tensiunii stabilizate de temperaturd

ToFig.2-32
Niciodatd pentru preluarea unui curent mai mare nu trebuie conectate mai
multe diode Zener in paralel, deoarece ele nu au exact aceeagi tensiune de
strdpungere, aga incat cea cu ten.siune mai micd va prelua tot curentul, qi
supraincAlzincJu-se se va distruge.
Multe diode Zener, lucrdnd in regiunea de sirdpungere, genereaz5 zgomot
intr-o bandd largd de frecvenle, aga ?ncdi se recomandd conectarea unui

condensator in paraiel cu dioda.


condensatorul electrc,iiiic, av6nd capaciiate mare, aLenueazd rgomotele foarte
.loase, pe cdtd vreme conderrsatoarele nepclarizate, zgomotele foarte inalte.

-B_$,t|!|g_pfeygirl qvalanga termic{ sunl.luaie lndsuri constluctive de evacuare


rapidd a cildurii de la jonciiune cdtre suprafata exterioard.

(x,,,-,

v,a / LT
*-'
"zT -

(2.7e)

Se exprima in procente pe "C.


.

f3 o construciie datd de diodd coeficientur

.,u, depinde de rensrunea

stabilizat5. servegte la calculul temperaturii cJe regim sau la evaluarea puterii pe


care o poate disipa dioda.
in cele mai rnulte cazuri, caractefistica la strapungere este virtual verticald
aga ci rezistenla staticA R. = 0.

*Ifln"
ryTI

*T ''

++i

I{E---J

Fig. 2-33

Fig. 2-34

Proprietatea tensiunii inverse de strdpungere de a nu varia cu intensitaiea

<:urentului invers lp este utilizat5 pentru reaiizarea unor tensiuni rJe re,ferint5 sau
pc:rrl ru stabiliz_area tensiunii.

Parametrii:

- Vsn - tensiunea nominald de stabilizare v71, cdre variazd de la un tip cle


cjiodd la altul gi se mdsoari la un anumit curent continuu invers I71, numit curent
de control.

ln figura 2-34.a este redat modelul dioclei Zener

figura 2-34. b modelul la semnal mic.

dv.
'r, * dl,

JU

Capitolul 2. DIODA SEMTCCNDUCTAARE

curent continuu, iar in

Rezisten{a

dinamicd r21 ost* inversa pantei caraeteristicii vort-amper in


.
domeniul de func{ionare. Ea aratd ci schimbarea in curentul
de fLrnc}ionare Al,
duce la o schimbare in tensiunea de funclionare AV. prin:
AVz=rzr.Alz

- lensiunea de stabilizare V71 variazd intre anurnite limite pentru cliodele cu

acelagi simbol, limite de asemenea prescrise in cataloage.


- rezistenfa dinamicd de stabilizare

in

(2.80)

ldeal,

(2.77)

r.1 = 0, corespunznd ra o caracteristicd verticard in negiunea cie


strapungere. Pentru valori ale lui V, de ordinul a caJiva vorli,
r4 este de ordinul a
c6liva ohmi. oricum pentru curenfi rnai jos de rr,;n, pe cotui
curbei, 16 poate fi in
domeniul de sute de ohmi. Aceste valori ale lui r,1 sunt
de ssemeriea obtinute
Capit ctlul 2. DIO DA

SEM

tCO N DUCTOARE

57

pcplnr

V., >' 10

V gi la nivele de tensiune joase, in paflicular pelltru curenli sub

tt rA.

Clrp3cilalea cjiodei de strapungere este capacilalca de trartz-ilie 5i deci


variazai, invcrs la aceeagi putere, cu tensi{Jnea. Cttm Cr este propo4ic}llal cu aria
siectiunii trirnsversale
(r-rbi5nut1

'1

diodei, diodele aLl capacitali intr-un domeniu

larg

0 + 10000 pF)

R,

R*
+

\i-r

fl*lJt't'^t
rz.f
/
-l

Capitolul 3. TRANZISTOARE HpOLARE

+t
L

nt
\'il- -a/1'z

-I

'*'-Tranzistoarele cu t*o.-n.gi!qn"i.p!:g"z.rff-a

ah
I

tu,4-JJ

irr paralel cu sarcina R1. iar


inlrare V. se aplica prin iniermediul rezistenlei Rn. Valoarea acestei
rczi:;torrte se alege astfel ca dioda sA Iucreze Tn regiurrea de stabilizare pentrLl
irrlrcrt clornerriul de varialie a tensiLrnii de intrare 9i a curentuiui de sarcind.
Dioda Zcner esie folosild pentru a rnenline o lensiune iegire constanta, Vo = \,/t,
rrxlc;rr;rulent de variatiile rezistenlei de sarcind R1- 9i tensiunea neregulatd Vn t V'
ln r:ircuitul echivaleni am considei"at R" = 0 $i deci
Cr,rl rnari corlrun, dioda Zener se coriecteazd

lonliiulea

r.ie

V"

-V,

Vt
F?

'rl

Se observd cd
rezistenlei

der

"z
lr .- _

nroclo
ur vgtu

ldocnracla\
\uure, vj"u/

(2.81)

lnl
.r
!,ur .loq.raq1prtra
vvJUI uyr'-.' uq

u ,(u' uu/
\vIreclerpa\
i'e

silrcind.

Oricurx, 15 este independent de Rr. Prin urmare Ir se modificd cu varlafiile


sarcinii, dar iegirea rAnrdne constantd, la V,. Domeniul lui Ir este lirnitat atai ia
valori superioare c6t gi inferioare.
Lirnitarea superioari a lui l, rezulld din pr-rterea de disipare maxirri capabila
a fi suporlatd de diod5. Curentul l2rnin t^preZifitd valoarea cea mai coi:or3td a
curentului prin dioda pentru 6are reglarea are loc. Mai jos de l.,nin reglarea este
Tnrautalitd 9i iensiunea de iegine deviaz5 de la valoarea V,.

Dclmeniul permis de valori pentru

reElarea este

l.

limiteazd valorile sarcilrii pentru care

atilisi. Pentru o diodd daid, aceste limite ale lui l. sunt

de

asernenea impuse de valorile minime gi rnaxirne ale lui Vn pentrtr lunciionarea


oircuitului prooriu-zis.

q..1'a.tg.--c"-q-a*ma!.-Lg-H-J"ojesitra. oe venrite
o* cp':i'andA se"'lnlg,ldoliu;-d|_1iijii;,d-fi;ffii'ffil'oiporar conline
"jgerer'ceqoua
Jonctruni "p-n",,;dispozitivul, ce se pre_eintd ca un ',sandwich" alciituit dintr-urr
singur strat de tip "n" cupr119 !n!p
iiilio oesefrnal in ge_
-d,o_qa_u-tfqt-Vl-d_e_irg-'bil,
neral ca.tranzistof p-rl:p. cu o dopare
complementara,"se-ou1in-tranzrs{e-al-e_n=a.n-,
Regiunea sernieohicuctorurul iaiei -6*sie-comune celor doui jonctiuni este
numita bazd. cele douE regiuni vecine acesteia se numesc emitor gi colector.
Degi aceste doud regiuni au acelapi tip de conductibilitate, ele au in mod uzual
proprietS[i fizice gi electfice diferite, av6nd rJestul de diferitd gi mdrirnea lor
Jonctiunea cuprinsd ?ntre emitor gi bazi este nun"liti joncliunea emitorultri,

cealalti fiind numita joncfiunea colectorului.


tranzistorului
.bazaFunclionarea
curgerii purtdtorilor

i:ipolar ca ventil de comandi poate fi inleleasd pe


minoritari prin regiunea subfire a bazei. c.4nd jonctiunea
emitorului este polarizata direct, golurile suni injectate din emitor, unoe acestea
sunt purtdtori rnajoritari. in regiunea bazei, unde sunt purtdtori rninoritari, exact
ca la o diodd polarizatd direct. cei mai multi diritre acepti purtdtori injectali
difuzeaza prin baza gi ajung la regiunea de sarcind spaliald a colectorului.
Numdrul purtdttlrilor care dispar in bazd prin recombinare cu electronii majoritari
este mic. Golurile sunt antrenate tn colector de c6mpul electric existent in

regiunea de sarcind spalial6

colectorului. intrucAt,

in functionare

nonrrala.

joncliunea colectorului este poiarizatd invers. aici nu apare difuzie, gi


curentul de
colector esle determinat de golurile "colectate". Dispozitivul poate fi folosit ca
ventil controlat deoarece curentul de ccllector este conranclat direct de tensrunea
bazd-emitor, care asigurd polarizarea tJirectd a jcnc{iunii ernitoruiui. Tensiunea
baze-emitof gi curentul de baz5 fiind foarte nlici, se poate oLltjne amplificare de
putefe.

Dispozitivul este nunril tranzistor bipolar iirtrucAt

in functionarea sa intervin

ambele tipuri de purtatori cle sarcind: minoritari gi majoritari.

structufa, polarizarea normali

electrozilor, sensurile curenlilor

si

simbolurile grafice pentru tranzistoarele de ilp pnp si npn sunt cele reprezentate
in figura 3-1.a, respectiv 3-1.b.

concentra{iile impuritd{ilor diferd foa,'te mult in cele trr-i re0ir.rrri. A:;ilcl


emitorul este puternic dopat cu inrpuri',i{i (goruri ra tranzislorur 'p-r-p
( rl

i;r

:)8

Capitolul 2. DIO DA SEM ICONDUCTOARE

Capitolul 3. TRANZT ST?ARE Bt poL.ARE

electroni la trarrzistorul n-p-n); in krazd concentrafia are o valoare micd, iar in


colector foade rnic5.
Frecvent referirile se fac la tranzistorul p-n-p. Rezultatele pot fi extinse 9i
asupra tranzistorului n-p-n, dacd se modificd in rnod corespunz5tor sensurile
tensiunilor de polarizare gi ale curentilr:r, 9i dacd se iine cont cd la tranzistoarele
p-n-p curenJii se datoresc golurilor, iar curenlii lntr-un tfanzistor n-p-n surlt curen!i
de electroni.

Dupd inchiderea intrerup6toareror Kr, Kz gi K3, joncfiunea er'itorurui este


polarizatd in seits direct gi prin ea trece curentul direct
al emitorulcri lpl,, caLlzat de
deplasarea unui mare numdr de goluri din emitor (de tip py in baii (de

tip

emitorului este:

Ig=lpr+lnae

PNP

&L
Eo- 'ul-ao--- C,r_\#

.ffit

n).

Deoarece concentratia electronilor din bazii este rrult rnai micd cJecat
cea a
golurilor din emitor, num6rul goluriror care sosesc
din enritor in bazd depdgegte
de multe ori numdrul electronilor care se deplaseaza in sens invers gr
care
determina un curent de erectroni Inss foarte mic in rapoft
cu rpr" curentul
(3.2)

Golurile, ajungand in bazd, lncep-sd se recombine cu electronii,


deternrinand
un mic curent de recornbinare rq. insi recombinarea nu poate fi un proces
instantaneu gi de aceea apfoape toate golurile feugesc se treacS prin
regir.,nea
foarte ingustd a bazei (sub 0,1mm) si sE ajungd la colector, unde
intrd sub
actiunea cdrnpului electric produs cie sursa *c. pentru goiuri
acest cdmp este
accelerator gi de aceea ele sunt atrase din bazd in coreclor,
formnd un curent
emitor-coleclor los al cdrui traseu este: + Ec, Ks, K1 emitor, bazi,
colector, _ Fc.
,

'uI oI

Intre acegti curenti este evidentd relalia:'

|
lpE-lR?lDC
-l

iTPH

(3.3)

. Dacd polarizarea jonctiunii emitorului este nr-rld (K,, deschis) sau inversd,
tranzistorul este practic brocat (nu conduce). in rearitate,
dacd se deschide K1 $i
se ?nchid K2 gi K3, prin joncfiu'ea corectorului trece un curent
invers rcR. foane
mic, cauzat de deplasarea purtdtofiior m!noritari (de golurile
brazei pi <je electronii
colectorului), al carui traseu este: + Ec, K:, K2, baz6 colector, _E6.
La tfanzistoare se definegte factorul de amplificare in curent
entitof-ootrctor:
t-(3 4)

'E

Fig. 3-1

care aratd ce fracliune din curentul de emitor sose$te ln


colector. Acest factor
poate fi definit ca produsur intre.eficienla emitorului
yE gi factorur de
transfclr

factori care sunt definiti prin relatiile:

3 1. PRINCIPIUL DE FUI{CTIONARE

t' * E -- . G,
[.

I
60

Capitolui

e.i , I rr

3 TRAIVZISTOARE BIPO LARE

loe

^. -lpe

Pentru aceasta se folosegte schema de conectare a unui tranzistor p-n-p, din


care se vede cd tranzistorul reprezintd douS diode senriconductoare, cafe au o
regiune comund-baza, insd jottcliunii emitoruiui i se aplicd tensiunea Es in sens
direct (polarizarea directd), iar joncfiunii colectorului i se aplicd tensiunea Ec de
sens invers (polarizarea inversd). De regul6

..-lpc-lo.
Lrr *
---

lpE

lo. +

ia? q\

(3 6)

lo

(3.1)
Ca

pitolu |

3.

TRA NZt STAA RE

B I pC)LA

lJr,

RE

Atteseori, in cataioage factorul de amplificare


clo arrolificare in curent bazd-colector.
I{=-!
vF

ocp

s inlocuiegte cu pp - factor

3 2. DEDUCEREA EXPRESIILOR PENTRU EFICIENTA


(y.), FACTORUL Dq TRANSPORT'(0t) $t A
_Eyllo^ryql!!
FACTORULUI DE AMPLIFICARE iN CURENT FMJTb-R.
COI-ECTOR (crF).

(3.7)

4
|

-.
- (I-

?n continuare se vor cleduce expresiile eficienlei ernitorulLri yE, factorului de


transport l3t gi a factorului de amplific;are in curent emitof-colector o(F. pentru

Pentru tranzistoare uzuale txn = 0,95 - 0,995 9i deci pF = 20-:200


Mai rezultd incd rela!iile.

aceasta vom considera figura

t-t,l

lC-rpcrrcgt)

(3.8)

rB-rE-rc

( 3.s)

3-3 in care este prezentata

concentr"alia

purtdtorilor minoritari. originea pentfu axa x, dupd care se desfdgoard procesele


in tranzistor, se alege in plarrul de separafie dintre regiunile de trecere a jonctiunii
emitorului gi regiunea neutre a bazei. cu w s-a rrotat lungimea regiunii neuire a
bazei.

rezult6:
|

|
__ I
IB-rE-qr-rE-ICBO
-

(3.10)

sau

la = (1 1

a,E)

lg - l6s6

(3 11)

Dacd se tine seanra de rela{ia existent6 intre pegi oce (3.7) gi considerim crp:
, iar l1;61p < ls , in practica se folosegte relatia aproximativd:

lc=l==9r

(3" 12)

la

tl.egiulea de sarrirra Regiunea de sqrtfure


a i ortctiunii
spifiala e jonctiurdi spatia.la
- crlectdr-ului
eillll('I'll,lul
I

Fig. 3-3

f,rnitor ile

tpp

in calculele cafe urmeazi se va presupune ce regiunea p a emitoruiui este


foafte groasd in comparalie cu lungimea de difuzie a electronilor minoritari in
emitor Lng, se vor neElija fenomenele de gener-are-recombinare in regiunea de
trecere a joncliunii ernitorului gi in regiunea de trecere a jorrcliunii colectorului, se

Cunnt

lorqihrdinel
de

goluri

Curxrrt il+ purtaturi minorif*ri

jonctirmii Ittll im'*rx pol,arirala

h*rei

f{tcornhi-

$afr ut

bnni ndnor{rar{ diN

emitur

crlrctor ( fuiff:)

vor presupune nivele mici de injeclie.


vom determina in continuare concentralia de goluri nrinoritare in planul de
separalie a joncliunii emitorului p(0) 9i concentrafia cle goluri minoritare in planul
de separalie a jonctiunii colectorului p(V\l).
goluri minoritare in planul de separatie a joncfiunii emilorului
_Concentrafia de

se fixeazd la tensiunea de polarizare directd vss. Apel*nd Ia expresia (2.i4)

Etchtnl

l4for:Ftl itt
6tfitor

aL

obtinem.

Curnnt h
do

nlrrctvnl

at nt*rtroni *arx

se reconrhin*

cu o rnicaperte din

gohril*

injnctate

p(x)

= pooe *of"y!gi-V-]

Fig. 3-2
C a pitol u I

3. fRA/VZ/sl

AR E

pA LAR E

Capitolul 3. TRAIUZSTAARE NpaLARE

(3.13)

p(0) = nuuo

oxn[-Y;J

""tY; p,,
=

(r.

*'^ol)l'

p(0) = p"n* e"P-Vi

(3.

V",

(3.16)

dp" (x)
= -9 ^Dpe ;j=

Conform figurii 3-3

b se poate scrie cd varialia

concentraliei de goluri

minoritare ln regiunea neutra a bazei este:

[- -r;-t]=

v-o)
"*O [-- U.r., "*o

)Eu_

(3.23)

V,

(3.24)

. Concentralia de electroni rninoriiari in planul cle separatie a jonc{iunii


colectorului se determind linand c<lnt de polarizarea inversd 'a joncliunii cu

tensiunea Ves 9i de expre.sia (2.12).


n(W

(317)

( tt -\/

n(-1.1 = nnuu. u"p

Densitatea cureniulLti de difuzie a golurilor minoritare este (3.17)


r.rnde Dps este constanta de difuzie perrtru Eoluri in bazd

jn(x)

DnoB

5)

Concentralia cle goiuri minoritare in planul de separalie a joncliunii


colectorului se fixeazd la tensiunea de polarizare inversi Vce. Apel6nd la aceea$i
expresie (2.14) Si rallonAnd la fel ca mai sus vom obtine:

"*pf ;

= n6ss . Xp

lE;

v-..

p(W) = 1,"""

n(

r+/

l") = npoc. exp -r9.e

:Vss<o

v,

{3.25)

Prin joncJiunea emitorului circuld gi cornponenta lrBE detefminatd de injec{ia

. electroni din bazd


de
in emltor. similar ralionarnentului de ia determinarea
caracteristicii statice a jonciiunii p-n, tinand cont oe notatiile din figura 3-3 pentru
aceastd component6 vom obtine expresla:
t^.__ Q . Ar . Dnr

/a 1 ti\

npo=

EXP

Lnr

.EB

(3.26)

9i

(3. 1 e)

^,.

. A,

Dne

flooe

exo--ro*

(3.27)

rezultd

rp(o)=

[*rf -"*+,] ;V.,.0

(3.20)

deci, curentul de goluri devine aproximativ:


rp\u,,

g.
-

A.,

Dos .

unde Dns = constanta cle difuzie pentru electroni in emitor


Lns = lungimea de difuzie a electronilor in emilor
Curentul de emitor iE devine astfel:

l. = l,(0) *
p,,oe

1,**o-ru)

Vrl

lusE

= -q\je-p'*g
w

*
u.*pSc
'
vr

QA,

?.r'nnoE . exo-V--

LnE

{3.21)

Concentralia de electroni minoritari in planul de separafie a jonctiunii


emitorului se deterrnini linind cont de relalia (2.17) gi de faptul cd joncliunea

r. = QA,

tr-#* . \J*l

V,

(3 28)

(3.2e)

".odT

este nolarizatd direct cu tensiunea Vrn.


n(x) *

nn6g

*o

V" + V(x) - v,. I

[-

Vrl

Capitolul 3. TRANZSTAARE BIPOLARE

So poate calcula eficienta enritorului:


(3.22)
C a pit

,,, =

=.

alul 3. T RA NZ STAA R F_ Bl pO LA

R:

65

QDps.Pn63.A;

\/=:--=
IF
lE

oo,[%u-#*

j"(o) - io(w) =

(3.30)

expi.Y.

t,,(0)

. -".i$J "*of-

ru = -rj*

W
. p"ou

r* =

n"* --D"o-.

D.F
Ir-.:: nnl
"pF

LnE

ln continuare se va calcula faotorul de transport


pt

lpc
sau pt - --lpE

1 -_opoe

t'nOB

*nE

(3.3i )

r,

Bi. Prin definilie acesta estel

'

--lp(0)

',

Vom porni. pentru a calcula curentul l', de la ecuatia de continuitate

golurilor pe care o vom integra in zona W:

Sat n-

Tj

I"

{r,"

'r^

l, = !-A.i.-1ff'-Pr9!- [-.o_$_
ta,
V,
\

-vi
q

Aj

'-w

2"o

(3 34)

ox

(3.3e)

pw]# - n"o,]o*

(3 40)

*o+)#.,]*

(s41)

P'ou

Pn(x)-Pnoa 1
rpqdx

djo(x)

q.W!.qr.Ar
^..^Vr"
---]y-_=.:'iu.t-_---.?l__5._
"*oYa

'Vt

(3"37)

E"

?:_u__&gr__tL u*"

r; fl =
-p

(3.45)

/
\2
----'
| ? -l-l
_tt \ l_pB,/

liwl

rez u Itd cd:

Capitolul 3. TRAN?/STAARE BIPOLARE

(3.44)

tP

9_ Dp:__A,*Pno"

(3.35)

p,

P"(x)-- P"oe6t

fl1:

tl
,,=lo(w)=Uol:_L
(o)
(o)

r,

(s.42)

(3.43)

Vr
"*p&e-

Putem calcula acum factorul de transport

djo(x) _
pn(x)-p"oe
^
-dx - -'1

6it-'

p^nof

* urpY,.s
; v.u>g; V""<0
' V., - e'l
/

to

-iJo.

sa u:

deci, va rezulta ecua{ia:

i.'oi,(*) =

[nrol

q ' A' ;w
[
utu
- -\p,oal.,
.
'*o]L"- - ["*o
Jo
u' \ v_

l, = I

-!1,"(E---P4L

*
',VV

Deci curentul de recombinare l, va fi;

(3.33)

I,

lr = cu[entul cle recombinare, suslinut de electfonii injectali in bazi in

in reginr stalionar

- p(W]-

(3 32)

intAmpinarea golurilor cu care se recombind.

d. =

.!{(

J. jnfol
[ofoi
.

Folosindu-ne de (3.15) gi (3.16) va rezulta

lo(W)

(0) = lo 0Al) +

!P-

ITp

Curentul de recombinare va fi:

$tim cd lpE = lpc + l, sau in cazul nostru


lo

(3.38)

Inlocuim in (3.38) p"(x) cu expresia datl de (3.18) 9i va rez:tlta

j"(0) - jo(w) =
Dpa-'Pnoe

J"'lo"f*l - p"o.]d"

Capitalul 3. TRANZISTOARE BtpoLARE

(3,46)

unde LpB = lungimea de difuzie a golurilor ?n baz-A


Factorul de amplificare in curent emitor-colector

uc

Yr

o
I,,

(
--

n- rooE wl [.

| a

-nt

D"*

p"* t*J

Deci:

cr.F-

este:

rfw)']

ttL"J

. ^ { r iw)' -%Dne nooF w


r&F-r-t{-GJ
p;" G

(3.47)

Degi reconrbinarea in bazd $i injecfia in errritorul puternic clopat produc


curenli neglijabili in raport cu cel de colector, de acegtia trebuie sd se
lind searTra
pentru calculul curentului de hrazd. Acesta va avea o component6 determinatd
de
recombinare in bazi 9i una care alirnenteazi injectia de purtdtori majoritari ai
bazei in regiunea emitorului.
curentul total de bazd are exact aceeagi dependentl de tensiunea emitorbazd ca 9i curentul de colector, gi ca gi acesia, nu depinde de ten$iunea colectorbazd. Este deci convenabil sii se exprime curentul de baza ca o fractiune

(3.48)

curentului de colector:

r" = 6. rc =

3.3 CIRCUITE ECHIVALENTE PENTRI-J ANALIZA TB iN CURENT


CONTINUU

Studiem situatiile in care variabilele la borne sunt fie constante fie foarte lent
variabile in timp, adicd studiem situatlile staiice sau la viteze mici. Presupunem

cd clistribu,tiile tensiunilor $i sarcinii variaza suficient de lent incAt s5 se poatd

dispozitivului.

curentul de emitor poate fi exprlmat pe baza curenlilor de colector gi bazd,


folosind teorema | - a lui Kirchhoff:

lg +ls
r=

microsecundd.

ru

+ lc =

* r. = (r * a).

Ne ocupdm de funcliorrarea

'

r^ = t.f"^o[q
unde

lr=9'

vu] - rl

L'\k.r/

(3.51)

coeficientul 6 este nurnit "pierdere in bazd,' sau "defect in bazd" deoarece


recombinarea in baz6 9i injeclia in emitor pot fi interpretate ca defecte ale

neglija componentele curenlilor datorale varialiei stocdrilor de sarcind in exces.


Aceste condilii "la viteze rnici" sunt adesea satisfdcute gi pentru varia{ii rapide,
lntruc6l in multe tranzistoare moderne componentele determinate de varia.tia de
sarcind pot fi neglijate pentru timpi de varialie ajungdnd pAnd la zecimi de

in regiunea activd, cu jonc,tiunea coleclofului


polarizatd invers gi jonctiunea emitorului polarizatd direct (cu tensiuni intrecdnd
cel pulin de cateva ori kT/q). ln aceste condilii, distribu{ia de purtitori cie sarcind
in exces in regiunea bazei este aproximativ liniard.
Deoarece concentratia in exces la marginea emitorului depinde exponen{ia}
de tensiunea emitor-hazd vgs in conformitate cu relatia lui Boltzrnann, irrseamnd
cd pentru cufentul de colector putem scrie:

6.',[*o[+) ",]

(J.CZ)

',l*r[*")

,-]

curenlii de la terminalele tranzistorului depind de Vss in acelagi mod. intrucat


rapoartele curenlilor sunt independente de VEs gi ll, acesle rapoarte sunt

parametri utili ai tranzistoarelor.


Rapofiul dintre modulLll cunentului de colector modulul curentului de emitor
5i
este numit c69tig de curent in scurtcircuit, cu baza comund gi este notat cu ocr.
El

este:

'c

(3.s4)

1+6

(3.4e)

Evident,

Dpe . pnos

(3.s0)

d.F esre foarte pulin mai mic dec6t 1, intrucdt 6 este foane
mtc.
Raportul intre modulele curentului de coiector gi curentuiui de bazd este
numit c0gtig de curent in scurtcircuit, cu emitorul comun, gi este notat
cu ljr

lc

- aria sec{iunii transversale a bazei


Dpa - coeficient de difuzie al purtdtorilor rninoritari in bazd
pngs - concentra{ia de purtdtori rninoritari in bazd la echilibru
W - grcsimea regiunii neutre a bazei.
AceastS relatie curent*tensiune are aceeagi form6 cu ecuatia pentru diodd.
Capitolu! 3. TRANZI STOARE BIPOLARE

lB

t
1

l=u,=

/" qq\

Acest cagtig de curent este mare p^entru cd 6 este foarte mic, El


are In mod

uzual valori cuprinse in gama

10 =

103.

Relalia directd intre acegti coeficienti poate fi scrisd fie


C a pitolul

3. T RA\JZ I STOARE I I pO

LA

RE

Fr

(3.56)

1 *Po
fie

o-

{xF

care depinde in rnod explicit de o tensiune din alta pa!"te a circuitului gi anume cle
tensiunea la bornele emitor-bazd.
circuitul echivalent reprezentat exprime curentul de colector in funclie de
tensiunea emitor-bazd, alegere intmpldtoare. se poate folosi proportionalitatea
dintre curentul de colectcr gi cel de'emiir:r, exprimatd prin o"p pentru a alcalui
circuitul echivalent.

(3.57)

l,F --.==-

'l-er

ctuIr

IB

'-----+

--+

Relaliile crrrent,{ensiune pot fi modelate in diferite feluri cu ajutorul


oomponentelor de circuit. Relatia intre curentul de emitor $i tensiunea ernitorl:azA are aceeagi forrnd cu caracteristica | - V a unei diode idealizate cu

(l+6)Ir

\s:+' lrl
!t

Jorrcliunea p-n. Din acea$tii cauzd, comportarea tranzistorului la bornele emitor'


lrrrzA proale fi ntocJelatd cu o diodi idealizatS cu ioncliune avAnd curentul de

:;nturalie

(f

i' S)

Ycs*-

11"

Fig. 3-6

{1+5)I,

se poate folosi proporlionalitatea dintre curentul ije colector gi cel de bazd,


exprimate prin Fr pentru a construi circuitul echivaient, toate acesie o'fcuile fiincj
echivalente intre ele gi corespunzdnd rela{iilor algebrice curent-tensiune.

-_-_,oC

GT

FFra

Fig. 3-4
Curentul de colector clepinde de VEe in acelagi mod, dar este independent de
tensiunea colector-lrazd. Dependenla exponenliald a curentului de colector de
tensiunea emitor-L:azA 5i lndependenla sa de tensiunea colector-bazd pot fi
modelate cu ajutorul unui generator de curent dependent sau controlat. Acest

model este

reprezentare completd. Curentul

de bazd este modelat ca

-ls

r1+5)r{

\'6l+

kT
s

vcffi*-

consecintd a teoremei lui Kirchhoff pentru curenli.

rr{*qvmJK".l}
E

+--

_--_:
rc
--d};*<lc
Y6>* kT
vca#*

1.T

Fig. 3"5
Un generator dependent se deosebegte de unul independent doar prin faptul
valoarea sa nu este fixatd arbitrar, ci este determinatd de o anumitd variabild
dirr circuit. Astfel gerreratorul de curent controlat furnizeaz6 la colector un curent

ci

70

Ca

pitaLil 3.'|RANZISIOARE Bl PO LARE

Fig. 3-7
Dacd un tranzistor lucreazi cu semnalul de rntrare aplicat la bornele emitorbazl iar ieginea esie consideraxd intre coiector gi bazd, se spune ce
functioneazd
in conexiune cu baza comund. Circuitui echivalent in care cui-entul cle colector
este comandat de curentul de emitor aratd cd in aceste conditii
raportul dintre

curentul de iegire (de corector) gi cer de intrare (de emitor) este


chiar ue.
Un tranzistor poate fi conecta{ astfel incdt emitorul sd fie comun
.
circuitelor
de intrare 9i de iegire - conexiunea cu emitorul comun. in conexiunea
cu emitorul
comun cAgtigul de curent este chiar Br.
Capitolul 3. I"RANZI S TAARE BIPALARE

71

Circuitele echivalente de circuit prezetltate pena acum i& acest paragraf


exprimd printr-o exponenliali rela,tia intre curentul de ernitor gi tdiisiunea emitor-

baz6. Ca gi

in

cazul diodei cu joncliune p-n, detaliile acestei dependenfe

exponen{iale nu sunt intoideauna importante. ln aceste conditii pot fi folosite


diode liniarizate pe portiuni pentru a inlocui dioda exponenlia!d din circuitul
echivalent al tranzistorului. intrucAt intreaga teorie dezvoltatd pAnd in prezent se
aplicl numai pentru jonc{iunea emitorului polarizata direct (gi cea a coiectorului
invers) dioclele liniarizate pe porliuni utilizate in aceste modele vor fi numai in
starea de deschidere.
Cel mai sinrplu cifcuit echivalent de acest tip pentru tranzistor este cel in

care cdderea de tensiune pe joncliunea polarizata direct

emitorului este

neElijabild in intregime.

Un model mai precis include tensiunea de prag Vo asociatd joncliunii emitor-

hazi gi o r-ezistenld serie ro.


Atragem aten{ia cd circuitul echivalent prezentat in acest paragraf .este un
model relativ riguros al funciionir-ii tranzistorului bipoiar in regim de cttrent
continuu. CAnd o analizd mai expediiivd se impune, aceasta poate fi fdcuta 9i
fdrd a recuroe la acest model.

I
I

"orl
I

fuIu

fuIn.

ryft

@
Fig. 3-9

Ym+elL
!t

cu b^aza comund (Bc),

,u'CE<{* KT
-A,tJ

1D

ra

Til

,',

"

lJ
6

ernitorur comun (EC) sau cu colectorur comun

elajului cu baza comund constituie un dezpvantaj. Astfei,

G"pl

(cc).

in

scheme de

amplificare realizate cu mai multe etaje, aceaste rezistenld poate sd aibd o


acliune de guntare asupra rezistenlei de sarcind a etajului anterior, cdruia ii
reduce amplificarea. De aceea irrtre etajele realizate dupd schema cu BC trebuie

Fis. 3-B

3.4 MONTAJE

c!

In schema cu baza comuni, figura 3-g. a semnalul de intrare V1 se aplica


intre emiior gi bazd, iar rezistenta de sarcind R1, de pe care se obtirre semnalul
de iegire V2, se conecteazd intre colector gi bazd.$cherha cu baza comuna
asiguri o rezistenfa micd de intrare (de ordinul unitdlilor de ohmi) gi o rezistenti
mare de iegire (de ordirrul sutelor de kiloohmi)" Rezistenla mica de intrare a

sd se prevadd scheme de adaptare.

La schema cu emitor comun, figura 3-g.b sernnalul de intrare V1 se aplicd


de iegire V2 se culege de pe rezlstenta de
sarcina R1 conectatd intre emitor Ei colector.
.i1 Somgalalie cu schema BC, rezistenta de i.trare a etajurui cu Ec este rnurt
mai ridicat5 (sute de ohnni), iar rezistenta cre iegire este cie ordinul zecirof de
?ntre emitor 9i bazd, iar semnalul

CIJ TRANZISTOARE

Degi tranzistorul este un element activ cu trei terminale sau borne {E, E, C),

ln schemele practice el poate fi privil ca un cuadripol activ la care intrarea

9i

iegirea au o borlra cornund.

Dupi cum aceastd borni esie baza, emitorul sau colectorul, existd
moduri fundamentale de a conecta tranzistoarele in montajele praciice:
Capitolul

TRANZISTOARE B!PjLARE

irei

kiloohmi.
Amplificatoarele cu mai multe etaje, realizate cu tranzistoare co!-rectate dupa

schema cu EC, nu necesitd tlispozitive speciale de adaptare inire etaje.


De
Capitolul 3. TRAt{ZtSTOARE

pALARE

LJ

asemenea, sc.hema cu EC asigura o amplificare mare (in curent pand la 100,


putere p0nd la 10000) gi de aceea se utilizeazd cel mai multin practicd.
La schema cu colector comun, figui"a 3-9.c curentul de intrare, ca gi la
schema cu EC, il cclnstituie curentul bazei, iar curentul de iegire (care trece prin
rezistenla de sarcind) il constituie curentul emitorului.
Rezistenja de intrare a schemei cu CC este foafte mare (de ordinul zecilor 9i
sutelor de kiloohmi), iar rezisten{a de iegire, dimpotrive, este mic6 (zeci sau sute
de). Schema cu CC se folosegte mai rar dec6t cele cu EC 9i BC 9i serveqte cel
mai ffecvent, pentru acordafea imperrdanlelor inire etajele amplificatorulUi sau
intre arnplificatorul de iegire gi rez-istenla micd a sarcinii.

posibild este dictatd de considerente practice.


Pentru conexiunea in rnontaj cu BG, caracteristicire principare sunt:
caracteristicile de iegire.

ic = f(vcg) la i5 = 61

(3.60)

i6 = f(ves) l v6s = ct

(3,61)

is = f(vss) la v6s =

(3.62)

gi caracteristicile de intrare:
61

Pentru conexiunea in montaj EC, frecvent sunt utilizate caracteristicile


de iesire:

3 5. CARACTHRISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI


BIPOLAR

i6 = f(v6s) la vsE =

Caracteristicele statice exprim6 grafic legdtura intre curenlii prin tranzistor 9f


tensiunile aplicate intre terminale, in regim static,
Referindu-ne ia simbolul unui tranzistor pnp

is = f(v6E) la is =

/2 Ae\

s1

(3.64)

e1

gi de intrare:
is = f(v66) la v6s =

(3.65)

61

In continuare analiza acestor caracteristici o vom face pentru


un tranzistor pnp
i; = f(vce) la is = s1 pentru conexiunea BC.

a) Caracteristicile de iegire

Fig.3-10
observdm cd apartrei clrrenli (iE, iB, ic) gi trei tensiuni (vee, vce, vce)
Relaliile lui Kirchhoff permit sd scriem:

iE=i*+1"

(3.58)

fEiunea
(3.5e)

VcE=Vcg-VrB

gi observdm cd ele lirniteazd numdrul merimilor independente la patru (doi


curenli gi doud tensiuni). intre aceste patrlt mdrimi existd doud rela{ii
caracteristice pentru tranzistoruI considerat. Relaliile dintre tensiunile gi curenlii

unui tranzistor, necesare pentru calculul circuitelor

in care este utilizat

tranz'storul, se determinS pe baza caractefisticilor statice.


Pentru determinarea tensiunilor gi a curenfilor unui tranziStor sunt necesare
doud famiiii de caracteristici statice. Alegerea aceslor familii din lafga varietate
74

Capitolul 3. TRANZSTaARE BIPOLARE

de brere

-l'bBf4

Fig. 3-11
Caracteristica pentru iE = 0 corespunde curentului de satura{ie
i6 = !6s}s"
curbele corespunzdtoare altor varr:ri ig sunt ir1 reEiunei u"iiua'iu",
.
< 0) rinii
drepte, aproape orizontale, astfel incSt li" l= i
inOepenOent de vcB
I
L
(ic = ctr- iE + lcao)

In planul acestor caracteristici se pot separa trei regiuni, din punctuf


de

vedere al funcfiondrii tranzjslorului


Capitolul

TRANZTSTOARE BtpOLARE

regiunea activd norniald: v6s < 0, ie > 0, vee > 0, care corespunde
func{iondrii uzuaie a tranzistorului cu jonc{iunea emitorului polarizatd in sens de
conduclie gi joncliunea colectorului polarizatd in sens de blocare;
- fegiunea de tdiere: vce < 0, Vee < 0, is < 0, care corespunde funcfiondrii
tranzistorului cu ambele joncliuni polarizate in sens invers;
- regiunea de saturalie: vcg > 0, is > 0, vEB > 0, care corespunde funcliondrii
tranzistorului cu arnbele joncluni polarizate direct,

Pentru rjiverse valori ale tensiunii de iegrre V6s, cofspUnd caracterisiic;i


diferite. se pune astfel in evidenld o influenld foarte micd a tensiunii de iegire
asupra celei de intrare.
d) Caracteristicile de iegire i6 = f (vcr) lo Vsg : of pentru conexiunea EC.

b) caracteristicile de iegire i6 = f (vce) la vEe = ct pentru conexiunea BC.

Fis.3-14
fin6nd seama de relalia:
Vce=VcB+vBE=Vce-Vre

Fis. 3-12

Fati de cele anterioare, observem o inclinare diferitd a caracteristicilor, ceea


ce arate cd rezistenta internd a colectorului este mult mai micd in cazul cAnd
intrarea este in scurtcircuit din punct de vedere al regimului variabil, de curent
alternativ (vEs = ct), decAt in cazul cind intrarea este in gol (iE = ct).
c) Caracteristicile de intrare ig = f (vgB) la V3s = cl pentru conexiunea BC.

ic{*d}

se constatd ca aceste caracteristici se pot orrline din caracteristicile i6


= f(v6s)
pentru vFB = ct de ra montajur BC, prin transratarea
fiecdrei caracteristici cu
tensiunea v6s respectivd, in lungul axei v6s, care devine astfel axa
v6s.
Deoarece pentru fiecare caracteristici punctul ic
O coreipunde unei
=
tensiuni Vce = VEe, rezultd cd el va corespunde originii axelor intrucdt
tensiutlea
vcE respectivd va fi practic nul6.
Deci, curbele din familia de caractersitici ie f(vc-d peniru Vsg ct
=
= vor avea
fiecare in parte aceeagi formd cu cele corespunzatoare din familia
ic = f(vce) ia
VEs =.ct (montaj BC) gi se vor intersecta toate
in origine.
e) Caracteristicile de iegire i6 = f(vc=) la is 61 in conexiunea
=
EC.

v*E=.-lsv

rlLB=r

u=r4fl

,r?npA
Eegirmea

T*(ml)

ilB

saturatie

Fig. 3-13

A.ceste cafacteristici sunt neliniare, reflectAnd

varialia exponenliald

cilrentului de emltor cu tensiunea emitor-bazd"

Hegiruea

r,=rn*r[!'#ry-)
76

C a pitolul

3.

RAN Zl STO ARE

FO LARE

d+

hlocer*

Fig.3-15

(3.66)
Capitolut

(3.67)

s. TRANZSTAARE BpALAR

. .Caracteristicile prezentate sunt suficiente pentru determinarea cornponarii


statice a unui tranzistor in conexiunile uzuale.
-ln practicd se folosesc uneori Si caracterjsticile de transfer:
ic = f(vee) la v6s = 61 pentru montajul BC, gi
i6 = f(vss) la ve, = ct sau
i6 = f(is) l v6s = ct pentru montajul EC

Acestea sunt global asemdnsloare cu cele de la rnonlajul BC, ic ' f(vca) Ia ir


ct. Ele sunt in regiunea activ5 nolmald drepte aproxirnativ paralele 9i aproape

uniform distanlate.
Se observd ca pornind de la rela.tia:
(3.68)

i6=cpi6+l6gs
gi linAnd cont de relalia:

iE=is

+1t

pul(jm scrie:
i6:
r(t:i[)c:(:l

(3.70)

=apic+ocrie+lcso

lv;

.o(E1
i.-1-.rr"i-or--= --,il-- i* + ;--

lcao

(3.71)

Dnr;A la rnontajul BC slaba varialie a lui up cu tensiunile 9i curenlii in


lrarrrlslor era abia vizibild, aici ea este bine pusd in evidenld, datoritd factorului
1/(1-ur ) c.are este foarte sensibil la mici variatii ale lui ctp.
Caracleristir:ile ic = f(vca) la is = 61 sunt aproximativ echidistante, cu exceptia

Acestea se obfin cu ugurinld din familiile caracteristicilor cJe ie$ire,


in
conexiunile respective, prezentate anterior. in cataloagele de tfanzistoare
se dau
frecvent toate caracteristicile pe aceeagi figurd. ln fie-care cadran $e
tfaseazd o
farnilie de caracleristici astfel:
Cadranul I - caracteristicile de iegire
ig = f(v66) cu iB ca parametru
Cadranul ll - caracteristicile de transfer
ic = f(ia) la v66 cd parametru
Cadranul lll - caracteristicile de inlrare
is = f(vss) cu v65 cd parametru
Cadranul lV - caracterisiiciie de reactie
vsg = f (vss) cu iB ca parametru

zonei curenlilor mari in care curbele devin din ce in ce mai dese.


O alt6 difererrld o gdsim in pozilia regiunii de saturalie a tranzistorului. Acum
aceast5 rogiune este situate in cadranul lin intregime (vcr < 0)' In planul (ic' vcE)
frontiera intre regiunea activd normala gi regiunea de saturalie este curlra trasatd
cu linie intreruptd, care unegte punctele Vca = 0 de pe fiecare caraoteristic5. Cu
aproximatie, se poate lua drept linie de demarcalie intre RAN 9i regiLlnea de
saturalie partea comune a caractefisticilor.
1) Caracteristicile de intrare is = f(vBd ld veg= ct in conexiunea EC.

b(F

Y"u-

-lr/
Fig.3-17

-VsE{.mv)

6 iryF!!,F.ryIA f FVFERATU Rt I AS u p RA REG tM u LU I srA-nc


AL TRANZISTORULUI
_

Fig.3-16
Aceste caractefistici au

o alure similari cu caracterislicile intrare la

BC,

l'dcAnd abstraclie de translatarea spfe valori negative datorite lui lceo. Cregterea
lensiunii colector-emitor aplicate duce la scAderea lui iB.

i6

Canitolul s. TRAIiZSTOARE BIPOLARE

Caracteristicile statice gi parametrii regimului stalic se


modific6 cu ternperatura.
cele mai importante efecte ale temperaturiiasupra regimului
de curent continuu sunt;
- vadalia curentului rezidual (de saturalie) de colector,
l,;se
C a pit alu |

3. TRA NZt STOARE

B I pO

LARE

/lt

Disiparea de putere are loc intr-o regiune limitatd a structurii semiconductoare.


^In cazul
diodelor gi tranzistoarelor, spre exemplu,

- varialia factorlrlui de antpliflcare in curent bazS-colector, 0r


- variatia tensiunii de deschidere, Vp

degajarea cdldurii are loc in


regiunile de tranzi,tie ale joncliunilor, irrtrucat pe acestea cade intreaga tehsiune
aplicate din eXerior.
La tranzistor, curenlii care strdbat cele doud jonctiuni sunt aproape egali, dar
tensiunea aplicate pe jonotiunea colectorului, in regim normal de lucru, este mult
mai mare decat cea aplicata pe joncliunea emitorului. De aceea cea mai intense
degajare de cdlduri are loc in regiunea de tranzitie a jonctiunii colectorului.
.. . Puterea disipate pe tranzistor se compune, in cazul general, din puterile
disipate pe jonc{iunile colectorului gi emitoruiui:

Lsn

Po= Poc + Por =

Puterea disipatri

lceo cu temperatura pentru tranzisloare,

cu Ge gi Si, de micd putere.


La tranzistoarele cu Ge, in jurul temperaturii ambiante curentul rezidual se
dubleazd pentru o cregtere a temperaturii cu 9 * 100C, iar la cele din siliciu,
pentru o cre:stere cu 6-8"C. De observat ci, in domeniul temperaturilor de interes
practic, curentul rezidual al tranzistoarelor din siliciu este neglijabil.
Atet cregterea lui l6ss, c6t gi cregterea lui pe , vor determina o deplasare ln

sus a caracteristicilor de iegire ic (vcd odata cu cregterea temperaturii. La


tranzistoarele cu siliciu, translalarea caracteristicilor este cauzatd practic de
cregterea lui pe cu tempefalura, pe cSnd la cele cu Ge predominant este efectul

* ir.

in tranzistor conduce ia

vae = ic. Vcr


cregterea temperaturii jonctiunii

fecristalizeri locale) care degradeazd structura.


. Pentru ca temperatura jonc[iunii sd nu depdgeascd lemperatura lirnitd t,*,
trebuie ca puterea reald pp sE nu depdgeascE puterea disipatd nraxim admisibil5,

pDrnax. Aceastd putere, pentru un tranzistor dat,


se calculeazd cu ajutorul unei
mArimi mdsurabile, ctependentd de construclia tranzistorului, numitd rezistenld

terrnici gi notatd

Rs;.

In cataloagele de iranzistoare se indicd rezistenta termici globald joncfiune_


mediu ambiant R161u. Valoarea ei obignuitd la tranzistoarele de mici putere este
cuprinse in intervalul 100 - SOOUC/W.
Puterea maxima pe cafe o poate <lisipa tranzistorul este datd de relatia:

cregterii curentului rezidual l6se.


Tensiunea pe joncfiunea emiioare vsg, la curent de bazd constant, scade in
valoare odatii cu cfegterea temperaturii.
Ca urmare cafacteristicile statice de intrare is(vsg) se deplaseaz5 spre axa ig
la cregterea ternperaturii. in modelele statice liniarizate, efectul temperaturii

Uneori

asupra caracteristici

rezistenla termicd

de intrare este redat printr-o scddere a tensiunii

vcts

colectoare.- T,, antrendncl, pentru temperaturi care depdgesc B5oc, respectiv


150"c pentru tranzistoarele cu Ge, respectiv si, fenomene ireversibile (topiri gi

Fig 3-18
in figura 3-18 sunt redate varialia lui

ic.

de

deschidere VD cu aproximativ 2mV pe grad Celsius.


Deci efeclul temperaturii asupra regimului static este caracterizat numai de
varialia lui psgi vss la tranzistoarele cu Si, la cele cu Ge interyenind gi varia{ia lui
Ics6, cofo de rnulte ori are chiar rolul cel mai impoftant.

PD

nax -

t-l
'lfrax
-----=--

'a

in

cataloage se dd dependenla pprnu*(Tr), din cafe poate


R1r.1u,

folosind relafia de mai sus.

in timpu! funclionErii dispozitivelor semiconductoare, o pade din puterea electricd

de siliciu, (2-5w. Pentu cregterea puterii disipate admise tranzistorurui

3.

TRANT-I STOARE Bl PO LARE

se

problema dimensiondrii radiatorului necesar pentru o anumita


putere disipati admis6 (po*o*) ra o temperaturd ambiantd (Tr)
datd. Din cataroage
se cunosc: T1ru", Rtn1", R,n"u.
. Uneori in loc de R151" cataroagele clau puterea disipatd pentru un raciiator de
arie infinitd (po_) la o temperatur5 ambiantd Tu = 250C:

semiconducloare problema puterii disipate este de primd importanld.


Capitc>lul

carcuratd

40"c/w^ Puterea maximb pe care o poate disipa un tranzistor de


=
Ge, avdnd aceste
fezisten,te termice, este de (i-2W, iar in cazul tranzistoarelor

se pune

se disipd sub formd de cdldura. Puterea disipatd determind cregterea temperaiurii.


Datoritd dependenfei caracteristicilor electrice de temperaturS, la dispozitivele

fi

La tranzistoarele cle putere,^rezistenla termicd jonctiune - corp metalic


e,tl" R,n" = zac/vu, iar cea intre corpul metalic ai mediul
!t:ftt,-^capsuld)
ambiant
R,.""

atageazd un radiator terrnic.

3 7. REGIMUI- TERMIC AL TRANZISTORULUI

(3.72)

!!a

Capitolul 3. TRANZTST?ARE U?ALARE

avalangd
Tlru*
pDo

a purtdtorilor in regiunea de trarrzilie ale joncliunilor, care duce

(3.73)

---- Rtnj"

(lu rrralnrirrl Ixrltru oonstructia radiatoarelor se utilizeazd Al.

apare ca o limitS peste care tranzistoful nu nrai satisface ca pertorrnanle

scade foarte mult).

la

str-epungefea tranzistr:rului (curentul iJe colector cre$te mult, inclepenctent cle


valoarea curentului de bazd aplicat).
Limitarea curentului de coledor la o valoare lc;,,., determinii o granili sub
forma unei linii oriznntale. Trebuie observat cd nu totdeanuna lirnitarea Gurentului
de colector este impusd de pericolul clistugerii tranzistorului, ci foarte frecvent

'l-"

(Bp

ln domeniul tensiunilor mici, regiunea admisd cie lucru este mdrginitd de

granila dintre regiunea activd gi regiunea cJe satura{ie, iar in domeniul curentilor
mici, de granila intre regiunea activd 9i cea de tdiere.
Pentru fiecare caz concret, se poate alege un punct optim de functionare in
regiunea permisd. circuitul rle polarizare trebuie -sd asigure functionarea
tranzistorului In punctul ales.
Pentru un tranzistor dat, definii prin caracteristicile sale intr-o conexiune datd
sunt suficiente doui m5rimi pentru flxarea punctului static de funcliclnare:
- tensiuni iegire, curent iegire (V3s, ls) sau (Vcr, lc)
- lensiuni iegire, tensiuni intrare (Vca , Vrr:) sau ( Vqs, VsE)

CONSTDERATil PRIVIND ALEGEREA PUNCTULUI STATIC


DE FUNCTIONARE $I DETERMINAREA SA GRAFICA

Pernlru a f)utea realiza amplificarea unui semnal, folosind tranzistorul bipolar,


esto nocosar ca un circuit exterior sd polarizeze tranzistorul in regiunea adivA.
Alegerea punctului static de funclionare se face pe baza unor criterii care variaza
cu funclla circuitului respectiv.
Pentru buna funclionare a trarrzistorului, trebuie sd se delimiteze ip planul
caracteristicilof de iegire o regiune in care se admite plasarea punctului static de
funclionare.

CIRCUITE DE POLARIZARE CU DOUA SURSE AL"IMENTARE

Rtr

YCr

Elacerr

T'
D

Fig. 3-19

Au tosl repfezenlate caracteristicile de iegire ale unui tranzistor

npn,

cortexiuno EC.
Re1;irrnea admise este delimitat6 de trei rndrimi: puterea disipati maximd,
lonsiunea rnnxirrrA admisd Si curentul maxim admis (mdrimi date in cataloage)
Corrrlilia r:n prrrterea disipatd de tranzistor sd nu depdgeascd limita rnaximA
stlrrrisA rlclolnrirrA o granitd sub formd de hiperboLi in planul caracteristicilor de
Itrlrru, nrrrrrilA hiperbola rje disipa{ie

(3.74)

ic.Vcg=PDmax

l'ntrrrlttnoH t;olector-crnitor

nu trebuie sd depdgeascd

valoare maxim

rrrlrrrl.,A, Vr r r,n,. Do obicei, lirnitarea tensiunii este determinatd de multiplicarea in


rri'

Capitolt.rl 3. TRANZISTOARE BIPOLARE

Fig. 3-20

Acest mod de polarizare apare ca o consecintd normala a nroclului cie


funcfionare a tranzistorului bipolar.
Pentru schema BC, s5 scriem expresia curentului de colector
$i a terr.sirrrrii
colector-bazE (mdrimi ce caracterizeazS punctui static de funcfiorrar:el) irr fr.rrrr;!io

de elementele EE, Ec, Re, Rr ale schemei, gi de pararnetrii (.y.p, 11;1y,, V1 ui


11
ului. Se va presupune cd tranzistorul lucreazd in reg;iurrea u<llivir
normald a caracteristicilor 9i se va gdsi conditia pe care irelltrie sdl o

tranzistoi

t,tianRE

u:l

-----

indeplineascd elementele montaiului pentru

ca aceasti presuPunere sd

fie

adevdratd.
in resiutrea activd normald
(,3.75)

16=&plg+lc'st

unde ls rezult6 din scrierea teoremei a ll-a a lui Kirchhoff pe ochiul emitorului, iar
Vce din ecua.tia teoremei pe ochiul colectorului. RezultS:
Ee
tlE-"-

3 10. CIRCUIT DE POLARIZARE SIMPLU PENTRU


CONEXIUNEA EC
in etajele de antplificare, fixarea punctului static sau mediu de functionare se
realizeaze obignrrit, cu ajutoful circuitelor ce conlin o singurd sursd cle alimentare.

Metoda cea mai evidentd pentru polarizarea unui amplificator cu emitor


comun cu siliciu este de a folosi un rezistor de polarizare Rs, care sd furnizeze
curenlul continuu necesar la baza tranzistorului" $emnalu! poaie fi atunci aplicat
la borna de intrare printr-un condensator de cuplaj adecvat.

VEe

(3.76)

| \t

gi deci:
EE -

Vrs

lc=1r,r.-.--1l"ro

RF

(3.77)

k-

in ochiul de la iegire

tr^=\/--,+R l^

(3"78)

gi deci:
Vce = -Ec + lcRL- =

Ec + crF

Rr

.-

Fig. 3-21
(Er *Vrs)

(3.79)

\b
f

saLr lnca
R

- v.r) *
V., = -E. * *n;!(E.
,'E

R,

l.ro

Pentru menlineiea pirnctuiui static de funclionare in regiunea activd normalS,


irebuie indeplinitd condilia: Vrre < 0 9i deci:

uu'l
E" ,o" E
{,,1 Eu)
Rer
EF

1.l"ro

Ee

Ec-Vp=lslRe+(pF+1)hl
tc- pF.

EF

/? n2\

tB

ecuaiia anterioard poate fi scrisd in doud forme utile. Pentru analiza circuitelor cle
polarizare, trebuie de cunoscut 16 in functie de llr:

llr ( Ec

RL
(3.8 1 )

rc-

Vo)
(3.84)

RB+({lF+1)r,r

Re

Arialog se va proceda $l pentru schema EC.

(3.82)

Folosind relalia
(3. B0)

Cu suficientd precizie putem considera condilia indeplinitd dacd

Ec

Pentru a determina relafiile de proiectare corespunzrtoare, vom inlocui


tranzistorul funcliondnd in regiunea activd, prin circuitul echivalent pentru variatii
totale figura 3-21. b.
Dependenfa de temperaturd la tranzistoarele cu siliciu se nranifesti prin cloi
parametri: Pr 9i Vo. Ecualia de proiectare poate fi gdsitd scriinct ecuaJia tensiunilor pe
bucla de intrare, gi reamintindu-ne cd aiat ls c6t gi
l3rlstrec prin rezisten{a 16:

Pentru proiectarea relelelor de polarizare trebuie gisit;i valoarea lui

necesard pentru a obtine un anumit curent de colector:


R^

Fr(Ec-Vn)

(flr + 1)

r,r

l6

84

Capitolul 3. IRAA/ZISfOARE BIPOLARE

Capitoful

3. TRANZISTAARE BtpOLARE

Rs,

(3.8s)

F-x6lresia lui RB scoate

evicJen!5 un incovenient sefios al acestui circuilt de

in

polarizare, lase foarre pu\ina llbertate in proiectare pentru a imbunptali


pe rtaza
perrlorrnarrlele. Valorile lui Ec, lc 9i RL sunt, de obicei determinate

allfel' dreapta (1) este aproape orizontald gi nu se comrte o eroafe sernrrificiltivii


tac6nd aceastd aproximaiie.

la
pfoprietdlilor de semnal mic dorite pentru amplificator: amplificare, amplitudirle
iatunci
impuse,
cJe
fapt
sunt
iesire, lSigimea de bandd s.a.m.d. DacS acestea

valoarea lui Rs este determinata, 9i nu mai exista posibilitatea de

ajr'lsta

parametrii relelei cle polarizare pentru a imbundtali stabilitatea p0larizSrii.

tF

Vgg

tt

Is,

ng

Ir
l'cr

Eg

'

In planul caracteristicilor de iegire, ecuatia (3.87) reprezinlii o <!xrlyltn rIr


panta - 1/ RL, numitd dreapta staticd de sarcind. Intersec;lia r,rceslci rlroptn rrrr
caracteristica de iegire corespunzdtoare curentului de bazii cjclerruinal llnl(,tir)l
reprezintd punctul static de funciionare M in planul caracteristicilgr tio ir:1;ir6
Din grafice rezulid gi celelalte mdrimi: VeE, V'E.
Varialia temperaturii influenieazd regimul de curent conlirrrrrr irl lliln.rilil()lrilut.
modificdnd in consecintd punctLrl static de functionare.
Dacd temperatura cregte, pLlnctul staiic de functionarre :;u t1t:lrlascirzit :,1)t 1
reglunea de saturalie, iar dacd temperatura scade - spre rcgiurrca dr: lirlrlrc (irr
planul caracteristicilor de iegire).
Din mai multe motive (distorsionarea semnalelor amplificate, arnbalafoa
termicd a tranzistorului, etc.) se impurre localizarea cu precizie a purrctrrlui static
de funclionare.

Deci, circuitul de polarizare va trebui rru numai sd asigure fnnctionarea


tranzistorului intr-un punct static precizat, ci gi nlen!inerea acestui punct cind
temperatura se modificd.

Fig.3-22

Au fost reprezentate caracteristicile statice ale tranzistorului, de intrare in

lrrlrrra 3-22.a, cele de ie$ire in figura 3-21 b.


Dol()nninat"ea punctului static de funclionare poate fi
rlr, I r:rrt;ittlti Prentru ochiuri

fdcuti pe baza

ecuraliei

E5=Rsls+Var=Rale
(3"87)

bC=K1lC+V6g

t:ittitcleristicilor statice ale tranzistorului.


orrrclnlul de bazd este practicdeterrninat de Ee 9i Rs, iar curentul de colector
vir li tlc apt'oximativ ftF ori mai lnare:

tri rr

lg

=.

Ec ./

Rs

(3.88)

gi

- 1 / Re in planul caracteris'iiicilor
de inlrare. Interseciia acestei drepte cu caracteristica de intrare peltru V6p'=iV6;E
frrnrize;rzii punctul static de funclionare M in acest pla;r. Deoarece V66 este
<joocamcJal.S necunoscut gi av6nd in vedere influenla sa redusd asupra
caracleristicilor cje intrare, se poate lua o caracteristicd meclie (VcE = Ec I 2-)i De
otul 3.

depgndente de temperatura (termistoare, diode).


Primele realizeazd stabilizarea at6t la varialia temperaturii, c6t gi la dispersia
de faLiricatie a caracteristicilor tranzistoareior.

Procedeele neliniare nu realizeazd stabilizarea

in raport cu

dispersia de

fabricafie a caracteristicilor tranzistoarelor, qi in plus cer o reglare minutioasd.

3 11 CIRCUIT DE POLARIZARE PRAC-TIC PENTRTJ


CONEXIUNEA EC
Doud modlfic5ri simpre

Amrste ecualii pot fi 9i soluliortate grafic.


Ec;ua{ia (e.SO; ,epro.inia o dreaptd de pante

Ca pit

- proceclee neliniare sau de compensare, care compenseazi varialia


parametrilor tranzistorului cu ternperatura, folosind elemente cu caracteristici

(3.8e)

t^-o-L
rC = irF;f(.,

{i6

_ circuitele de polarizare prezentate nu asigurd stabilitatea punctului de


functionare Ia varialii ale temperaturii.
Procedeele de stabilizare termicd pot fi impdr{ite in doud categorii:
- procedee liniare, care utilizeaz6 in circuitul de polarizare eiemente liniare,
irezistoare);

T RANZI STO

ARE Bl PO LARE

in

releaua de polarizare inrbundtdtesc rlrrrrt


al circuitului. Aceste nroclifir:iiri irir;lurj

stabilitatea punctului de fuirc{ionare

addugarea unui rezistor extern de ernitor RE gi folosirea urrui ,Jivizor de Ie1$ir1]o


rezistiv, R1 9i R2, perltru a furniza curentul continuu cle plolarizare a trazeri. irr
circuitul echivalent acest divizor de tensiune este inlocuit prin ec;frivirlcrrttrl
s;irrr
Thevenin, o tensiune in ool:

tr.=ts^

Rr+R'

Capitcttul 3. TRANZ|STOARE Bt pOLARE

(3 e0)
H/

gi o rezistenlA Thevettin

Re=Rr

(3te1)

Rz

lE'r

Iesirua
sermelului

de valoare mare (are o valoare limitd, care este evident E;), eferrele variatiei lui
VD cu temperatura sunt reduse la minimum.
Din nefericire, vaiorile lui Rs gi Rg influenteazd 9i per-formanlele de semnal
mic ale circuitului. Rezistenla Rs apare in paralel cu intrarea tranzisiorului
$i prin
urrnare actioneazd ca un gunt nedorit pentru curenfi de semnal care se aplicd la
intrare. Rezistenla RE feduce arnplitudinea maximd de iegire, prin faptul ci
reduce tensiunea continud efeciivd de alimentare: tensiunea continud disponibili
pentru circuitul de colector al amplificatorului este numai Es - lr . Rr . Evident,
conditia de a reduce aceste doud efecte asupfa performanlelor de semnal mic
vine in
.
.contradictie cu condilia precedentd, bazatd numai pe stabilitatea
polarizdrii.
Practic, fiind dat punctul de functionare clorit, se alege o valoare a lui RE care
si dea o cddere de tensiune leRe de cca. 3 sau 4 V. Aceasta va
asigura o
valoare destul de mare pentru EB, astfel incOt varia{iile termenului ve sd fie
reprimate in mod satisfdcdtor. pe de altd parte aceasta va permite o amplitudine

rezonabild

Fig. 3-23
condensatorul c5, de declupare a emitorului, este necesar pentru a asigura o
Cr
impendan!5 micd de la emitor spre masd la frecvenlele de semnal. Deoarecdr
intlwine
nu
polarizare,
el
de
continuu
penlru
curentul
apare ca un circuit cleschis
in discu{ia de fala.
comparSnd cu tipul de polarizare prezentat anterior, sunt scoase in evidenla
rFunt
diferenleie esen{iale intre cele doud circuite. Rezultd insd cd aceste circuiter
prin
topologic identice. Prin urmare ecualiile de polarizare pot fi scrise direict,
analogie:
gF (EB

VD)

(3.e2)

rcRe + (Pr + 1)

Fr (Ee - Vo)

Rs=--=-

(ro +

Re)

semnalului

de iegire pentru valori rezonabile ale tensiunii

Ea = le [Re + (ljF + 1) (Re + ra)] + Vo

intrare. Pentru a gdsi pe R1 gi R2, rezolvdm eiualiile qa.Obl (3.91)


9i
9i ohtinom:

-$r+1)(rd+Rg)

(31.e3)
F^

R, = ---

RANZI STOA R E Bl PO LARE

(3.e5)

RrRB

drept ecuafie de Proiectare.


Lirriile mari ale proiectdrii rezulld clar din penultima ecualie. DacS ludnl Re
destul de mare, a"iful inc0t termenul (PF+l) RE sd domine numitorul' atpnci
termenul inrprevizibil pe dispare practic din ecualie. De asemenea, dacd ludnh Ee
3.

F^
l \U

E
LB

Se constatA o cregtere a libertalii in proiectare. Apar acum trei paran'retri


independenli: Es, Re gi RE, cafe pot fi ajustali pentru a stabili curentull de
funciionare'lc. Aceaslf rnare libeftate face ca ultima ecua{ie sd devini inl"rtild

pito! u!

(3.s4)

Ecualia poate fi rezolvatd pentfu a gasi gi valoarea rui Es, prin inlocuirea
valorilor adecvate ale lui ls pi Vp in punctul de funclionare, ta t=ZSoC"
A;;;
valori pot fi citite direct de pe caracterisilcile tranzistorului, dac6 avem la
figpgli{ie un set compret. Artfer, ere pot fi aproximate observSnd c5 Vp : 0,6V
(siliciu) 9i lg = ls / pp.
ultimul pas este de a transforma Re gi Es in releaua echivarentd de ra

rc

Ca

de

alimentare Es.
se adoptd RB aproxirnativ de'l 0 ori rnai mare dec6t RE. pentru tranzistoare
cu pF = 100, aceastd alegere reprimi variaiiile lui pe cu un iactorde aproxirnativ
10 ori fald de proiectarea rui R6 egar cu zero, dar perrrite totugi lui Re sd fie
suficieni- pentru a evita $untarea excesivi spre masr a curentului de semnal
la
intrare. in continuare se calculeazd EB insumAnd cdderiie de tensiune in jurul
buclei de inlrare:

(3.e6)

R,-P'r|.\b
C a pitolul

3.

T"R,A,NZ STAA R E E I pA LA R

89

3.12. PttolECTAREA ELEMENTELOR RETELEI DE POLARIZ/\IIE


schernei atunr;i c6nd
trlune prohlelna cunt trebuie alese elementele
intre valoarea minimd
cuprinsd
ao)asta lucreazd intr-o plajd largd de temperaturi
polarizare pentrui un
de
proiectarii
relelei
cazul
in
Tz.
gi
maxinrd
Tr valoarea
va line searnai de
se
trarizistr.lr fabricat din Si, curentul lcao s va neglija, dar
lui
VaE(Vo).
a
v;rrialia cu te mperatura a lui fte 9i

VD(T1) -VD02)

Rp)Rgqrit6 = ----.--.

Pontru curentul de colector

16;

VD)
(11r97)

Rs + (BF + 1) (RE +

in care putem inlocui

Pe + 1

Au fost prezentate cateva metode pentru proiectarea retelelor


de polarizare

Re+Pr .Rg

si le deternrinim suut rezisienlele RE {ii lRa


in care lq, 9i VB variazer cu

pr00urlr gi tensiunea Es. AvAild in vedere modul


tcmperatura oblinem relaliile:

l.*
" ]--:.1 * R,- j| = E, - Vo(l) ; l.n,=

[Ir'(T,)

""'

L Fo

(r,)

CU GERMANIU

pentru tranzistoarele cu siliciu.


(:3.98)

rc-

rl^,,

3 13, PROIECTAREA POLARIZAR|I PEhJTRU TRANZISTCARE

Problema proiectdrii polarizdrii

9r (Eg - Vrr)

T^
I| ''B

Alegdnd o rezistenl5 RE care sd satisfacd condilia (3.103) dertortnirrflrrr


l{rr
dupd care deducerea elementelor din releaua de
llolafizare docurg0 conloilil
relaliilor deduse in paragrafr-rl precedent.

1o;

cu Be 9i deoarece RE>>fo expresia devine

Elenrentele Pe care dorim

I
+ R-l = En - Ve(T2) i

'l

lc(TJ)

(3ree)

pentru tranzistoarere cu germaniu, cregi in


.
principiu.aceeagi ca pentru siliciu, este in
fapt ceva mai coripricata, deoarece
l6sq devine un erernent foane dependent de tempefaturd.
Dependenla de
temp,efaturd a lui rcs6 este^exponenliald, in conirast cu
dependenta aproxinrativ
liniard a Iui pegi V6, astfel incat variilia iui l6s6 este
adesea prclblema dornirrantd
la tranzisloarele cu germarriu.

kl ?
kr( Fr+l )

l"v

= l"f|-,)

(3.1i00)

EliminQnd Ee din aceste douA rela{ii vom obtine pentru Re reli}iia i de

;r

proiectare:

,&

F?=
'.8

(Tr)

Vu(l)

+ tl\rcNl

(T.)-

9'

lerJ xE

lcv

.*L"rn-

-VD0r) + (lcv

Fig.3-24

F'(T')

lsm) RE >0

$e observd din relatia de mai sus cA pentru rezisten,ta Rs existS o


ct

llir:d:
Capitolul 3. IRA/VZISfOARE El PO LARE

trtD

(3.1 01 )

Penlru Rs ?vern solulie doar dace numardtorul fracliei din relalie este poztrtiv:
VDG2)

(3.1 03)

- lc,

?ffi dedus expresla:

FF (Eu

lc=

lci,,l

sc

(3.1',02)

valo,are

Circuitul echivalent peniru varialii totale in regiunea


active, pentrlt un
.
tranzistor pnp cu germaniu
este dat in figura 3_24.
, ..Problema lui lcao poate fi ugor luatiin considerare observAnd cd in cirr.:uilul
echivalent, curentul de colector este:

lc =
Capitolut

Fele

s.

+ (fie+ 1)

l6s6

TRANZT STAARE

(3.1 04)
81

pgt_ARE

91

Dacdfo|osirnoroteasilrrp|5depo|arizare,incarecurentu|debazees"te
lui
ui'ualia (3'104). indicd cregterea exponenliald a
menlinut aproape
lc'
ltrii
a
corespunzdtoare
"onor*i
l6s6 cu temperalula, ;;;; ;;;;"e' o schimbare
accentuatSdecre;;tereaIuipe'Pentruunlranzistorcugermaniutipic,lcaoVafi
+
qi"hop A ra g50c,.astfel incat termenur (pF 1) lcii.in

lc=

|}r (Ea

Vo)

(Pr + 1) lcao (Rs +

Re)

(3.107)

Re+ (Fr + 1) Rg

ordinur a 1pL A ta zsdc,


dacS nu cfriar dominarrtld, a
eouatia (3.104) uu o"u*n]'ig*:I-purtu-r"mnificativd,
Rezultd ca orice c;iticuit
temperaturd.
de
curentului de colector in aciaste gama
curentul de baza
mentine
care
germaniu'
cu
de polarizere pentru tranzistoarele
proastd"
de
constant, Va avea o ,,"bi|it"t* a polarizdrii into|erabil
genul
direct la un circuit de polarizare de
Din aceastd
"uur"]uor-*"urg"
celui ilustrat in figura 3-25

cJe

T-

:_"c

Irttxrsa
sem*elului

Fis. 3-26
Se obselvd cd proiectarea practicd discutati pentru tranzistoarele cu siliciu,
dd rezultate satistdcdtoare gi pentru tranzjstoarele cu germaniu.

Fig. 3-25
constant curenlu[ de
Aceastii configura{ie, datoritd prezen{ei lui RE' menline pentru varia\ii tqtale
echivalenl
circuitul
ridicat
pe
trebuie
lc,
bazd. Pentru a gdsi
nunrai in regiunea activd ilustrat in figura 3-26'
Ecualiaiensiunilor pe bucla de intrare ne furnizeazS:

Ee

lsl Rs+( pr+ 1) RE ]

(3.1to5)

Rr (Fr+1) lcao+Vo

S-a presupus cd Rs este nnult mai mane dec&t ro'


Din aceastd ultimS ecualie oblinem:
Ee

* Vo + Re (Fr + 1) l6s6

(3.1t06)

Re+(Pr +1)R6
aducerea la acelagi numitor rezultS:
Jin6nct ccint de relalia (3-104) dupd
C

"

p;t"t ul'J T RANT- t S T O A R E

a) Efectul cregterii curentLrlui rezidual de coiector l6s0 cu temperatura poate fi


compensat cu o diodd polarizatd invers, conectatd intre bazE gi nrasd figura 3-27.
Rolul acestei diode poate fi inteles observdnd cd, in conexiunea EC, curentul
invers al joncliunii colectorului (l6ss) se inchide la sursd prin joncfiunea
emitorului, inirucat rezistenfa prezentatd cle aceasta este mult mai mica decdt

'la=

92

3.14. PROCEDEI NJELINIARE DE STABILIZARE A PUNCTULUI


STATIC

B I PO LA

RE

rezistenla Rg din circuitul hrazei.


Din aceasti cauz5, l6s6 Gste ampiificat ajurigdnd

sd dea un curent

de

colector mare; spre exemplu, cu baza in gol (Rs = *), lc = IcEo = (Dr+1) lcao.
curentul invers al diodei determini, de asemenea, o variafie prin jonctiunea
emitorului, dar aceasta are se ns invers fald de cea determinate d 16s6.
Capitalul 3. TRANZISTOARE HPALARE

eterm inatd

.de

varialia parametfiror tranzistoru ui cu temperatura.


r

. Rezistenla din emitor RE a.e o vaioare murt rnai micd ciecat in cazul
circuitului stabilizat numai prin reaclie serie. Ea asigurd
nr;mai stabilizaroa lir
dispersia tehnorogica a paramelriror tranzistorurui
9i ridicd pcltenliarul tlazol

penlrLl a putea utiliza un termistor cu rezistenfa


mult mai rnare clecfli rczislgrrlir
de intrare a tranzistorului.

3.15 POLARIZAREA TB MONTAJ COLECTOR COMUN


$I BAZA
COMUNA
Fig.3-27

cu lceO, lii in
Dacd se alege dioda astfel incat sd aitrd curentul irrvers egal
fi
compensat'llseg
va
lcao
lui
plus aceea$i varia{ie cu ternperatura, atunci efectul
se inchicle prin diodd 9i nu mai este amplificat de tranzistor'
pe cu temperatura
Rezistenta RE din emitor are rolul de a stabiliza varialia lui
sd fie polariiiata
compensare
de
pentru
diorla
ca
$i de a ridica poGnlialul bazei

Tranzistorul biporar (BJT) forosit intr-un rncntaj corector-ciomun


sau hrz6comund are caracteristici diferite de cel folosit inir-un
montaj
*rnito,,"on.,rn.
--'
"
Acesle caracteristici diferite pot fi avantajoase intr-o
apricalie.
un amprificator colector-comun luneori referit ca'un repetor pe
emitor) este
ardtat in figura 3-29.

invers.

compensare termici n"lai gene!'ala, incluzand toate cauzelel de


in
instalrilitate la varialia temperaturii, se poate realiza introducAnd un ternristor
divizorul care polarizeazdbaza (vezi figura 3-28)'

b) o

Fig. 3-29

Fig. 3-28

T$flrlistoarete sunt dispozitive

a cdror

rezistenld scade

la

crestPrea

Itlrrpcraturii. Ele sunl realizate din oxlzi semiconductori (Mgo,Bao, NiO etc).i
La cre$terea temperaturii, scSz0nd rezistenla termistorului, scade tensiLinea
colectbr
*rplir:alitr traz,ei gi in felul acesta poate fi competrsatd cre$erea curentului de

!t4

c;t'n"tri

s:.

TRANZ1ITzAREE1PITARE -.

colectorur BJT - urui este comun in raport eu baz_a gi


emitorul, semnarur de
intrare.este cuprat ra baza tranzistorurui prin c6
9i semnaiur Ju i"iiil*-uste ruat de
pe emitor. Semnalele de intrare gi
iegire sunt in fazd unul cu celdlalt. pe masuie
ce semnarur intrare cregte cu cantitdti pozitive,
curentur bazd c.a. cre$te. cend
curentul bazd determinat de compon*nia de semnal
mic cregte, curentur enritor
datoral semnalului mic creste.
Deoarece tensiunea,de-iesire este pnodusur dintre
iE gi R1, terrsiunea intrare gi
tensiunea ie$ire sunt irr faz5.
cerintele polarizdrii pentru amplificatclrul colector
comun sunt ca jo.r:fiu'ea
?T,u:uTit?'- s5 fie porarizatd diiect 9i ca joncliunea bazS-c.recror 5e fic,
polarizatd
invers. una din posibiritdlire de porarizare este
irustratd de figura e_:lo.
capitotut 3. TRANZ|9IOARE Bt pAl_ARE

Tensiuneac|epoIarizaredirectdpentrujoncliuneabaz5-emitorestedifer'hn1a
de
intre tensiunea de alimentare 9i cdderile de tensiune pe Rs 9i R;. .T-ensiuntl4
iintre
diferenla
este
joncliunea
bazd-colector
pe
polarizare inversa aplifatd
iensiunea de alimentare 9i cdderea de t6nsiune pe R3'

V-- = V^-^

tr

(3.1 1 3)

Substituind aceastd valoare in ecualia (3"112) avem:

(3.114)

al

Acum rezolvdnd ecualia (3.'110) pentru RB, avem:

E--t-.R -V_
ft.-l = -!:---,-!-- 'L 'REsat
Dar consicjerdm

aga cd

iER. este de asemenea egar E9

p* = E l3-JGcr.r,

Relalia intre curentul bazd 9i curentul emitor este:

(3.116)

(3.108)

=fllr + 1) ls

Ecualia ochiului colector, din figura 3-30, este g5sitd a fi:

Ec = Vce +

?,

Subsiituind aceastd valoare a lui lsRs in ecualia 10.115; avem:

Fig. 3'30

le

ca v". =

(3.1 15)

le

(3.10e)

Rl

In figura 3-31 este irustratd o configura,tie pentru un amprificator bazd


comund. capacitatea c6 constituie o cale de rezistenld mica pentru semnalele
c a. de la baza tranzistorului la masd. semnalul de intrare este
aplicat pe
emitorul BJT-ului prin C6. Semnalul iegire este luat din colector.

Ecua{ia ochiului bazb este gdsitd a fi:


(3 '1 10)

Ec=lsRe*VaEsat+leRi-

Acum substituind ecualia (3.1 0B) in ecualia (3.1 10) 9i l'ezolvand pentru lB avem:

Ec
t-

Var.ut

(3 111)

Rs+(Fr+1).RL
:

Dacd rezistorul bazA R.e gi rezistorul Rr sunt calculate cu cunoscutele VleE 9i


le, ecualiite (3.109) 9i(3.110) potfi modificate. Valoarea lui R; este atuncig$siti
rezolvend ecuatia (3.109), sau:
Ec - Vcr
(3.112)
ft,1 :
l6

Pentru o tensiune de iegire de semnal rnaximS, V6E vfl

--

tensiunea de alimentare, sau


Ca

pitolu t

3,

T RANZI STO

ARE

PO LAR E

fi

egal cu 1/2 din

Fig.

3-3"1

Curentul intrare este ls gi curentul iegire este lc,. Aga cum rezultd
din figur6,
dacd lE cregte, lc cregte gi viceversa. ca urmare sentnalele tensiune
intrare gi
iegire sunt in faz6.
OatrilalLil

IRANZI::f

QNil

htlt:'Ol

/\Rt

g7

MontfJul bazd comund are aceleagi cerinle de polarizare ca celelalte 1o1,taj9


BQ nU H6; rcostEa sunt: joncliunea bazi emitor trebuie sd fie polarizate dilrect
polarizatd invers. Un asemenea afantlJOnEllUnCr bazd colector trebuie si fie
comune este ardtat in figura 3!32'
pentru
bazd
polarlzare
amplificator
iiriiiniiJ
iourllr oohlulul c,c, pentru colectorul 9i emitorul BJT-ului este dat6 de.

Ec=lcRr+VcE+lrRe
Drol petsla mers, putem considera ca lc =

(3.1i17)
lE, iar

ecua{ia (3'117) devitr6:

3.16, CIRCUITE ECHIVALENTE DE CUADRIPOL


Dacd semnalele variabile aplicate unui tranzistor sunt atet de micl lncAt

caracteristicile se pot aproxima in jurul punctului de funclionare prin llnll dreptt,


tranzistorul poate fi reprezentat printr-un cuadripol liniar activ, in care Intraree 9l
iegirea au o bornd comund.
Prin folosirea unui circui_t model poate fi descrisd compoftarea dlspozltlvelor
active 9i pasive funclie de tensiunile gi curenlii lor de intrare gi iegire.

Ec = lc(Rr"+ Rd + VcE

Fig. 3*33

,.#.H

Ycr

Figura 3-33 ilustreazd un dispozitiv electronic

Fig. 3-32
Poate fi scrise ecuatia ochiului bazd in c.c.,9i astfel curentul bazd le poate fi
calculat:

Ec=Rele*VBE"at +lsRE

in interiorul unei cutii negre cu

tensiune gi curent intrare notali V;n gi l1p, gi tensiune gi curent iegire notafi Vout gi lout.
Cele patru variabile Vin, Iin, Vout,.loui pot fi mSsurali si defini[i matematic ca
funclie de fiecare altul.
Dacd tensiunea intrare a fost definitd ca o func{ie de 116 gi Vor1, iar curentul de
iegire lo6 a fost definit ca o funclie l1n gi V6u1 vom obline un model circuit hibrid, ln
fapt existi gase moduri posibile de alegere a variabilelor independente, la care
sorespund gase sisteme diferite de ecualii, fiecare sistem fiind carecterizal de

patru parametri

parametri de cuadripol. Dar cel mai utilizat este sistemul cu

parametri hibrizi.

$criem;
Vin

(3.1i18)

(3.122)

= fr(lin, Vout)

lp6 =

f2(11n,

(3.123)

V6s)

Cum:

ls = (ftp + 1) le

(3.11e)

in scopul de a inlelege cornportarea in c.a. q dispozitivului din interiorul cutiei


negre, sd diferen,tiem ecua{iile (3.122) 9i (3.123).

rczultl:
Ec

RelE

VsErrt + Re(Pr + 1) le

dVn

(3.120)

Ob$nrm pfntru ounntul dln bazd cxpresia:

''l-.-

Ec-Vee'"t Rs + $r + 1)Re

japitolul 3. TRANZIST3ARE B|P3LARE

4.ov_
iL,or-*
dl,n -''n
DLr. -

drou*=
Daci considerdm:
(3.121)

-out

(3.124)

h.0,,,*;ft.0n".

(3.125)

dVn=Vin=Vin
d

Voui

d
d

lout

lin

Vout
lout

E lin =

VoLrt

iout

iin

Capitolul 3. TRANZISTOARE el PALARE

Substituind ecualiile (3J32 -- 3.133) in ecuatiite (3.126) 9i (3.127), avem


/? 1',l^\
V'n = hjj i;1 * h12 V5g1

ecualiile (3.124) Fi (3.125) pot fi exprimate ca:


\/.=l

'out

'

C,T,

a)f1

olin

0V.,,

={tl^r

olh

(3.1126)

iout

wt2
'ln

= hzt iln * h22

(3. 1 37)

Vegl

(3.1t27)

aV*

Sd definim derivatele partiale:


Af

SVin

olin

clin

0ft

dVrn

tol

(3.1i28)

Fig. 3-34
(3.1r2e)

adirnensional

6Vos1

dVort

dfz

Olort

Olin

Oltn

adimensional

(3.1130)

Figura 3-34 ilustreazd cum ecuatiile (3.136) $i (3.137) pot fi interpretate ca


model de circuit. Pafiea de intrare a modelului este descfisS prin ecuatia (3.136),
unde rezistenta de intrare este notati h11, iar tensiunea de reaclie inversd este
h12, multiplicati cu tensiunea iegire vo,,1. Partea de iegire a modelului circuit este

descrisd de ecualia (3.137), unde curentul


conductan,ta iegire h22
dispozitivului.

u'""t-

I r2-']

-afz
DVout OVort
=

(3.1i3

in cantitate h21 i;p este pompar pe


gi orice sarcine plasati la terminalele de iegire ale

De notat cd paftea intrare a modelului de cirouit este o sursd de tensiune


Thevenin si rezistenta ei, iar partea de iegire este o sursd de cufent Norton $i
conductanta sa.

Derivatele pa{iale descrise de ecualiile (3.128-3.131) pot fi simbolizate

lprin

litera h, cu doi indici folosi!i a identifica derivatele particulare. Astfel:

Parametrii hibrizi h11, h12, fr21 9i h22 pot fi mdsurati sau calculati cu aiulorul
ecuatiei (3.136) qi (3.137). Dacd tensiunea de iegire c.o. Vqgl esie zero, ecuatiile
(3.136) qi (3.137) se vor reduce la

DVin

*--

rezistenta intfare

= ftr.

(3.1r32)

hrr

dlin

(a)

(3.138)

(adimensional)

(3.13e)

tin

,out

6Vin

tensiune reaclie inversd

'-h tt12

tt21 -

(3.1i33)

i;n

OVor,

--

este rezistenfa de irrtrare, l?r h21 este cegigul curent direcl pentru dispozitivul din
interiorul cutiei negre, cu tensiunea de iegire vout redusa la zero vol_ti.
DacE curentul intrare c.a. iin a fost redus la zero amperi, ecualiile (3.136) gi
(3.137) se vor reduce la:
ri11

0lout

ca$tig curent direct

ftr.,

(3.1r34)

6lin

- Dlout

vin

conductanla ie;ire

(3 1r35)

Lll12
-

(adimensional)

(3.140)

Vout

-'

dVort
Ca

pitolul 3. TR.ANZ I STA ARE

g PA LARE

C a pitctlul

3. TRANZI STA ARE

B I PA LA R

141

ort

( o-1)

h-

r22 -

rl llte

(3.1S1)

Vin= Vg- iin,Rs

(3.146)

=-i6s1 .RL

(s,147)

V5g1

reportul de transfer tensiune inversd,

O0nductenla

rmprri,

-*Vout

iar h22 este definit {lrtept


do iegire a dispozitivului, cu curent de intrare i1n redus la zlero

Dc observat cd modelul de circuit hibrid este numai un model in c.a. Dfcd


dlspozitlvul din interiorul cutiei negre este un tranzistor, care are cerinle I de
polerlzare ln c.c., modelul hibrid va exprima numai comportarea dispozitivuiuii cu

Cu aceste ecuatii se pot defini: rezistenla de intrare

Rrn,

r6zltt6nlr dA lCflff

Ro4, cagtigul de curent A;, cAgtigul de tensiune Au gi cagtlgul dc putorc Ps,

Sd gasim expresia pentru amplificarea in curent Ar, Dln ccuillr (3,117)

scoatem expresia lui io4 9i substituim in ecua{ia (3,145) obfinAnd:


.Vout

tenslunl 9l curenfi c.a.

= hzt '

R;

iin

f hez Vout

(3,148)

sau Inca:
-- h21 . iln . R1

3.17. MODEL CIRCUIT CU SARCINA

. Modelul de circuit prezentat, impreund cu parametrii hibrizi hr, hr:, hr. gi ihzz
descriu cornportarea unui dispozitiv. pentru un model complet, acesta este ,rnril
completat cu o sursd de semnal gi in plus disppzitivul debiteazi spre o sarcindi
rin.

(3.14e)

Vout =

*si

h^^ P,+1

sau lin0nd cont de ecuhfia (3.147) mai putem scrie:

.i;n'R;

-h21

iout

(3.150)

' RL=

hz:.Rl+'l

Final oblinem:
lout

Rs

h21

A. =-=--

(3.151)

iin

uE

hzz . R; +

Se poate determina expresia cAgtigului in tensiune:


Fig. 3-35

voul

A - _-:^v -

A fost figurat modelul circuit hibrid conectat la un rezistor de sarcind

Rl.: gi

avAnd o sursd vn cu rezistenla internd Rn.


Tensiunile intrare gi iegire sunt:

Vin =Vs-iin,Rs
V6u1

=-

ipqi.RL

Din ecualia (3.145) gesim:

i.. - h-".v-.
.
'rh,

(3.14t2)
(3. 1 413)

Vtn

iort
Ca pit

olul 3.

h11.i1n*h12.V6s1

= hzr, i1n*h22.Vsp1

T RANZI

(3.153)

iar din ecualia (3.147) oblinem:

- iout, RL implicd faptul cE tensiunea iegire pe Rs este de polaritate oor.fa,


datorite directiei curentului iegire. cele patru ecuatii care acum d;r#;
comportarea dispozitivului in interiorul cutiei negre conectat la un rezistor
fle
unde

sarcind gi actionat de o sursd de semnal sunt:

(3.1s2)

Vin

Vout

ilout * -

(3.154)

Rr
IntroducAnd in ecualia (3.144) obfinem:

(3.14W)
(3

"

4is)

*
Vin

Vout

RL

h22 . Vesl

= hr't
h

* htz ' Vout

I t21

STO A R E Bt pO LARE
Ca

pltalul 3. TRA NZI STOA RE Bl PO LARE

lna

h11

. Vqsl - h11 h22 Rs Vorl

Se pot scrie ecua,tiile

* fi12 . Vcut

Vb"=htu.it *hr..V""

hzr . Rr

i" = hr".

- h1

Vout-*

h1

hzz R1 V6u1 * h12 h21 R1 Vsnl

(3.155)
hzr . Rr-

RezultS:

-hzr.Rl

Vout

n-

(3.1i56)

Vin

Ah . Rt+

h',.t

unoe

Ah=h11 .h22 - h12.h21

Vin

Ah.

R1

h:z . Rr- +

Vour

Rs + htr

iout

(r. I ol)

reactie (h," : 0).


cu aceste consideralii pentru un tranzistor in montaj EC, tranzistorul bipolar
poate fi considerat idear.
Pornind de la circuitul echivalent redat in figura 3-36 cu aproximdrile fdcute
se poate ridica circuitul:

(3.x ip7)

Ib.

'l
I

-.+

.lE
'l-

+ h1

---=---itn

Rcut=-=

i.+ hoe. vc"

Pentru multe aproxinrdri practice, un TB in montaj EC poate fi considerat ca


avend o rezisientd de iegire foarte mare gi o valoare foarte mic6 a tensiunii de

RationAnd 9i manipuldnd in mod similar, avem:

R,-=

(3 161)

(3. r $8)
1

(3.1*re)

Ah + haz Rs

pn=lAu.Ail
--

Fig. 3-37
(3.1qio)

Acesta este descris prin ecuatiiie:

v6"=is.

Este important a nota ce parametrii hibrizi nu se modificS pentru dispoziti',lzul

din interiorul cutiei, dacd sursa si rezistorul sarcind schimb6 in valoahe.


schimbdri in sursa gi rezistenla sarcind vor modifica cdgtigurile 9i rezistenlr;le

intrare gi iegire, dar nu vor schimbra valorile numerice ale palanretrilor h.


Lucr6nd cu dispozitive TB, parametrii hibrizi (hrr, hrz, hy,hzz) sunt modific]ati
sd reflecte folosirea tranzistorului intr-un circuit EC, BC sau CC.
Primul indice al lui h va desemna rezistenla de intrare (i), conductanla ]ce
ielEire (o), raportul tensiune inversd (r), sau c8gtigul curent direct (f), iar al doilba
irrcJic:e al lui h va desemna folosirea TB intr-un montaj emitor-comun (e), baga
r:ornurrd (b) sau colector comun (c).

h;"

i" =h1". ig

(3.163)
(3.164)

Dacd considerdm cd ho" = 0 gi h," = 0. ecualiile pentru amplificatorul EC

permit a aprecia pararnetrii circuitului prin relatiile:

Ai

(3.16s)

htu

hru. Rl

(3.166)

fiV=-L
I lie

Rin

= hiu

(3.167)

(3.168)

Rqgl

.Pentru montajul BC, tranzistorul bipolar ideal va dVe? hou egal cu Zero gi h15
hoc va fi considerat n;1, gi h," egal cu

egal cu zero, iar in cazul montajuiui CC,


Fig. 3-36
Capitolul 3. TRANZISTOARE BTPOLARE

unu.

Capitolul

3. TRANZTSTOARE I|pOLARE

145

3.18. MODEL PI - I-IIBRID


Modelul hibrid, nrontaj EC, prezerrlat ptrtttt'rt ltltrrzi:;lotrtl riprllar este valid
numai pentru frecvente joase (rnai pulin tlor;At ollt:vn sutcl tle kl"{z). irr c/izul
lucrului la frecvenle deasupra a cAteva stttc tlc kliz, trtoderlul hibrid OSIC
modificat gi numit model pi - hibrid.
Acest model considerd raportLrl tetisitttrii ittvrlts;it h,,. r:;t egal cll zero.
f

Punctul la care acest curent de intrare este divizat egal intre lezisl(rll'lii

l,il

reactanta capacitafii totale este numit punctul de -3dts Frecventa lil catcl ttr;ltt
atins acest punct este numita frecven{a de teiere, gi este g6siti luAnd toz-il;lett\lt
egale cu susceptanla,
(3 171)
rbe=o (Co"+C)
sau

F.lc

rD.

capacitate. Curentul de intrare este Ca urnlare $untat la masd prin ca;iilcitalt;a


totald (C6"+C), provoc6nd ca tensiunea la iesire sd {ie redusd pentru anlplificalor

(3

1,,

2tt .

r5o

"172)

(Cb. +C)

DA

unde C = Ci,"(1 - Au).


Producatorii frecvent specific! o frecventA numita produs ampilficare bandd
notat fr. Acest f1 este frecventa la care cAgtigui in curent al tranzistorului in

montaj emitor-comun este egal cu unu. Relalia intre frecventa de tdiere

9i

frecventa produs amplificare bandd este:

Fig. 3-38
Cornpar$nd aceasta figurd cu rnodelul h'ibrid joasd frecvenld, de notat r;F. h,"
este inlocuit cu rs, 1/hqs este inlocuit cu r"u 9i generatorul de curent h;" . i5 riste
inlocuit cu gp . Vs,6.
Rezistenfa de intrare este guniatd cu r... Apare capacitatea joncliunii baz6ernilor Csu gi o capacitale de reacJie Ci," plasatd intre intrarea gi ie$irea
dispozitivului. Fentru mr:ntajul emitor comun, capacitatea C este egald cu C,,l (1A) gi este uneori referitd drept capacitatea Miller.
Capaoitatea jonc[iunii polarizati direct (a emitorului - C5") este comun nunlitd
capacitatea de difuzie gi este cauzat5 de timpul de intdrziere al puridtorilorl de
culent in joncliunea polarizatd direct. Capacitatea joncliunii colectorului (C6")
polarizatd invers este adesea numitd capacitatea de epuizare $i este cauealS de
suprafala de epuizare care existd intr-o joncliune polarizald invers.
Aga cum rezultd din acest model, capacitatea internA e unui tranzistor bil:ellar

(3 173)

f1 =hse.fp

3-

9. DETERTVIINARHA ELEMENTELOR CIRCUITULUI


ECHIVALENT
Mdsurdrile se fac intr-un anumit punct cle funclionare, la o frecvettlii ioal;lt

(1KHz).

Peniru estimarea pantei se folosegte relalia de definilie:


QIc

9m=--

40

(3 174)

lclnlAlVl

KT

cs;te|tta1ditrconsiderarecdnddispozi1ivu|iucreazd|afrecventeinalte'
esto

lmJroclanla de intrare Z;n est cornbinatia paralei a lui r6n gi (Cir" + C), unrJo C
rr1;;,rl <;rr Cy,,. (1-Au). Priri urmare:

Zn= fr,u I

l(Crr" + C)

I lfe

(3.1 $e)

rbe

7^=

Se delerrnind apo! 16" cu relalia:

(3.1,'0)

rbe

l0ri

Capitolul s. TRANZTSTOARE BIPOLARE

(3.175)

---9'n

unde hre este mdsurat.


Rezistenta distribuitd a bazei rezultd din relatia:

1 + jorf6e (Cn* + C)

l)lortc(:r) inrpedan+.a de intrare se compune din rezistenla gi capacite,te,


r,rlr,rrlnl rlr: irrtrare este divizat: o parte rnerge prin rezistenta gi o altd patte Fr,rin

lb -

unde

h1"

ilte -

(3.176)

lbe

este mesurai. Aceastd deterrninare este imprecisS, deoarec;e rt:zttllA tlrtt

diferenja a doud numere mari. Rezistorul 16 poate fi neglijat irr rnullr; r';nlcrrlr: rlc
circuit. in special la frecventd ioasd: variazd insd cr-l frecventa.
Capitalul

TRANZISTOARE BIf'O

LAFI

Valoerrea lui rs = 1/95 ta frecvente inalte se poate gdsi prin mdsur{rea


admitanlei de intrare cu iegirea in scttt"tcircuit la co >-' orp:

j.o.(Co" * Co.).90

l'- - t;io'(Co.-cJ

(31177)

ernilor la
unde primul termen din membrul doi reprezintd cr-rrentul injectat de

jonciiunea
colectorului, iar al doitea, curentul propriu al jorrotiunii colectorului'
-Parametru|(tFestefactoruldeamplificaroincurentdirect(ig-curet]tde

intrare,

g' colectorul
ic - curent de iegire) cu iegire in scurtcircuit (v6s = (de

scurtcircuitat la baza, etectrlCut comun). 1690 esto curetltul rezidual


al joncliunii colectorului, rndsuratcu emitorul in gol'

saturalie)

Atunci cdnd frecventa cregte, ne apropiem de situalia


1

Re [YiJ = gb =

__*

(3.1178),

rb

Capacitdlile C66 gi C6g din circuit se determind astfel:


- Cbq se poate afla mssurAnd capacitAiea intre electrozii bazd gi colector ai
trarrzistorului, cu emitorul in gol (in c.a).
Aceasta este de fapt capacitatea de iegire in conexiunea bazd comund 9i se
noleazd cu Co1,. Se poate obserua cd rndsurdm de fapt pe Cs" in serie cu ru, deoi cl;hiar
pe C56 i Cos dacd frecven{a este suficient de joasd pentru ca 1/o . Cuc >> ru'
- Capacitatea Cpo se poate obline cu relalia;

'uuo'[*

--

"'iF,

-il

relatie similarS poate

fi

scrisd fdcand bilanlul curenlilor la joncliunea

emitorului. Astfel:

*i, = a.R(-ic,l - r,*i"*n(H)

,rl

(3.181)

(3.17e)

abe ----vbo

2n.f1
iu =

3.20. MODELUL EBERS-MOI.L


Considerdrn un tranzistor p - n -

{1'"

Fig. 3-40

It

.,"i"

-,.",[-*(ffi)

-,rj

(3.1 8?)

unde &p este un factor de amplificare ln curent invers (intrare pe coleotor, ie$ire
pe emitor) cu emitorul scurtcircuitat la bazd, iar l;ge este curentul de saturalie al
joncliunii emitor-bazd, determinat cu colectorul in gol'
Circuitul echivalent al tranzistorului care corespunde celor 2 ecua,tii este:

p.

rcuo.[*,.#r-{
Fig. 3-39

Fig. 3-41

S-a figurat gi circulalia de curenli. Curentul de colector poate fi scris

El cuprinde generatoare de curent comandate de curentii la bornele dispozitivului.


(3.1lBo)

Capitolul 3. TRANZISTOARE BIPCLARE

Rezolvand sistemul format de ecualia (3.1S0) 9i (3.182)',in raport cu ie $i


g5sim ecualia Ebers-Moll:
Capitolul 3. IRANZ STA'ARE glPOl.ARE

ic

109

i. = r,'[*^n(F) r] -'**r,.lu"o(uli'J t]
,,' =

Iexplfqu=")
--'- I
-"1
\kT/

.rplp-.1

(3.1183)

lll,=

'l '' l".di+.) ']

(3.1184)

(3 187)

l-

(3.1 85)

a6txp

KT
*-

ostr; crrrr:rrtul de serturalie al diodei emitor-bazd mdsurat cu colectorul sctintcirr;rrrlrrt la trazii; lr.:s este curentul de saiuralie al diodei colectclr-bazd determinall cu
orrrilolrrl scurlcircuilat la bazd.
lr ,,, l,',,, (rf , (xR sunt parametri constructivi, depinzSnd de rnaterial. Se poate giisi:
(3"186)

&n lcs

aclicd cei patru parametri nu sunt indepettdenli.


Curentul l6s poate fi determinat cu schema

n-

dreaptd in planul (lg ir


mici.

,,

ccr lr,S =

Nu masuram lpg ca pe un curent de satura,tie, deoaroc:c lorrctirrrrrr;r 1r rr


polarizata invers este afectatd de fenomene neluate in considur;:r'o l;r tJ(rtlrrr;lrr:;r
legii exponentiale.
Se aplicd vEe >>

lceo

Eso

-'

1 '. ir,ptrp
l1

f /^,, ,
i. = l.,ole>rp{:}q I - ,l1l
L ' xt '
J

unde arn n0tat:


I

Dioda are ecuatia

st 5e veflltca aseza[ea puncti.]lor expr:r'itncnllrl(, f )0

- vEs) . Curentul lrs se obline prin extratrtolarc lil r;urcnli

Curentul ls5 se poate determina similar.


Parametrul

ccF

se determind ca factor de amplificare in curent la semnerl nrare:

(3 1 aB)
unde lc gi ls se mdsoari ia o anumitd tensiune v63. O deterrninare nrai precisd se
face astfel:
h*

lJr+'l

Circuitul echirtalent corespunzdtor ecualiilor

lc

i3r

fXF=-

Fig.3-42
(3.

83) 9i (3.18a), prezenlai in

figura 3.43,

()

lcro
(3.1 Be)
lg

Factorul cie amplificare invers oc6 or valori rnult rjifei-ite de ulitate 1r *


0,5.......0,9 (pp = cp/(1 - o.n) = 1...9). Aceastd diferenfa ?ntre rxp gi rxr reflectir
particularitSlile construcfiei tranzisiorului. Dacd luam de pikJd tranzistorul aliat cu
Ge, se remarcd aria mult mai mare a colectorlrlui, ceea ce permile colectarea
majoritnlii golurilor injectate de emitor. Atunci c0nd polarizarea este inversati,
factorul de transport al golurilor prin baz5 este consider'abil nrai mic (o bund parle
din golurile injectate de colector se recombina pe suprafata fere a mai contribui
la curentul de emitor).

Un alt exemplu este furnizat de tranzistorul planar epitaxial, procesul cle


fabricafie (difuzii succesive in stratul epitaxial care inverseazd de fiecare dat6

tipul de conductibilitate) conduce la un colector mai slab dopai cu inlpuritdg dec6i


baza. De aici o eficien!6 redusi a colectorului. functicn0nd ca enritor.

3,21. CIRCUITUL ECHIVALENT AL TB


FUNCTTONIAND LA SEMNALE wltCr (GtACOLETT0)

Fis. 3-43

llun{, ill trvirlrlrrIi.r lilplrtl 05

se m6soard caracteristica

diodei emitor-bazdl

cu

Am vdzut cd in principal curentul prin tranzistor, i6, este datorat golurilor,


respectiv electronilor care difuzeazr de ia emitor, prin bazd, spre colector pentru

{,rrllr,loIul r;(:utl(;ilcuilnt la bazd.


C

zi

pitolul 3. TRANZI STAARE Bl PO LAR E

Capitolul 3. TRANZSTAARE BTPOLARE

trarlzislor pnp, rolipor:tlv rr1r1g, Atlc:;l crrroill (l(: col0r:tot r.l,lo trPt oxlniilllv un
curent cle difuz-le, care dopir'ldo f unriartrorrlal dc tlistribuliir purtiitorilor rnir)oriti.lIi
din bazd (goluri la tranzistorurl pnp, respocliv oloctroni la cel rrprr),
Sd considerdnt un tranzistor cle tip pnp:
Lrn

"

- o,[*e.

Dps

- -AJ .Q'
regiruri dc

Dpe

d p, (x)-l

d'l

d p"(x)
dx

(3.1e1)

Not6m prin

spatiala

P'n(x)=Pn(4-Pno
concentralia de purtatori minoritari (go!uri) in exces, in baz5, fa{d de situa,tia de la
echilibru termic - pn6.
Pentru situalia in care tranzisiorul este polarizat in regiunea activd norrnal5
(oncliunea emitorului polarizatd direct gi cea a cnlectorului invers) avem o distribulie
triunghiularii a concentra{iei purtatorilclr minoritari in bazd (vezi figura 3.45.b).

lur{ *rtfurrr*te
fre

cimp

gnluri ce
ilifrEeerr irt
here
#

Rezultd cd pentru concentralia de purtitori rninoritari

functie de adAncimea de pitrundere putem scrie:

Fig.3-44
Concentratiile de purtdtori minoritari in cele 3 regiuni sunt:
- tto,E (x) - concentratia electronilor minoritari in regiunea neutrd a emitorrLillLri;
- p" (x) - concentraiia de goluri minoritare ?n baza neutrd;
- no,c(x) - concentralia elecironilorrninoritari in zona neutrd a colectorului",
Curentul de coiector este dat de golurile care difuzeaz6 $e la emitor, Jtrin
bazd, la colector, deci este practic un curent de difuzie.

B;

in baz5, in exces,

p;(x)=n;toi[r-:]

(3.1 s2)

unce:

n,*["*n[?+)

p;(o) =

,]

(3.1

t'3)

(3"

e4)

Cu aceste consideralii, curentul de colector devine:

{4

9+1X) -Aj.9.Dpg !!."(.)


i.r' = -A,.r . Q.Dos
' - Pu dx =

t)t)

dx

^r

-. . n
,t
upB

Ai Q.Doe pnof fqv""i


expi i_:

n /fl\

. |"/n\v/
-jil- _-

I '\kT/

,]

Jin6nd seama de mndelul Ebers-Moll, curentul de colector mai noate {i scris

sub forma:

"

r- =

Fig. 3-45
pulem scrie:
unde:

ic =

Iexpl
fov-.\
-"
..t'\krr

cr-|...

'

(3.1e5)

'] '* [*'(Yf,) ']

Atunci cdnd tranzistorul este polarizat in,regiunea activd normali (VFE >

A.jpo

(3.1$30)

A, - aria joncliunii;
jo6 - densitaiea de

curenl de suprafald.
Jindnd seama cd densitatea de curent de suprafafd, jpo, este proporlionalii cu
gradientul concentraliei de purtdtori minoritari, relalia devine:
Capitolu! 3. TRANZISTOARE

BFaLARE

V6s

< 0) gi

in

plus
consider6rrd lV-^l
,
I rol

or +,
y

0,

putem aproxirna curentul de

colector prin rela{ia

i" = .,.,,..[".u(S) -1] =


Capitalul

',"[*o[{p)

fRAiVZlSfaARE BIPOLARE

-r]

(3.1 e6)
11s

Prin identificarea relatiilor (3.134) Si (3.196) poate fi gdsitd expresia curerrtultti de


saturatie la joncliunea emitorului, mAsurat cu coleciorul scurtcircuilat la bazd, ftlnclie
de parametrii constructivi 9i de material ai tranz-istorului:

Ai'Q Doa'Pno
,| : -.-:
'ESw

(3 1e7)

Cumamconsideratcdsuntemincorrdi{iidesemna|mic,adicdperiurbalia
termicS, Vra << krrq, rezurtd cd
tensiunii.AvEs muit mai mica decat tensiunea
outem face aProxima-tia:

"*(s',o+d=r*.qfea

{3.2O2)

9i deci:

'['f. - fA"*)l
kr- r_l

3.21.1 . MODTLAREA RASPUNSULUI I-A SEMNAL MIC PE BAZA

[^-.-r'qvu")
p"(o) = P"oLexP[-kiJ

FENOMENELOR DIN REGIU['iILE NEUTRE

Sd considerdm variatiile tensiuniior la cele 2 jonc{iuni A vrs 9i A vss. Dcirim


sb evidentiem corela[ia care existd intre aceste varialii 9i cele produse as;upra

curenlilor p!'in tranzistor: Ais gi AiE. Gdsite aceste dependenle, poate fi deterrninat
m odelul tranzistorului. respectiv circu itt.t I sau echivalent.
Acest model de tip circuit echivalent pDate fi ob[inut dacd varialiile iiunt
suficient de mici, astfel irrcAt sd putem liniariza dependenla puternic neliniaile a
curentLllui cu tensiunea in cazul joncliunii deschise (dependenla exponentialii)1.
Intereseazd funclionarea in regiunea activa norrnala, acolo unde se pllne
problema arnplificdrii semnalului.
Sd presupunern cd peste tensiunea de polarizare a jonc,tiunii emitorului se
suprapune o peilurbalie A vse, incAt putem scrie:

'

p;

/oV-,., q.av."
) - kr:=

(o) = p* . expl'kfr

propo(ionali cu perturbalia tensiunii

^p"(o)

[r

(3.

,, {,"

q'\

(3.'loo)

JinAnd cont de (3.153), expresia lui p'"(0) devine:

= n",["*n($G"'1
114

Ca

,]

(3.205)

FiE. 3-46

*r["#*)

pitolul 3. TRA lVZl STQARE

[? nu=,

""u(*t)

- p *'{il} +T trv m
um - Ym +A l'ns
{m= Ym

qs

qLu*lbl]
p.(o) = 0""1"*o(

= Pno

respectiv:

sp",'{t})

_g
q'\

se)

unde:

p;(o)='".[*r(*) -,]

AvEB

= p;(o). o? .ou-"

minoritari in exces in baz6, concentra{ia acestora ?n cazul unui tranzistor pnp, la


distan{a x de la marEinea emitorului este:

- :]

(3.204)

golurilor minoritare la x=0


se constatd cd oblinern o perturbalie a concentfa-tiei

gi sd evaludm efectul aceslei pertuftatii.


Cum in reEiunea activS normalS avem o distribulie triunghiulard a purtetotiilor

p^(x) = n;tol

(3.203)

Dacd facem notatia:

(3.1S8)

Vr.s=VEs+AvEB

(qv.^)
I
-*t--,1*
o"u"*p[-tfrj I.AvE;

in\/--\

= p"olexpl+*J
t nt
I

Aceastd modificare a concentraliei de purt6tor"i nrinoiitari injectati

- ,]

PO LAR E

(3.,?01)

in

baza

neutrd (x = 0) are urmdtoarele efecte:


- creqie panta distribuliei' ceea ce are ca efect creqlefea intensit5lii curentului de colector cu
(3.206)
4i-= Qm . AVEB
Ca

pitalul 3. TRAIVZ/S7-O ARE

Bt

pA L ARE

115

Aceasta se exprimii in cir<.:uilul echivalertl prinlr-un gcnerator de curellt

creste sarcina purt6torilor minoritari stocali

in

baza qB ou

Dace notdm
cantil ate

proporlionald cu aria haguratd in figura 3-46, Aqe, adic6:

(3.212)
(3.2_07)

Aqs=Cdg.Avss

unde CdE este capacitatea cie clifuzie a emilorului gi este asociatd inciircdrii bazei

expresia feprezentgnd componenta continui a curentului de colector, oblinem:

prin proces de difuzie determinal de purtdtorii majoritari ce pdrdsesc emitqrul


Curentul de bazd Ia care se incarcd capacitorul Cqg este:

ai" =

d(Avs)
AiBa=

(3.2CI8)

-*-- ( AqB ) = CdE .


-**-dt
dt

cregte curentul de baz6 i3 cu o cantitate aien, acestui


corespunzand in circuitul echivalent o conductan,t6 gr:

'

Aisp=Q,.Avps

AVEs

?q

(3.213)

9*, . Avu"

Rezult5 pentru tfanconductanla, referiid gi panta tranzistorului, expresia:

s,,

fenctr'lren

q. l^

ti

l-

oo

'. [mA/Vl

(3.214)

S-a adoptat pentru tensiunea terrnicd valoarea Vr = 25mV.

1:.zDo;

Pentru

a gdsi expresia

observdm cd puterl scrie.

Circuitul echivalent poate fi ilustrat astfel in figura 3-47.

capacitdiii de difuzie a joncliunii emitorului,


Aqs = C6g . Avgs

C6E,

(3.215)

sau {indnd cont cd aria haguratA din figLrra 3-46 poate fi scrisd:

f.t
q.nl;W

Aira

l4J

^p.(o)l=

q. A: *ge_!_,Jo)
wkT2D"R
=le,q1W2
.-= -r ;"kT2D"*2

Fig. 3-47

Parametrii

9', CoE, g* pot fi determinali

pe baza distribuliei triunghiuletre a

ooncentraliei purtEtorilor minoritari ?n exces in baza neutr5.


Am gdsit pentru intensitaiea curentului de colector expresia:

i"=A,.Q.Dog
O

perturbalie Ap'n(0)

o(0)

1W,

AVcs

= 9..;

p"(0).

ou.o

avrg =
1

W2
UPB

. ."EB

(3.2 1 6)

Sd notSm:
\A/2

TF =

(3210)

tr

1n
o . t*.

Oblinem:

---*

(3.217)
Do*

C,ir=9rn."Er

a concentraliei are ca efect o perturbalie

Aiq;

curentului de colector:

(3.218)

Printr-un rationament similar obtinem pentru conductanla g^ expresia:


9n'

Ai"=A,.Q.Dpa. ^p;(0)
W
116

' Dpe P;(0)

WKT

Capitolul 3. TRANZISTOARE BIPaLARE

AVee

9n

(3.21I 1)

= --'--

(3.21S)

llr
C.)pitotul

t RAN/la;

|(

)Atii ltll\)l Alll

117

Pe baz-a circuitului echivalent dedus mai sL.ls, putem sc;rie ecualiile de


sorrrnal mic care descriu functionarea tranzistorului bipolar:

lc=9r'Vrg

(3 220)

Se observd cd in figura 3-48 a fost figurat cu liniile intreruptd rezislolrl r1,1,,,


care reprezintA rezistenta distribuild a bazei.
sd reprezentdm structura unui tranzistor planar epitaxial discret n1>n (vr:zl

Fig.3-49).

Tensiunile aplicate din exterior. pe joncliuni, nu cad in intregime pe ro0iylil(,

(3.221)

is=igp+is6
d(vee)
ia=9n.VEA+Crr
dt

de sarcind spalialS, ci avem o c6dere de tensiune datorata curgerii lraisversate a


curentului de baz6.

Aceastd cornportare poate fi asimilatd unei rezistente distribuite De losrA


lungimea activd a bazei. cdderea de tensiune dali ce is pe aceastd rezistonlfi
face ca polarizarea directd a jonctiurrii emitorului sa fie mJi puternicd la margrnea

dinspre bazd
3.21,2. COMPLETAREA CII?CUITULUI ECHIVALENT DE SEMNAL MIC
Aceasta completare poate fi f6cuti lindnd seama de capacitdlile de berrlerS
ale celor dclua joncliuni:
t
- Crr5 - capacitatea de barierd a emitorului;
- C65 - copacitatea de barierd a colectorului
gi circuitul echivalent devine:

emitorului, ceea

ce duce la o concentrare a curentului la

rnarginea emitorului.
Acest fenonren de concentrare a cureniului la marginea qmitorului nu poate fi

introdus intr-un model unidirnensional (dupd axa

iy, iar efectur cdderii

de

tensiune se modeleazd printr-o rezistenfd r6s', conectatd intre borna B gi un punct


fictiv B', numit bazd interna.
3'21.3, COMPLETAREA CIRCUITULUI ECHIVALENT
TINAND CONT DE
EFECTUL EARLY

Efectul Early este cunoscut gi sub numele de efectul moduldrii grosimii


bazei' sd considerdm un tranzistor pnp, polarizat in regiunea active normare gi
sd luiim in considerare dependenfa grosinrii bazei cu tensiunea de polarizare a
loncliunii colectorului (w = f(v6s)). Dependenta w = f(vss) este redusa cieoarece
tensiunea de polarizare a joncliunii emitorului este aproximativ constanta,
. o varialie Avca a tensiunii de polarizare vcB conduce la o variatie a grosimii
bazei

WcuAW"

.L

'nnil

P"T*)

6B

f* r.(B =V* + tr vo
| --no- vo

Fig" 3-48

w +i'A'
Fig. 3-50
Putem

si

consider5m in locul variatiei reale a grosimii bazei'w

Fig. 3-49

cu tensrunea vqx1,
cd grosimea bazei rdmane constantd' OV = ct) gi se rnodificd doar
concentralia

Capitolu! 3. TRANZI STOARE BIPOLARE

Capitolul 3. TRANZTSTOARE BtpOLARE

119

puddtorilor minoritari itt exces in braza p'u0M cu Ap;(\ry) Eroarea care se face
egale cu aria haguratd. Din asemdnarea de triunghiuri putem scrie:

p!(o).-pJo).
ap;(w=
W
W+AW
Aw

erste

(3.222)

Pentru varialii mici ale tensiunii de polarizare vss putem sd diferenfiem,


putem aproxima varialia W = f(vsc) prin tangenta, adicd

lyy = 3{- .4u""

ilcilicd

(3.223)

Fig. 3-51
iar circuitul echivalent complet este:

gi deci putem scrie:

^p;(W=p;(o)
= p^(o)

i*.ou*

#=p.tol #

(T *

#l #

Dlt;lt ttotdm:
KT
'n=
'q -

(3.224)

ou."

1aw
W av*

(3.225)

rela{ia devine:

^p;(w)=

p;(o).n. -$

Fig. 3-52

. av.u

(3.2126)

gnde 4 este factorul de modulare a grosimii bazei. Se observi

ci

efectul va!'ililliei

tcrrsiunii de colector Avss supro distributiei purtdtorilor minoritari in bazd este


sirnilar cu cel produs de tensiunea de polarizare a joncliunii emitorului vEg, linsd
eloclul cste mult mai redus deoarece:
1l

= 10-"

+ 0"

11

Yn

Vh c
.

in condi(iile de semnal mic, efectele perlurbaliilor de tensiune Avrs 9i AVg11 se


(3.227',)

Aic = 9r. AVes*11 . 9r . AVcg

= 9,.Ave" *"0=.9*d

Cu notaliile:

'l

t;orrrl-rirtA liniar:

Aiu

S-a trecut de la variatiile instantanee AvEs, la regim sinusoidal, cdnd pulent


lucra cu amplitudini sinusoidale, care suni mdrimi cornplexe, prezentAnd deci
amplitudine Ei fazd, gi care sunt reprezentate sub formd fazoriali.

+n . 9".Av.a

q.

cu..ryd

(3 228)

120

Capitolul 3. TRANZISTOARE HPALARE

tn

C,=Cpu=Ccr +C6s=C6g
Cu

= Co," = Cb.'r I . Cce = Co"

9r,"

11
Qo

fu

fu'"

't,

11

'ln

relalia (3.zz7)termenul 2 din membrul drept apare cu sernnul "-" deoatece


panta distribu{iei purt5torilor minoritari in exces in bazd scade.
Pe baza ecualiilor de mai sus rezultd urmdtorul circuit echivalent:

tbc

lo

Lo'

lce

'l

Yt

vm

r,

circuitul echivalent valabil at6t pentru iranzistoare npn cAt 9i pnp der,,ine:
Ca pitatul 3, T RA I'lZl STOAR E g PA LAR E

144

U=
%,c{ru

[l\r"

iu.c,1 .

+ jroc, . V

L*

+ ir,:(c.

",,)]

(3.230)

trr'.

4,*

(rn]
HN

pF E-Vri

l. = g- . V.- jorC,, . V

{Cn)

Fiind in condiliile de funclionare la semnal'mic avem:

(3.231)

(3.232)

:.

Fig. 3-53

(J.z'J+,)

(3.234)

3.22 CARACTERISTICA DE FRECVEI{TA A FACTORI,JLUI


AN/IPLtFtCARE iN CUREI"IT

DE

[Jr

(3.23s)

in paragraful urrndtor se va ufmeri modul in care funclionarea tranzistotiului


depinde de frecvenli. Pentru aceasta se va cieternrina expresia amplificarii in
curent in conexiunea emitor comun (EC) folosind circuitul echivalent proptts; de

a-Fo*90

PF -

Giacoletto.

i.
1+!.:'tr

l*[

deci pulsalia caracteristicd a rdspunsului lui

Bp

(3.236)
fp

este

I
*u=}.(q*c-)
'\

respectiv frecvenla caractgristicd:

li*

"

(3.237\)
tt

--.

'

(3.238)
Modulul arnplificdrii
(limitd) devine:

FiE. 3-54

in deducerea expresiei ampliticarii in curent se va pofni de la relaJiile


gi (3.139) pe care le rrom aplica figurii 3.54.Va rezulia aslfel:
h-:

.U
-tf

--

Consider&nd ieglrea in scurt C{"u = 0) voi rezulta relafiile:


pitolul 3.

RANZI S'fO ARE

R-'

''9 -

0,707 .

PO LARE

(3.23e)

po

^12

q,
Fo

(3.22e)

f{l

Iu

Ca

Ir P,l
.rrf_{or-

(3.1165)

cu frecventa caracteristi cE

Reprezent6nd grafic dependenta (3.299) sau raportul

t"

tt.- -

in curent la freiventd egata

I
-r
i{l
-lr,o
iae

- -nt^^
-4vluu

:F

oblinem uriftbtoarea diagramA

P.
Captlotut

3. TRANZ ISTOARE Bt POLARE

in

decibeli;

Pentru reprezentarea la scard logaritmicd, frecvenla cle tdiere reprezintd

frecvenfa la care modulul amplificdrii in curent este nul;

lPloe= 20log lfll=

dacd f = fr

(3.24s)

Deci;

Po-g'
"'' -;(c;;-D
it

Deoarece, in cataloage, se
de calcul pentru C":
Fig. 3-55

t--9.ut

Decibel = unitate logaritrnicd de mdsuri pentru amplificarea sau atenuarea


pgtere,
cle tensiune sau de curent intr-un proces de tfgnsformare sau; de
cle
transmisie de energie. Amplificarea sag atenuarea de putere N in deciberii se
exprimd prin

relalia:

[on] = to toori

valoarea pentru cu se poate deduce o relatie

gr-

znh

(Dt
-

(3.247)

"u

Prin definilie caracteristica dinamici este locul


.instantanee
de funclionare

geometric

[i"(t), vcr(t)].

N [dB]

ic(t)Elc+i"(t)

Alaturi de frecventa timita fo se mai poate defini frecvenla de tdiere , nollatd


fr, este frecventa la care modulul amplificarii in curent I I I devine unitar:
1

(3.240)

vce

Pentru a deduce o rela{ie de legdturd intre frecven{a liniara fu si frecventet de

l-

_,. ijo

(3.i).41)

i.flfs

Po*

(3.242)

(3.248)
(3.24e)

E6 = R6l6 + VcE + RglE =

V.r + (Rc + RE) lc


0=v""(t)+i"(t).R,r-

(3.250)

(3.251)

_Relalia (3.250) repezintd ecuaJia dreptei de sarcind statice, iar din relafia

(3.251)
oblinem;

(3.252)

care este ecualia dreptei de sarcind dinamici.


Dacd caracteristicile in jurul punctului static de functionare sunt liniare, atunci
valoarea medie a mdrimilor electrice ic(t) gi v6E(t), fdrh a depigi limitere regiunilor
liniare considerate, nu depinde de amplitudinea semnalului, fiind aleeagi ca la
senrnal
aplicat nul. Deci in regim variabil punctul mectiu de funcliorrare coincide cu punctul

RezultS:

fr=Po:fp

(3.243)

tD1= B9 '

(3.?44)

5au

7i4---

(t) = Vce + v""{t)

v"u(t)=-i"(t).R,g

Deci, la f = fT vom avea:

fr lfF

punctelor

separAnd componenta continud de cea alternativd gi apelAnd la teorema a ll


a lui Kirchhoff pentru circuitul colectorului, atat in c.c. cat in c.a., obfinem:
9i

tliere (unitate) f1 vom observa c5, pentru frecvenle mult mai mari ca cea iirnitd
modulul amplific6rii in curent devine:
o
ut,E

al

Acea$A caracteristicd corespunde unui circuit gi nu dispozitivuiui semiconductor


activ. Jin6nd seama de teorema superpoziliei, pot fi scrise ecuatiile:

= zo roof

lpi.. -

(3.246)

c, "cr-'

3.23. CARAGTERISTICA DII{AMICA

ru

di

rrrp

Capitalul 3. TRANZISTOARE NPALARE

static de funclionare.

putem reprezenta locul geometric al punctelor instantanee


, -ln aceastd situalie
de funclionare
in planur i"(t) - v"u(t), pran definit de sistemur reciangurar i6(t) C

apitolu I

3.

T RANZT

STOAR E Bt pO LARE

125

v,

rr

(t) prin

translatarea noului sistem

coordonare

de

in

Voru* =V""n,ur=R1

punctul static de

.lg

(3.254)

Dintre cere dor.ra rimitdri date prin ecuatiire (3.2s3)


9i (3.2s4), varoarea
adoptatd pentrrt

ILrrtr;llonare

V6'ureste dictatd de cea mai restrictivd dintre cele doua conditii.

Amplasarea caracteristicii dinamice este inrporlanta p*ntru


iJo-uili*,
distorsiunilor. in acest sens esenliard este evitarea
distorsiunii grosiere a

semnalului prin pdtrunderea ?n regiunire de taiere gi saiuralie.


se pune probrema
limitelol inlre care poate varia curentul de colector.

Pentru evaluarea curentului minim de colector, caracteristiciie


tranzistorLtlui

trebuie sd corespundd tenrperaturii minime de lucru.

caracteristica dinamicd este limitatd inferior de axa orizontard


de
-- tdrere. se
alege curentur de corector astfer inc6t s5 avem indeprinita
conoilia:

l. )1".,n =

(3.255)

KC

unde V6*u, este amplitudinea maximd impus;i.


utiliz6nd caracterislicile corespunzdtoare la temperatura
maximi de lucru se
determind curentul maxim de corector, rudnd rirnita pentru
evitarea saturaliei vcE
= 0,5V, cu relalia:

Fig. 3-56

l" . l.-," = E. --,Utt*-n o,st

Caracteristica dinamicd este un segment al dreptei de sarcini dinamicd,


segment al cdrui lungime depinde de amplitudinea semnalului.
Pentru a nu inregistra limitdri ale semnalului este necesar ca amplitudinea sd
fie astfel aleasd inc0t caracteristica dinarnicd sE nu pdtrundi in zona de satr,'riltie
sau in zona de blocare.

ic
E;+E-E

irr saturatin

(3.256)

R"+Ru

Ec
i

V!rt",

ihx+te

de

sarr:ili. stetica
rpr:ac$eristica

---*-inturae
punct static ile fimctitrpr*
c

arec le

ristica rlirarrisa

inblocsre
*cE

Fig. 3-58

Fig. 3-57

in vederea evitarii pdtrunderii in zona de satura{ie figura 3-57 se poate scrre


Voru*= V"ur", = Vce- Vce"at

(3.;r1[3)

ptrt0ndu-se luia acoperitof, VcEsat = 0,5V.


Prlntru a nu se patrunde in zona de blocare, definitd aproximativ de i6 ,* g,

3.24' TRANZISTORUL BIPOLAR iru NEOIVI


DE COI\4LJTATIE
Functionarea in regim cre c0mutator a unui
dispozitiv erecf ronit:, prestr'rrr,
bruscd din starea de blocare in starea de concruclie q"orrtiitoli.
clir.rrrdlt)
gi din starea de concruc,tie in starea
de brocare (comutafia

._trecerea

inversd).

f)unorn corrdi{ia:
t-16

Ca

pitolul 3. T RANZI STO AR E Bl PO LAR E

Capitolul 3. TRANZTSTOa

pE gtpOLARE

t2/

Fig.3-59
Tranzistorul este blocat c0nd ambele jonctiuni sunt polarizate invers, curetrtul

d(}co|ectoravAndinace5tcaZova|oarefoartemic5(l6g6)
in conexiunea EC, tranzistoarele cu Ge nu pot fi blocate prin anuiarea
curentului de bazd deoarece lcro = ( p + 1) . l6s6 Bste mare (punctul A'). Din
ac;eastd cauz6, in starea lrlocat5 la tranzistoarele cu Ge se aplicd o tensiune; de
polarizare inversd pe joncliunea emitoare, punctul reprezentativ al stdrii blociate
fiind A. La tranzjstoarele cu Si, punctele A Si A' coincid gi se situeaza prerctic pe
oXa Vsg, iricat blocarea tranzistorului se poate face numai prin intreruperea
curentului de bazd.
Starea de conduc,tie a tfanzistorului se alege de reguld in regiunea I de

saturalie sau la limita dintre regiunea activd gi de saturatie (punctul B). La


intrarea in saturafie, tensiunea Ve6 3r valori cuprinse in intervalul (0 + 0 5) V,

care^pot fi considerate neghlabile in rapoft cu tensiunea de alimentare Ec.


In consecin{5, valoarea curentului de colector la saturatie este:

,ics-r-=;- E"-V"r*,

Rc

Ec

(3.2,57)

Rc

La limita dintre regiunea activd normald gi regiunea de saturafie, acestui


curent de colector ii corespunde curentul de bazd de saturatie:
IE
'Es

R
PF

Lr
aD \C

C a pitolu

l.F'

PSnd in rnomentul ts presupunem cd tranzistorul era blocat (ls = 0, lc = 0). in


acest moment, tensiunea la intrare igi schimb5 prin salt valoarea, de la E2 > 0 la

Er<0.

Curentul de bazd variazd gi el aproape prin salt, de la zero la lar = Er/Ro.


Curentul de colector nu incepe sd creascd insd inrediat" Este necesar un anurnit
timp pentru ca purtdtorii injectali de emitor in bazd sd ajungd la colector.

Intervalul de timp scurs de la aplicarea comenzii de comuta_tie pand la


mornentul cdnd curentul cle colector incepe sd creascd clefine$te tirnpul de

intArziere - ti.
DupS ce tranzistoful intrd in regiunea activS, (t1), curentul de colector nu
cregte brusc la valoarea l6s. se definegte timpul de cregtere sau ridicare (t,) ca
intervalul de timp in care valoarea curentului de colector cregte de la zero la 0,9
din valoarea finald.
Timpul de comutalie direct6 (t"| se definegte ca intervalul de timp scurs cle
la aplicarea comenzii de comutalie pdni la momentul in care curentul de colectof
ajunge la 0,9 din valoarea final5:

(3.2t58)

t"6

l-rFr

Oricdt de mull se mAregte in continuare curentul de bazd peste valoarea


curentul de colector rdmAne la valoarea lgs.
Din aceastS cauzd, in regiunea de satura{ie:

I t"

Fig. 3-60

lte

(3.25e)

s. T RANZI STOA RE

lBS,

PO LARE

t1

1,

(3.260)

Mai departe, tranzistorul rdmane in starea de conductie, c6t tirnp tensiunea


la intrare se menline constantd.
Presupunem cd la mcmentul t3, tensiunea la intrare variazi brusc la valoarea
E2, a&te polarizeazd invers jonctiunea emitorului. curentul de bazd igi schimbd
brusc semnul, luand valoarea ls2 = E2lRs. curentul de colector nu tinde imediat
la zero. Acest fenomen se explicd prin aceea cd la satura{ie se acumuleazd jn
regiunea bazei un surplus de sarcina electdcd. La comutatia inversd, curentul de
Capitolul

3. TRANZISTOARE

Bt POLARE

colector rdmane constant pene se evacueaze acest pius de sarcind stocalal in


regiunea

bazei.

Intervalul de tirnp t", scurs de la aplicarea coinenzii de comutalie invejrsd


pfinii in mornentul (ta) cflnd curentul de colector incepe sd scadfi este nun'lit timp
de stocare.

Dupd ce tranzistorul iese din satura{ie, punctul reprezentaiiv se deplasti,rzd


pe dreapta de sarcind spre starea de blocare (de la B la A). Se definegte tirjpul
de cddere tc intervalul in care lc scade de la lcs la 0,1 lcs.

Timpul de comutalie inversd (t"i) este irttervalul scurs de la apllcalrea


comenzii de comutalie inversd p6ni la momentul in care curentul de coleilor
scadd la 0,1 din valoarea

iniliald.

t5i =

t" + 1"

(3.2ii1)

Ace$ti iimpi sunt cu atAt mai nrici. cu c51 frecvenla limitd a tranzistorului tste
mai

Capitolul 4. TRANZTSTORUL CU EFECT DE CAMP


cu JoNCTtUNE

mare.

4.1, cENERAL|TATI
Tranzistorul cu efeci
c6mp cu jonctiune (TECJ, iar in engleza JFET),
,.1e^
propus de shockrey in 1g52,
este ?n
un rezistor a cirui Jecliune este
controlatd de grosimea regiunii de sarcina
"sen15 spafiara
a unei joncliuni ,,p-n,,.
Termenul de efect de c6mp este regat de faptur cd
scurgerea curenturui prin
dispozitiv este controratd de un c6mp electrostatic (tensiunJa
apticaia.loncliLrnii).

F,ET;ul este numit dispozitiv unipolar deoarece


curentur este produs fie numai de)
electroni, fie numai de goluri.
Existd doud categorii mari pentru FET_uri:
- cu joncliune, JFET;
- cu metal oxid semiconductol , MOSFET.
rn comparalie cu BJT. FFT-ur are o murt nrai
mare rezislenld de intrare, 1{rJr
a avea iensiune de offset (decalaj).

Fig.4_1

Figura 4-1 irustreazd o secliune transversard printr-un


JFEr

rrr: ilp
Canalul este realizat dintr-un material semiconductor
de tip ,,n,, (slral el)itflxiill) (jrl
contacte ohmice ra cere doud capete" Unur
din acestea este botezat srrrs;l ({r), ii{r
celelalt drend (D).
Pentru ca s6 se oblind un bun contact ohmic
ra stratur

,,rr,,,

,,.,,,

epitaxial
rro
rezistivitate rerativ mare, este necesar sd se
mdreascd concertrriirii- ,r.rpurrt6li
O,n
T:ig?_":nt1ct Frin tehnici de difuzie lzone marcate cu n.). ,,p,,
este format un ,rt",iur;; i;p
prin difuzio
1::?Pj]:lj
:y,nar1rui,
conexiunea
in pararer1rg
a ceror
doud zone 'p'; ror**url
: oTqi".],i,illiiii,

::

capitotut
130

Canit ot ul

3.

T RA,NZ I STA A

RE

PO LARE

;;;;

TRANZI sToR u L CI-EFEC1EE


CU JONCTIUNE

poarta clo tip "p" irnpreunii cu canalul de tip "n" fottntlazA jont;litrrrr "p]n"'
luAnd astfel nagtere tranzistorul

JFET.

in lunclionarea JFET-ului, jonctiupile^ "p-n" sunt rareori

polariz-ate d.irer:l

,9i

prin urntare nu exista tensiune de offset. in fapt, jonctiunile "p-n" sunt.polarz'aie


inu"tu, iar grosimea regiunii de sarcind spalialS asociate jonc,tiunii, flr"? 1""1
secliunea conductiv5 a canalului (regiunea n neutrd) sd fie rnai mice decat
clistanla fizicd dintre cele doud

joncliuni.

Deoarece joncJiunile sunt polarizate invers, rezistenla cle.lnlrarel a


dispozitivului este foarte mare. Secliunea conductivd a canalului elste
controlabi16 electric prin diferenla de potential care existd intre poartd 9i cathal'
Efectul de c6mp, care se obline, este aproximativ simetric fald de ;iua
lgngitudinald a dispozitivuiui. Daci cele doud regiuni de tip "p" nu s,unl legate
impreunS, un al patrulea electrod, independent poate fi folosit, caz [n oare se
i

ob\ine tetroda cu efect de cAmP.


Mijloacele de control a curgerii curentului prin canalul dispozitivului
ilustrate in figura 4-2.

Fig 4-3
La un JFET de iip "p" canalul este construit din material de tip "p", iar poarta
pe un matefial de tip "n". l-ensiunile de lucru vor fi inverse fa!6 de cele
de ia
JFET{ul de tip "n". Ga un punct interesant, datoritd construc{iei, conexiunile

sursd gi drend pot fi interschimbate intr-o configurafie circuit.

-"]unt

4.2. CURBELE CARACTERISTICE DE DREI.JA


schema principala

de circuit pentru

caracteristice, ale unui tranzistor JFET este

obtinerea curbelor
aritati in figura 4_4:

de

regire

Fis.4-2
Tensiunea Ves este apticatS in lungul canalului dispozitivului, la ternrina|lele
D gi S. Curentul de electroni intrd pe la terminalul sursd gi iese pe la termirrlalul
dren5 al clispozitivului. Dacd regiunea de tip "p" nu ar fi prezentS, curentuil ilrin
canal va fi o funclie de tensiunea dintre terminalele drena Ei sursd, Vns, {;il de
rezistenta canalului.
insa regiunea de tip "p" existd, formAnd o joncliune cu canalul, 9i liliind

[*{I

catuJrtie

&

polarizatd invers, o tegiune de epuizare va exista in canal. Dacd terrsiul'iea


poarld sursd V6s esta rnajoratd la o asemenea amplitudine, astfel cE ceie dpud
regiuni de epuizare se vor atinge, curentul cJe drend lp va fi zero. Mirimea lui jVGs
care face ca intensitatea curentului de drend sd fie redusd la zero este nulnitd

tensiune de tdier"e (pinchoff sau cutoff Vo).


intinderea regiunilor de epuizare in canal este deterrninatd

Schematic simbolurile folosite pentru un JFET de tip "n", respectiv "p" li;unt
redate in figura 4-3.
i
I

Gurbele caracteristice de iegire ilustreazi grafic relaliile inlre curentul


de
iegire lp, tens.iunea poartd - sursd v,r", qi tensiunea drend-sursd
Vps. curbere
trasate sunt divizate in doud pdr'[i, sepafate prin linie lntreruptd"
Regiunea din
slAnga finiei intrerupte esre numiid regiunea liniard sau ohmlca,
iar cea cre ra
dreapta - regiunea .saturatd sau de curent constant.

ca

Capitglul 4 TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP


CU JONCTILJNE

de V6s. Aptfel

curgerea curentului prin canal este controlat5 de mArimea tensiunii poartd-sursd Vps.

132

vns=rbr -v*

I
I

CU JANCTIUNE

____l3I

In rt.rlrrrrca lirriald, tensiunea drend sursd V;,s este eqal6 cu diferenla intre

lrlll',lulr,ir prx.rrlA-sursd Vcs gi tensiunea de tdiere Vp. La aceastd mdrime a lui


\/r ,,, rilronlul rie cirend cregte liniar deoarece rezisten.ta canalului este constantS.
()(lrrln {:o

orggte dincolo de Vcs - Vp, rezistenla canalului devine foarte mare,


conslarrl lp urmdnd a curge pentru valori paniculare ale lui Vcs.
Dirt:ir terrsitrno V5s este egalS cu zero, punctul la care lp devine o constantd
osle rturrrit ciurent de saturaJie gi este nolot 15s5. Teoria aratd cd saturatia
<:orr:riprrrrrle rltomentului in care canalul este strangulat langd drenA.
rrrr

rrltnt

V1 rr,

t"

t"""(r

v""

f)

Vo

(4" 1)

oonsiderand cd Vcs esle egala sau mai rnica dect tensiunea de tEiere Vo
16[ nr-{ I

Ios*
lbs

-5 -4

"r

-3

Fig. 4-6
Fig. 4-5

Transconductanta gm a TECJ-ului poate

Aturrci c6nd Ves dep6ge$ Vos"ut cu o micd cantitate AV, regiunea de sarcind
spalial5 traversate de curentul de drend are grosintea E. Cum cdderea de terrsiune pe
canalul conductiv est Vpss1, rezultd cd tensiunea ce cade pe stratul de sarcind
spaliald de grosimea o va fi AV. De aici gi existenla unui cdmp electric longitudinal
intens care antreneazd electronii spre drend. Acegti eiectroni traverseazS regiunea de
sarcinA spaliala exact

in

acelagi mod

tranzistor npn sunt antrenali

de

in

care electronii minoritari


cAmpul eleclric peste regiunea

in baza unui
de barieri a

colectorului.
Dacd Vps cregte 9i mai mult, regiunea gc'litd de i6ngd drend, se mai ingroagd
putin, ceea ce atrage o micd scurtare a canalului conductiv. Diferenla de
potenlial care cade pe lungimea acestui canal este prin defini{ie tot Vss.,1, 9i
curentttl de drend rdrnane tot acelagi deoarece numdrul purtdtorilor de sarcind
care ajung la capiitul canalului este acelagi.
[..a terrsirrni Vps rnari, apare o cregtere abruptd a lui Ip, datoritd strdpunEerii

fi

Lransfer, sau:

ob{inutd lu6nd panta curbei de

-^t^
"GSlVos
A\,f

(4

2>

= ct

Este important de relinut cd se obline caracteristica de transfer rnentin6nd


lensiunea drend sursd constantA.
Cuplarea celor dou6 caracteristici este redate in figura 4-7:

prin multiplicare in avalangd care apare la capdtul de ldngi drena al jonc{iunii


6roarlii-carral, fenr:nren cunoscut sub numele de efect Zener.

Tns
Fig. 4-7

4.:] CARACTERIS"I-ICA DE TRANSFER


In

zorr,ir

llttttllr;lotttl

(lo satufalie, In este chiar 16"u1, inclependent de Vos. Ca urmare,


in zona de saturalie a curentului are o unicd caracteristicd de

lttr;rAtrd

Figura 4-7 arat6 cuplarea curbelor caracteristicilor de iegire


$i lfap$for pclrrtll
TECJ de tip n- Figura denronstreazd cum o schrmbare in V6-,5, poaro
r)rovooit o
schirnbare a curentului de drend.
un.

llrtrr,f1,1, lrr crrfo curentul de drend lp poate fi aproximat prin:

CapitLtlul 4. TRANZSTaRUL CU EFECT DE CAMp


CU JONCTIUNE

capitotut 4. TRANZTSTORUL cu EFECT DE


CU JONCTIUNE

dAMi

4 4. DEDUCEREA CARACTERISTICItQR STATICE PENTRU


DE cAMP cu JoNcTluNE
TRANZIsToRUL

llln

iu rrrcr

in acest

paragraf se va determina rela.tia lo (Vos, Vcs) pAnd la alingerea

saturaliei. Dupd atingerea saturafiei, curentul de drend lo va


constant gi egal cu valoarea atinsd la saturalie.

in

calculul caracieristicilor statice ale TEC-J se

va

fi

mobilitatea purtStorilor

No

(4.4)

obline expresia tensiunii de teiere.

considerat

a'qlrl
\,
VP = -:-:-'D

presupune ca acesta

satisface urmdtoarele ipoteze iniliale:


- structura este simetrici fala de mijlocul canaiului
- canalui este mult mai slab dotat cu impuritali decat grilele

>>

Dacd negativarea porlii cre$te, grosimea efectivi a canalurui scade


anulAndu-se pentru V65 = Vp. Folosind relalia (4.3) in care b(x) 0 iar V65=Vp se
=

Din relatiile
.lungul

Vo

(4.5)

(a.3) 9i (4.5) deducem cd grosimea efectivd a canalurui de-a

direciiei x devine:

in canal este constant6, independent6

l(

de

b(x)=al1-{

intensitatea cAmpului electric aplicat.

Deoarece, in dispoziiiv exislS un cAmp transversal (perpendicular pe


joncliunea poartd-cana!) cfeat de tensiunea Vcs cat 9i un cAmp longitudinal (pe
direclia x de curgere a curentului) creat de tensiunea Ves, pentru cempul electric
din dispozitiv trebuie gdsitd clistrii:u!ia bidirnensionald ceea ce constituie o

curentului

prin tranzistor, iar componenta transi,ersald ldlimea regiunii de sarcind spalial5


(de trecere).
AvAnd in vedere figura 4-8

v(

L'

Atet timp c6t V(x)


^ punctul
in
x va fi:

!.vo

v0

VG

V.
vP

")
=)

,l

(4.6)

< Vqr-s - Vp ?n orice punct al canalului, densitatea oe curent

problemd dificila (rezolvarea ecualiei Poisson). O simplificare majora a


problemei se ob(ine in cazul aproxirna{iei graduale a lui Shotckley conform
cdreia c6mpul electric din canal poate fi separat intr-o componentd longitudinalS

gi una transversalS. Componenta longitudinalfi determind curgerea

j"

= qr,"

qYaql
ru.i"L

dxj

(4.7)

ConsiderAnd sectiunea canalului neutru:


A, (x) = 2. b(x). h

(4.8)

putem determina curentul l*:

l^ =Aj(x) j^ = 2b(x) h.q.u" Nn.r

"t -ryAql
dx.l

i4.e)

Conductanta canalului este:


G = qptn.tlo.?b'1
L

Valoarea maximd a conductan{ei canarurui se obline pentru: zb 2a


=

Fig. 4-B

c.

gi !innd cont de relalia care da t5!imea regiunii de trecere, vom obline relalial
a

- b(x)

f;=

i/0t,"

= qu-.1'{^ ?a'x

"L

{4.11)

Deci curentul l* devine

t"t - Vos)

; Vcs < o

(4.3)

unde V6 = cliferenla internd de potenlial a joncJiunii p-n"


in relatia de mai sus s-a avut in vedere cd reglunea p este mult mai puternic
dopatd dec6t regiunea n, ceea ce face ca:
'136

(4.10)

Capitolul 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP


CU JOI,JCTIUNE

,..

l. = -ti^"D(X).
'a

LdV(x)
dx

lxdx =--co,b(^l-L OVGi


Capitolul 4 TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP
CU JONCTIUNE

{4.12)

(4.13)

Vom lntegra ecualia (4.13) pentru x =.0


le, Indrpendent do x:

L gtiind cd l"trebuie sd fie egal cu

_/' ,*'
r.-;:V^.
""b(x).dv(x)
In.L = -ed':
'aJ0|

(4.14)

Drr:

""V(o)

^KDs = V..*=

'"

.l
x<v" -"t

(4.22)

Oe"l in regiunea liniard de funclionare a TECJ-ului, acesta se comportd ca o


rezistenli controlatd de tensiunea Vcs.

(4^15)

='"0"'

(4.16)

V(L) = Vpg

Introducgnd (4.6) Tn (4.14) 9i linand cont de (4.15)


acuatla carac-teristicilor:

9i

(4.16) se va obline

4.5. EFECTUL VARtATtEI TEMpERATURil


odatd cu cre$terea. temperaturii, lpss soade datoriti scdderii mobilite$l
purtatorilor de sarcini (varialie relativ lent6). concomitent scade gi Vp. ia
urmare caracteristicile de transfer se modifici a$a cum rezultd din figura 4-g.

3 tl
r[
I
t.
to =GolVos - i(Vo -Vp)-z](Vns +Vo -Vos)z -(Vo - vcs)z lf
J)
lo
3

' $.ll)

Curentul do saturatie se ob{ine din rela}ia (4.17) pentru


Vo = Vosuat= Vos - Vp
:)
I
t
-t[
- Vp -f(Vo - Vp)'l (Vo - Vp)'
[.rL

losat = Go1 Vos

-(Vo *

311

vcs)' ll

(4.

B)

"))

care so mai poate pune sub forma:

ro",,

=co{u",

-u,i[, i({,fS,f

u].*,".

-",)i

Fig. 4-9

(4.1e)

Zona preferatd de lucru este cea de la curenli mari, acolo unde


$i panta
tranzistorului

Ecualia (4.19) reprezint6 chiar ecualia caracteristicii de transfer pentru

q*=

Vos > Vos"ut'

Pentru regiunea liniard, o bund aproximalie a caracteristicilor este datd de


rolatia:

(4.23)

este mai mare.

Aga cum se observd curentur scade cu cregterea temperaturii, ra

vos E coflstant. Problema ambalirii termice nu se pune in cazul rECJ-ului.

b *K[2(vP +Vos).Vrr -vou']


Psntru valori foarte mici ale tensiunii Ves, termenul

un

(4.20)

Vo"' se poate

nagllJa, clcol rolafla (4,20) devine:

4.6. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CAMP

cu JoNcTtuNE

=K[2(vp +Vu5)Ves]

Dccl rczlstenfa ce apare intre dren6 gi sursd este

1lE

dl.dVo"

Capitotut 4. TRANZTSTORUL CU efecr OE Cnmp


CU JANCTIUNE

(4.21)
P_entru

funclionare

in zona riniar6, TECJ-ul este aclionat cu o tensiune de

poartd negativd in rapon cu sursa.

Capitolul 4. TRANZTSTORUL CU EFECT DE

cu J9NAT|UNE

+Tnn

Rt
v65: 1fu6 - IoR*
, rrcc

'5ri

F
s

."1t.1

ltcc
h

Fig. 4-10

Fig. 4-11

A fost ilustratd in figura 4-10.a o configuralie de circuit care uneori

este

nrrrnitd autopolarizarea TECJ-Iui. Polarizarea este asiguratd prin cdderea de


lcilsiune datd de curentul de sursd ls = le pe rezistenla Rs" Aceastd tensiune este
aplicate pe poartd prin care rezistenla Rn, care are valori de ordinul MO-lor,
dezvoltAnd astfel tensiunea de polarizare necesarE funcliondrii ?n regiunea
liniarS. in practicS, rezistr)rul sursd este guntat de un capacilor, din punct de
vedere al semnalului mic. Valori mai mari pentru Rn nu sunt recomandate,

deoarece curentul continuu invers pe poartd, degi mic, di o cldere de tensiune


apreciabi16 pe o rezistenle Rs prea mare (de exemplu:is = 10 nA pe Rn = 100Mf)
dA o cddere de tensiune Vcs = ic Rs = 1V.
Aceastd variatie a tensiunii poartd-surs5 este nereproductibild gi cregte rapid
cu terlperatura (deoarece ie este curentul invers al unei jonctiuni p-n).

A fost ilustratd in figura 4-11.a o metod6 de polarizare cu divizor rezistiv pe


poade, care incorporeazd cdderea de tensiune pe rezistorul sursd Rs gi cdderea
.
de tensiune pe rezistorul R2.

Aceastd metodd de polarizare in aparen!6 este similard cu metoda de


polarizare universald (circuitul practic) discutat6 la tranzistoarele bipolare.
Reteaua de polarizare va stabiliza punctul de funclionare slatic al circuitului !a

schimbdri ce au loc in parametrii dispozitivului.


Foile de catalog ale producdtorului de TECJ-uri specificd Vp, loss, g* intre

valorile maxime gi minime. Metoda de polarizare ilustratd poate fi folosltd a


minimiza o schimbare a punctului static Q al circuitului, la modificiri in pararnetrii
dispozitivului.
Se poate observa

ci

pentru cederea de tensiune pe R2 se gilsegte:

Deoarece
Vcs = -Rs'lo

(4.24)

punctul de funclionare in planul caracteristicii de transfer poate fi determinat prin

interseclia acdsteia

cu "linia de polarizare", a cdrei ecuatie este data

ci

VRz

= lo .Rs + Vos

(4,25)

Curentul de drend pentru TECJ este dat de relatia:

de

relalia (4.24).
Datoritd dispersdrii caracteristicilor, caracteristica io = io(Vcs) nu este insa
singura. Au fost reprezentate in figura 4-1 0"c caracteristicile de transfer extreme,
care au in vedere ai6t dispersia de la un exemplar la altul, cet gi varialia ou
temperatura pentru un tip de tranzistor.

SA presupunem

%s

lD

v^^\-

=IDSS[l-:u"

@'26)

Pentru valorile maxime ale lui Vp gi lps5 ecua{iile (4.25) 9i (4.26) devin:

varialia lui lo, corespunzAtor punctului static de

func{ionare, nu este tolerati decdt intre la gi la, care determini punctele A gi B pe


caracteristicile externe. Ca urmare, linia de polarizare trebuie sA intersecteze
caracteristicile de transfer intre punctele A gi B, aga cum se aratd in figura 410,c.

V"r."" = Or*r-[, Vpr=lp,ru*.Rs*Vcs*u"


Pentru valorile rninime ale lui Vo 9i loss, ecuatiile (a.2S) (4.26) clevin.
9i

Capitotul 4. TRANZrcTARUL CU EFECT DE CAI4IP


CU JANCTIUNE

Capitolul 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE C


CU JONCTIUNE

(4.27)

(4.28)

vcsmin =

vr,,"[I -

Vp2 =lp61e.Rg

(4.2e)

*Vcs*in

TrecAnd la varialii finite avem:


AiD

(4.30)

Acum, deoarece cederea de tensiune pe R2 va fi o constanti (considerAnd


cA nu oste curent de poarte), noi putem scidea ecuatia (4.30) din (4.28) 9i

Vom defini transconductarrla tranzistorulu i (panta)

_aio
^_diol
" - zu* luos=constant =
^"*

obtinom:
0=

Rs(lp."* --lo.'n)

(Vosru"

- Vo..,n)

-rJL-.Av^.
=AAvo"
oVcs
dvu"'-"ns

(4.31)

(4,t7)

(4,34)
VDS=cons tan t

gi conductanla de drend (de iegire):

n" = -)Goto:)Gs.*
lD-", -lD.in

= AVos-

(4.32)

Alo

so =

EcuaJia (4.32) ne d6 valoarea rezistorului sursd necesar a stabiliza punctul Q


al clroultului,
Deoarece atunci cAnd varialia AIo - Io -I" impusd este prea mic5, nu se
poate ggsi o linie de polarizare care sd treacd concomitent printre punctele A gi B
gl ln acelagi timp prin origine, folosind un asemenea circuit de polarizare se
poste asigura:
(4.33)
Vcs = Voc *lo.Rs

di.' I
ai^
=^:l
a/:l
"'ub lVcs=constant ^tDS lVcs=constant
|

*&

.39)

Deci vom obline relalia:


Aio =g,;Avou+gdAvDs

(4.40)

cSreia ii corespunde circuitul echivalent din figura 4-12

*gE,

unde

vun = voo

(,f

drcs

(4.34)

xI'us

Se realizeazd astfel o polarizare corect5.

Fig.4-12

4,7. CIRCUITUL ECHIVALENT DE SEMNAL MIC


ln deducorea parametrilor circuitului echivalent se va pleca de la expresial
io = io(v"".vo")

(4"35)

circuitul echivalent ciin figura 4-'12 corespunde situaliei int0lnite in joasd


frecvenfd, cAnd nu intervin capacit6lile parazite.
Dacd polarizdm tranzistorul in regiunea liniard, atat panta g* c3t gi rezistenla
de iegire 16 au valori mici.
Daci polarizdm iranzistorul in regiunea de saturalie, panta gm are valoare
maximi pentfu aceeagi V6s, iar rezistenla rd valoare foarte mare.
- $tiind ci in regiunea de saturalie curenlul lD este aproximativ:

Dlfcrcnfilnd expresia (4.35) oblinem:

oi"

flcvou

(4.41)

*jb_duo"

Capltolul 4. TRANZISTaRUL CU EFECT DE CAMP


AU JONCTIUNE

(4.36)

vom calcula panta

gm:

Capifolul 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE

cu JaNCT|UNE

V*" = loo.R,

0in

{4.42)

-___-9

(tuGS

Dacd Vcs = Vp oblinem panta maximd:

s..

=--ti
( v^^)
21o""

=0,=9. l1---=l
\ V"l

(4.4s)

Unde lpe esle curentul de dren6 static gi Vns este cAderea de tensiune Fe Rs.
Tensiunea culeasd pe Rg este folositd la a polariza TECJ-ul pentfu a lucra in
zona liniard.

*ltnn

l343)

{4.44)

La frecvente inalte trebuie luate in considerare capacitSlile parazite

ce

rrrt0rvin in f unctionarea tranzislorului.

.Joncliunea grile-sursA fiind polarizatd invers, intre grilS 9i sursd apare


de barierd c0,,. similar, intre poarti gi drena apare capacitatea de
IrttrlotA c,,,1. o capacitate de valoare rnai mic6 apare gi intre drend gi sursd cs",
ilrrill oa sc poate neglija.
Valorile tipice pentru aceste capacitd[i sunt:

Fig.4-14

r:rrJritc;ilatea

Css,Cso=1+ l0pFiar
C""=0,1 +

1pF

capacitatea cs constituie o cale de guntare pentru iensiunea de c.a. de pe


afi 1110 din valoanea ohrnicd
a lui Rs la frecvenle joase ale semnalului de la inlrare. capacitoarele crs cusl
!i
Rs la masa. Valoarea reactantei lui Cs este alease

asigurd izolarea semnalului c.a. de tensiunea de lucru c.c. a TECJ-ului.


C6gtigul de iensiune al dlspozitivului este definit ca:

in aoest caz circuitul echivalent devine:

Au

=b=-..Y!:
Vin
Vg"

(4.46)

unde semnul (-) indicd un defazaj de 180" intre tensiunile de intrare gi ie5ire.

In+
- {

//-

n*"ph

Fig. 4-13

4.8 AMPLIFICATOR

TET{SIUNE SURSA COMUNA

Figura 4-14 ilustreazd un TECJ conectat ca amplificalor tensiune sursd


colnund. Rezistorul de sarcind este conectat intre drend gi tensiunea de
alimentare Vpe. Poarta este adusi la rrasd prin rezistorul de poartd R6.
Rezistorul Rs polarizeazd rECJ-ul pentru a realiza o amplificare in tensiune
liniard. La un curent de drend static specificat cdderea de tensiune culeasd pe

Fig. 4-1S

rezistorul Rs este:

Capitalul 4. TRANZISTORUL CU EFECT DE


CLJ JONCTIUNE

de

cEme

CU JONCTIUNE

genirn

Figura 4-15 aratd cum este oblinut cagtigul de tensiune cu un TECJ. Au fost

(le asernenea reprezentate cLrrba de transfer gi caracterisiicile de iegire. Dreapta


de saroinA in c.c. este datd de expresia:
Voo

lo

(Rr

R") + Vo"

(4.47)

lui Rs. A fost ilustrat gi modelul de circuit c.a" in figura 4-16.b,

Dreapta de sarcind in c.a. pentru aceastd configura{ie de circuit este datd de:

sau incd

vos = -RL ia

(4"48)

.1
t.
-

(4.4e)

--

rt1

\/,
'"os

Dqcd o terrsiune de intrare este aplicatd intre poartd $i mase, aceaste


tensiune de semnal este adaugatd lq tensiunea de polarizare culease Pe Rs.
Spre exemplu, dac6 tensiunea de polarizare este de ?V, iar sernnalul de la
intrare este 2 V vArf la vdff, tensiunea total5 poafid-surs6 se va modifica de la
-3V la -1V. Schimbarea lui vn"va provoca o modificare a curentului din drend.
Daloritd schimbdrii lui io, tensiunea drene-sursd se va modifica. Deoarece
tensiunea de iegire este egald cu vas gi de asemenea cu tensiunea pe rezistorul
cle sarcin6 Rl ( = io Rr- ), a fost obtinutd o amplificare de tensiune. intr-un
amplificator cu TFCJ surse comunS, tensiunea de intrare este defazatA cu 180"
in raport cu tensiunea de iegire.
Rezisten{a de intrare a TECJ-ului la frecvenle joase este egald cu valoarea
rezistorului poarta R6. Tn fapt, rezistenla de iirtrare mare a unui TECJ este egalS

cu

rezisten!a joncliunii poartd-canal polarizata invers. Deoarece rezisten[a

acestei joncliuni este foarte mare, combina{ia paralel a lui Ro gi a rezistenlei


jclrrcliunii polarizate invers este aproximativ egal cu R6.
Sd considerdm un TECJ folosit inlr-un cifcuit surse comund, ioasd frecvenla,
avSnd configuralia redatd in figura 4-16.a

R6 =R., ll

Ro,, = R,. ll

Fig. 4-16

In acest caz tensiunea de polarizare pentru functionare in regiunea liniard


osle lualA de pe Rs gi R2. Capacitorul Cs gunteazi semnalul de c.a. de pe Rg la
rnasA, Rearfanta lui Cseste astfel aleasd ca ea sd fie 1/1 0 din valoarea ohmicd a
14U

Capitaiul

16"

Voqt
n
''u - ,,
irl

(4.51)

(4.52)

'

unde
V6g1

Curentul de iegire

i6

= i6, Rs gi

V1n

Vss

este gdsit folosincl divizorul de curent, sau

_9,
o

"

Vgs. tds

165 +

R;

(4.53)

dar vo4 = i6 . R1 s?ul


-gm . vgs. tds .RL
[6" + R;

Deoarece vn" =

Vrn

gi A"

rds,

(4.s4)

vort / Vin ,vom avea:

=:9s&:4.ro" + R,

"uur,
n =
n..
'

-9.

R.

-1+RL /rd"

IA EE\

(4.56)

Dacd rezisienla de dren6 rds este mult mai mare clecAt rezistorul de sarcind
Ri. ultima ecuatie se reouce ta:
Au =

-Q. .R,

(4.57)

unde semnul minus indicd ci tensiunile de semnal intrare gi ie$ire sunt defazate
cu 180" unul fa!5 de celAlalt.

TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP


CU JONCTIUI'JE

(4.50)

Cdgtigul tensiune al amplificatorului este definit ca:

Acum divizAnd prin


Rl llRl

Rz

Rezistenta de ieqire Roul ste combinatia paralel dintre rezistorul de sarcind


R; gi r6s, SaU

ou
T"'1

pentru

amplificatorul TECJ sursd comund. Generatorul de curent este botezat gm . Vrr" sii
rezistenla internd de iegire a TECJ-ului a fost notatd cu r;".
Din figura 4-16 rezultd cd rezistenta de intrare a amplificatorului este simplu
R1 ll R2 sau

14/
CU JANCTIUNE

4 9. CTRCUIT DRENA COTVTUNA JOASA FRECVENTA


Figura 4-17 ilustreazA o configuralie de circuit pentru un TECJ in aranjamenl
drend comunS.

Capitolul s. TRANZISTORUL MOS


Vo*t

vgg

5 1. TRANZTSTORUL MOS CU CANAL tNtTtAL

Este un dispozitiv electronic bazat pe conductia curentului electric

Fig. 4-17

suprafala semiconductorului.

la

Tensiunea de iegire este lltate de pe rezistorul sursd Rs.

Datoritd izolatiei intrB terminalele de intrare gi de iegire ale TECJ-ului,

rezistenla de intrare este simpla R6, sau


Rin

= Ro

A fost figurat modelul de circuit c.a. in figura 4-17.b.


Rezistenla de iegire gi c6gtigul tensiune pot fi calculate folosind ecua{iile de

reaclie. Pentru configuratia drend comuni, de notat ca 100% din tensiunea de


iegire este adusd inapoi la intrare, ceea ce insearnnd cd factorul de reaclie Bu
este egal cu "1". Rezistenla cJe iegire fdrd reac{ie este simpla Rs, considerand cd
Rs este mult mai mic dec6t 16".
C6gtigul tensiune fdri reactie este aproximat de gm . Rs. Pentru rezisten{a de
iegire a amplificatorului de tensiune cu reactie, avem:
K^' ="'

1+Fu.Au

dar Ro= Rs, Bu= 1 gi Au =

Q,n"

(4.s8)

Rs, sau

_R.
''"r-1*nt"t.

(4.5e)

Cagtigul tensiune al amplificatorului cu reaclie este:


A

n
n,,.
'' =*=-1 -r

iv

Fu

'A,

(4.60)

*
Fig. 5-l

De notal cd in cazul acestui tranzistor nu sunt joncliuni "p-n" ca in cazul


TECJ-ului. canalul mic de tip "n" pentru inchiderea curentului existd intre doud
puluri' Contactele sunt luate de la cele cloud puluri gi sunt nurnite sursd cirerrd
9i
(vezi Fig. 5-1).
MosrEC-ul are o fezistenla de intrare foarte mare deoarece poarta este
izolat5 de canal printr*un strat de oxid. poarta impreuni cu canalul forrneazd un
capacitor. Poarta este realizate, de reguld, din aiuminiu, dar poate fi realizatd gi
din alte materiale (siliciu policristalin puternic dopat),
. . ?u-"5 un potenlial pozitiv este apricat terminalului poartd in raport cu sursa,

datoritS acfiunii capacitoruiui, o sarcind negativd este indusi in regrunea


canalului de tip "n". Sarcina negativa indusd tn canal reduce rezistenta canaluiui.
Deoarece in canal existd rnai murli pudatori de sarcind negativ5, lo creste.
. . qaca un potenlial negativ este apricat pe poane in raport cu sursa, din nou
datoritd acliunii capacitorului, o sarcind pozitiv5 este indusd in canal, crescdnd
rezislenla acestuia. DatoritS purtdlorilor de curent s5racili in canal, lp scatle.
Prin urmare conductivitatea canalului este modificatA potrlvit cu polaritatea gi

n9.R"
A..r
=-----

"'

1+g,"'R=

Capitolttl 4. TRANZISTORUL CU EFECI DE CAMp


CU JANCTIUNE

(4.61)

mdrimea potenlialului aplicat pe poarta dispozitivului. un potenfiai vos pozltiv


acumuleazd in canal purtdtorii de curent suprimentar,
9i un potenlial v6s negativ

sdrdcegte canalul, provocOnd scdderea purt6torilor de sarcind.


Capitolul 5. TRANZISTORUL MAS

149

Dacd tensiunea portii este destul de mare, un canal negaiiv este indus intre
cele doud pu{uri de tip "n". Cu un canal de sarcind negativi intre cele doud
puturi, curentul poate curge inire surse $i drend. Ca urn.lare canalul este

imbogdlit de un potenllal pozitiv la poarta dispozitivului.

^DE
ti

"'B-J f
co-!ff"
I

*"

u$

.rD

+Tc$

lrn4.l

+*
+4
+3

Fig. 5-2

vsf"t
rurbe de

ierire

*T

Deoarece rezistenta de intrare este foarte mare, sarcina staticd se poate


si nu fie
avariat c6nd nu este in circuit, terminalele sunt frecvent conectate impreund
printr-o foild de metal care previne incdrcarea cu sarcin6 a porlii. Producdtorii
reconrandd ca atunci cAnd se lucreazd cu MO$TEC-uri sd nu fie scoasd foita
pAnd ce dispozitivul nu este plasat in circuit gi ca uneltele (pistol de lipit, patent
etc.) sA fie legate la masd.
Unii producdtori produc MOSTEC-uri cu o diodd Zener intre terminaleie poartisursd ale dispozitivului. Dioda Zener conduce dacd tensiunea poaftd-sursi depdgegte
acumula pe poartd gi strdpunge inveligul de oxid. Pentru ca dispozitivul

tensiunea Zener, prevenind ca urmare distrugerea MOSTEC-ului.

Fig, 5-3
De notat cd rECMos-ul ia mai pulin spaliu fizic ,la consiructie decat o far:e
tranzistorul bipolar. spaliul fizic reprezintd un considerent foarte important in
cazul circuitelor integrate.

in concluzie rezultd cd un asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate

a tensiunii de poart5. DacA Vos > 0, regimul de lucru se nume$te regim de


imbogdtire, datoilta cregterii concentratiei de electroni in canal; daci Vcs < 0,
regimul poarta denumirea de regim de sdrdcire gi duce la scdderea concentraliei
de electroni din canal pdni la disparitia lui (Vcs= Vp).

TRANZISTORUL |\IOS CU CANAI- INDUS

Un asemenea tranzistor TECMOS este construit cu dsue pufuri de tip "n" gi


fdrd canal atAt timp cAt tensiunea de poart6 Vcs < Vp. Terminalul poart6 este
ntetalic. Poarta gi substratul "p" formeazd un capacitor. Un potenfial pozitiv la
terminalul poartd in raport cu surca face ca o sarcind negativd sd fie indusd in

1(t

din figura 5-3 cd pentru tensiuni vos rnici (care nu clepdgesc


^ se observi
cateva
zecimi de volt), lD variaza liniar cu v6s. Aceastd zond se numegte
regiunea liniard a caracteristicilor. Explicafia constd in faptul cd, pentru valori
mici ale tensiunii Vps gi dacS vcs > vp, canalur se comporti liniar faJd de Vp5,

deci ca o rezistenld obignuitd. corrductanta canalului este datd de rela{ia:


g=

[r{vo,

* Vr);

r A-'l
B = panta

conductantei; fr = | .]
L VI

in regiunea liniard curentul devine:

aria de sub zona porJii.


'1

5.3. REGIUNEA LIf{IARA A CARACTERISTICILOR

CapitoJul 5.

IRAA/Z/SIORUL MOS

Capitolul 5. TRANZSTaRUL MOS

/t 4\
\J. |

_l

ts =0,Vos
io =P(vn"

-Vo)

(5.2)
uuu

5.4 REGIUNEA DE SATURATIE A CARACTERISTICILOR


MenlinAnd v6s cotlstoflt, vcs> Vp, mefind vDs se constatd cd lp nu mai cfegte
proporlional cu ves ci cll o rald rnai micfi. Aceasta se explice datorit! scdderii
conductan,tei canalului o datd cu merirea lui ves. Astfel, pentru o anumiiS valoare
Vlx;sar, cufehtul atinge o valoare llmitd lo""t dup6 care nu mai cregte cu vDS.
FiecArei tensiuni v6s ii corespund o valoare proprie Vos"utgi ufl cureot 1p531'
Tensiunea de drenS de saturalie satisface relatia:

Vo"-Vo*=.,=Vp

'

(s.a)

Fig. 5-4

Aceste tranzistoare trebuie astfel polarizate inc6t tensiunea de poartd

ln cazul utilizdrii

lp"o1

4| ^/

=7P(v6s

., \Z

vpJ

(5.6)

Dupii insialarea saturaliei, forma Si lungimea canalului rdmen aproximativ


constante. deci conductanta canalului ramAne aproximativ egald cu cea date in
relalia (5.5). Rezultd cA gi cufentul lo in regiunea de saturalie (ves ) vossat)
rAmene aproximativ oonstant gi egal cu lDsat:
1'

lD !lDsat

l11vo" - vr)'
z;

Vci=Voc;'':

(5.5)

iar curentul de drend de saturatie:


,

divizorului rezistiv (Fig.5-4.b), tensiunea pe poarta se

calculeazd cu relatia:

in aceastd situa,tie conductan,ta canaiului devine'

9=4:5p(v6s *Vp)

s6

poate capdte atAt valori pozitive, cat gi negative. Ca urmare, pentru semnale mici
de intrare nu esie necesari o retea speciala de polarizare.

(5.7)

(5.8)

r(r +K2 -R"'lo

combinatd cu expresia caracteristicii de transfer.


Solulia de polarizare ciferitS de acest ultim circuit se numegte polarizare

automate (tensiunea oblinutd

pe R5, prin trecerea

tranzisiorului).

curentului

propriu

al

Cn
-d

5 5. POLARTZARE TECMOS

cu

CANAL rNrTrAL

CAteva configuralii de circuit pentru poiarizarea unui TECMOS cu canal


initial sunt redale in fioura 5-4.

152

Capitoltrl 5. TRANZISTORUT MOS

Fig. 5-5

Capitalul

5 771/N-al$TORllL MOS

153

il*ryta
dnegrta ile

v-s = -RL 'ia


ile

snrrilr tiatira

ncg*tivw

c*raci*rjgtira

Pentru a determina punctul static de func{ionare se cunosc elementele circuitului


(loss Fi Vp). In planul caracteristicilor de transfer se
reprezintd dreapta de negativare, corespunzAnd tensiunii de negativare a grilei.

-t

"TT'-l
vns

in planul caracteristicilor de iegire, constituie ecualia dreptei de sarcind


dinamicd (Fig. 5-6).
care

vc$:o\t

de

gi parametrii tranzistorului

-+

-3

=lnp*t

(5 12)

Vcs =

-{

-Rs

(5.13)

lo

Obtinem la intersectie punotul static de funclionare M. Apoi acest punct este


proiectat pe dreapti de sarcind static5, oblinndu-se punctui static de func{ionare
M' in planul caracteristicilor de iegire.

Fig. 5-6

Mai frecvent se pune problema proiectdrii unui circuit cafe sa asigure un


anumit punct de functionare pentru tranzistor.(13, Ves), in regiunea de saturatie,
cunoscarldu-se parametrii tranzistorului ls5sigi Vp, precum $i valoarea tensiunii

in figura 5-5 se observi cd sursa de tensiune pentru polarjzarea grilei este


eliminaiS prin folosirea metodei polarizdrii autofilate a grilei de comandd. in
acest $cop, in cirouitul sursei se introduce o rezistent5 Rs, suntatd de o
capacitate rrl?le Cs. La trecerea curentului le prin rezistenla Rs, apafe o c5dere

de alimentare Vep.

de tensiune care are poladtstFia pozitivd spre sLirsd gi negativA spre masa.
Deoarece grila este legatd conductiv la mas6 pdn RG, ea se va gesi la un
potenlial mai coborat decat al sursei, adicd se va negativa. pentru ca potentialul

5.6. POLARIZARE TECMOS GU CANAL INDUS

de c.c. al griiei sd fie egal cu cel al masei, cdderea de tensiune data


curentul 16 pe rezistenJa R6 trebuie s5 fie neglijabila" in acelagi timp trebuie

de
ca

R6 sd constituie o rezisientd de sarcind cdt rnai mare pentru sursa de semnal.


Avdnd in vedere cd lo =10-eA, rezultd cd R5 se poate iua de c6liva megohmi.
Tensiunea de negativare a grilei este:
Vos =' -Rs 'lo

in cazul tranzisioarelor MOS cu canal indus, tensiunile de poart6 gi de drettA


au aceeagi polaritate. un asemenea tranzistor neconducind pAnd ce o tensitrrte
poartd-sursi pozitivd nu este prezentS. Ca urmare, pentru funclionarea liniard a
dispozitivului, pentru un dispozitiv TECMOS de tip "n" este necesard o lensiune
de polarizare pozitivd.

(5.s)

intre curerrti avAnd relatia:

l" =lo r> lo

(5.10)

Pentru circuitul de drend se poate scrie relatia:


Voo = Vc" +

c{:rre

in

l;talicil.

lo

(R.

R")

planLrl caracteristicilor de drend constituie ecuatia dreptei

t5.11)

de sarcind

tD

il* **ftin

l-4

vcs =lo"t

I5

-lltc
--:fc
0v

cnpacilatea c5 are rolul de a ldsa sa tfeacS cu ugurin!6 componenta


varinbild i,1 a curentului de drena, astfel inc6t in regim dinamic tensiunea de
ll()0ntlvarc sE rdmdni neschimbatd (atat timp cet componenta continud lD a
r:tttorrlulrri de drena nu variaze). Deci R5 nu interuine in regimul de semnal.
Er:ualia de tensiuni pe circuitul drenei, in regim dinamic este:
| !,,1

Capitalul 5. TRANZ!STORUL MAS

r{*tica

6T

t0

Fig. 5-7
Capitolul

TRANZISTORUL MOS

155

Deci se poale folosi un circuit simplu de polarizare, cu o singurd sursd de


c.c.(vezi Fig.5-7. a), Tensiurrea aplicata pe poartd este determinatd de divizorul
rezistiv R1, R2:

Deci:

i"

vr)' * 2vn"(vo, * vr)+ v]"]


]O[{v.. -

(5"1e)

E)

Vo,

=Voo.-l:2K1 +|<2

(5.14)

Pentru ca rdspunsul

i4

sau

V65

Pe baza caracteristicilor de transfer se poate determina lo,


Determinarea prin metoda graficd a punctului static de funofionare M se face
cu ajutorul caracteristicilor statice de iegire gi a dreptei de sarcind, a cdrei ecuatie
este:
Voo = Ro .lo -t Vo"
(5.15)

Plitt <;alcul, cunoscand pararnetrii vp qi Ipss ai tranzistorului, lp in regiunea de


in aceastd regiune, in etajele de amplificare) se

snturalie (TEC lucreazd

rlctornrinA cu relalia aproximativ5;

sa depindd liniar de semnalul voo este necesar ca

vl=" zlvn.(v*-u")l

(5.20)

"21v".-V"l

(s.21)

lvn.l

inegalitate care reprezint5 condi{ia de senrnal mic.


in general tensiunile vn" de pAnd la iOO mV pot fi considerate cd satisfac
conditia de semnal mic. in acest caz, componenta variabild a curentulr-ri de dren6
este:

io=p(Vor-Vo).vn"
to

=to""[t-rd'

(s.16)

In situaliile cand se impune rezistenl6 de intrare foaile mare, divizorul clin


poartd R1 gi R2, se realizeazd cu rezistente de ordinul Mer -lor, iar tensiunea de
polarizare se transmite grilei printr-o rezistentd R3 de valoare mare, egald cu
rezistenla de intrare impus6.
se mai observd cum se modificE punctul static de functionare la cresrerea
temperaturii. Daci aoeasta modificare nu poate fi toteratd, se introduce in serie
cu sursa o rezistente Rs, coro are efect stabilizaror.

Vom urrndri in continuare funcjionarea tranzistorutui Mos in regim dinamic


cle semnal unic. Mai int6i vom stabili condilia de semnal unic. pentru aceasta
vom presupune ca reEimul este cvasistationar (v65 variazd lent in timp, iar
tranzistorul lVlos functioneazd irr regiunea de saturatie care este adecvata
funcliei de amplificare). Vorn porni de la expresia curentului de drend in aceasie
regiune de funclionare.
(5.17)

Dar

vcs=Vcs+vs*
Capitolul 5. TRANZISTORUL MOS

io

= io ( vcs, vns) obtinern rela{ia:


dio --

jtD
vvcs

dv=.

-,

-4it.duoo
(rvDl

(5.23)

Trecand la varialii finite mici rezultii:

aiai. =lj--AVo"
- i.,:
c,v cs
uVDs

Aro

AV,..

(5.24)

Definim in continuare, in punctul de funclionare M (V6s, Vos, lr,) cei doi


parametri principali de semnal mic:
- pant5 (transconductanfd):

5.7 TRANZISTORUL MOS iN REGIM DINAMIC

io=]p(vnr-vr)2

Diferenliind dependen{a

(5.22)

'

gm

(ai^)

-ls

'?vcs /

f ri^l

e/-sl

N/

\ Avos I n,r,vos

"[-l
\

vgo /
M,yo.=o

- rezistentd diferenliali de drene;

,-,=['/:ln
) *fouo.]
- \/ av5u.i*
\ Aio /r,uo"=1,y*)
\ io /r,un"=o

(5.1 8)
Catsitolul 5. TRANZISTARUL MOS

(5.26)

l)(rlrtru gm valoriletipice sunt cuprinse intre 1

l()0 kl).

;i

'1

0 rn$ iar pentru

r,r

intre 10

9i

irr re:giunea de saturatie panta gm rezultd:

6nr *- l'\"cS
n/rr - \a\=
vr,r=
^ -- VaPrt
-2lu
%]=f"
Vrn

(s.27)

Vorn avea astfel relatia:

Airig-.Avcs*1ouou

(5.28)

Capitolul 6. ALTE DISPOZITIV'E SEMICONDUCTOARE


CU JONCTIUNI

'd

care ne permite sd stabilim circuitul echivalent al tranzistorului MOS in regim


dinamic, in cazul frecvenlelor joase.

riD

6. 1. TRANZTSTORUL UNT.|ONCT|UNE
Acesta constd dintr-o bari de Si de tip "n", unifont dopat5, avAnd la extremiti[i
doud contacte ohmice, denumite baze, 81 gi 82. La mijlocul ei se realizeazi

joncliunea "p-n", prin difuzarea unui cristal de Si de tip "p", ce formeazd enritorul E.

r$i.,tt'

Br
Y

ttu,
Fig. 5-8

*,

"?EJ
\yl

Fp

. La frecvenlele inalte in figura 5-B se mai adaugd incd trei elernenie: cn.
(capacitatea griid-sursd), cso (capacitatea grild-drend)
9i ca" (capacitatea drendsursd).

Fig. 6-1

V-.

l'h

Fig. 5-9

intre cele doud traze se apticA o tensiune de ordinul a 10 V, care se distrilruie


uniform in lungul barei, iar in dreptul jonc{iunii existd un potenlial in jur de +5 V
falri de 81.

rF0.5_[.6

trxrr

IEttt

J - ]},nt
.'uT rr
-lH= rl.tl
,-ElEl
Fig 6'2

Capitolu! 5. TRANZISTORUL MAS

Capltalul 6 ALTE D!SPAZITIVE SEMICONDUCTOARE CIJ JONCTIIJNI

t-{e

Dacd tensiune? VEsl este mai mice de SV, joncliunea ,,p,n', este polarizatd
invers gi curentul iE 6fe o valoare redusa [;rA].
p3nd V5s1 depagegte valoarea Vrvr de 5V, joncfiunea se polarizeazd direct
9i
din emitor se rnjecteazi goluri in regiunea "n", dintre emitor gi baza 8,, goiuri
care sunt culese de 81, producdnd un curent lE mdrit. Rezistenla regiunii dintre B.r
gi E scade brusc ai se micaoreazd c6derea de tensiune pe ea. Acesta esie un
fenomen cumulativ gi prin urmare are loc o trecere rapicid din regimul de blocare
in regimul de conducere. in felul acesta is cregte considerabil, pe poftiunea MV a
caracleristicii, in care rezistenta dintre E gi B1 este negativd.
Dupd punctul V, pr.rnct in care Vgsl atinge valoarea minimd Vv, se obtine
caracteristica clirectii a unei jonc{iuni obignuite.
Rezisten{a RE are rolul de a limita curentul is la o valoare maximd, cdnd in

Dactl s-ar:;cftitttl:i.t f)oliirital()o lerrsiunii aplir;alii irrlrer urrocl $i catod, atunci


joncliunea din rnijloc v;r fi polarizata in sens rjirecl, iar cele cJor-rd jorrclierni
extfeme vor fi polarizate in sens invers. curentul de sarcina ar ft gi mai mic la
acest gen rle funclionare"

Agadar,

in cazul in care

erectrodului de comanda nu

i se aplicd nici un

potenlial, tiristorul blocheaza curentul in ambele sensurr.


Pentru explicarea procesului de intrare in conduc.tie a tiristorului (aprindere,
sau amorsare), acesta se reprezintd sub forma unei combinalii a doud
tranzistoare complementare (tranzistorul 11 este npn, iar T2 este pnp; vezi
Fis. 6-4).

circuitul de intrare se aplicd

o tensiune Ep mai mare dec6t vrv. Mdrimile


irTlportante ale unui tranzisto| unijonctiune sunt curen,tii $i tensiuniie din punctele
Msi

V.

Tranzislorul urrijoncliune se utilizeazd ca generator de tensiune in formd de


riirrte de ferdstrdu, in circuite de comutatie, oscilatoare/nesinusoidale, peiltru
crrr;uitele de comandS ale tiristoarelor.

TIRISTORUL

Fig. 6-4

Tiristorul este o componentd semiconductoare formatd


semiconductoare dopate ce contin trei joncfiuni p,n.
Structura tii-istorului este ilustratd in fiqura 6-3"

din patru

straturi

La inchiderea intrerupdtorulLri K2, baza B1 se polarizeaza poziliv. purteitorii


majoritari din emitorul E1 sunt injectali in baza 8,. deoarece jonctiunea emitorului

in sens direct. partea cea mai mare a acestora ajr.rnge irr


colectorul C1 datoritA grosimii mici a bazei gi ac{iunii campului electric clin
reglunea spalialS a joncliunii colectorului, contribuind la formareer curentului de
este polarizatd

colector din tranzistorului T1.

Tranzistorul 11 fiind cleci

catodului

Fig. 6-3

cele doud straturi semiconductoare de mijloc sunt mult nrai slab dopate
decat straturile extreme. Tiristorul, in execufie normald, are trei electrozi: anodul
A, catodul K gi electrodul de cornandd (sau poarta) G.

Dacd se aprici

tensiune

in

sens direct tiristorurui prin inchiderea

intrerupdtorului K1 (K2 rdmdnsnd deschis), cele cloud jonctiuni vor fi polarizate in


sens direct, iar cdderea de tensiune pe eie va fi mai micd. praciic, intreaga
tensiune aplicatd va fi preluatd de joncliunea din mijloc, polarizatd in sens invers.
Curentul de sarcind prin tiristor ip va fi foarle mic.
160

capitatut 6. ALTE DtspoztTtVE SEMrcoNDUCroine CU JoNallUNl

in conduclie, el transmite potentialul negativ

K la baza 82 al rranzistoruiui 'f2. Joncfiunea

al

emitorului E2 fiind
polarizate astfel in sens direct, puftatorii majoritari (golurile)
din emitorul E2 trec
in baza 82 gi ajung in cea mai mare parle ii corectorul c2. Tranzistorur 12 este
deci $i ei in conciuclie , astfel incat potenlialul pozitiv al anocJului se transmite
la
baza 81 a tr-anzistofului 11, polarizincl ;oniliunea emitorului E1 in sens direct.
Din
acest moment baza 81 este autopolarizata pozitiv gi nu rrrai este necesard

polarizarea din exterior prin intrerupatc;rul K2, care acum poate


fi cleschis.
Exista deci o reacfie internd de curent, caie este declangatd de micul surent de
comandd. Curentul de sarcind i1 cre$e pdnd cAncl se atinge echilibrui
electric intre
lensiunea aplicata gi carJerile de tensiune din circuitul cureniului cle sarcirrd"
Din acest
moment tiristorul se afli in stare cle conduclie gi se spurie c6 este amorsat.
Amorsarea tiristorului se poate face cu curent cr>ntinuu, dacd circuitul
curentului de amorsare este dirrensionat pentrr.r regim de durati,
sau cu ur"r
curent de conrandd care circuld scurt timp. Liltirna metocld este cel
mai des
folositS.
capitotut

6 ALIE DtsF>ot:ti'tvE srurc:oui)itirc,>[nE-clr:i6na:r1uN]*--- Tn

Irll:s11"1 tiristorului din starea de conduclie in starea blocatd se mai numegte

.ilitrl;trllir (sau blocarea) tiristorului.


['ottlttt

oce

asta este rtecesard reducerea concentratiei de purtdtori din bazele

t:llttl tltttl6 lrrlrlzistoare pdnd la nivelul la care efectul de reactie internd este rupt.
Hl'r:nroil liristorr,rlui se face numai dacd curentul principal scade sub o unrmitd

vill(){rft) 111 (curcnt de mentinere), peniru care nu mai este asiguratd polarizarea
l)rtlol(rr color <ioud tranzistoare fictive, iar acesiea ies din conductie.
Blocarea tiristorului la valcrarea ls a curentulLii principal, are loc numai dacd
ptrrtfiloril cie sarcind au timp suficient pentru recombinare" Aceasta se intampli
dar;A scilclnrea curentului este suficient de lentd.
cflnd curerrtul prin tiristor este scdzui rapid, timpul necesar recombinirii
purtatorilor face ca tirislorul sd rdmdnd in conductie panb la scdderea la zero a
curcntului, sau clriar pentru valori negative ale acestuia.

A fost aratata ?n figura 6-6 o configura{ie de circuit comund pentru un TUp.


Tensiunea la poarld V6 este determinata prin divizorul de tensiune R1 9i R2. Cum
V6 este negativ in raport cu V;, TUF-ul va trece din starea "off" in starea "on".
odati adus in starea "on", poarta pierde controiul asupra tranzistorului. Aducerea
lui in starea "off", se face atunci c6nd tensiunea de pe dispozitlv este redusd la "0
volti".

TRANZTSTORUL UNTJONCTTUNE PROGRAMABTL


Fis. 6-7

Figura 6-7 afatd un osoilator cu TUp. Tensiunea pe condensatorul


cregte exponenlial, cregtere exprimatd prin relaiia:

vc = v[1

t-to. b-5

Tranzistorul unijoncfiune programabil fl-up) este un ait dispozitiv pNpN, cu

pqartalaregiunea N (tiristorul are poafti la regiunea p). Asemenea


tiristorului,
odatd rUP-ul adus irr starea ''on", poarta lui pierde corrtrolul. pentru a-l
readuce

exp

(- tTnc)]

va

(6.1)

Dacd VE este mai micS dec8t tensiunea pe poarta Vs, tranzistorul este in
stare blocata. cand v6 este aproximativ egal cu Vc, TUp-ul este adus in starea
"on" (pierde rezistenta) gi face ca c si fie descdrcat la masd. Descaroarea lui c
este foarte rapidi 9i vc esle redus la aproximativ 0 volli. Zero volli pe tranzistor,
il va aduce in stare blocatd, in care TUp-ul are o rezistenla foarte mare gi Vr.,
incepe a cre$te din nou exponenlial.
Tensiunea pe R2 este datd de:

\/"o -_ \/

in stare "off", tensiunea ce cade pe dispozitiv trebr-rie sd fie redusd la 0 volli, sau
curentul prin dispozitiv sd fie redus la o aceeagi varoare minima.

R2

(o'l)

"'P *n

cand tensiunea vE atinge valoarea lui v6, TUp-ul intrd in stare de conductie.
Aceastd condilie este datd de :
+

Rvo:v;fi'Va,"au=v
= \/.

unde
Fig. 6-6
|

(,:'

ottpilolul 6

V6;o6u

este tensiunea BE a tranzistorului T.r,

Rz-

R,+&

(6.3)

cJar

ve = Vc = v[r - exp(-

t/nc)]

capitotut 6. ALTE DtSpAZtTtvE SEMTaNDa)TAARE CU JANCiktNt

(6.4)
'*-2*;;
, OJ

Substiluind ecuatia (6.4) in ecualia (6.3), avem:

v[t-exp(-VHctl=
rt V
L

(6 5)

RliR,
-L

'

de unde ob,tinem:

t=RflnI
sau

t*nrf(n., +nr)

/'r\'
t=RClnl
(I

-tr./

Capitolul 7, DISPOZITIVE SEIVIICONDUCTOARE


OPTOELECTRCNICE

(67)

7.1. GENERALITATI

unde

''-

in categoria dispozitivelor optoelectronice se incadreazd dispozitivele care


transfofrnd energia electricd in radialie opticd sau invers. Ele se impart in trei

R,

(6

R. +R,

Aga oum se observd, timpul t pentru oscilator poate


de leilsiune R1 gi R2 sau de comLrinatia RC.

(6.6)

B)

categorii:

- fotodetectoare, cafe detecteazd semnalele optice prin procese electrice


de exemplu: fotorezistenla, fotodioda, fototranzistorul 9i fototiristorul;

fi controlat de divizorul

Nurnele de tranzistor unijoncliune programabil este derivat din faptul

cE

arnorsarea sa este determinat6 de rezistoarele externe Rr gi Rz.


TUP-ul are calitdii deosebite comparativ cu un TUJ la funclionarea sa intr-un
o.scilator de relaxare pentru comsnda tiristorului: rezistenla sa ?n saturatie este
mai micS (c6!iva ohmi), timpul de comutare directd este numai de cfiteva zeci de
nanosecurl0e.
El suportd o tensiune inversi anod catod mare (40 + 100 V) gi poate
iunc{iona la tensiuni de alinrentare mici.

celule fotovoltaice, care transformd energia radialiilor opiice

electricd, cum ar fi spre exemplu celulele solare,


- electroluminescente, care transformd energia electricd
cum ar fi diodele fotoemisive sau laserul cu semiconductor.

Funclionarea primelor

doui categorii de

in

in radialie

ca

energie
opticd,

dispoziti',re optoelectronice

semiconductcare se bazeazd pe procesul de generare a purtdtorilor mobili stlb


acliunea radialiilor, proces clunoscut sub denumirea de efect fntoelectric intern.

Dacd fotonii au energia mai mare decf;t ldrgimea benzii interzise

semiconductorului (h,, > Ae), atunci unii electroni din banda de valenJS, absorbind
energie, pot trece ln banda de conduclie, form6ndu-se astfel doi punetori de
sarcin6 mobili; un electron in banda de conduc{ie gi un gol in i:anda de valen}d.
Ca gi in cazul dispozitivelor cil efect fotoelectric extefn, acliunea radiaJiilor
asupra dispozitivelor semiconductoare fotcldetectoare este apreciatS cu ajutorul

noliunii de sensibilitate, care se definegte prin variafia unui parametlu (ex:


conductivitatea) corespunzdtoare unei variatii de flux luminos (sau iluminare)
egale cu unitatea. Deoarece sensibilitatea variazd cu lungimea de undd a
radialiei, practic se utilizeazd caracteristica spectralS a dispozitivului, aare
reprezintd varialia sensibilitdlii in func{ie de lungimea de undd.
Funcfionarea dispozitivelor electroluminiscente se bazeazd pe procesul de
recombinare radiativS a purtdiorilor in exces dintr-un senriconductor. C6nd un
electron din banda de conduclie trece pe un loc liber (gol) din banda de valenfd,
adici are loc un proces de recombinare, se pune in libertate o cantitate de
energie, ce poate fi cedatd relelei cristaline, sulr formd de caldurd sau poate fi
emis6 sub formd de radiatie luminoasd-

capitotut

6. ALTE DtSpC)ZtrtvE sruic;oNts'cToARE CU joNCrMNt

CAPJTOIUIT,

USPANNVE SEMICOI\IDUCTOARF OPTAF-LECTKONICE 165

umil

o
"*
l'.\LJL_/.'l
t------l

Raportul dintre nurndrul de recornbinAri radiative gi neracliative este mic la


germaniu gi siliciu. El este rnare la anumili ccrmpugi din familia Ga As, care sunt
util izali cu precddere la construc{ia diodel or electrolumin iscente.

*L -

.\,

"li',

| _'F _r

7.2

I
q.
c[so

FOTOREZTSTENTA

Fotorezisten!a este constituitd dintr-o peliculd policristalini de material


sorriconductor depusd pe un suport izolaior gi prevdzuld cu doui contacte la
extrernit6li. ca material semiconductor se folosegie seleniul, sulfura de cadmiu,
sulfura de plumb etc" DupE depunerea peliculei, ansamblul se inchide intr-un
inverli$ de sticld pentru protectie.

Fig.7-2
Constructiv, fotodiodele sunt introduse in capsule metalice sau din rlase
plastice, prevezute cu fer"eastrS transparentA in zona joncliunii p-n. Sensibilitstea
fotodiodei, definitd ca raportul dintre varia!ia de curent gi mirimea fluxului
luminos ce provoacE aceastd varia{ie, este functie de obicei 9i de pozi{ia fluxului
luminos fa!5 de jonc{iune"
Caraeteristica spectrald a fotodiodelor, oare reprezintd curba de varialie a
sensibilitdlii in funcfie cle lungimea de undd a luminii irrcidente, are maxirnul
deplasat in domeniul rogului gi infrarogului, sensibilitatea pentfu spectrul vizibil
fiind de aproximativ 50-75o/o din sensibilitatea maxim6.

7 4. FOTOTRANZISTORUL
Fototranzistorul are o structlrre asem6neioare cu aceea a urrui tranzistor bipolar a

cdrui jonctiune baz6-colector

Fig. 7-1
R5,

[/lontala in circuit in serie cu o surs6 <je tensiune gi o rezistenJd de sarcind


ffotorezistenla igi solrnba!_valogreq rezisle-n!ei electrice in functie de fluxul

luminos/care cade pe suprafala sa activd. La

o variatie bflusc5a

funcliongi::-4-.-_c.a._-f_otodig-da,

joncliunea bazd-emitor

av6nci rolul de a amplifica totocuiEntui pliiirnttrffGAili-eiectului de tranzistor. Ca 9i la

fotodiodd, structufa fototfanzistorului se incapsuleazd cu o fereastrd frontald


transparentd la luminS. La majoritatea fototfanzistoarelor contactul bazei lipsegte.

iluminarii,

con-cefiiatia puddtorilor in semiconductor variazd destul de lent, fotorezistenta


avOnd o inerJie relat.iv mare (1-1Oms). De asemenea sensibilitatea fotorezistenlei
scade in timp, variind totodata cu temperalura.

7 3. FOTODIODA

virlrrl

Fotodioda este o jonctiune p-n polarizat* in sens invers, al cdrei curent este
conlrolat prin intermediul perechilon electroni-golur'i produse prin absorbtia luminii
irt interiorul pi in vecindtatea iegiunii de tianiilie a joncliunii. " '--':-'- -""'in lipsa luminii, prin circuit trece cuieiitui ,invbrs (de saturalie) al jonc,tiunii,
oafe este nr"rmil "curent de iniuneric", de ordinul rnicroamperilor la fotodiadeie cu
llcrrnaniu gi de ordinul nanoamperilor la cele cu siliciu.
srrtr ac;]iunea luminii se genereazd purtdtori care mdresc curentul prln
Ionctiune pAnd la valori de sute de microamperi
|60

c a pitolut 7, D I S POZIT I V E

EM tCA

N D U CTO A R

E o pTO ELECTRa x

dr

Fig. 7-3

in lipsa lurninii, fototranzistorul este strf,bdtut de curentul de intuneric:


lcr=c=(13i=+

1)

lceo

(7.1)

corespunz6tor conectdrii cu emitor ccmun gi ctirent de bazi nul.


capitatu| r.

otspozrtvrlEMrcoND

iCE"-1Tf

Valoarea curenlului de intuneric este de (Br + 1) ori mai mare decat in cazul
fotodiodei cu acela$i curent lq:86. dar acest dezavantaj este compensat cle
cregterea puternicd a sensibilititii, care ajunge la valori de (1 + 10) pfulux.
Inerlia fototranzistoiului este Inai mare decSt a fotodiodei, ajung6nd la
intSrzieri de ordinul zecilor de microsecunde.
Fototranzistoarele, ca gi fotodiociele, se utilizeazd in inslala{iile de automatizare 5i
telecomandd, la cilitoarele de cartele perforate. in releele fotoelectri<;e etc,

Ca o aplicalie a dioclelor fctoemisive, mentiorrdtn indicaloarele cifrice cu 7


segmonte. Fiecare din cele 7 segmente constiiuie o dioda fotoernisiv5, cele 7
diuJe avdrrcl substratul comun (care joacd rol de catod). Arrozii sunt legali la
terrninale sepafate. Cifrele de la 0la I se oblin prin aplicarea tensiunilor de
polarizare pe anozii corespunzdtori segmentelor care inira ln conturul cifrelor
fespective.

alt6 aplicatie imporlantS este fotocuplorul sau cuplorul optoelectronic,

oblinut prin asociefea unei diode fotoemisive

cu un

element fotofeceptor

(fotodioda, fototranzistor), uti!izOnd lumina ca suport al irrfcrrma{iei.

Aoest dispozitiv perrnite sd

DIODA FOTOEIVIISIVA

se oblind o izoiare electrici perfectd

intre

circuitele de comandd qi circuitele comandate ale diferiteltlr instalatii industriale.

Dioda fotoernisiva sau eiectroluminiscenla (LFD = l-ight Emitting Diode) este o


joncliune p-n polarizatd in sens direci, care transformd energia electribe in energie
lutninoasd (monocrornaticd) in rnod direct. ln claz-ul siliciului 9i germaniului, energia de

a purtdtorilor se degajd practic doar suhr formd de cildur, nefiir"rd


posibilS oblinerea unei radialii^ Jonctiunile din GaAs gi Ga(Asp) conduc la
re:corrrbinare

recclmbjndri radiative in nurndi rnare. Cdnd o asttel de joncliune este polarizatd direct,
purtatorii minoriiari injectafi difuzeazd in regiunea neutr6 gi se recombini cu puntdtorii
maioritari, d6nd nagtere la radialii lunrinoase. Lungimea de unda a radiatiei este
functie de materialul cristaiin utilizat gi de nrodul de dopare.

APt"rCATll

7.6.1. RELHLI ACTIONAT DE FASCICUL LUMINOS

tr

p---*

CI"-:F-*

l-**{

Fig. 7-s
Figura 7-5 ilustreazd ull asemenea feleu. Tranzistorul T este in serie cu un
releu de o.c" Releul este atras cend un curent de bazi suficient este aplicat in

Fig.7-4

de ldlirnea benzii inteuise a semicoiiductorului gi cle impuritdtile


- in funclie
folosite
se poate obfine o radia{ie lurninoasd a cerei caracteristicd

sa aibd

maximul situat la o anumitd lungime de undd, de exemplu in domeniul rogului

sau verdelui:
2" - 600 + 700 nrn pentru rogu
2" = 500 + 570 nm uentru verde

Construciiv, dioda fatoemisivd se compune din joncfiunea p_n de cca


(0,5 . 0,5) mnrz, aplicatd prin aliere pe un suport metalic d"
1 mmi.
"",fiind introclus intr-o
Jonc,tiunea este prevdzuta cu doud fire de iegire, totul
capsuld din material plastic astfel reallzatd, Tncdt lumina se fie emis6 intr-o
singurS direclie (fdrE reflexii inierioare),
168

Capitolul

pAZ

T|VE

s EA4 tco N

Dt-tcrOnne cSpfO rJ-lCfRa

rrltCe

baza tranzistorului.
Fotorezistenta este in serie ou rezistorrrl R2 gi combina,tia apare ca un divizor
de tensiune.
Cdnd lumina nu cade pe fotorezistenlA, fezistenla sa este mare, iar cLlrentul
in baza tranzistorirlui nu este cei neoesar pentfu atragerea 1eleului. Atunci cdnd
lurnina cade pe Rr, rezisteflta sa descregte suficient pentru a permite urlLli curent
de bazd sd ciirgd spre tranzistor gi ca urmare sA actioneze releul de c.c.
Dioda pusd in paralel cu releu! suprimd v6ffurile generate canc! feleul este
eliberat. Cu acest aranjament de circuit, reieul este atras la o cantitate suficientd
de lumind.

C a nit t'tl u

l7

D IS

POZ

l TI

V E SF/I,//COA/DUC

IOARF

O F T O E LE C T RA N I C

-1

6e

tranzistorul T este saturat prin curentul de baz5 aplicat de Re

7.6.2. TUROIVIETRU

Un fototranzistor LST poate fi folosii pentru a inregistra mi$cafea de rotatie.


Un astfel de aranjament de circuit este redat in figuna 7-6.
element
mtatir"

--4
r

t*

lloui

rsni[T

IJL

rlffia da

\ ifr \ lurim

\+\ *

\\

biger

L-

Sensibil la Lumind) este foarte Inare $i ca urmare perrnite condensatorului sa se


incarce n0rmal.
C6nd K este deschis, T esie ldiat. Tranzistorul fiind blocat, un curent curge
prin Rl spre LED. LED-ul fiind "on" face ca fototranzistorul sd prezinte o foarte
tensiunea de pe C lotdeauna

il descarca pe C. Cu aceaste configurafie,


va porni de la zero volli pentru sincronizarea

pr"opus6.

(l

$chmitt

sursa de tensiune

mic5 rezistenle gi prin urmafe

-c"r

/.zl.} r..t

ti

V. Tranzistorul T fiind saturat, nici un curent nu va trece prin LED-ul intern al


oplocuplorului. in lipsa luminii de la LED, rezistenla fototranzistorului (Tranzistor

,I

Fig. 7-6
Elementul de fotatie poale fi un arbore, o lame $i a$a mai departe. O folie
feflectorizantd esie aplicatS pe arbore aga cd sursa de lurnind este reflectate cel
pulin odatd la fiecare rotblie spre fototranzistor (Light Sensitiv Transistof).
Pulsurile de la fototranzistor sunt trimise spre un trigger Schrnitl, care le
formatizeazd ca undd dreptunghiulari. legirea trigEerului este aplicatd la intrarea
unui contor.
Valoarea indicata de aparat este egal& cu f.C1.V {considerdnd C2 = C1), unde
f este frecventa pulsurilor de la triggerui $chrnitt, Cl valoafea capacitorului de la
intrare, gi V mdrimea r1e vdrf a pulsurilor de tensiune generate de trigger.
7.6.3. DESCARCATOR CU CAPACITATE

Fig.7-7
Figura 7-7 aratd schema principalS a unui sircuii, care rjescarcd un capacitr:r
la intervale de timp alese.

Circuiiul de temporizare const6 din capacitorul


comutorul K este inchis, tensiunea pe

C gi rezistorul R.

CAnd

cregte. Aceastd tnsiune este folositd ca


iriggerizare pentru iemporizaior. Cornutatorul K filnd inchis,

o sursd de
t /u
capitotut 7. DISPOZITIVE

SEIilJCaNDUCTAARE OPTOELECTRONTCE

Capitotu! 7. DtSPoZtTtVE SEMICONDUCTaARE OPToF-LECTRONTCE

--m

in intervalul de timp in caie


pozitivd,
porlii
este direct polarizatd prin R6.
dioda
este
de
control
a
Vc
tensiunea
Tensiunea de iegire Vo este egale cu cdderea de tensiune directd pe diodd, care
este influen{atd numai slab de tensiunea de semnal Vs. Pe de altd parle, c6nd
tensiunea potii de control este negativ6, dioda este polarizatd invers 9i conduce
Aga cum se poate observa din figura 8-1 a,

Capitolul 8. CIRCUITE CU DIODE

slab. Deci, pentru frecvenfe joase la care capacitatea joncfiunii prezintd o


admitanld neglijabili, tensiunea de semnal apare la bornele de iegire atenuatS
prin factorul Rs/(RG+Rs) gi depiasati cu - V Rs(Rs+Rc). Dir:da din acest circuit
funclioneazd ca o poarti in sensul cd ea determin5, prin comanda lui Vc' ca
tensiunea cie semnal sd apard sau nu la bornele cie iegire.
Se poate utiliza un model de semnal mic pentru a determina componenta de

Din punct de vedere al analizei circuitelor, principala tfdsdtura care apare in


toate aplicaliile circuitelor cu componente electronice este natura lor neliniard.
Ca urmare studiul circuitelor electronice diferd de studiul circuiteloi care conJin

semnal a tensiunii de iegire in fiecare din cele doud .stdri ale portii. CAnd
tensiunea de control Vc este pozitivS, dioda care este difect polarizatd, poate fi
caracterizatd pentru componeirta cle semnal mic (vezi Fig. 8-2.a)

nurnai componente pasive liniare, in principal prin tehnicile gi punctele de vedere


tutilizate pentfu a trata cornponentele neliniare.
Diodele cu jonctiuni semiconciuctoare reprezintd cel mai siniplu caz dintre
componentele neliniare de circuit cu doud borne. Degi diodele nu sunt dispozitive
active 9i sunt incapabile de a funcliona ca ventiie de comandd, caracteristica lor
electricd este puternic neliniard.

8.1

PORTT CU DtCIDE

Marea diferentd intre stririle de conducfie directi 9i inversi a unei diode face
ca acest dispozitiv sa fie folosit ca un intrerupetor controlat electric in prelucrarea
semnalelor.

Fig. B-2
printr-o rezistenli r
KI

nl
Y'D

(8.1)

in care le reprezinti cureniul continuu prin diodd, el este aproximativ


\r'

lu

=,

nl-

{s.2)

Sursa de tensjune care furnizeazd lensiunea de contrul a por{ii esie inlocuitS

cu un scurt,nircuit, intrucdt in aceastii stare surss dd a tensiune cu componenta

Fig.

B-1

Capitolul 8. CIRCUtTE CU DtoDE

de semnal mic nul.i.


CAnd tensiunea de,L;r:ntrol este negativa, ct iotJa poate fi caracterizat6 pentru
con'r'ponentele de sermnal nilc ca o cap,acitate cie v'aloare C, ([-ig. 8-2. b).in acest caz,
tensiunea cie iegire l:otal6 esie superpozilia componerrtei de semnal mic determinatd
din acest niodel de semnal mic $i cornt)onenta de curent continuu - VRs/ (Rs+Rc). La
Capitolul B. C:IRCUITE CU DIODE

1t3

lucrul moioareior sau alXor traduc;toare rle iesirer. lt't Erntgndnui cazrrrile, {:rnot0la
ob,tiriurl* de la telea ptin convor,!;ia r:urr+nlrrlrri
allernativ in curent continuu.
Diodele, cu comportarea lor uuidlrec;lionaiir, pot li r.rtili:ilate in ucesl pror::r,s rIr

l[ccvorrlo joas;e, cornDorrenla de senlltai mis esle apioxin]stiv egale cu Vs, iar forrna
i: rrrrt"lr.l lu iesire esle ileei aratatS in figura B-'1 .b.

de curent continuu poate fi

if

l,;ntnt:niul ,1e valtrri al lui V5, pelltru care circuilnl funciioneazi ca o poart5
t:slo, tlcsi,c;r.rr, IilTiitat. Dac& i,/s ia o valoare poz;tiv6 prea mare, ea face ca dioda
sir r:r:rrclucd ciincJ ar tt-ehui *qd fie btoc+:tii, in acest fel tiirrd valofile pozitive
e.xtrcrTle ale Lrnclei de sfininal. LlacS Vs are c valoare negative prea mare, efi
f a,rce r;n <lit-:Cla sii fie i.ilocata ;ilrrrl ar trebui s,{ ficndusA, permi!*nd sd treacd prin
p,<.ret11A extr."rrnele negative, atunci cdrrd poarta ar trebui sE fie inchisd.
Circuilril ptlartd;Lrezerltal irr figura $-1"a afe dezavantajul cd tensiunea cle
ie:iire e,$te cfiferitd rle i:eri: c:drrci poaria e,sle [iesohise, devialia fiind propor{icnalS
cri lensiunea de contrr:l a porNii. A.c*ast6 devia{ie poate fi elinninati pdn utilizarea
unul circult echilitrral de qenLii celui !luttrat in fiuura B-3,

convefste.
Cel mai sirnpiu circuit practic cie con'versie a p:uteriri estr,r ilusitrert in firrrrra &-4,. il.

-+
+
F

H"g

Fig. B-4
/A

i7 Acesta este un redresoi-

Fig.

monoaltei.nantii.
Funclionarea sa cu o tensiune
ginurrnidald e$te il Lt${r"ati; in 11ral'lr,:irl
'Je iiitrare
Vq,Vl = f(t), unde rliocla este rnoCelatil
g:rintrcr ciior.iS ideald iiniai-ir po I.rorlirrrrr
Cdnd tensiunea sinusoidald a surst'ri e-<rt) p0titivd iJiorJel cclndrrc:er idi lr:rlsi9,rtc1
lii
,
bornele sarcinii este egalE cu iensiunera sursei. Ciitlrl ten$iurlea i$uls$i (. litcr
negative, dioda este nlocatd, iarl.erisiL;nea ce la borneltq sarcinii ri.)ste zrgrc.r,
Astfei, tensiunea in sarcind urrnaregtr-" tensiLinea cie intrarr,:
,pe o.juqtlil{.116 il
perioadei 9i este 7-ero pe cealaitE
.ir.inrdtal:e a 1:rel'ioatiei. Com;:on*nt;t (lo c;Irr(rrr,,
continuu a tensiunii de sarcinb este ; valoalea rredie a fc,rrrei
de rJil(lg lras;,rt* r;rr
iinie continr"rd grr"ras6. Decl, tensiuilefr de curent oolltinuu de,sarcinfr r.xrte:

ts-3

ftacd diodelc+ su'lt identl{)s, tenslunea de conirol Vs nu procluce o teilsiune

Ia

c0nrl Vc este pozitivd, toate cele patru rJiorJe sunt dir"ect


polarizate; deci senrnaiul este scurlcirr;uiiat rle puniea de diode gi nu apare la
iiornt'le de iegire. Pe de alt;1 pari.e, cfind v6 este negativii, loate oeie patru diocle

lrcrrnele cie iegire.

$iinl inver.s polal'izerte (dacd Vs are lilnite corespunzdloare) gi vs

apar"e neatenuat

la ie$ire.

.
\/ ('r
V- . .- --.: lr SIh i: d[]
in Jr

\l

=,

-In'
i.

{8 3)

unde Vo, este valoarea de vArf a tensiurrii ai,tern;lii\fe


de lil intrare, Cornpcrne,nta
corespunzdtoare coniirlud a cureritului ciin rez:{stoii.il rCe
serirrinil este VsslRs, urrcie
R1 este rezisto|ul de sarcind. Astifei culentul continrru
din reaisioi.ul ,:ie srr,r"cinS

s>l E.

8.2 CIRCUITH D[

CCI\IVHRSIN A PUTERII

Existil in sistenrele ingin*reqti rnuite nircuite de conversie sau redresare a


crrrrr|ililor lrlternativi in curenJi ccntinui. De exr:mplu, cel*o rnai multe circuite
olr.rolrorrir;e actiire necesitS sunse rie curent continuu. De asemenea, multe
sitlltlttte de control eleciron-rercanice utilizeaai energia curentului continuu peniru
--'
'',i' t t
It t
Capitalul E. CIRCUITE CU DIODE

Itm

Dacd sursa de curent afternatirv pt"ezifit&

{8.4)

(]

aprc.ciabii,ii rtr:::itieritdi

intefiid,
snaliza redresorr-llui motlsallernunt& treiruie s.i fie. rnorJifiuatd
lu6nciu-sre
irr
consicleralie cdderee de ierisiune pre aceasti
rezisient* in{erna. Un circuit car.t+
capitotut a.

uncitrr-cn nt'ofir -***-*

j'i:t

include rezistenia sursei, qi formele corespunzdtoare


de undd. sunt arfitate in
figura 8-5.

vs'\t

intrucAt nu circuld curent pAnA ce V5 alinge valoarea Vo, intervalul de


conduc{ie este intrucdtva micgorat. Desigur, amplitudinea tensli"rnii de ie$irc este
mai micd decAt amplitudinea iensiunii de intrare, cu Vs.
Redresorul monoalternanld iiA o tensiune de iegire cu c) oomponentd
apreciabild tie curent alternativ de acelagi ordin de mdrinre cu componenta dorit&
de curent continuu. Un circuit eeva mai complicat, nunrit redresor dubld
alternaniS, dubleazd componenta de curent continuu a tensiunii ,Je iegire, fdri a
cregte excursla varf - v6rf a tensiunii de la intrare.

Fig.

B-S

a fost morleratd printr-o diodd icJeara riniard pe por.!iuni. Efectul


fezisreniei sursei esre de a reduce tensiunea de
ra iepire printr-un factor R1/(R1- +
Rs)'
Dioda

in mod .oruupun.btor,

componentere de curent continuu are tensiunii gi


curenturui de ra iegire vsr fi reduse, ta|5 de
vafsrire stabirite anterioi, prin aceregi

cand circuitele de redresare sunt utllizat(} pentru


a olriine lensiuni reletiv mici
continui, este necesar a forosi un moder tJe
diadi care sd ia in considenatie
cdcierea de tensiurre in_sens erirect pe diodd.
Diodere cu siriciu
t-;;;;- I;
prag de 0,6 - 0,8 v. Astfer, este necesar
"
de a rua in consiceralie",
JcJJprag
canc
amplitudineatensiunii arternative este mai nric&
cre 10V. un moder care sd ia in
considera{ie cdderea de tensiune directd pe aceastS
diodd consiclerg dioda ca
fiind. repreeentatd printr-o diodd ideard rinrara pe
porfiuni in serie cu o tensiune
continuS a cdrei vafoare, Vp, este tensiunea
ele'prag {.vezi Fig. 8,6).

Fig, 8-7

Ik"v
t-;
frlritelnl diadei
E,r

Fig. 8-7 b
Fig" 8-6

in figur^a 8-7.a este redatd scherna principial5 a unui retjresor dubid-altemant5,


utiliz6nd pentru a furniza tensiunile alterriative necesare un transfonnator cu rlrizd

medlane.

1'75--*****-

Capitatut B. C!RCUiTE cU"

A1nE

Capitoiui 8. llRCUlT'E CU DtALIE

4-77

Transtbrnratorul dln acest circuit necesitd o prrizd medianE in secundar

pe nLru

a produce doud tensiuni sinusoidale v1 gi v2, care sunt egale in ampliturline


derazirte cu 1S0". adicd
v:(t) = - vr(t)

Tn jumiiatea de perioade in care vj e$te pozitivd, rlinda 1 cclnduce. Dace


diodele pot fi rnodelate corespunzdtor, prin diode ideale liniare pe porliuni,

tensiunea de iegire vr este egalS cu tensiunea de intlare in intervalul de jumitate


de perioadA in care vj esle pozitivd, iar dioda 2 este blocati. in timpul celeilalte
iurnatali de perioadd, crncl rr1 esle rregetivd gi v2 este pozitivd, diodn ? conciure,
iar tensiurnea de iegire urmdregte pe v2. cornponenta de curent continuu a

curentuiui din rezistr:rrul de sarcind este de doua ori mai mare dec8t ia un
redresor rnonoalternanid, care lucreazd cu aceeagi tensiune de intrare elternatirrd
$i acelagi reristor cle sarcinS. a<licd:
5\l

nK.

8.3. FILTRARFA ChIDULATI ILOR

gi

Ca surse de curent continuu. tclate eircuitele de redresai"e sonsiderate p6nd aoufil


sunt inaclecvate intruc6t tensiunea de ieqire prezintd onduldti. Altfel spus, tensiunea
clin sarsini are o cgmponent5 impofianti5 cle cufent aiterniltiv {iuprapusd peste
componenta doritd de curent continuu, Formele cte undd arat6 cti valoarea viirf la v6ff
a componentei alternative tiin tensiunea de iegire este egaiA cu valoarea de v6rf a
tensiunii aliernative de intrare (diodele ideale).
in aplicafiile in sare se cere curent continuu f6rd ondulalii este necesar a modifica
circuitril astfel incAt corTtponeilifi de cureni allernatiir sii-gi reducd valoarqa.
Circuitul utiiizeazd o capacitat* pentru a reciuce componeilta de curent alternativ
a tensiunii de ielire pentru un redresor nroncalternant5.
vc,U

/a 4\

F Aceasid tttilizare a ambelor faze ale tensiunii de intrare poate fi realizaid f*rd
trsnsforrnator cjacd se foiosesc patru diode" circuitul se nurnegte redfesor dublff
alternanld in purrte (figura 8-8.a.)

Fig. 8-9

ab
Fig. 8-8
C6nd Ve este pozitiv5, diodele 'l gi ? conduc, iar ciiodele 3 gi 4 sunt bNocate.
Astl'el, borna de sus a rezistc,rului de sarcirrd sste conectatd la borna oe su$ a
sursei, iar tensiunea rlln sarcln& urmdregte tensiunea de intrare vs. pe de alt6
pade, cAnd Vs este negaiirrdi, diocleie 3 gi 4 conduc, iar diodeie ",1 gi 2 sunt
biocate; borna d{; sus a sarcinii esle conectata la borns de ios a sursei. astfel ca
tensiunea din sarcind ilrmfiregte Fe -Vs.
178

Capltalul B, CIRCUITE OU DI2DE

Coildensatorul se incarcd ciitre v*rful tensiunii de la intrare V,r' prrin diodd 9i


se descarcd pe neeisiorul de sarcin6 in interuaiul c6t dioda este blocati. Aga cunr
rezult6 rlin forrnele de und5r reprezentate grafic, dioda concJilce nurnai o mice
fracliune dintr-o jurn$tste de perioadd. Dioda incepe iar si conduca (tirnpii t6 gi
t2) cAnd tensiunea alternativd crescituare de la inirare egaleazd tetrsiunea
descrescdtcare, exponenXialS, de ia bornele grupuiui RrC, gi trcce ln blocare
ilimpii t1 Si t3) cand viteza de schimbare a tensiunii de la intrare devine mai

negativii decAt viieza la care tensiunea din sarclni desfiregte ca rezultat al


descdrcdrii capacitorului filtrului prin reeistorui de sarcinS.
Dacd consianta de timp Rle care determinE c*derea de tensiune din sarcin6

este n'lare 'dn cr:mparafis cu perioada tensiunii de la intrare, interyaiul de


ccnduciie

At=tr-to

(8.6)

este rnic tn *ompara{ie cu perioada T"


Capitaful 8. C|RCUITF CLJ DIODE

-"---.*--T7S

cornponenta alterrrativd a iensiunii de iegire se poate caracteriza Tn funclie


de arnplitudinea ondulaliei vslf la varf av. Desigur cu cat sunt mai mici valorile
lLri av, cu atet va fi rnai mic iniervalul de conduclie at. ondula{ia poate fi redusi
prin sregterea constantei de timp R1c, *dicd prin scdderea vitezei de descre$tere
a tensiunii din sarcind gi prin scdderea duratei intervaiului de conductie.
Un calcul aproximativ al arnplitudinii nu este ciificil. $e llresupune cd intervalul de conduclie At Pste negiijabii in comparatie cu periaacla tensiunii de intrare
(8.7)
(1-)

In acest caz, durata cdderii exponenfiale a iui V1 este aprcximativ egald cu


v; la inceplitul lnlervalului de ciidere este aproxirnativ V,,,,
valoarea de varf a t-ensiunii alterrrative de la inlrare, gi deci putem scrie:

T, iar valoarea lui

/'r\'

aV=V-11..exp-'
''
'

{B B)

R.C/

'n

.=

2A$

cb{inem:

x.t * x'

.-.

--+.

11 2!

(s.s)

3!

I
rv=v*" R,C

ior-At=lr.T

R, = -l-o-Y- = 2oo
SUMA

T
top--l,.ai

/a 4a\

$e estirneazd intervalul de concluctie at observi?nd cd acest interval incepe


c8nd tensiunea sursei rle crirent alternativ este mai micd decat v, cu av gr se
sfArgegte (aproximativ) cAnd tensiunea sursei atinge V,,,. Astfel:
a v = V- * v,,. sin

[;

AV

._:

filtru

--

ri

,= '! -- COS ru

= v",f r

oos

.A t

{]l

^tl

(B 16)

(8.1 7)

Cum:

c'e X=, - :1o:1 * f': -.....


2t 4l s!

(8.18)

pentru 0r.At foarte rnic, putsrn scrie cu suficientd precizie;

(8.11)

Perioaria este

(8.14)

unde 11 reprezinti curentul continilu din sarcind.


Astfel:

in piactici sunt cerute valori mari ele capacitdlii pentru reducerea satisfdcdtgare

capaciiiv care iucreaz5 la 50 l-lz gi care trebule sd dea o lensiune continud de iegire
de 10 v la Lrornele unei sareini rezistive, gi un curenl de s0 rnA. se doregte ca
valoarea ondulaliilor varf la vdrf sd fie mai mici dec6t 0,1 % din tensiunea continud de
iegire, adicii 12 mV. Ge eapacitate este cerutd uentru filtru?
Rezisten{a de sarcind este :

(8.13)

sarcine, cerirtd mai sus" da:

(8.10)

a ondulatiilor. sa considerdm, de exemplu, un reclresor monoalternant5 cu

1C0,000 irF

De cibservat cd vaioarea cufentului de v8rf in dioriE trebuie sd fie de mulie


ori mai rnare deaat curentui mediu din rezisten.ta de sarcinfr. Toatd sarcina
descdrcatd din condesator in tinipul cat dioda este blocatd (apfoape o perioadd)
trebuie si fie inlocuitd ln timpul ei*t rlioda cront.luce, At. in cazuri bbigrruite, in care
ondula{ia esle rnicd se poate face o estimale simpli a anrplitudinii curentului de
incdrcare care trece prin diod6. se presupune cd curentul in dloda este
aproximativ constant in intsrvalul de incdrcare At gi sd il notdm prin inr. ?ntrucat
curentul prin sarcind este sproxirnativ con$tant toatd perioada" conditia cje

sau, intrucat constania de timp Rsc este rnare in compara{ie cu T gi


fnand cont
p*ntru cazul gsneral cd avem:

^x - ntE

l'=

1,0.10.''

Ges

r,:.A

t=1**.(r,:

.a t)2

{8.

e}

gi deci:

-2'n'1
orf50

=20ms

Valoarea canstant*i de tinrp trebuie s6 fie de minim 103 ori mai rnare deciat

;:erioada. Astfel, valoarea rninimd a lui C este rJatd

AV

a).At=

:-;--

(8.20)

Astfel, curentul de vdrf pirin dioid se aploximeazd prin:

cJe

Z.n

R1C=20s
sau

-iE6--*
Capitalui 8. CtftC!.JiTE CU DTODE

'UP

(8 12)

'L

f---

J,

AV

xv-

(8.21)

' la'-*

Capitalui 8. tIRCUITE CU tJtODE

*-"._-----t?T

[)or:i, c:urentul diodei or'eEte pe ir]asurd ce valoarea ondulaliilor relative se


ldicii la rralori rnari ale ca;lacitfrtii.
f 'r:rrtru r:rxernplul numeric considerst, intervalr.li de conductie este:

I 4. FROI[:C IARIA Rf i]ft|:'{i*ARHLOR CU FILT'RU CAPACITIV

n j{lu('(,,

co.at=-# ,laj= 4,8 10-2

$r
Kn* " {i

1.3
l,m

l1

st;

s,T5

t,$

radiani=2,6'

curcntul de varf prin dioda care corespunde curerttului prin sarcin6 de s0 mA

gl;tc:

s,s
s,;rl

irrr = 5.

rc, .-;;+:;=
4,5

10

1{l{l{}
nft&
'eRLc

7,0 A

tJegi onciulaliile, intBrvalut de ccncluclie, curentui uje v6rf al cJiodei au fost


fi adaptate pentrLl
circuitele d ublS alternantd.
intrucat circuitele dubia alteffianlg utilizr:az.d dou6 faze ale tensiunii
*lternative cle intrare, tenslunea de ieqire va pulsa cle doua ori rnai repede
(pentru acc,,ea[:! frecvenld cle intrare) clecdt in cazul redresdrii me;noalternanlri. La
fel capncilfltea fittrului se va incdrca de doud ori in fiecare grenioadd. Ecualiile
stabilite pot fi adaptate la circulteie dubld alternan{d prin silnpl.: iniocuire a tLii r
cu TiZ. La fel factorul 2;r va fi ink:cuit cr"r rr. insearnnd cd reducerea onclLllatiei la
ttn nitrel prt,'sc;ris cere nurnai jur"rrdtate din capacilatea filtrului care ar fi trebuit sd
fie utilizatd ipentru aceeagi rezisten!* de sarcini) intr-un circuit de rerJresare
rnonoalternanlE. La fel, freiltru aceeagi ondr"rlalie relativS a tensiunii, curentui cie
vrlrf al diodei este niirraijurndtate rjin cei dintrrun circuiL ninnoalternantd.
Aceal;td eiscutie a filtrdrir tindutaliilor din sursele de alimentare rr piesul:us r.d
diocele pot ii modelate ca elemente ideale liniare pe po(iuni, oare nu arj cdrjere

calculale pentru un reijresor monoalternanJa, calculele pot

rle te nsiune pe ele.


Dacd tensiunea de iegire continuA e.ste mai rnica decet circa 'i 0 V, cddelea
cie tensiune de la bornele diodelor devine o fracliune irnportantd dln arnplitut]irrea
tensiunii de intrare gi deci nu niai poeti fi neglijat6. AceastE cddere de tensiune
in sens direct sau lensiutie cle prag esle ugor cie calculat in acele circuite in care
filtrul preaintd o capaciteia rle intrare cate se incarcd,
Dacd nrodelArn cJioda cu ajutorul unei diode icteale liniere pe portiuni Tn serie

cu o tensiune fixa, egald ln valoare cu tensiunea de pr;ig, analiza circuiiuiui


ciiferd nun'lai prin aceea cd tensiunea de v&rf la care se incarci concjensa.iorul
este mai micd decit arnplitudinea tensiunii alternative cle intrare cu valoal'ea

tensiuriii de prag. Astfel, amplitudinea tensiur"iii alternfrtive trebuie


ntale dec;lit tensiunea continud darit* cie iegire cu te!.isiunea de prag.

si iie mai

].&80

mrlltrC

i:ig" 3-10
Fiinrl date mdrimile Rs, Vi,. V1 gi imy:un$nd un factor cle ondulalie y, s;[ill)ililoii
els rn*nlelor redr*soruiui se f ace p$rr:urgAnd uilll Stoa l"ele etape :
1. Cin diagrarfia 1= f (,:,t R.rC) se *jeterrrtind capacitatea C", ct:restrtunza:loafo
far:iuntlui de andulalie itnpus; se aiege un conderisat"ur (t1o obicei electrolilid,
auAnd cepracitatea la o valoare tiplzatd Ce : C".
?. din diugrama K. = f( c,: RsCl6) se deternrin6 c$eficientul de redfesare K,, corespirnr-fiiar prociusuli'li ;din relnlia K, = V6,^J2 se dedilce Vr = VclK, $i intruciit tertsiurtea
se obtine raparti.rl cle trans{ornrare al transformatr:rultli

\lr sste cuncscutS,

n=V1lV2

(s.?2)

3" cunnscdnd lensiun*a Vs g[ cur-entul !6 = Vs I RL se dstsrlnind puterea


ilo = Vo . lr: $i ilpoi putefea aparentd de taicui a transiormatorului $1, 'in llnc[ie de

qi rapoflul de transl'()rrllal"e n $Llnt


priircipalele dale ini{iale la p:roiectarea transfornratr:rului.
'4.^ tn func{ie de schema utilieat;I se delerrrrin* tensiunea irrversd rnaxlrni per
diocld (tabei); se aleQe o diod* care sii adrniti curentul rnediu reciresat l,o $l sA
schema utilizat&; puterea aperent6 51

aibd lensiunea invers& maxirnri

in

regirn repetiti'./, V6qs, lrlfli nrarr: decAt

tensiunea inversdr din schemA,


5. in functie de parametrul RsC6 se

'Jete

rmin6, ou relafia:
(8.23)

fi:l

Capitalu! 8. CJRCL|IT'E CU DTODE

#.pitrtrt a-"6/Rctr/r

-C

Di

al;E

sau dln grufic, curentul maxirn al dioclei iarnax, $B verific6 dac5 valoarea rozultatd este
mai micd decAt curentul direct rnaxirn de v6rf, in reginr repetitiv, al diodei alese.

!
il

Diods Zener ss al6go sstfel lncet s6 coftsspundl tenslunll dorite la iegire, iar

fi

lztr-lzr>lzu-lzt

sq
e
$

8 5. STABILIZATOARE PI{RAMETRICH DE TEI{SIUNE


CONT|NUA Ctj D}ODE ZENER.

Datorit* caracteristicii sale vcrlt-amperice (figura S-1 1), dioda Zener se


folasegte in prezent exclusiv pentru censtruclia stabilizatoarelor de tensiune
continue parametrice

Rezistenta Rr se dimensioneazg astfel incet,

cAnd

lzm.

\/ _\/
Rt';l*;.
=R''*
tz* t

(8'25)

ta,It

,i

in cel rnai dur regim,

curentul prin dioda Zener este minim, acesl curent sA fie mai mare dec6t
Acest regim se obtine cand Vr = Vr' gi lz= l:u.
Deci:

;i

(8.24)

Odatd ales R1, se verifica dacd curentul prin dioda Zener nu depdgegte lsy.
Curentul maxim prin diodd se obline peniru V1 = Vrvr,$i lz= lz*

Vis=R1(l26pa+lzm)+Vz

(8.?6)

j
Vrpj-Vr
,
!Zn,a*=--^--'-l?m

rl
t.l

'l
:t

(8.27)

Condilia pe Gare rezistenta Rr trebuie s& o indeplirteascd.esto:

'l

1266y

ri

Fig. 8,11

!rur-.lt--

= utanlul de cot de deschidere fi diodei Zener


l2M = cutentul maxim prin dioda Zenrrr pss16 carfr dio{la
se clistr"uge
r = rczilrtenta dinamic5 a disdei Zener
o dioca Zener este cu atat mai [)und cu cat are r mai mici, rrm mai Inic ai
intervaf ul lzu - lz^ mai mere.
o primd schemd a unui stabirizator perrametric este prezentare in figura B. 12.

K1

(8.28)

l2[4

12*

rzM

(8.2e)

K1

12*

*,=F;L=Rr,,n
tzM +

(8.30)

t2m

Deci Rr trebuie ales in intervatul:


R1

[R1pn1n,

R16f

(8"31)

in continuare vom stabiii performan.tele acestui stabilizator. Factorii care tind


sf, modifice valoarea tensiunii V2 (factorii perturbatori) sunl V1, curentul de
sarcinA 12 Ei temperatura 0 a mediului^
Deci:
Vz = Vz(Vr, lz, 0)

(8.32)

Flg. B-1t
Tensiunea de intrare variazd intre,. limitele

Diferenliind dependenfa (8.32) ofitinern:

V1

=V1m+V1tt
iar curentul de sarcind variaz6 iintre limitele
12

l2m

* l2[4 '

lEa"*-:-**:-*-crrvrc/t/

dv.

B.?R?trF cu orr";5p--"** --*

9Yz

6y. noo
' = -a\LDV"
At.or.' *9Ya
Ae

- -. -_-*-

Capitolttl 8, CIRCUITE CU DIODE

(e.33)

Trecdnd la cregteri finite rezulti;

nv, *- i
""'

+l

| nv, Jl;

nv" , [oY,
t

ar, Jy,=::!i

.;:l?

'o''

'av" \
* t-.^o
.Jt,,*, o

v - R,i\-l, '
(8.34)

Pe haza relaliei (8.34) se definesc indicii de performan{d:


Coeficientul de siahriliaare:

[.tv,)
-n
" ---[Tvr/,

."",,,,

l r-

v,

(8,42)

tR'-t.n-&-v--l- v.- rnRr'


v-=
' R,r-r
Rr-t r

(8.43)

Conform relaliei (8.43) vom obline urmdt'.rrii indici de perforrnanld:


(8.35)

R,+r
^U'.r-rr
=----E--:

Rezistenla internd:

* ,= fgu,)
41,lh:if,

(8.3S)

=[a!!l
\ A0 ./ v, _con.t

(8.37)

AV -R, Al" + Ku .au

{8.38)

lr...v\
'?---"r

R1

(8.44)

rv
K.----

'

(8.45)

al
r +-R.

Coeficientul de temperfiturd:

rc"
"

R.

l{.^ =_:.-

'

AV,

R,-Fr ---.:-.---:
A0

AV.

(8.46)

zl0

h:corist

Rezullii:
AV2 -=

--

v0

un stabilizator este cu ai6t mai bun cu c8t coeficientui de stai:ilizare s0 estg


mai rfiare gi cu ctt Ri gi lt suni mai mici.

Revenind

la

stabilizatorul

din figura g-12 pentru a stabili indicii

performanld ai acestuia se va considera circuitul sdu echivalent al acestuia:

de

Pentru o ,liodd Zener, vai'iafia AYz poate


AU

.-r v"--v,
V.,=R,(lr+1.)+V,
Capiialul 8. CIRCUITE CU AADE

atet pozitivS c6t gi negativ#,

irr

funclie de curentul care trece prin diodi. Reuninci pe aceeagi capsulA o diodi
obignuitd cr-r o diodd Zener 9i dacd prin ansanrblu trece un astf el de curent incilt
dioda Zener sd aibd un coefisient de temperaturd pozitiv, ansamblu este foartc
bine cornpensat termic gi se numegte diodd de referinlA.

Dacd varia{ia tensiunii qle intrare este foarte male se pclate obline

imbundtalire a coeficientului

cJe

stabilizare folosind circuitul din figur'6:

Fig.8-13

4=rl,+4

fi

FiE.8-'14
(8.3e)

Pentru acesL r:ircuit, rezistenla interni gi coeficientul de tenrperaturd rdrnAn

neschimbali
(8.4Cr)

(8.41)

faid cle situafi* precedentd, ins5 se obllne un coel'icient

de

stabilizare superior:

^"

tY,'t

\AV, l',-"o',='
uGconsr

I tv"
\.44,

"tv",l
AV2

R,

,/r.-.*n.t
\
u=st151

Capitr:lul 8. CIRCUI'TE CU DIADE

R,
rt

(8.47)

'-187'

EXET4PLU DE PR"0|ECTARE A r"JNUt STAB|LIZATOR CtJ

DIODA ZENER

Se calculeazd puterea rezistentei Rj:

P*, = (lr.,n

SI se proiecteze un stabiliaaior cu dicdE Zener care sd dea o tensiune V2 =


9V la curentul llr* * 50mA, ls,u,,, = 20mA. Varialiile tensiunii redresorului sLlnt de
x. 15ok. $e neglijeazi rezistenia redresorului.
Vom uliliza scherna din figura 8-1 5 in care lensiunea E reprezintd tensiunea
de iegire a redresorului.

* l,-,*)t

R, = (20 + 100)2,10-642.100() = 1,44W

Se alege Pnr = ?W
Se calculeazd rezistenta de iegire a $tabilizatoruiui cu relalia

"=

R"

I7. STAB!LIZATOR

25(i . 100r.)
_-_____-_-_::=
20()
25()+100(}

DE TEI'JSIUNE

Ca un alt exemplu de utilizare a rrlodelelof de cirftrit pentru trenzist$ffre, $a


proiectdm un circuit slaLriliratclr de ter'rsiune, folosil impreun6 cu recJrescirul
monoalternanle.

Fig. B-15
$e alege DZ 309 -lPR$ arrdnd: V7 * 9V, lrr** = 100mA, 1r,,,1,, = SrnA, Rd = 250.
Tensiunea redresoruiui se va lua mai rnare cje.;at tens,iunea cJe reosirg
stabilizatorului ptus varia{ia maximd +'l 5%. Se alege E * 2"V2;+ E = 2Vz =1BV
$e rJeduce cii Erux * 2S,7 V gi E61" = 15;3 V

$e calculeazd

R1,n1n,

*V"9V
_
' - n'ns __!_ = __.;
'n
l.*n* SorirA

l-a-=-L\'
^--= lL,rin zomA

Rr,nin

TU

1B0i)
FiE.8-16a

=450(:

'R,Liliex
Se calculeazd

R;ssyi

Un singur tranzistor esle conectat intre iegirea redresorului 1i rezistorul

rapod cu |T!asa, in baza trailzistoftilui este conectatd o diodd Zener. Rezisicrul


Rs asigurS at6t curentul diodei Zener cat Si cr.Irentul 'in baza tranzisiorului.

cu forrnula:

_, _
F1-'n
-

20.7V

_f---| r
u'rA(.r
^4^

sV _ 25(). 0,1A

ZbO\

--V

= iilJ

.gv

"+snnj*;ton

Se calculeazd Rrn,"* cu formuta:


R 1-.n^

15,3V
0,0054

9V

r+

?5fi
25O
lar\f

10(2

180A

Se alege R1 astfel inc8t:


'100o

77fJ<Rr<110f)
Capitaiul 8. CIRCLJITE CU

R1,

care reprezint5 sarciria sistemului. Perrtru a rnen{irre constfint potenlialul bazei, in

ACfIE

Fig. S-16b

capinu

s."dn{urr riiltr'oi,F

._---".

Irttruc0t tensiunea de iegire Fe diferd de tensiunea cons;tante ctre re{erin{d


iltttnai prin cdde!-ea de tensiurie pe jonciiunea enritor- f"razd polarizati direct, E6
esle aproximativ constant ohiar dacd rezistenla de sarcind $i tensiune.a
allerttittivii de intrare variaz6. Varialiile tensiunii de iegire a redresorului sunt
preluale de cdderea pe joncliunea calector^ului, polarizatd invers, pentru o
proie0tare c;ornpletd. trebuie alese valoriie corespr-rnzdtoare pentru tensiunea
diodei Zener gi pentru Rs,

Pentru orice valoare finite a lui Rs, va exista un curent prin Rs gi prin
jonctiunea etritor bazd a tranzisiorului. Astfel aceastd joncliune va fi polarizatd
direct. in ar:elagi tirnp, cdcierea rje tensiune pe R5 asigurd polai'izarea inversa a
jonctriunii colector-bazd. in circuitul echivalent, redresopul monoalternanla a fost
inlocuit cu o s;ur-sd de tensiune El gi o rezistentd R1. Rezistenla Rr reflect& faptul
ca o cregtere a curentului de sarcind determinii sclderea tensiunii rnedij re

Presupunern ce incercdm sE proiectdni o sursA de tensiune capahllil s0


la ur.l curent rnaxinr de 500rnA. Aslfel, valoarr:a rrrlrrirnJl rr
rezislorului R1, reprezentnd sarcina sistenrului va fi 40(). Dacd trarrzir;lt)rrrl Fr,lil
cu siliciu VsE vo fi de circa 0,6V, astfel incdt vom alege o diodA Zcnt:r do 20,fiV
in aceasiS gamd de tensiuni, Iezislenta clioclei este cJe orrlinul 5 - l0t"J lrlrtlrrr
curenli ntai n:ari cje 1 mA. Vom aleEe tensiunea alternativA de irrtrare nl;lfol irrr:61
in lipsa curentului de sarcind, tensiunea pe condensalorul de flltlarr sh lio 30V !l
vom lua, oarecurn arbitrar, fezistenta Rr de 10f).
PresupunAnd aeeste vaiori pentru rezi$tenle $i flr. 06l pufin 100, prrltrl
detenrnina ls cu forrnula aprcxirnativd:

furnizeze 20V

.l-

'" =

!{E,'

+ R. + R,') * (E - E,)R
- *-d-'
V"-i(R,
1--L .---- -: r---\---.---:-1-1..
-(R, + R, n R,)[(F. +

condensat0r.

'l)ioda Zener este modelatf; printr-o sursd de lensiune


rezrstentd R7.

[7

?n serre cLl

Releffua electricd are nurnai doi curenti ciclici indepeildenli" Degi existd nlai
multe posibilitali de alegere a variahilelor pe ochiuri, analiza esle simplificeti
dacd se considerd curen{ii ls gi pFls. cei trei curen,ti ciclici selec}iona{i sunt
aEtati cu linle intreruptA. CdrJerile de tensiune ne cchiuri sunt:
Es

- 87

Ez

lrltr1

+ p6!sR1 + lrRs

* (ll - lB)Rz

(8.48)

(8 54)

1)R,l

unde Rs va fi rnult rxai mare dec6t Rz. irrlccuincJ irr ecualia ({t 52) gi simplificdrlrl,
0btinsrn:

Eo = E,

Vor +

, .. Er) *r;IOi;*

Rezult6 cd ci:'ice rrarialie

a iensiirnii E.r, provenind din

\rariaiia tensiunii

alternative de la relea, va fi redusi la ie$ire in raportul:

---.- R'----AE, = Rr+R"+Rz

o-5.'t:-

Vee

(ls - l1)ii7 + (ls +, Bpls)RL

{8"4s)

Grup0ncl termenii oii{inem:


F1

- E2 = l,(Rr + ft" + Rz) +

lB([]F-Rr

tr12)

Ez - Vee = -irRz + lslRz + (lir + 1]Rr-I

(B 50)

(8.51)

Relalia intre ten$iunea de ie$ire a sfabilizatoruiui gi curenlii pe ochiuri este:


Eo=(Fr-+1)lBRr-

Astfel dacd Rs poate fi fScut rnult mai mare dec6t Rr + Rz, Eo va defrincie
aproape in intreEime tle E7 - VBE, iii va fi practic indopendenta de E1.
Rs trehuie s& asigure suretttul de bazdl al trsneistr:rului gi cr-rrerrtul dioclei
zener. Astfei valoarea lui Rs este lirnitati superior. condilia 6cra n']ai severa
peirtru Rs apare atunci c6nd sisternul furnizeazil curentul nraxirn in sarcind, caz

in care tensiunea de iegire g redlesorului este minimd, iar curentul de


tranzistorului este maxim (5ru1A pentru ljr egal cu 93).

Valoarea cea mai rnare pentfu Rs, core$puftzdtoare unui curent de 1mA prin

(8.5?)

't{

(R'

:&:eIi*L:
ti)R,l .

5rR,
&ituR, --EJ

q..--..
' :smax=

5/0

Capitalul

CIRCUlTE CU AADE

lg-:-4q = TFor)
S ,i
1

Cu aceastfr r,alr.:are pentru R5, ecualia {8.56) arata ca variatiile lensiunii

r'R

4?\

Degi nu foarte complicfitd aceastd expresie este suficient de greoaie pentru a


irscuncle c.rrice infornalie peniru o proiectare aproxirnaiiva, pentru a o sirnplifica
vortr rnlrorluce valori numerice.
|

hrazd al

dioclS, va fi deci:

DacA rezolvdm sislernul de ecua,tii (S.ZS) gi (8.27) ob{inem pentru i6;

LEa__-Ys.'I8r
o R" + Rr)
[n, + {p,

(8.56)

$ult reduse de 75 ori.

E1

Pentru a incheia proiectarea, trebuie sA veri'ficrrn c& traneistoruf ramiine in


reEiunea aciir,d $i ca disipa o putere nrai *ricd dec*t limita maxim6 adrnisibilb
pentru toale valolile de sarcin* prevdzuter.
Rezult6 in rrrod evident cd un stabiiizatfirde tensiuner foade simplu, constitr-rit

dintr-un tranzistof,

diodd Zener
Capitolul

gi urr rezisior,

8 CIRCUffE CLi DIC,DE

irnbunit6{egte simlitor
1!r1

performanlele unei sur,se de alimentare, micaorrlnd dependenla tensiurrii de

Deci coeficientul de stabilizare este:

iegire de caracteristicile redresorului monoalternanti.


Slabilizalorul din figura 8-16 se folosegte in cazul

in care veriatia curentului


de sarcind este mai msre dec6l cea admis* prin dioda Zener, Acest circuit
permite o variafie a curenlului prin sarcind de gF ori mai mare dec6t a curentului
prin dioda Zener.

Pentru a deduce indicii de pefformanld vorn apeia la circuitul echivalent al


stabilieatorului din figura 8-'1 7.

s.=?.

(8.64)

iar rezistenla internS.

p=LLlt.-l*lt'.
fizr

(8.65)

h:r

Coeficientul de temperaturS se ob{ine observdnd c6:


+

\/

hritq

,tV,
AE

.l

'sl

nr

i =i
'2

'hQ

+h

\+
/
i

h*,ino+

v2

ioo

l[t'..

r\

"

(8.67)

AO

incfit coeficienlul seu

{64

r-

de

poate obline o foarte

(8.57)
(8.58)
(8.5e)

h'

Av".

bunE compensare in temperaturd.

o hr, ' ioo


*:> ;_i2
l^^
-

h''',

AVAO

temperaturd sd fie negativ gi aprnximativ egal cu

Fig. 8-17

'bO

(8.66)

Aleg6nd curentul prin dioda Zener astfel

lvr

rr =t?/i fz +i

=\,1 -\/

8.8. STABILIZATOR DE TENSILJNE GU AMPLIFICATOR DE


EROARE
Acest tip de stabilizetor esle frecvent '[fiAlnit in alintentarea circuitelor
electronice. Din acest motiv, in cele ce urrneazfi vorn preaenta proiectarea sa.

+V2
'

h".

+r/

(e.60)

')

Irrtroducem (8.58) si (8.6CI) in iS.56)

* &'v, *
", = h#'i,

*', * L.r,

n v2

(8.61)

]in*nd cont cfr:


r<<
==

R.

n'l *
v,"R1
=, *tr,, 'hr.

(8.62)

t'=

Qapitalul 8. QIRCUITE CU DtOnE

Fig. 8-18

(8.63)
Capitolul

t3,

OIRCL|\TE CU

t)loDn'

193

slahilizatorul este fofffiat dintr-un *lerneni 0e control serie c;cmpus din

tr'iifizisloafele T1 gi

r;,

rel'erintd cle tensiune u'eiernrinatd de lenslunea pe riioria Zener DZ2 .un


9i
amplificator de eroare icotxpafstor) format diri trarrzistorul T:r.
Presupunlincl cd tensiunea v2 cregte si ca urrnare rezultA cd in baza
tranzistorLllui 13 potenfiaiul se nliregt*, ejeci tenslufi#il vrns creFie
cJeci
curerttul

V"rrn,u*

un traduciur de re.!otie lualir.iltr cliii rlivizorurl Ra - lL5 - R6, tl

Puterea rnaximil cisipatd pe tranuistorrij


%

,,-," =

\'. ,o

-,,

r,

i.

,,

-'f:
- tl,

t._L1

Pdrr,n* =

Curentul de bazd pentru acest tranzistor se calculeazd astfel


r'F2ftax -

{8.6-ti}

.,.^

in cui?nt

hzrE,

(8"76)
rnin

usr

prrnct core$purlzdtof

{8.

To

T'Jnrai -T'il

stahilizare.
Se deduce din circuit

c.5;

Rrf

aJ

i il)

Cf e cOltACl.
Rk ::' rezi$tenla terniicd a racliatorului
Crr aceste date se poate ciecide alegereij traneistoi"ul,;i
[sentru tranzistorLll T2 se poi scrie ecuatille:

D/CIsg

(s.72)

"crw

iL=Ys.
--v:lo

(8 78)

16267y.

i.ernpflratuilr

pentru paste

n - V-,n-Va,."^

(8.7e)

= -Y-\rrg-:*Yi-:\tv2 Yf':-v-'.

(8.s0i

^,
lR

sillCtlrlic:e

V,,ry

Curentul lq2,,,i" trebuie s& fie egal sau mai fi1afts cfi
Rezistenla R1 gi lR2mqy se determini cu relatiile:

(s.7,t )

Rtl,o',, = Rr + R. + RR
urtcle:
Rr = reristenfa terrnici s traftzistoruliri din caiaiog
Rr: * rezistenta rerrnir;ai cle c;cntnct cu v&rori 0,a-$,g

de

r*r,

nlax

n;;

r;,F.cur ci,,

hr,r.,*u,

Tensiunea diodei DZ2 se alege incAt sd se determine

T1n,u, reprez.inld tempre rs1u1, maNinid a jr:ncliunii


Rezisten,ta terrnicfi tptald esle:

."'--* -"- "--"****c"tJrl"s.

la, ,nn*

A.legerea diodei DZl este deterrninatd de rela{ia:

urlrle

rr7

(8.75)

laar,n'*

^".

temperaturd gi rezisten{d dinamicd cal rn6i rnici, aceasla influen}$nd prncesul de

esis cJahi de reralia;

Y
' dTr

V,tE,

de lucru tranzlsta'rului T3, Se impune ca aceastd rjioda s5 aibd coeficientul

Se calculeazd rezisterita termicil t$tald Riq",",. tlacd ri,rtl*m


maximfr anibiantd, se deduce:
[)

(8.74)

(8.',i7)
tB 6ti)

Din datele de cataiog se cieternrin* r:*efiri+*tur r.re ampiifir:*r*


tranzistorului Tr (hrri_-r) inc6t:
!
,r;1nur

(8"73)

VcEr

Puterea maximd disipata pe transzistoi'este:

de bazd al tranzistarului 13 crcEi1r]" ceea se cjptermin6 cregterBa

VrE-,n.n, * Vrn,in
Var, r,u" = Vt,n.,
l(:r."r, ,-l
'" 'zcrax

t'**,,

lcr*", =lB,oot

ti

curentului de flole$tcf al lranzistoruirri r,:spr:ctiv ilin &f*,sstgr c.auz6, curentui in


fiaza lui 12 scade, ds{}i curantui in bsza lui 11 scade tnnsiunr:a vecr vfr cre*cte,
dertermin*nd sciiderea tensiunir de ie$ire vr. piladilf lenclinia ele *regrere u
iensiunii v3 va fi compensatd, in final aceasta rneniinanciu-se constanld.
l|r terna rle pnrieciare se dau tensiunea cle ie1;ire v2. cur"entul de sarcind 12
varialia tensiunii de intfere v161.,, v1p6,, eventu;,ri gi garni+ cia ternp*iaiurd la care
iucreazd montajui. Fentrlr srabi{izetorL.rl prezentat $e p,ii scriFr ecuatiiie:

= V,n.* - V, -

Tranzistorul

13

r*u"

- h;;t,;

se aiege $c'nform rela{iilol

V"rr,r**
lc,",nu,

,= Vz .* V"n,
lururo"

* \Ine, * Vzr.,r,,

* l*rr"r,

(8.81)
(8.82)

.i"1.

Rezisterrla R3 asigurd curentul minirfi Flfin diod* SZ2:


Capitalul 8. ARAUI'rE CU DQDE

195

ft-,
"

[ -.-._-Vu""*
= " lao-*

(8.83)

Pentru ealcularea divizarului Ra, Rs, R6 se adrnite cA prin acesl divizor sA


treacd 5% din curentul de sarcind maxim.

Vt.--

R,+R.+R"=-

0,05 . l2***

p,- = *vr--v:.*--Y":uryl
o,o5 . l,ru*

(8.84)

8.9, EXHMPLU DE PROIECTARE

$i se proiecteze un stabilizator av6nd ufmitoarele date: tensiunea de intrare


Vr vailazd intre 20-25 V, tensiunea de iegire sd fie V2 = 12V, av6nd un curent de
sarcine lr = 1A. $e presupune cd stabilizatorul funclioneaza la 25"C" $e adopt6
circuitul din figura 8-18.
Se alege tranzistorul Tr:
Din relalia (8,68) se deduce:
VcEtrin=?0V-12V=8V
VcEt*"* = 25V

(s"85)

'12V = 13V

lg1s6)(

ConsiderAnd cursorul rezlsten,tei R5

la capitul inferior, tensiunea V,

va

rezulta din divizarea tensiunii V2 pe R6:

1,A

Puterea ce trebuie disipatd de tranzistor:

Pdrr*r"*'l3Vx1y'|=13W

"2 '-8V'' =
R4+Rs+Re
--

(8.86)

\r' - r
v2-vzrrintVaE^

(8,e7)

Se alege tranzistorul EFT 213 av6nd caracteristicile:


Pdr"* = 45W la 25oC cu radiator iflfirtit, hzremin = 40

,lB1*"n -'l000mA
-^
=

Deci:

Ru

Ro

& l-1.-

ffzr.i. + vne, )

(8.88)

Uneori, in temele de proiectare, in locul datelor Vr*in gi Vlmgx so d6 variatia


procentuali a tensiunii de relea rrotatd cu u gi p" in acest caz pentru a se ajunge
la valorile Vrrnin Fi V1621,.ss procedeaze astfel:
- se aiege o tensiune Vcgr'n (3-5 U
- se calculeazd Vs = V661p1" * lcl*"x . R, + V:i Rr * rezistenta redresorului
- se deduc:

Alagerea tranzistorului T2. Din (S,73) 9i (8.74) avem;

Vclzr,* = ?5V - 1ZV 'O,ZV z 13V


Din (8.74) rezultS:
Fdr2*u"

= 13V . 25mA = 326 mW

Se alege tranzistorul HFT 130 cu parametrii; P6 r


VcE*"" = 24V,

vr.in

;l*C_
100

Vr*, - [r
\

-l)
1001

lc** = 3,4, V6p6sy = 40V

{8"8e)

rB2max

(e.e0)

30

0,83 mA

lcm* = 500mA

Din relalia {8.76) rezulta:


t-

Yl min

h21E6;q

559**,

1000mA

30.

40

1mA

Se aleg diodele Zener: (8.77)

vn > 12V + 0,3V + 0,2V ='i2,5V


$e alege DZl, formate din doud diode DZ 308 in sene av8nd tensiunea
norninal6 de 8V. inseriindu-le vom obtine 16V.

"-*-C;iit;i,j

C!RAUiTE CU DIOD

Capitctu! 8. CIRCUITE CU

AADE

,l

07

Pentru alegerea diodei DZ": s6 sautd o diocld Zener cu tensiunea nomina!6 intre
v astfel incdt sd asigure un punct corespunzdtor de lucru tranzistorului 13.
Se alege rezistenla R2 confofm relaliei (8.78).

*r=#(BV+0,2V)!160rr

7-8,1

R2< 16V-12V-0,3V-0.2V = s,sKf)


lmA
Se alege Rz = 0,51K!)
Se calculeazi rezistenla

!*,,o =

Se alege Re = 150O

Rs=2400-81Q-150fi=gcl
Utilizand datele mdrimilor de intrare date in variatii procentuale 6u valorile:
= 20%, Rf - 0, Vsglaln = 4V se deduce:

25o/o, g
R1

din (8.29) gi (8.80).

Vo=4V+12V=16V

l3Y.:,g*#Y-:-o-lY

= 6,BmA

R,' = *39Y-i 19v- E asoe


6,8mA + SmA
$e alege Rr = 330f)

V.in=:---75- '16=ZoV

''Tdo
V,*

[r

rq\
. ffiJ
.ZoV = 25V

Alegem tranzistarul T3 prin (S,S1) 9i (S.S?)


V6s3

= 12V + 0,3V + 0,2V - BV = 4,SV


lcs

* 6,8 mA

Din cele cle mai sus rezultfr cd:


P613

6,8mA x 4;5V = 31rnW

Se alege EFT 353 cu P6r* = 200mW, VcErux = ?4V, l66u* = 1SflmA, hzt = g0,
= 60pA
$e alege rezistenla fu folosind (8.83)
l6ge

R, = 14Y-: !Y- =
3mA

o,BKe

Se alege Rs = 750()
Aplic0nd (8.84), (B.Bs) gi (s.s6) obfinem:

R{

n. =
U{r(rzv

iec

+ R5 + o,

- SV

0,2V)

=
nv

o#5o

= 24oe

80fi

capnaiitE.-cl,ncwfdcu

Se alege Ra = B1n

nnnr

Capitalul B. C/RCU/I"F CU DODE

oc

Daci este indeplini{5

acea$e condilie, tranzistorul poate fi reprezeniat


iil sare diada fiirrd in perrnanenl5 descirisE, a

printr-un circuit echivalent simplu,


fost inlocuitd printr-un scurtcircuit.

Capitolul g. AMpLiFfCATOARE
9 1 AMPTIFICATOR CU TTMffORUL COMUhi

Fis. 9-2
Acum, avdnd de-a face cu o retea electric5 obi$rruitA, curentul de lrazd poate
fi calculat direct:
(s.2)
K.,

rela{ia de la iegire este de asemenea foarie sirnplA:

Fig.

9_1

E" *Eo = Rr "lc

circuitul prezentat in figura g-1 leprezint*


unul din morJurile ln care un
tranzistor biporar p - n - p poste fi forosit
in cift:uit ca ventii de contror. coiectorul
emitorur
$i
fac parie dintr-un achi ce conline o sursd
de terislune cgntinua, cie
valoare
consianld, Eg gi o sarciniii, oon"rtiiuit*
din rezistenla
intfare, alcdtuit din Es gi Rs este conectat
lniru'i"ra gi emiior,
Deoarece terminarur emitorurui ra**

cel de iegire circuitur acesta forme".g

Ri. sircuitur

si deci

u;*;er;i tipic de configui-a{ie

(e"4)

Eo = Hc -- 9ol*R.

(e.s)

Din ecualiile (9.2) gi (9.5) oirllrrem relalia doritd peirtru tensiurrea de iegire

coregt-a intr-un inireg dnmeniu


Oe ternperaturl.

$d determindm pentru acest arnpiific;aior


etementar tensiunea de iegire Es ?n
funclie de lensiunea sursei H6 gi
iensiunea de intrare H5. pentru poraritatea
indicstd a tensiunti Hs joncfiune; **,1*;;;;iva
pc,larizaia ,*r*"tl jon*1,u"*,
*urentut de cotecror nu este prea

fi

"*'ut "a*i

Eo=Ec-R.lc
saLr

pine *tat cin ochiur de intrare c6t gi din

cu emitorul
*gr *rrn esle desenat, este necesar. s
configuralie de circuit pufin mai *otriprio?J"peniru
a asiguia o funciionare

invers in

Eo = Ec

a pit ol t il

g.

A M p Lt F: i C

p,-- 3t-Eu

(e 6)

KB

lntr-adeviir:
F

/o -i\
AiO.qRf:

Aceastd et:ualie ariltd cd tensiunee de iegire a amplificatorului, Ho, este rnult


mai sensibild lu variatiile tensiunii Hs, decAi la cele ale iui Fc.

.l-3,
-1"'R, <Ec

1.\

der

cornun" Degi amplificatorul.poate lucra gi

trff:"J:i:'J"Xl:#'#*,.

/o

('...nDI(Ltlttl g

|
I

{s.7)

" ' E'="t

;i[r],ttts,c;]l]l|nE

241

in timp ce
ABu
LtLo

f',

t-'
t_

sau altfel:

.fr.

' satcir,iL

(s

B)

DacS considerdrn valorile plauzihrile

R,-=R*=1692 9i

|Jr=100

E0 va varia cu 100 nrv pentru o varialie de un milivolt l![ E$. se spune as{fel cd
circuitul posede irnportante $i fo'ositoarea proprietate de a pnoduce arnplificare

de tensiune.

,r I
''L
l\'
'--l(B

(e.13)

Actst raport, care pc}ate fi nurnit arnpiificarea de putefe a circuitului, are o


valoare de 10" pentru valorile elementelorfoioslIe mai sus. El este produsul intre
ampiificarea cle lensiune defirritd de ecualia (S.S), gi affiplifii:area de curent,
definiti de ecualia (9.9).
Acestea iiustreazd rolul trenzistorului ca ventil de comandd sau modulator de
putere. Puterea eliberatd in sarcind de citre sursa Eg este c*ntroiatii de variabila
de intrare Es. Acest ccntrol se reslizeaz* cr.l c clieltuiald relaiiv rnic6 de flutere la
intrfr re.

circuitul are d6 asernenea proprietatea rle a procluce amplificare de curent.


varialia curentului de iegire (de colectar) piridus6 de o veria{ie a curentului cje
inlrare (de baz$) este:

i.l-^;atB
Irr

H,n,r.r"

*ti

Pentru o analizi mai exactd $e poqte folo.si pentru tranzistor un mociel in


care joncliurrea ernitorului a fost modelatd printr,o {ensiune de prag Vo Si un
rezist0r |;.

I0 0\

Pentrr-r valci"ile numerice introduse msi inainte, o variatie de ''i riA a curentului
produce o varialie de 100 pA pentru ls"

Tranzistoarele, ca gi aite ventile de ci:rnand*, nu sunt folosite


rJentru cd ar &vea fie an']piificare cie tensiune, fie de curent,

in

circuiie

ci

pentrLl cd anrbele
pot fi produse in acelaqi circuit. fdcand astfel posibilf, arnpiificarea de putere.
Puterea fumizatd cireuitlrlui de sursa de inlrare este, ciesigur, - Esls, sau altfel:
P,n =

Ralst

(s.10)

Distribulia puterii in circuitul de iegire poate fi obtinute inrnullind ecualia (9.4)

Fig. $-3

= --Eolc -.RLlc2

rezislorul rd realizeaza o legdtur'd irrtre circuitul de intrare $i cel de iegire. Dacd


utilizem teorema a doua a lui Kirchhcff, pentru ushiui de intrare ob{inern:

c''r i6gi schimb&nd ordinea terrneniior:

-Eclc

(e.11)

Termenul din rneribrul steng reprezinte puteree furnieatd circuitului ue sui-sa

Ec. Frinlul terrnen din parioa clreaptd este pill.erea cedatd tranzistorului (qi
disipatd cje acesta pr"in cdldurf,), iar al dollea tennen clin dreapta este puterea
ceclatd rezistenlei de sarcind. Raportul dintre puterea dezvoltatd in sarcind gi
puterfla furnizat6 de sursa de intrare este:

-[U'j'.n
Pinr,o,u \lnJ Ra

4u,e14u

i:02

Capital ul 9.

A&4 PLt F |CAT0ARF

Calculul lui E0 este ceva rnai csrnplicat dec6t cel anterior, pentru

E"

Vo = lsRe + (go .,

t; trr,

cd

(e.14)

Valoarea lui ls este:


|

"i

(e.12)

et

-P-vo

R;?[JF

pitrl u I S.

is.15)

rfi

A tv! P U f: i CAf

OAftH

-**'--*"-703

Ecualia de ie;;ire (9.5), nu este rnodificetd cre q, deuarece sursa de curent


f"l"tlicteazd curentui prin R1 lndepenrlent de celelalte elernenie ale ochiului.

Elimin&nd ls intre ecuariile (9"S) qi {0.15) r:b{inern:


Eo

=Ec:n;Sfim

(r' -vo)

{$.16)

ss va presupune cd aiat condensatorul ,le clecuplare cg, cat gi condensatoarele


de blocare a c,orrpronentei contiilue c6 gi e au o capacitate suficienl ttre rnar-e pentru
ca, pentru cea mai rnlcd frecven{d din hand* sd se comporte ca rrige scurtcircuite.
Admiland cd etajul anrplificator functiorieazfl in reEim de semnal mic,
tranzisiorul bipolar poate fi modeiat cu ajutcrul parametrilor hibrizi, configurafia
pentru acesta devine ca in figura g-5, uncte prin RBs-au natat rezlsten,tele Rr Rr
Fi
dispuse in paralel.

Dacd presupunem cfl cir*uitut forosegte un tranzist*r cu sirieiu gi ci

intereseazd curenli de colector de ordinul miiianiperiior, valqrile lipice p*ntru


noii
parametrii sunt Vp = 0,6V $i ro * gg2.
lJtilizdnd pentru reeistoare aceleaqi valori ca mai inalnte, gdsim
c* o variatie
de lmV pentru Es va produce o variatie de 6Z rnV pentru E6.
In conrlnuare vorn anariza un etaj de applifinare tie tip emitor comun (Ec)
pre?:entat in figura g-4

(e.17)

"=+#

in continuare vom calcula irnpe<lanta de irltrsre a etaiului.


Deoarece valoarea liii h,. este foar'te micfr, iar a tui hs"r esle fosrle nrarc
cornparativ cu valorile rezisten{elor R6 gi R1, atAt h," c6t 9i h6u, 1 se vor neglija in
calculele urmdtoare.
Rezistenla de intrare a tranzislorului este:

!'..^

Ri,r = Vin

-*

(e 1f)

T="'.

Rezistenla de intrare a etajului este:

R,=+=Re
IlRir
' ts
Rsih;*
"' 5t+
in general Rs

>)

(e 1s)

hi" gi in aceastd ipotezii l'nzistenta de ir'ltrare in etai este

(e.20)

Deoarece valsarea lui h;" este de cA{iva kitoohmi la un curent lc * 1 rn,A


rezistenla de intrare in etajul F-c are o valoare moderai&, atarul etajului putAnd fi
at&t in tensiune c*t gi in curent.
Penlru calculul rezislenlei de ie.Sire Rs vofil neglija reac{ia iniernd a traneistorului
(h," = 0), de aceasti dat6
lnend cont insfi de adrnitanla de iegire fu*.
considerand ci semn*lul cle intrare este cur*ntul , prin defini{ie impedanla
!o
(rezistenla) de ie,sire este:

Fig. 9-4

v^

no = q"lr,=o

{s.21)

Fig. 9-S
Reeistenlele divieorurui din haafi R1 R2 impreund cu reeistenia
_
i;l
din emit'r
Rp esigurd p:olarizarea tranzistorurr:i in r.egiunea activd
normaia precum gi

stalriiizarea punctului statis de funciianare la varialia temperaturii


sau la dispersla
paranretrilor
tr*rnzistorului.

Q it p, it ctlu

I s. A M p L t Ft c AT1A

E- -^

-vo

=('-hr"'!n

Deoarece !s

+!o)

=il#:.4
*: ,,ffi
ho"

* 0 oblinenr, in ochiul
C.;ttpit()tul

9.

(-n,""tr, +!o)
(s.22)

t"le

AI\41,1.

intrnrc relatit:

ll"r:ti lt,qitt

T65

(e.23)

V^

-=

- hr" .1^

'- "

*---1L
1 -l-

(s.30)

h6u "Rp

Deci
(s.24)

4,,

(e.25)

hr. .R;

{e.32)

= --*--JL--:

h;"11+h6*

ftJ

$e constatd cA tensiunea in colector este in antifaz5 cu tensi{rnea din baza


tranzistorului (apare un defazaj de 180" intfe tensiunea de intt"are gi 6ea de ie$ire

Deci reeistenla de ie$ire este:


ttn =

(e.31)

Vin = !n 'hi"

Rezurlt6:

din tranzistor).

Vnt

R.Y._._
_n =*_
Io-"
1+
hq*Rs
-lr
!o

'

{e.26)

Daca rezistenla din colector este mult mai mic6 decdt rezisten{a de iegire a
tranzistorului Ro,r =.1 - care ueual are o valoare de zeci de kiloohmi, rezistenla
Ito"
de iogire a etajului este:

Modulul ampliflcdrii in iensiune este direct proporlional cu R. tnsE aceastd


rezistenlfi nu poate fi meiritd datoritd limitfirii rezistenlei Rc din considerente de
punct static de func{ionare.
A.rnplificarea in tensiune raportatd la tensiunea datd de generatorul Vo este
prin detlnilie:

4",s
R6

=R6

(e.27J

In general Rs are o valoare de caJiva kilor:hmi, deci rexistenia de iegire a


otajului are, de asemenea, o valoare moderatfr gi nu se poate afirmi dacd iegirea
etajului este ln ilurent sau in tensiune.
DagE rczisten,ta de sarcins Rs este muit mai micd dec6t Rc (Rr <t R6 etajul
.lucreazd
aproape in scurtcircuit furniz6nd sarcinii Ljn curent apio*p* egal cu
curentul alternativ de colector"
. Du?r rezisten,ta de sarcini R; este rnult mai msre dec&{ Rc (RL * Rc), etajul
lucreazi aproape irr gol furnizAnd sarcinii o tensiune toarte air"opiatfi de cea
maximd pe care o poate da eta.iul la un sennnal de intrare nrecizai.
Pentru a calcula arnplificarea in tensiune, vorn neglija din nou reaelia internd
a tranzisiorului {h,u; 0), efectul rezisten{ei Rs (RB rn he
9i vom stsbili cE Rr este:

RrR"

Kt ----Y

'

Rp +R6

V^
=i*
:g

Vs ='!6(h;g +Rs)

(e.34)

hr.,Rr
-v'e (n,*----:--r n";[t + n6* Ri')

(e.35)

Av.o =

DacE Re << hr* gi

Rr-

<

(e.33)

;JIo*

retalia devine:

n =-&a.n,
h.
"te

*vru-

(s.36)

Daci etajul este atacat de un generator de c.Ltrent cu rezistenla interni


(fig. 9-6) putem calcula ampllficarea in curent a etajului (h,u= 0 , Re ,, hi*)

Rc

(e.28i
(e.37)

Prin definifie arnplificarea ?n tensiune este;

*--v
.t,v

Vin

Capitatut 9. AM2L\FICA,TOARE

(s"2e)

(e.38)

Daod rezisterrla de sat'cin5 Rr este mult nrai ntio5 dec6t c,ea de colector
a
" Rc), deci etajul lucreazd in scuntcircuit, atunci amplificarea in curent
etajului este maximd 9i egal5 cu arnplificarea in curent a tranzistarului.
Se obseru5 cE eterjul de amplificare in conexiunea EC are o amplificer$
importantA at6t in curent cgt gi in tensiune, deci etajul amplificii puternic in

so
I
I

A
k +1
+/

..

I
t

thl
f'- !

(Rl

hr-

I*
I

Im*

frc

EL

putere:

jnol=in"l ln,l

looni*lu,nl

4I f,

/\.

hr..'Rr
=--:
R6 +"R1

1 +-

Rl'Rc

(e.3e)

ilOe-R;-R^

ho* .R;

=il^

- nc +rri" 'ls

{e"42)

',n=BEi!'*,,.
Rc

ie.43)

:b

Rc .*--l*--"- Tc--tRL

t-

A:U
fii^
=:-=llfF
-9

Rg

1+ h6nft_' Rs +fti*

Se canstaii ci pararnei.rii eta.it-rlui depind direct de parametrii iranzistorului,


deci de condiliile de lucru, din acest rnotiv. se irnpune ca scherna de polarizare a
tranzistorului sd asigure stabilizarea punctului siatic de funclionare
varialia temperaturii precurn gi cu dispersia parametrilor.

in raport cu

9.2. ETAJ DE AMPLIFICARH CU $ARCizuA DISTRIBL}ITA

(e.41)

r-RGl

!u

(e.47)

lo',nl

ts.40)

Amplificarea in curent faportata Ia curentul de generator in gol ln este:

A,,n

(s.45)

Etajui este prezentat in figura 9-7.

(e.44)

Fig. 9-7

Considerdrrd

R"

,, h,n

; RL' * ho.

A1,g=htu#a
A a p it ctl u I

g.

A f/t P l-l F I CAfOARE

(e.45)

Presupun6nd cd cele clou6 c$nclen$atofire de biosare a comfrcnentei


continue au uapacitafi suflcient de mari pfrntru ca sA se carnporte ca un
sourlcircuit chiar gi pentru cea rnai joas* frecven!5 ciin bandd, acjrflilAnd cd etajul
lucreazd ?n regim de semnal mic, sch*ma eo.hivalentd a etajului, in regim
dinafiIic este prezentati in figura 9-8.
C

apitolul 9. AM P Ll l:l

C ATO AR

20c

ri
.;,

:i

ht*

= Fp

(9,54)

Re

* Ri,r

(e.55)

rezulte cd:

l'

deci:

Ri = Rn

(9,56)

Rezistenta de intrare in etaj este meriid prin nedecuplaree lul Rs, dln rccat
motiv se va considera ci4 etajul este atacat in tensiune.
Avdnd in vedere cd tacul etajului se face in tensiune, rezistenla de leglre so
va defini de data aceasta astfel:

Fig.

s8

*
't--&*&

R,'R,

Vom calcula

r'

= -1.O
'-0

(e,57)

il-lys=o

(e.48)

Vom calcula rnai intf;i rezistenla de iegire din tranzistor:

continuare rezistenla cje intrcre a etaiului, neglii&nd pentru


moment reaciia internfr gi admitan{a de iegire a tranzistcrului.
Rezisten{a de intrare in tranzislor este:

Ro.r

V^I

=*iv"=o
I

I-v

*"

lo

(e.58)

Vom notar

Ro'

V,^

Rir: -!"
I

\'/

(s.4e)

= Re

li

#;k

(e.5e)

.!b

Vin = [h,* + (l + trlu)ns]t,

Ri,r =hiu +(t+n1u)n6

V"

ie.50)

1 (l., hr" l^ \ l",Ru(r""*n*')


I -" ' ----;
t-" -

= ----1

(e.51)

|.Rn

R, =so.=Ro ri R,, = T.-fu' ls


Rs+R;,1

Ib

o hi"Jlo +RElio

*!o

R"l

=-*- --L

Rp +h1g+R6

{e.52)

*nt

Datorita condilisi irnpuse pentru Rs pentru ca punctul static de funclionare al


tmnzistorului sd fie stabil in raport cu varialiile de temperaturi* 9i dispersia
parametrilor tranzistoru ui

(e.60)

Rg rh;p +.Rg

lt\r',\

Rezisten!*.de intram ln etaj este:

-r-

ho"

-h*'E'-ln
=-'-[rn
nou ( Rs +h;" r-Rc
I

(e.61)

0
J=

(e.62)

.10

R.(n,"

**" )

(9.63)

Rg *h;6 +R6

RB

(1+pF).RE

gi av8nd in vedere cd;

(e,53)

Deoarece

".:[0"

este

cu un ordin de nrdrirne mai rnare der:61

celelalte

rozlstenle iar valoarea lui hig ste mare,'rezistenla cle iegire din tranzistor se

poate aproxima cu:.


C

apitoltt! 9. AM P Ll F I C A,TO ARE

Capitalul 9. AM Pi-l FICATA.ARE

R,,' - -J-- [., ,


ho*

'.

*" E
-RE + h;s -rR6')

-l

(s.64)

Pentru Ro,r se riblin valori foarte rnari, a;:roximativ sute kiloohffii


Rezistenta de iegire din etaj este:

ll Rc = Sqd,
Ro,i * Rc

Ro =-rlo,r

$e oLrseruS cii ampiificarea in tensiune a etajului esle independentd Ce


parametl"ii tranzistorului, deci de rnediul de lucru.
Fa!5 de etajul precederrt, 'ln acest caz valoarea amplific;drii in tensiune este
rnai redusA. Pentru a cregte aceastd valoare se va clecupla par.[ial rezi$tenta
totald clin enritor, ca in finura 9,9.
-cc

{I

(s"65)

Couir

Deoarece R6,1 > R6

{$""--i*i

Ro =Rc

(e.66)

Deci rezislenla de iegire a eta.jului Ro gre u valoare n"loderatd, neputAndu-se


afirma claciS ie$irea este in tensiune sau curent.
Dacd rezistenla de sarcind Ri lipsegte, iai drept rezistentd de sarcinii este
uorrsiderald R6; atunci rezistenla de iegire a etajului este chiar rezisterrta de ie$ire
a lranzisiontlui (duci are volum foarte rnane), in acest caz- iegirea eia.jului fiind ln

curent.

Presupunem in continr:are cd rezistenla de sarcind esie R1, in acest caz,


vom calcula amplificarea in tsnsiune a eiajului, negllj;ind parametrii h,"9i h6*
V^
n.- =-*\l
Vn =
-Yi,, =

".

4.,

ihi"

=----;"

(s.$7)

*hr^ l' .R.


+-

Fig, s-e
consideran<l cd semnalul de iegire ests {:uies clirr ernitsr putem calcula
rezistenla de ieEire gi amplificarea ir tensiune a etaj,.riui ln modul urmritor: pentru
rezistenla de iegire foicsim circuitul ecnivelerit dln figura 9-i0 in care anl neglljat
paramstrii h,u qi h6n.

/q AR\

.res i,
{t + n1*)
]

hr.'R.v:

h;" + {1+ h1u)R6-

(e.70)

Deoarece

h"""(t+hr").RE

Fig.9-10
(e.71)
Considerdrn

"

4,, --*-

hr.
R.
'Y ,..-=

1+hiu

RE

=-5q
,-E

(e,72)

/o 7t\

p^-

Re'Ro

(e.74)

Rs +R.6
!11

= *(n,* *

n*')

!u

I*-i1+hi*).!g
7TT

***-** -..--

*---cu;i,r.,lrl
s AMPL!FICATAARE

Capitalu!

g. AMPLiFIfrA fO./iRF

(e.75)
(e.76)

Ftezistenla de iegire disl tranzistor este, prin definilie:

fezult6;

4y

vrt
_
.'u.r
Knr =.:lrr --r
ll!r_u
Rnt -I'rt

*Rc-

e.78)

1+ hy"

Valoarsa rezisttsfllei

de iegire din tranzistor este f$afte

0hrnil0r sau zecil0r de ollni"


RezistenJa de ie$ire din etaj es!e:

V'i
lv
!t '-'

^xo

=;i

=o

(9.s7)

(e"77)

mic6,

de ordinu!

Deci' in aoest caz, tensiilnea aiter*ativd din berra emitoilJlui este regdsitd in
ernitorui acestuis cu aceeaii iaza 9i aceeagi anrpiitudinrir.
F{evenind la figura g-7 alegand Rg * Rg se fibserv& cd amprificarea etajurui
cOnd iegirea semnalului este cansideratr a fi in emitor, este unitar6, Rezult5 cA,
din emitor gi in colector vcim putea culege $intultan tensiuni de aceeagi rndrinrB
dardefaze opuse. Etajui cu acea$tg proprietate ffiai est$ nunrit 6i etaj ou saroina
distribuitii sau etaj defazor fiind util in r:ornanija altor ciilcuite electronice

(s.7s)

9.3. ETAJ DE AIVIPLIFICARE CU TRANZIST*R iN* CON:TXIUNHA


'*

COLCCTOR-COMi.,!\ {REFETOR FE Hfv,ltT0nt-

R.- R^t
---",'
Rn=
" Rg +R6,y
Deoarece Rr >

(e.80)

Etajul de anrplificare *u tranzisturul

figura 9-11.
Ro

in

ilonexluriea

c*

este pi"ezentat in

I rezi$tenlff de iegire din etaj este:


Rn

=Rnr

(e.81i

gi ane o vaioare foarle micd. Deci, dac* iegirea semnaiului din etaj este
con$ide[ata fi fi enliiorul trelnz,ierorurui, etsjul va fi considerat ca are
iegirea Tn

tensiune.

,Arnplificarea !n tensiune este:


w-*
':-U,ts

ff!

--.:

V;u
l\',leglijArrd

in tigura S*S Bara!"rietrii h,o$!


Yo,e
\1,,,

"

=fh;u

"

hcu

(s.82)

oblinern:

(1+ h;u)i6"RE

+{l rtrl*}ngJl,

(s.84)

il-i-hr^)R.

l{., =.___.!J!_:_-_
Ir;" r- {1+ h1"JRg

FiE. 9-11

(e.83)

{s"85)

Dirrizcrul rezistiv din baeE precum


$i rezisf.errta din eniitorul tranzi$torului
contribuie la polarizarea curectd a acestuia gi ia siabilizarea punctului
sia{ic de

funclionare

in rap*d cu

vanialiiie tje tempbraturfr sau rlispersia pararnetrlror

tranzistorului. schema de cui'ent alternativ este prezentatd in


figura g-1? ?n oor*
am considerat cd toats concJensatcarele sc comportd ca nigte scu*circuite
in
regim dinamic pentru orice frecvenid din banda de lucfu"
Rezisten[a de intr"are in tranzisior esie:

[)eoarece:
h,*

"

(1+ h1*)Rg

Capitalu! 9. AMpLtF TCATAARE

Ri

(s.86)

-*

Cri*t"/u/.q

r =:!n-

t1.dptlgc'A?fr1,".F-

(s.88)

*"_-**T?5

P^'
" =

3"'lt-

(e.s6)

R6 +R6

,li,

g="-(1+hy*j.!6

(e.e7)

,-l

pn, = Ire-lIe1

Fig. 9-12
Vrn

* hi" .to

(s.e8)

r- h1u

Valoarea rezistentel de iegire din tranzlstor este foarte mic6: zeci de ohml,
Rezistenta de ie$ire din etaj este:

+ (1 +h1u)t,

(s.8e)

**:

Ko

\/vn

= 16
,*lv,=o
i-'
I

(e,ee)

Deci:

Ri,r = hiu
,_*(t\

nr*13E--lL
,*,
RE +Rg

(s.e0)

Valoarea rezistenfei d'e intrare in tranzistpr este foarte mare, de ordinul a


c8leva sute de kiloohmi,
Rezistenla de intrare in etaj va fi:
V^
F. - -:v
'l :g

(e"e1)

l{tr 'K^ T
-

K^=

"

Deoarece

Ro,r

(e.e2)

A.. =
(s.e3)

=Re

-Vo =

=flv,=o

(e,94)

Vo =-(hi* *Rn')!u

(e.e5).

y0

(e.102)

Yin

(1+n1r)6 .n6'

ft1

Vin =

considera cA etajul este atacat in tensiune.


Rezistenla cle iegire din tranzistor este:

f^^;+^L,t
a Aitryt IEIAATAAAT
Ca pitolu I 9.
A M F Ll F ICATAAR

(e.101)

iar valoarea rezistenfei de iegire din etaj este foarle micd, moilv pentru c&rr
etajul va fi considerat cd are iegirea in tensiune.

Deci rezistonfa de intrare a etajului va fi guntatd de valoarea rezistenlei Rs.


_
Deoarece valoarea acestei rezistenle este de ordinul zecilor de kiloohmi se pbate

l1O

RE

Ro = Ro,t

Deoarece Rs << Ri,r

no,,

<<

Amplificarea in tensiune a etajului este:

.R,.
Rr :- a r'*
' Rs {-R;,1
Ro

Ri

(0,100)

Rp+R61

[h;*

+ (1+ h1")l?E

(e.103)

Jlo

{e"

04)

R='=IE:EL
-

(e.105)

=--0l!etsL-

(s.106)

R=+R,

Deci;

o,,

h;"+(t*hr*)RE'

Capitalul S. AMPLI flCATAARE

217

Doclater-:e

hi"..

(1

ohtinem:

+ hi*)RE'

n -{

Doci etajul nu anrplific5

1,n

(s.1 07)

Anrrplifiearea ?n curent mai poate fi mdriti gi prin cregterea lui RE. putern
penlru aceasti solulie dacd introducem in locul lui RE o rezistenlA nelinia16
sa albd valoare mare in curent altenativ gi mic5 ?n curent continuu (penrru
cre$te foafte mult o5derea de tensiune continud pe aceasta). e solulie
inlocuinea lui R6 cu r.rn generator cle curent ca in figut urmdtoa16:

opta
cars

a nu

ar fl

tensiune.

Arnplificarea in tensiune a eiajuiui este:


(e.108)

(e.10s)

(e.1

oi

(e.111)

(s.1 1 2)

Fig. g-13
Repeiorul pe ernitclr este folosit in general ca elaj de iegire sail de intrare cu
impedan[d de intrare rnare.

e.4, ETAJ nE AMPLIFICARE CLj r$rAt{ZtSTCR iru COrurXtUhrEA


BAZA-COMUNA (BC)

flecarece
Ri

rtt

Rs

ln figura g-14

este

conexiunea (BC), varianta

4;

tensiune:

preeentat etajul ds arnplificare cu tranzistor in


in care traneistclftil este polarizat cu tjoui surse cle

Ri,r = (1+ hrufiE'


rezultd
A -.
n:=--

''B

(s.1 13)

RL

Amplificarea

irr curent poate fi rndriti prin nr*rirea

E*

rezistenlei Rs sfiu

rnicgorarea lui R..


Prrtenr rn*ri RB renun{and la polarizarea tr&nzistorului cu clivizor

in bazd qi

folrjsind doar o singur* rezistenld de valoare sporitd ?ns6, in acest caz cregte
sensihilitsfea punctului -ctatic de functionare la csnditiiie de lucru gi dispersia

Fig" s-14

pararTlBtrilor.

'i:f ^"*
,

Cepitalul

l\M PLI FICATO,ARF

Capif aiul S"

AMPLIFt{},4f0,4R8

-'-7iii

fi

Clrcultul cohlvalent In curent altsrnativ esle prezentat in figura 9-15 in care


s-au considerat toate condcnsatoarele scurtcircuitate pentru orice frecventi din
bandH, lar parametrii hr"gi hoe s-au neglijat.

V^

Ro = ?*

r.

ir_=o

(9.121)

lo '-

Ro= Rc
Oacd R6 este consideratd rezistenld de sarcind atunci rezisten{a de iegire
etajului este chiar rezistenla de iegire din tranzistor;

Ro.r

V^r

'lrv

Fig. 9-15

Jin6nd cont de

h6"

Ri,r

lb =

_-:jL

(e.114)

Rr

,l

--,-'lo.

{e.123)

RE + h1g

'h't RE- 'lo'


=*[to'-nr"luJ*
'"
ho" t'"

Yo

Yin = -hiu '!u

(e.x22)

IA

,,

obtinem:

Rezistenla de intrare a tranzistorului este:

.!i

=*h-=o

h;s

+Rg'

(s.124)

(e.115)
unde

!i =-(1+hre)'!b

(e.116)

Ri'r'= -hjE-1 r- h;"

(e.117)

P' =
'

(e"118)

Re'Ri'r
(s.11e)

R6 +Ri,1

Rt

=Ri,t

(e.120j

Avand ?n vedere valoarea micd a.rezistenlei de intrare, etajul va fi


atacat in

r',

Deoarece

-,

&-nil

RE' 'l]i*

Rg +h;g,J Rg i.h;g

*rt* cu un ordin de marirne mai rnare desat


;J*
il0e

din expresie gi valoarea lui

Deoarece REtt Ri r

Rs +R6

*,,' = J-[,
,,0"

\/_

=*E
I,

(s,125)

=...-

o'=L*{-,.#ftJ.ffi1r"'

Deci rezlsten{a de intrare in tranzistor. are o valoare foafle micd. de ordinul


zecilor de ohmi.
Rezistenla de intrare in etaj este:
Ri

RlRn

Kc

h1"

(s,126)

ts.127)

orice rezistenld

este foarte mare obtinem

o",,=#[,-*ffiJ

{e.128)

curent.

Rezistenla de iegire a etajului in ipoteza in care este neglijat


G

apitolul

I : A M P Lt Ft CAIOIRF

hss

este
Capitalul

AM PLl F|CATAARE

221

Valoarea acestei rezistenle este foarte rnare, lrutAnd si ajurrgd de ordinul


megaohmilor, deci etajul poate fi considerat cd afe ie$irea in curent,
Amplificarea in tensiune a etaiului este:
(e"12e)
Negli jAnd parametrul

lreo

te-ryq
o =---EeRs r lRs h," + + h1")RE
$e obseruE

c& arnplificarea

(1

(9.139)

in ourent a etajului e$te subunitafg

oblinem:
g.

Vo = *hf" .!r, 'Rr-'

5. AMPLIFICATCRI.j L ECH ILIERAT i}E CUR.ENIT CONTIN

UU

(9.13CI)

si folosim schema amplificatorului cu enritor


in figura g-1 , ca voltrnetru slectronic pentru a rndsura o

Sd presr"rpunem cA intentiondm

R'

-'
t\r

R"

r(L +KC

Yin = *hi" '!n

(s.131)
r'o 12?r

/o {ra\

=lIa.p,'
h.

{s.134)

"te

Amplificarea in tensiune este aceeagi cu cea din cazul etajului cu tranzistsr


in cone>;iunea HC cu excepfia faptuiui cd in acest caz intre sernnalul de intrsre si
cel de iegire nu apare ciefazaj"
Amplificarea in surent a etaiului este:

A.=!o
:r
!i
!o = nre

p;-fft,

nr.[!i * (1 + h1*itoj

''r_

li :*+-

/o

.R.
ln

+ hie .]b .=0

[hi"-(r+n,u)ri,]ro
RE

Ce pttalul 9. A M P Ll

l-lCA'fAARE

tsnsiune necunoscut5, conectdnd aceastd tensiune in serie cu En.


Ecua!ia:

nre lu HL
hi" .!u

"
n,,

6omun prezentate

,t c.

Eo

=Ec

.(Ea

-Vo)

(e" 1 4.0)

afata ca circuitul va fi necoresirunz&tor pentru scopul propus. Ar fi posibil s6 se


calibreze instrumntuf ini*inlea nrdsurarii pentru a tine seanra ce Es gi de valoriie
rezisten{elor, care se pre$upun constante. Tensiunea v5 asociatd joncliunii"haz6
ernitor, este lnsd dependent& rle temperaturd scdz&nd cu creqterea tempenaturii
cu s rritezd de aproxirnativ 2nrV / .C.
. Astfel, pentru a ob{ine un aparai de mdsurat satisficitr:r, este esen{ial sd se
elimine tensiunea Vr: din valerarea mdsurat6.
Acest lucru se poate realiza cr: ulmdtorul circuit, prezeniat in figura g-16.

c\

(e.136)

(s.13n
Fig. 9-16
{s.138)
Capitalul S. AM PLIFiCATfrAftE

zlJ

Pentru a infA{iga asemdndrlle funclionale rJe bazii intre circuitele cu


tranzistoare pnp $i npn, au fost introcjuse in acest circuit tranzistoare npn.
Circuitul a fost construit prin punerea laolaltd a dou$ sircuite simole cu emitorul
conrun. Diferenfa intre lensiuniie de ieqire indiiriduaie 861 gi
iegire it circuitului:
F^=

F^.

- l-^,,

Egr2

esie tensiunea de

Tensiunea dependentS de teruipeiaturd a fost eliminatd din tensiunea


la ie;;ire datoriti caracten.Ilui echilibrat (simetric) al circuitului. Un
procedeu de calibrare foarte simplu poate fi folosit pentru a determina valoarea
factorului constant din expresia lui E6. Pentru aceasta se ia mai int6i Es1 egal cu
mdsuratd

fdcdnd astfel E6 = 0 pentru o simetrie perfect5 a circuitului. Se adaugd apoi


o tensiune rnicd de calibrare, cunoscutf; E6 in serie cu Es2. Raportul Eo/Ex este
Eez,
(e.1 4"1)

factorul constant. Fentru m5surrare, tensiunea Es este inlocuita cu tensiunea


necunoscuie.
Tensiunea de prag sau de deealaj Vo este tctal compensst* nurnai in mdsura in

care circuitul este cu adevdrat simetilc ai izoterm, crice asirnetrie in valorile


rezistoarelor sau in p, gi orice diferenle de temperatur5 intre cele doui
tranzistoare va da naglere unei tensiuni la iegire diferitd de zero cfriar' gi atunci
cAnd Esr = Ene, gi care reflecti dependenla de ternperatur5 a lui Vo.
Unul din avantajele impoflante ale procesuiui difuziei plansre pentrul
fabricarea circuiteior integrate este ca rnai rnulte tranzistoere Ei componente de
cit"cuit asociate pot fi produse pe aceeagi pastild de siliciu. Acest proces asiguri
atat o imperechere str0ns6 a \ralorilsr elernentelor cdt gi un contact ternric bun

intre elemente, fiind astfel icleal pentru fabricarea amplificatoarelor de acest tip.
Pentru analiza comportdrii circuitelor simetrice de ase$t tip, este convenabil
sd se considere tensiunile de intrare Ep1 gi Es2 ca provenind diri superpozi{ia a
doui tensiuni:
-81_bB$*ED

(e.145)

LB2 - LBg TLAD

(e.'J46)

Fig 9-17

in

plus, deoarece unicul elernent comun intre cele doui jumdtdfi ala
circuitului este sursa de tensiune constarrtd Es, nu existd cuplaj intre aceste
jumdtdli. Prin urmare, Ecll depinde nurnal rie elementele din parlea stdngd a
circuitului gi relalia este datA de ecua{ia:

Componenta Ess este nurnitd componenta sumd sau de mod cornun

6
Eor =

Ec

nJb},,, h

(en * v,)

=Ec

-".ff"r1-

(E* --v,)

724 -

=E+*T[

(9.147)

componenta Esp este nurnil5 componenta diferenfr{ sau de mod diferenlial a


tensiunilor de intrare. Ea este semidiferenta acestor tensiuni:
(e.143)

(s"148)

t
4

Otrfinem pentru tensiunea de iegire;

t'

_- -81 ' -82

{e.14?)

similar
Eoa

tensiunilor de intrare. Ea este sernisuma tensiunilar de intrare:

Analiza f5cutd pentru circuitul consideiat aratd cf; tensiunea de iegire este

funcfie nurnai de componenta diferentd

(E*' -Eu')

(s.144)

a tensiunilor de intrare si este


independentd de componenta sumd.
Din acea$fr cauzd circuitul esle int&lnit sulr numele de amplificatrrr diferen{ial.
Degi amplificatorul diferenlial considerat are proprietatea ca, in cazul unei $irfietdi
pi a unei echilibrdri perfecte, tensiunea de iegire E6 depinde numai de diferen{a inire
tensiuniie de inlrare, tensiunile coleclor-masa Ee1 gi E62 sunt fiecare puternic
ca

pit ctiu

tt.

a,

a,tilt r I C AToAAl'-*-

"-

clependente de Es1 gi Es2 segldrat, adicd depind gi de contponenta sumg a intrdrilor.


Circuitul poaie fi nrodificat pentru a reduce dependenla menlicnat6 prln legarea
emitorilor la rnas6 nu cliroct, ci printr-un generator de curent constant (vezi Flg. 9-18)"
Ca urmare a simetriei circuitr.rlui, este evident cA tensiLlnea Eo dintre colectori

este nul6 atunci ciind conpronenta diferenlti a intrdrilor este nuli, adicd atunci
c0nd Ear este egal cu Es2.

In plus, fiecare tensiune colector-fflasd este independentd de Ear gi

Eaz

penlru tensiuni de intrare egale. Tensiunile col.ector-masd sunt:

"a

(s.14S)

deci sunt independente de Eer g! Es2, intrucdt pentru tensiuni de intrare egale
cLrrentul 14 se divide in mod egal inlre cele doud junrdtdli aie circuitului,
Generatorul oomun de curent nu ars ins6 nici un efect asupra compoftArii
diferenliale a circuittilui. Arnplificalea diferenliald nu este atectatd de lp pentru cd

semnalele de intrare diferen{iaie deterrnini curehtul printr-un tranzistor sd


creascd cu aceeagi valoare cu care scade prin celElalt tranzistor. Astfel suma
curenlilor rle emitor este constantd, irr cazul sernfialelor de intrare diferen{iale.

Fis

9.1S

Potenllcmetrele R4 gi R7 $;ulrt folosite pentru a cornperlsa ofice


Hrici

cliferente
^ caracttsristicile tranzistoareior
intre
sau inire varorile rezistoarelor. p;;; ';
realiza convergenta rapicld a cnntrorurui echiribrarii, se ajus,reazd
R4 pentru a
obline E6 = 0 cu terminalele de intrare scurtcirsuitate. Apoi se
ajusteaza R7
pentru a face En = 0 cu bornele de lntrare ln .lol.

9.6. AMFLIFICATOR CA$COSA

Fig. 9-18

in concluzie, adEugarea generatorului de curcnt reduce amplificarea pe modul


cornun, fdr6 a afec{a amplificarea pe modul diieren$ai. Tensiunea de iegire devine
astfel nrai pttlin sensibilf, la mici abateri de la simetrie gi sLtni suprimate component*le
nedorite de rnqd cornun care ar pi.ttea fi prezeniate la intrare.
o variantd practicd de amplificalor echilibrat de c.c., alimentat la o sursd de
jV este prezentat& in figura g-19.
Cdderea cle tensiune

pe Rs est6 aproximativ jum6tate clin tensiunea

de

alinrenlare gi astfel curentul prin el este prficLic constent dacd compcnenta de mod
cornun a tensiunilor de intrere es1* micd in cornparatie cu tensiunea de alimentare.
Degi anrplificarea aoestui circuit pe modui comun nu este zera, ea este mult
mai nric5 dec6t ar fi in lipsa rezistorului R5.

z:to

Capitalul g. AMPLI|-|CAI'OARE

cnd trecern de ra cin:uitele cu un singur etaj, la proiectarea


anrpiifir.atoareror cu
nrai multe etaje, apar posibiiitdli de proiectare cuiotrrr
noi. De exern[rlu putem oblir$
arnplificdri foarte mad reg6nd in cascadi etaje cu
emiloi.ur cornun (aoice conectarxi
iegirea unui eta.! la intrarea celtri de-al doilea etaj),
deoarece anrptificarrla sistelnultri
va fi de obicei de crdinul produsurui ampritic&riror Ltaieror
individuare,
aiegem amplificattirul cu dou& etaje cre tip aga numit ',cascocld,,
prezerrtarr
in figura 9,20.
, Tranzistorur 11 esie intr-o cr:nexiufie cu smitorur comun tipic6, ilr afard de
faptul ca sarcina $cllectorului este un ai dsilea tranzisior,
in Ins sa fie obi$nuitul
reaistar.
Tranzistsrui rr este un etaj cu baaa coilruna: sernnarur
intr"G ?fl emitclr $i iese
la colector, baza fiind menlinuta fa un pn{en,tiat
c*n$tant de *dtre 0 5ur5E.
Din punct cte vecere ar fruxurui'cie putel.e cantinud debitat qre
sursa cie
aiimentare, cere dr;uE tranzistoare sunt in serie gi
curenlii de coiector rcr gi rcz
sunt practic egali.
Capitr-tht!

g AMpt

iF\CA.fc.Atsg

-n7

Dacd reteaua de pr.ilarizare este aleasd corect, amtrele tranzistoare

Pentru acest circuit echivalent simplu, arnplificErile pot fi caloulate:

funcfioneazd in regiunea activd norrnal&; prin urmare, intr-o prim6 aproximalie,

vom putea face calculele asupra amplificErii, folosind pentru

Vg61

gi astfel

Vs2'

AI

tranzistoare

circuitele echivalente sirnplificate cu oip gi pp aga cum se aratd Tn flgura g-21.


Din aceastd scliernd rezultd evident c6 tensiunea de colector vcE a lui
este determinatd aproape exclusiv de tensiurrea aplicat6 la iraza lui T2:

ffi=

rr

n Vn Al""R,
R
^
^u-y =--^{F:=*F''oo,d

(e.150)

V"*=V""-VB2-lcRL

(e.1 51)

Fo,,oo'

(e.152)
/'O 't q,"\

Rezultd clardin ecuagiite (gj1sa) 9i {9.1s3) ci deoarece *, este


totdeauna
mai mic ciec&t unitatea, cel de-al doilea tranzistor nu rniregte nici amprificarea
de
curent, nici amplificarea de tensiune a acestui circuit.
- -.o raliune importantd pentru ad&ugarea unui al cloilea tranzisior in felul ardtat
Tn figura g-20 este ci acest tranzistor, funcfiondnd
cu haza comund
nu cu
emitoru! comun, poate admiie tensiuni murt nrai mari ra corector. $i
in
adevfrr.
tensiunea de colector a unui etaj cu baae comund este limitatd
de ten$iunsa de
avalanqd.a jonciiunii coroctor gi nu de tensiunea de men,tinere.Jn
acerasi timp,
conduce la o cregtere cu un factor de s ori a iirgrmii de band6, pentru
aceeagj
arnplifi care la frecvenle rnrylocii.

RCILUL ELEMENTHLOR DE CIRCI..JIT DIN $CHEMA


UNUI
ETAJ AfulPLIFICARE

in figura g'22.a

a fost redati sbhema unui etaj de amprificare rre sernnar


mlc
cu tranaistor biporartip npn gi rn fiEure g-22.b cea cu
tranzistor cu efect de camp

Fig. 9-20

cu canal n.

"ce

J**
..l}ur

Inr

*u,'*,

--+

Fig" 9.22

Fig. 9-21
228

Ca

pitalul 9. AM PLI Fl CATOARE

C a pitol u I S. A M P Lt' F I CATCA,SE

22_g

llrrzistenlele Rr, Rz, F.3 in cazul primei schenrs au ilnicul rol de

a poiariza

llrtllraslontl hipolar. Rezistenla R4 pariiciprd ta poiariz;*rea tranzis;torului gi impreund cu


It1 t,trltsliluie rezistenla cle sarcind. $emna!ul util v6 esle cules la bornele rezistenlei
(l(1 l',nrcine (suma E6 este scurtcircuit din p.d.v.
al varialiilor" cle tensiune). conrlt'tlt'{tl(trtll C1 perlrlite cuplarea sursei cle senrnal cu intrarea invsrsoarc a etajr."rlu! de
atttltlilir:.are (baaa ttanzistorului) in a6a fel ce sA nu se matJifire pcteniialul cqnflnr.iu al
lxt'toi' Cottrltlnsatorul C2 conecteazd iegirea neinversoere a etajului de amplificare
(otnllorul trarrzistorului) la masd. irr acest fel, ac*st etaj de ampiificare
re*lizeaefl o
nnrpliflcorc negativd, adicd o amplificare cu o inversare ds fa;d a semnalulul aplicat

s"In-

*n{lrlr- fys}

9u

la lnlrare.

condensatoarele c1, c2, c3 au valori asifel alese inc&1 ele sd repreainte


adevdrate scurtcircuite din purlciul de vedele al varialiilcr de semnal.
ls trec\,nentle
(le luoru. condensatorul c3 asigur"fi o separar gaivaniod
intre R1 5;i uolectorul

3l*""{"* f$-*0,--

*-Eil-+i

b1.

'-l

lranzistorului.

ln cea de a doud schemd, rerlati iri figur"a $-?? [: rezisteniele Rr, R2 R,3
$i
asigurd polarlzarea iranzlstorului cu efect de c6rnp.
Rezistenla R2 ?mpreund cu R1 reprezintd sarcina acesrlri etaj de ariprificarn.

c.ondensatoarele
c1 gi c2 au ecera$i ror ca gi pentru nrcntajul cu tranzistor
bipolar. condensatorul
asigur'6 o separare galvanic;i in curerrt rflnfinuu. inire

-c3
rezislenla de sarcind Rs
gi drena tranzistorului. $i acest condensritilr are c;
valoare suficient cie rnare pentru ca reactari,ta sa sd nu cont*z$
Na {rer\ren{o {j*

lucru a amplificatorului.
. Ambele etaje de anlplificare sunt arnplificatoar* inversoar*, avAnrj erniton_il
gi respsctiv sursa tranzistorr-rlui la rnas*.

Flg. 9-23

e,8.1. CALCULUL AMpilFtcARil LA FRECVENTE MEDII

schema echivalentd simpriflcatd pentru frecrrenle medii s$te


redatd in

figura 9-24.

9 8. SCHHMA ECI*IIVA.LH*{TA DH $HIvINAL-filIIC A UhJUI


H"rA*j nH
AMPLIFICARE. CALCULL,IL AMPLIT ICANI
r

Fig. 9-24

. Penlru a detern'iins parametrii unlri e,raj de amplificare este nec.esard desenfrrea


schernei echivalente de
vr,.de in flgura g-23"

sernnal mic a lranzist*rulLri gi respectiv etajului

"p* ",r*

uu

A fost ilustratii schen-ra echrvarentd de sernnai mic a TB gi s'hema


echivalenla de semnar mic a etajurui de amprificare cu
TB care {ine seams de
cornportarea etajului pentru toate dan'leniile de frecven!5:10ase,
nneciil 5i inalte.
Determinarea tactorului de an:plificare v01v, din circuitirl
recjat in figira g-Zi.b
este clificird. Hsre murt nrai simpru de determinat faexorur
de annptiticlre separat

in trei

domenii

de frecven{*, deoarece pentru fiecare riomeniu

echivalentd pr:ate fi simplificat* prin negli.iarea unor


elEmente.

schema

La frecvenle medii se cansiderfr cd reactan{a oondensatorurui

obline acest lucru. Ca ufmare din schemd rezulta:

iiirib;#-iil;;.iuntru

a *e

{9.154)
unde:

Rr 'l'-

f\1 =-*-*a-

R1

Ga pitalut g. A M p L I F I CAT'AARE

cu cn gi cu

este suficient de rnare (varcrire acestor sondensatoare


sunt rnici), pentru ca
influen{a lor sd poatd fi negrijatd. cc'ncJensato;ireie
c1, c2 $i ca sunr cansiderate
ca avSnd reactante nure (scu'rcircuit), varorire ror

+[*

c a pitoluI 9. AtL| F L! Flc.E

RrRr

K1+K2

raani

231

Vo

_9.r,Vn Rl'Rq

(e. 1 5s)

ni;=ni

!,, =i,nc,,

(v- - vo)=i'c*[r.,n,"

p|f*;

Amplificarea va fi:

nt'--.

n^--Y!--, .-1,=Br-*u
vi Rr *Rs 'm R1
'R4

(s.1 56)

Aceasta inseamn5 ci4 putern intefpreta


plintr-un conr1ensaior de valoare

minus ciin reia{ia (9.156}).

ca {iind curentr,rl care se inchide

c.lr*'- -T*;]

independentd de frecvenld,

$e observi cd etajul de amplificare realizeazd o inversare de fazd (sefi]nu'

l,

(e.1 se)

]-o^

(e.160)

care are la borne lensiunea v", adicd se gase$te in paralel cu condensatorul


Rezultd deci schema echivaientd din figura g-26.

c-

9.8.2, COMpORTAREA LA FRECVENTE 1NALTE

$chema echivalentd sinlpiificatii este redatd in figura g-ZS.


TF

,!p

b"j

ni

.tt

I
J.

l"*t*

s-l

a4

Flg. 9-26
E.g

$e poaie scrie:

v-=V, RL-.---1
-' Rr ,Rs 4T i...
JUUT

Fig. 9-25

/O 444 r

Rr'.Rs
-

Factarul de amprificare exact se poate obiine rezorv6nd sistemur


de ecuatii
pentru acest circuit, dar valorile aproximative care se
dau in cataioage peniiu
piirarnetrii tranzistoarelor fffc oa exactitatea soluliei sd aibd
valoare numai dacd
tranaistorul folosit la realizarea etajului de amplificare corespunde
intru tatul
datelsr din catalog. Abateri de 1s-zaah ale pararnetrilor tranzistorurui pot
duce ra
abalet"i tot aga de mari in calculuN faciorului de amplificare gi
deci la inutilitatea
unui calcui exact.

Din acest motiv, vom carcura factorur de arnprificare aproximativ,


ficf,nd

urrndtoarea presupunere:

l]Jh=_._--=-

(c.162)

Rt 'Rs

"t o]'"R,
gi

fin6nd cont de expresia lui As anterior statiilitd oblinern:

^A^
=T;fi7%
th

l!*j..;s*.v,
adicd curentul care se inchide prin
inchide prin reeistenla de sarcln# Ri

cu

(e.1 57)

este murt rnai mic fald de cer care se

il R+. Se poate deci scrie:

Vo

=-e*'V- C&k-

c apitotut S.,a M

ittptC nrOm

(s.163)

care esle o funclie de frecventa semnalului aplicat.


Modulul 9i fazir arnplificdrii vor fi:

|AIt--L'l

li iltl

7]}*l+

Rt +Rs

NotAnd.

la"l
i'-' -------;

't/1 r-(r,,
(e.158)
()altllotr rt s AMp;t

/r,'5)'

r i:i{

liiii:

233

9.8.3. COMpORTAREA CiRCUtTULUt LA FRECVENTE,|OASE

*r*
+ zc
eh = *erctU
crt

reprezenlare graficd corrvenatiilfr

{9.'164)

a ampiiticarii este aceea ia

lr;garltmicS, pentru care calcuiam ampiificarea in decibeli:

(An)o* =2ut$a i anl = (no)o*

scar.d dubid

t-. it
*

-t0is1s,i.'-l
il lo16,r

.Aceastd ccmportare este deterrninat5 de ' condensatoarere c1, c::, c:,.


ilustreze efeclul simultan al acestor condensatoare esle clificrilll
qi de aceea este convenabil si considerdm efeciul fiecdrui condensator
sofJsrgt.
$chemele echivalente sunt redate in figura $-2g.

o analizi care si

(e.1e5)

$e consider doud situatii


r,r

limita:

<<cDh

a) >:>

(An)ou = tAo)d,

rr,h {Xn)u" ='(Ao)ou -zorg,*

fr

is.166)
(e.167)

vil

Termenul al doilea din membrul drept al relatiei (9.167) aratd c5 amplificarea


scade cu ?0 dB pentru un.rsport de frecvenle h ='10, adic6 pentru o variaiie de

frecventd

de o decadd varia{ia

- 20dBldecadi).

amprificfrrii este

de 20dB (pania

Fig. 9-28

de

Reprezentarea graficd a nrodururui gi faaei este ilustratd in figura g-r7.

Ludnd in consldefalie influenfa lui C1 puiern scrie;

/\

y^
-fi)

d-E

y' __:,- -il?S, :I:L


Rr +Rs 1+i0.,C,iR,'+R*j
- '\

l d"

(e.168)

"]

tlE)

Vo = -$rn Y" ' --14)L|a4 +r(1

(e,16e)

Amplificarea la joasd frecvenJ5 in acest caz este:

*J =-.-

A,1

+Rs
Rr"t*-

&ti- -r"?tl-:t)
o.""' R4
-Rr- 1+ jr,rc1(R,"

Rezultd:
jn,,/
^ I
^ 1: A^.-Ar

-j

Fis. 9-27
Capitolu! 9. AM PLlFICA TAAp.E

--v

(e.1 71)

unrle

TICAT?ARE

-*lt3lt

0)

'

11

I
* ---7--T---

(e.172)

C1(R1 +R5,f

La limitfi, pentru o <<oj1

condensatoarere c1 fi cs se numesc c'ndensatoare do cuplaj, Ere determini


scederea amplificerii ra frecvenle joase, mergAnd p0nd ta ampliRcarea zero pe
masure ce se apropie de valoarea zero.
se poate observa ca frecvenla la care interuin aceste condensatoare este:
I

fn,1)
(Ao)0, + 2o
\ JIdB =
Fi pentru

{D

>>

rg

-e-

''

(e.173)

cD j1

(^lF'=(uJloe

(e.174)

(e.178)

CiRt

este rezjstenla refelei vizute la bomele condensatorului


lKsd.*5,
+ Kr, lar in al doilea caz Rq + RL).

Reprezentarea graficA a moduluiui este redatA in figura g-29.

Vo = -grn(R2llno)'V,

Vr=Vi' ,*;
R1

Vr

=v,

*[**n'

,trft.,

v")

Lund in consideralie influenta condensatarului C3 putem scrie relaliile:

.3--

Ai2
{e.176)

=no.--f$e'cz
1+R3[0,.J"*;

Reprezentarea asirnptoticd a modulului


A11

,'dacd se

inlocuiege j1

g,2 = _-*-i!--rr--l-

.|

lui

(s.17s)

(e.181)

(9:182)

(e.1 E3)

Rezultfi:
unde

acest

(e.175)

R1'+Rs

.I.)RrR+
V^ = -q*
;u
""' . RL +Ra -]99ger
1+1oC3(R1 +Ra)
jo /oi3
.?
Ai" =4o r.r-*

in

(e.180)

+Rg

v,=v,,fr*[*.r,,)fifr *,]

-'

gn primul caz

Influenfa condensatorului c2 se calculeazd pe baza figurii 9-28.c.

caz putem scrie:

v- =v,.

c1

ir

-:--C3(Ra +R;)

A1" este simiiard

cu j3.

capitants.nW***

-t

(9.177)

cu cea pentru

ro + (1

1+

h21*

t+ 'i.

(e

,1E4)

jo

RtCr
te- rd92*-

(e.185)

r* +(1+h26).R3

Notdm:

A6'Ca pitolu

,Ao-lt-

r" + (1 + h21u).R3
I S.

A M P Lt F

ICAIOAR

(e.186)

(e"187)

Re'cz

't
Oi"

Rs

t,,r

.i:__..!_ {1

+hr1").R3
-'-l

'Cz

__

(s.1 88)

rn

0);o ) tD;7

oi"
Jd

*j*

Rerulta cd:

Fig. 9-30

l.rw
t -f J-_,
0t;t
= ,,lO . __n

1-ej-

(e.180)

@iz

I (

h,')0,

= (oo')0, r?ots16,lfr

lj

*l -4.

tranzistoarelor.

\',

\o12 '/

Dup6 curn se observd, chiar la frecven{e rnici, , amplificarea nu scade la zero.

c2 este un oondensator rje cjecilplore gi roiul sdu oste de a pune la rras&


intrarea neinversoare a dispozitirrului {eniitor la TB gi sursa ia TECj, respectiv de
a scurtcircuita in c.a. rezislen{a din emitor/sursd, introdusd pentru polarizares

-zors,1.

{e.1s0)

Prin cumularea influenlei celcr 3 condensatoare, caracleristica de frecvent6


completl a etajului de amplificare cu TB este redat6 in figura g-31.

Avern urrndt0arele situalii;


O

<"< 6J t2

coj2

{c}

{a,')ou

<oiz

=to'h,

(4,')o* =ioo')nu, +20lsp*g;

(e.1s1)

(e.1

s2)

&rj2

rni2' <<((D

r^ \
/nzi
r_i'j,re = tAo).re

(e.1 e3)

Unghiul de fazd al amplificfrrii este:


,p

a6ig*\ajZ

Fig.

arctg*3-

(e.194)

arjz

Caracteristica de frecventS dstoritd lui C7 este ilustratA in figura e-30.

t;t

tl

Capit alul g. A M PLI FICAT9 AR

S-81

se obserud ci etajur de amprificare are o frecventg rimitd superioard* gi o


6
liecven!* limitd infer1oard eu13. $erni-'rclele cLl frecvonle ln interualul 0)j3
-0)hvor
fi amplificate de acest circuit.

. 9* pgt calcuia imp*danlele de intrare gi iegire folssinr] s6hemele eclrivalente.


Aceste relalii vor fi diferite, funclie ce rrenventi lel care sunr calculate.
conexiunea bazd comun& reprezint* un anrplificalor neinvr;rsclr, deoaroce
un
condensator scurtcircuiteazi ra mas6 intrarea irrversoare (vezi
figr-rra g-32).
Qa pit

aiu! g. AM P Ll FiCl,TO,4RE

zJv

*[c
Htl

lJa

cr

J"

r!

#l

-E

fr,t
Fig, 9-32

uo[1
T

fitt

'

conexiune colector comun. din punct de vedere al semnalului rnic este

rerlatd in figura 9-33.

Fig" S-34

+Ec

schema din figure g-34 se mai nurneSte schernS


cu urmarire de poten(iai.
G

T^-'

iEr

n0

Fig. 9-33
A,mpliflcarea in t*nsiune la frecvenie meciii a conexiunii BC este cie aclagi
ordin de rnf,rirne cu oea de !a EC.
?n cazul conexlunii cc, ampiificarea <je tensrune ssts subunitarii,
daf foarte

apropiata de Lrnitate. FJajul rea!izeaz5

amplificare

in

curent importantd

ccrncomite nt o impedan{d de intrare fsarte mare


{repetor pe cmitor)"

tt

.ri 3

,u* *,

I T.*

fiu,

"-.{ o,

gi

FiE g-3S
Rezistenla de inlrare,

9 9. ft/|ETODA tsOCITSTRAP PHNTRU MARIREA |N4FEDANTEI DE


II{TRARE
Mdrirea suplimentari a impedantei de intrare se poate realiza gi prin ,Tietoda
hootstrap prezentatii ?n figura s-84 care reduce inc&rcarea sursei de semnal
cu
rezistenlele de polarir_am cJin circuitul bazei.

In figura 9-S4 colldensatorul c2 in curent alternativ este admis ca

_**B lof

.|

un

?n

ffcest caz devine:

o'=n*:; ;A'2=r*dh.=.,

(e.1 e5)

Deci Ri,, are o valoare foarle mare.


ln figura g-3S este prezentatd o variantd
a schemei din fiELrra Q-34.
Rezistenfa de intrare a repretoarernr pe
emit'r se mai p'ate mdfl vararic
recurgAnd la tranzistoare fn correxiun*
nariingisn, FiE. 9-36.

scurtcircuit. Eeci, potenfialul clin punctui A este egal cu potenlialul din punctul
c.
Dar, aga cum s-a vizut in paragratur neferitoi ra eia.iur iepntor pe emiior,
potenlialul din punctur A ir rpete pe cer din punctul n, ueci potenliarere
in
punctele B gi c sunt egare, deci prin reaistenla R6 curBe
un eurent de sernnal
fsarte rnic. Rezultd cd sursa de semnar debiteezfi aproJpe in intregime
in baza
tranzistorului curent util.
C api( <tlul

AM

P Lt

F|CAj-OARE

14f

",-1

Fig. 9-38

"L
Fig. 9-36

Yrl

R- = ltr,.,,,, + (hr,,,,)h,.,u,, * {hr,.,, +t)(nr,., +t)n,


Fig. s-39

in figura g-37 se exempiificd solulia de bootstrap cu rjioda Zener.

Pentru figuta g-38 se pot scrie relaliile:

Y- * _y'z--=J:-S--Y..
! v'-v, 1--Y+Y,
z

,-

v^ v..z

".ml

-t+

*l

t!

= -=L:-

vr

-v,

A,

-- _-=L'

Au

-1

_&_

'r_a

o
t

Deei:

-7_4

Fig. 9-37
Avdnd in vedere cd in semnal rezistenla r, a diatlei Zener se poate neglija,
tensiunile de sernnal tJin baxd gi colectorui lui er sunt aproximativ egale, deci
curentul de sernnal prin rrrl se reduce foafte mult.

r't
=.1- A,

n-"'

9,

O,

U IT

(e.1e7)
L

=s,in

(e.1 e6)

?-va

4"orr=7l-4,,"-4

(e.1e8)

in figura g-40 se consider5 ur,! circuit rcsl cere poate fi utilizat atAt in cazul
tranzistoarelor bipolale c8t $i in cazul tranzistcarelor unipolare:

LATERALIZAREA AMFI-I FICATOARELOR

Pentru un am;:lificator irJeal cje tensiune,


-inlocuitd
cu efectur echivarent
gi
la intrare

,47-^**--_--

irnpedenla Z (Fig" 9-38) poate fi


la iegrre, ca in'figura g-30.

Fig. s-40
Condensatorul

a pit al t; I S. A M P Ll F ! CAI*OARE

C1

pnate fi sau Gg" iai"Crpoatte fi C,, sau Ciu'


Qapitalul

"

AM PLIFTCATAARE

-*^-rv':i

Ecuafiile de eurent in nodurile de la intrare gi ie$ire, clupd Fig, 9-3G sunt:


11(s)

0=

- s.C, .V,(s) +s.C,

[V,(s)

s.Cr "[v,(r) * Vr{s)]-s, .Vj(s)

1.,(s)

V.,

(s) .s

0 = Vr(s).{g*

(c, + c,)t--

Vr(s)]

(9.199)

_\ts).%(s)

cr

v2 (s)

(e.2oo)

(e.201)

*r"c,)- Vr(").[s.c, +yr(s)]

(e"202)

Din ecualiile (9.201) 9i (9.402) rezutrd:

Ct + Yt(s)
(s) = (s)
-'\-/'"-".(",
----,.-s-'
+c,ifs. c;.' y;GF;.cr@;-

V,

l.

(s.203)

",CJ
(9.204)

{s.205)

(s.?06)

,r,
(e.208)

DatoritS relaliilor (9.206) gi (9"207) scherna din figur* $-41 se unilateratizeazd


ca in figura g-41.

2in---**WncAr0ARE

-1---".,.2,,,'(s) =

i{-

+,[(:
=

n;k;

;..,+,*.

= R""n + G*"n

vt
N
' 'ecn =,-*----

(s,?16)

9-'ur

r''

rf r\
"ech - vm 'r \l- ' ul

Fig,

{e.217)

9-"1'3

Circuitul conline trei etaje cie amplificare sepanate galvanic de condensatorii ft 9i


C:6 asigtli? separarea sursei 9i a rezistentrei de sarcinA.
Etajele I gi ll sunt realiz_ate cu tranzistoarele Tr $i Tz in nontaj EC, folosind
pentru decuplarea ernitoarelor condensatoarele C2 $i Ca.
Se observi cd al treilea etaj este un repetor pe emitor 9i deci nu realizeaze
amplificare de iensiune, ci o adaptare intre rezisti;rrta de sarcind de valoare scdzutA
Rr_ $i ie$irea etajului ll al arnplificatorului. Conectarea directd a rezistenlei de sarcini
Rs in colectorul lui T2 ar fi eondus la scdderea sulrstanfialE a amplificdrii acestu! etaj.
Conec{afea prin intermediul repetoruNui pe emitor Te(care prezint$ o impedan!fi de
intrare mare) are ca efe6t mdrirea amplificirii reslizate cu etajul ll 9i deci rn&ilrea
amplifi cdrii intregului circu it.
Principalele avanta.ie ale realiziirii unui arnptificatcll stEb forma uncr etaje ?n
cascadd cuplate prin condensatoare sunl:

Cs. Condensatorii C1 gi

Y*

Fig. 9-42
Aceastd inlocuire este foarte irnportant5 deoarece, elernentele ce intervin ln

scherna unilateralizati nu sunt dependen{e de frecventi.


Rdspunsul amplificatoarelor cu etaje unilaterelizai.e se cetermin* ugor, oa
produs al amplificatoarelor individuale. La trsnzisloare bipoiare modelul unilateral
este suficient de bun pentru frecvefi,tele mai mici

ca
r

f,

in etajele selective

de fiecvenfd inaltd nu ss poate folosi modeiul de circuit unilateral.

9.i1. AMPLII.ICATOR CU MAI MULTE ETAJE CUPLATE RC


cum amplificarea la frecvenle rnedii, care se poate obline cu un etaj de
amplificare cu un tranzistor, nu depdgegie curent valoarea s0-70, iar imparlar.rfa
de intrare a acesteia este scizuti (ordinul i() ), putem obline amplificatoare cu
porformanle ridicate gi valori mari de arnplificare, cOnecttnd in cascada mai
multo etaje de amplificare.
separarea in c.o. a acestor eiaje se face prin corldensatoare de cuplai, ceea

- influenfa temperaturii asupra FSF se manifestd localizat la fiecare etaj in

parte, neexistand posibilitatea rnodificdrii reciproce a acesto[a, se tlbfine in acest


fel o buni stabilitate la varia{iile temperaturii;
- calculul etajelor de amplificare este relativ simplu, influenia intre etaje
apdrAnd numai dln punct de vedere al varialiilot'cle semnal.
Dszavantajele realiz5rii amplificatoarelor in aceast5 manierA sunt:
- numdr mare de Gomponente datorit6 existenfei mai multor cornponenle
care fndeplinesc aceleagi iuttcfiuni (reaistenlele de polarizare, de exemplu);
- prezenla condensaioarelor de cuplaj gi de decuplare in nunt&r mare
conduce iil un gabarit mare (valori de ordinul eecllor de prp ) $i consum nlare de
piese;

amplificatoarele nu pot

fi

folosite la frecvenle scdaute' deoarece ar fi

tfanzistoarelor. Rezisienlele rJe polarizare pentru flecare tranzistor $e vor fixa

necesare cotldensatoare de v61ofl foarte mari (greu de realieat qi costisitoare).


O solulie mai convenabild o constltuie 5;ruparea pe etaje cle amplificare mai
mari con{in$nd 2-3 tranzlstcare cuplate dirent, aceste circuite putand fi cuplate
prin condensatclare pentru a obline amplificatoare cu performfflr{e ridicate (vezi
Fig. e-44).

Capitr.tut g. A,M FLtFtCAj.OARF

Capiictlul 9" AMFLIFI}ATCARE

ce

permite fixarea independenta

punctului static

de

function*re

al

astfel separat.

247

h4co
*Jr,i

Alegerea cLt atentie a tranzistorului cJin primul etaj; in cazul arnplificatoarelor'


in electroacusiicS, este foarte irnpoftant6, deoare(:e acesta trebuie s6
aibd un zgomol ct mai mic posibil, Un nivel redus de zgonrot se obtine alegArrd
un curent de colector, corespunz*tor punclului static cje func{iorrare, cat mai mic
posibil, fdrd ca Ppse scadd prea mult.
Pentru a se obline tnansfer optim de sernnal de la un etaj la eltul, impedanfa
de intrare a etajului doi, lin6nd searila de prezenta divizorului R1R2, folosit in
re{eaua de polarizare, trebuie si fie egald cu impedanla cie iegire a prirnului etaj.
Nntrucdt impedanla de intrare a etajului doi nu poate fi aleasd arbitffir,
cuplajul nu va fl optirn, 9i deci cdgtigul total al annplifinatoruiui va ii mai mic decfii
suma cagtigurilor etajelor cuplate in cascadd. hiumai in cazul cuplajului prin
tfansformator se poate realiza eondilia adaptdrii optime a cupia.jului intre efa.ie.
In cazul cuplajului RC, conexiunea EC asigur5 pierderi minime din cauza
neadaptdrii intruc&t impedanlele tJe intrare gi iegire ale etajeior cuplate au valori
apropiate in cazul acestei conexiuni.
Schenra echivalentd a cuplajului RC este cea din figura $-46.

folosite

I
I

Fig. 9-44

9 12 AMPLIFICATOARE NE JF DE TENSIUNJI
Arnplificatoarele de j.f., numite 5i de audiofrecvenid, se cafacterizeaufi
printr-o bandd de treoere cuprinsd tntre aproximativ Z0 Hz ?0 kl1z.
9i
Amplificarea reaiizatd de un singur eiaj amplificator nu depdgeiite 40 + s0. pentru
crblinerea unor amplificiri mai rnail se cupleazi in cascadi mai rnulte etaje
etmplificatoare. iegirea unui eta.j fiinrl cunectatf; cu Intrara etajulu! urmiltor. Ultirnui
etaj, cjenumil etaj final, este de reguld un etaj de sernnale mari, adic6 cie putere, iar
etajele care il preced, nrirnite qi preamplificaioare sunt etaje de semnal rnici, nuniite gi
de tensiune.

cupla.iul intre etaje poate {i fdcui prin rezistenfd gi capacitate (RC) sau prin
trfinsforrnator, soiufii ilustrate in figura S-4S.

+E{

Fig. 9-46

La frecvenfe medii, nnnsider$nd Cp scurtcircuitat gi Cn irrexisient, schenra


echivalent5 poate fi pusd sub forma dirr flgura 9-47.

***-*J-***1
'tr-*E*l
Fig. s-47
Sarcina etajului arnplificntor" se poat calcula cu formula;

trJ =-lrKc lisKe ,tnK*


Rs
ll
ii

Fig" 9-45

in figura g-45.a este dat* sr:her"na celui rnai folosit tiij de arnpiiticetor, care arc
iranzistoare in conexiunea EC, cirplajux intre etaje fdciindu-se printr-un condensator
Cc, nurnit de cupta.i, care uneSte etajele din punnt de vedste sl semnaieleir
gi le sei:ard gnlvanic, pemilAnd astfel polarizarea core$punx"dtoarealternative
a bazei
tranzistorului din etajul al doilea.
248

Ca

pitolul

A M P l-l F tC A7'A

ARE

RB = R1

ll

R'

(S.:18)
{s.?1e)

Rezistoarele Rr gi R: apar irr paralel pentru cd sursa H;, repreainti aproape

un scurtcircuit prentru senrnale alternative.

?49

Amplificarea in tensiune a prirnului $laj, cjup6 oum rezultd din formulele


tet!1se la analiza etajului arnplificator cu tranzistnr, cre5te odat5 cu Rs .Ar fi de
dorit deci sd se ia Rc cet mai mare. Dacd analizdnr insd schema echivalentd, se
observi cA cricfft de rnare am lua Ro, pentru a cre$te Rs, rezistenla Rs_, oe care
depinde amplificarea in trensiune, nu poate crepdgi varoarea lui Ri,, (proprietalile
grupdrii in paralel a rezistoarelor). practic, in acest oaz nu are sens
sd se ia R.
mai mare de 3 + 10 Ke
se poate trage cleci concluzia cd la proiectarea amprlificatorului, valoarea

rezistentei R6

se deduce ciin condilia de

stabirire

regimului static al

tranzistorului. Admi!6nd o c6dere cle tensiune pe rezisten{a de slabilizare termicd


din emitor
Vs =Re.lco

=3-4V

Obtinem:

| = --.-:.---...1
' E) -rF *iY
'.s '.rn J,.cc

(0 ??4)

NotAnd prin iii, curentul prin Rs lar frec';ente joase 9i ctt i,,,' {ltol;l t:tttoltl lu
frecvenle medii, c*nd Xcc = 0, se pc,ate determina rapofiul it] cato st;tttltr

amplificarea in tensiune la frecvenle joase din cauza prezentei lul C1..


Acest raport, notat prin fr41 reprezinti de fapt fac;torul de distot'sitttti rltt
lrecvenld, la frecvenle joase. El este:

(s.220)

=ff-?y#=T='-'k

(e.225)

gi o anume tensiune c1e fegim static


unue:

V,-c=4+6V

($"221)

rlar:d lgl este cLrrentul cle colectcrr adrriis in regim static, atunci avem:

n} __Ec.-V.o-v,

(s.?2?)

.co

R'=Rs'+Rin

fiind rezistenla vizut5 la hornele lui Cc.


M; se exprimd de reEulS in dB, folosind aceeagi formuld Ce calcul ca gi
pentru amplificarea in tensiune. Cunoscfiild valoares nece.sard a luilM, I,
expiesia lui M, poate servl la dimensionarea ccndensatorului C3 cti relatia:

De obicei, din acest calcul rezurtd pei-rtru R6 valori cuprinse intre 3

10 Ka,

$i
care satisfac sirnultan gi conclifia unei amplifirdri suficiente. Dacd din
calcul
rezultd Rq < 3Kl) , inseanrna cd anrSllificarea in tensiune scade prea mlrlt
$i este
necesar sa se modifice punctul sta{ic; de funclionare al tranzistorului pdn6
se

otrJine pentru Rc o valoare suficient de nrare.

$chema echivarentd e cuprajurLli Rc ra {recve*le joase, c8nd c6, ciin cauza


reactanlei lui mari la aceste frecvenle, se poate considera ca inexistent este
data
in figura 9-48,

fiis. e-a8

unde R..'

R" llR,

Ca

i,)

(R|"

* jX"")

Itrn
I rvrr i-.
l-

(s.?27)

Se obserud dependen{a distorsiunilor de frecvenlE, la frecvenle joase, de


constantd de timpt=R.Cc. Fentru reducerea lor, se foiose$te ltn condensalor
Cq de valoare mare, de regulA electrolitic, urrndrindu-se respectarea polarilAlii
lui, end se conecteazd in schemi, g! asigurdndu-ne cd suportd trensiunea
contlnud de regim static din schem*,
Pierderils acestui condensator rru au importan!fr, intrucAt R,.il R" reprezintdr
o rezisten{d sub 1Kr2qi deci curentul de fug5 at acestui csnclensatr:r determind o
cddere de tensiune neglijabiid pe acest grup, nernodificAnd p:olarizarea bazei
tranzistorului din eiajul al doilea.
De remarcat ci pentru a ohrline c fnecvenld inierioarf, limlt$, f1 . 0, aclicd
pentru a putea amplifica gi semnale continue, trebuie realizat r:uplajul direct,
conductiv, intre etaje, Prin aceasta insd ampiificatorul devine un amplificator de
sernnal continuu.

Din ana!iza acestei scherne fezultd eEalitatea:

n" .{i-

(s.226)

i,

piialu! 9. AM P Lt F|CAT?A RE

(e.??3)

La frecvenle inferioare se manifestd gi influenla conden$atorului Cr, de


decuplare a rezisieniei de stabilizare terrnicd Rs, care delermirrd o micgorare a
amplificdrii in lensiune prin reactia negativd ce lntervine in acest caz. De ucleea
C

apitolut 9. AM P Ll

El C ATOAF\E

21J

se irnpune ca la trecvertla joasA f,, near:ianta lui Ci:


decAt Rg, adicd:

si fie cle'1 0 + 20 oi'i mai micii

*l_.___&__
Znf,C, - 10+20

rn^
'-'5=

4"s = B- ''. t t''' = L, =.r ,- i3' X.o


A". R i,. / v, i,"

is.z3?)

{9.?28)

Aceastd reialie servegte la dirnensionarea aproxirrlativ& .a lui Cg.


Schema echivalentd a cuptajuiui la frecvenle superioare, ciancl Cg nu e mai
poate neglija gi Cc reprezirrtd un scurtcircuit, este datd in figura 9-49.

unde, se obserud gii R" reprezintd lot reeislen{a vdzutd la bonnele lui Cr .Formula
poate $ervi pentru deterrninarea fl'ecvenlei superioar{* f" = t',r l?n pentru care

'

distorsiunile de frecvenlE inn"i au o valoare impusi. in acest scop se folose$e


relafia.
I

rvi"i

=,

.coR
dr * (* "

(e.233)

Se observd rlependenla clistotsiunilor de frecvenJd, la frecvenle superioare,


de constanti de ttrnp {s =Co 'R . Pentru a obline o frecvenli linlitd superioarA
cdt mai ridicat5, se carnd a 5e tnicsora c$t rnai mult valoarea lui R".

Cuplajul prin transforrnstar este

Fig. 9-49
Capacitatea C6 este formatd din capaciiatea de iegire

a tranaistrirului

in

cc)nexiune EC (Cr) 9i capacitalea parazitd a ccnexiunilcr {Cn):

CosCr+Cm
Capacitatea Cr se caleul*azd iinAnd seama de *fectul Miller, prin care
uapac;itatea joncfiunii de colectur a iui T2 se i'n$nifestd anrplificatri (aproximativ
ou factorul de amplificare in tensiune al etajului), in circuilele de intrare. Chiar
dacd 06 are valori mari, de onlinul a ?0CI0 pF, efectul de reducere a amplificdrii
la frccven{e supericiare nu este insemnal, intruc*t sarcina totali, egald cu R',,
este rnicd (sub 1Ks) ) gi eteciul de guntare produs de C6 este adnrlsibrii, dacd
etajul al doilea este tot in conexiune Ec, rleci cu R1n rnic. in cazul altor conexiuni,
aceastd influenld se face mult mai sim!it6, din cauz* c6 R;n este mai rnare.
Din analiza schemei e*hivaiente date, rezultd egaliiatea:

- jxco(i-ii)= R'
$i deci:

j.X.o
iIt _
-:---=;'l

.ii

(9.23CI)

(e.?31)

j'Aco - K

curentul ptin F." la frecvenle $uperiofrre gi prin i*, acesl cilrent la


frecvente medii, cflnd i; = i, se deterrnind raportul in care scade arnptificarea in
tensiune la frecvenfe superioare din cauza prezen{ei lui cn. Acest raport, notat
prin Ms, reprezintd de fapt factorul o'e distorsiuni de frecvent6, la frecvente
superioale. El este dat de:
NotEnd cu

Jis

Capit alul

AM PLI F16.4-[O4^RE

mai rar fcriosit azi deoarece

acesl

transformator are gaLrarit mare gi este costisitof.


Adesea, acest transformator are doud inidqurEri secundaro, sau un seculldar
cu prizd mediand. Cele doud tensiuni secundare ab{inute astfel, seruesc pentr'tl
atacul unui etaj final in oontratinrp.
ir"r vederea l'ealizdrii adaptdrii intre etiije, ray:ottul de transforrnare al
transformatorului este determinat de coridilia de cuplaj optim, datfi de:

k-.
unde R'rn = R,

ll

R* gi

Ri*o

la= 15;
ns 1R,*

(9,234)

esie rezistenla de ie$ire e etajului cu Tr

S 13. FROIECTAREAAMPLIFICATORULUI

EE MICA PUTERE

CLJ

CUPLAJ RC
l*a proiec;tarea unui etaj cu cuplaj RC se impun urmdtoarele (iate:

- mdrirnes amplificdrii in tensiune A, ;


- banda de treicere exprlmatd prin fr^ec,venlele minifitd {m, tnaxim$

f1ur Si

coeficienlii de neunifornritate core$punzdtor"i M1 gi M"


- lensiunea bateriei de alimentare Ec
- se cunoagte tranzistnrul T2 din etajul urmdtor gi rez-istenfa sa de intrare Rin,
corespunzatoare schemei in care este conttctat trarrzistorul,
- se cunosc rezistentele de polarizare u ltri T,,, R,, $i Rr;, calculate odatii cu
proieotarea etsjului cu trailzistorul T:'.
Otttrtilctlrtl

!) AhlI|l l| l(;AI(

)Al':I

1Ea

-Ec

Fig. 9,50

Rezislenlele R1 gi R2 sF./Bsc pentru pillarizarea jonciiuniior ernitor-baz5 ale


tranzistorului rr; Ra este rezistenla de colector a tranzisiorului rr; Ra servegte
pentru reducerea influenlei variaiiilor de temperatur5 asupra funcliondrii
etajului
prin introducerea unei reacfii negative in c-c" c2 este concjensator de cuplaj;
C1 decupleaze rezistonla R4 pentru a nu reduce amplificarea etajului.
Amplificarea de tensiune a etajului este (in bandd);

lA 'v^i=
I

'I

rc---!l*
h.,r. + R, ah*

/o t?(\

Ah* = h'u .hrr"

- i'trr. .hr.*
,

Rs

s fezistenta de sarcin& lotal* a kanzistorului

1111 +__

is.236)

T1

+__ f-_ 1
R. '\inI2

Rs R3 Ru

(e.237)

unde R1n12 . rezistenla de intrare fn tranzistorui T2


Deoarece, in general, reeistenfa R1n12 arp valoarea cea mai rnisE dintre
.
rezistenfele care compun pe R5 (sute ohrni), nu are sens a se lua R3 de
varoare
foane mare
,din dorinla de a cregte arnprificarea etajurui. Este suficient ca
valoareu lui R3 sd fie de caiiva kiloohmi.
ln dorneniul fiecvenlelor joase, arnplificarea in tensiune este:
(e,238)

R'=Rs +(R,,, iln, iin,)


"Y:str"
C a pitol u!

$.

A M P Lt FI C

AIOARE

(s,23e)

1rvr-1=,

/iil',

c, .RJ'

(e.248)

Coeficientul

de stabilitate al schemei f81A de

temperatLlra se determind cu rela{ia:,

Deci:

s,=

_1 = I $* l= _____1

Ms

q"'l

,/i;(%

Sr;

'\vch

9 13
10...20

R,1

(e.2s1)

.R.o

'"

unde Vr:o tensiunea rJintre enritor

1^

EXEMPLU NH PROIECTARE

Seceresiseproiectezeunetajampiificatordeaudiofrecvenlddesemnal

*
14kHZ'
mic pentru care 5e il'npun: E" = gV; A'o > ?5; fpln 80HZ' f*u* =
1'1?)'
decibe!
un
tje
=
mare
{M
rrtai
fie
nu
amplificarssd
ce
neuniformitatea
=

V.. ., Vo.

(e.25!i

l*;t*' t,

$i masd (in F$F), iar

lrs, Ino, lco cureniii

x -$i,J;
$e a|ege traneistoru| Ac 183 irr putrctu| staiic de funclionare V666 pLlrrc;t
*
aL:est
tn
hibrizi
l"o = 1,5nrl: lso 10;.rA; VaEo = -100nrV; Parametrii
1055; Cce' 80pF
sunt:h11s = 1,7Kf: i h:l* =fif = 75 lhrie = 5,6' i0-a ; hz:u = 2,?'
lmpunemcatensiuneadintreemitorgimas*sdfie0,5V9ireEu|idVa|cjar()i|
rezistenlei

R4:

R
' '4=Yua=-0,!.':=?,30f)
l.,o 1,s .1 o '

r *Kr_Ec-Voo-V..0
- rco

--- il---

{e.253)

Valoerea rezistenlei

Rezistenfele de pciarizalre R1 pi lt2 se g*sesc cu relaiiile:

n,

&--r:&*
iD

5::le-JeruID

lfu_&s_

p" =:_a*.:I__e
-

l.

lD

l-

lno

= rlul'siltul care circuli p|in R1 gi R2


= tensiunea dintre baed si emitor ln pSF

Vr:Eo

/.cti

apitalul S.

(e.257)

KO.

tranzistorului (in PSF)


Rezistenla de.r sarcit]a Rl se g6se$te cu relatia:

''3

R.'R"

-----p, *p,

Despreetajulurlndtorsegtie:sefolosegteuntranzistorT2cURi6l2=1s0fl'Q;
F'o =30
ci".r: 60p"F; reeistenlele t1e palarizare R5 9i R6 aU vslorile: Rs = TKif si

se grisepte cu relalia

V.o .
1" * -[;

(s.256)

(e.250)

condonsatorul de decuprlai^e c1 din circuilul de emitcr se gdsegtn cu relatia

Mtlrirrrotr rotistenlei

'

Este de clori{ ca S s5 fie cAt mai fi-ric'

2n . O, .R"

fn.,,,,

-' --*
Pr' 'Ka

'- ;----ra
,\act, , , \4

te.24s)

tR"f

Putem deduce frecvenla nraxirni a benzii de trecere foarte niare la care


amplificarea A". sc*cle rle Mu ori fald de Au6:

2'n .

influerr{a variaiiilor ile

A M P Lt F |CA,IOARE

l.

n.
(s.254)

(s.255)

R3:

E._:_y;y I*e-="hfTq#

= ?,3Kri

Valoarea rez-islen{elor ecllivalente Rs 9i R':

1= 1 t

n; n;
=1,612.10

1 *_]_*__L--=_*_L*..,

*u ou

R,nr, ?,3'ICI' 7'lbr* t'J'103 10t

C u pil

olttl 9. AM P L

ICAIOARE

Deci:

Fentru calculul rezisterllelor de polariz-are Rr gi Rr adoptdm


Rs =

620()
lo = 20'lso'+

R' = 3155C) (ve2i9.240)


Apreciern Cn

v**o_ _9fu i,1=


n
=
t -= ztn
^'=*- to --roo.lo

r 3flpF gi obtinem:

Ve_s

c, = c"s (t + ilo 1+"cn -i- cinrz * 6'1 00p[:

R^^.

valoare ce satisface cerinla irnpusd

h?'"-----=

= 41ko

=Z! =1,eka
=l_ljRa
R1+R2 2^41

1
J- o.oBZ
=,--"1-= = 12'?- =
L Fr"R+"*-4 , 75.0'33

h,,- + lh--R"

R' ,t*,a ,l

03.:3qgi!--:

1,ti-ope

Rezistenta de intrare a iranzistoruiui:

Corlclensatorul cie cuplaj:

2r "f**

e 't

Zoo"10-6+. 10.10-b

'- R:;;C; '-

Ao = | n"oi'l Aiol= 2?,s'?4 = 2o3o

---*..-

e*

Coeficientul de stabiliiats al etajului este:

lA^ = - -75--"---74
1 + hrr" .ftu 1+?,7 .10-. .620

:-,

'lo

Rr
ls+lr, -

B,
''4= -ls-

--iar-& -=27,5
la"nr
' Yvr h1r. 'Alt. 'Rg

20'10'10-6 =?00FA

e,28 . 80 . 3,'155

f< a" = i:r

10'*J 2' - .

1.7.103

-h-"..R.

i.0,4 10 2'620

2-,7.10

'

62A

= ftrr* = 1700{)

Se alege un condettsatoi eiectroliiis de *ii{iva niiarofarazi, cu tensiunea de


lucru de 9-2SV.
Neuirifornritatea arnplificlrii la f = f*,u" = 1,4.KHZ este:

fds =

r-;---**-;
r*;(6,as-*-' 10:,
C, Ru}'
{1
+ (,::

"

{1 +

..14

"

61 00

.1

9.14. AIVfPLIFICATOARF DE PUTEFiE


12 .

620)'

= 1,06(0,5d8)

ceea ce inseamnd practic, in banda de trecere impusd, ampliticarca rdm*nn


p*ni la frecven\a maximd impusa de 14kHZ. Frecvenfa la
care arnplificarea scade in realitate de M" =1,11 ori este:
6proape ccnstantd

'max aeai --

lrlf-l___
?'l kHr > f",n"
-6,2S--"6100
,10 -? .6tt) =

Cclnelens{}tonul de clecuplare:

^ - Zrcf,,,n15.R4
u1' >*'--r-

$e alege Cr

15
__on,,r:
* F"'
S,:8 . 80 . 330 ""

HxistS multe aplica{ii ln sare amplificatcareie trebuie sA ctrebiteze lrrtturi


considerabile ia iegire. Arnplificatoarele aurlia pot debita ptderi de la 1 W pAnA la 100
W in sarcini consiituite din difuz$are, Oe asemenea, arnpiificatoareits cle pulcle sunl
rtecesare la cunranda unor emiiAtoare de ultfasilnple sau a unor rnotoare electrice in
sisterne rie autonratizdri,
in gt:rreral, un arnplificator de putere c*nline cet piifin trei etaje:
- etajul final, care realizeazd cea nrai rnitre parte a amplifi*frrii 'tn putere:
dispozitivele utilizate la realizarea ac*stui etaj sunt capahlle s5 rjebiteze curen{i
de valori rnari gi i;u puteri tiisipate ndrtise merg6nd p*nd !a 100 W;

- etajul de cornandd (driver) a ete,jirlui final, av&nd rolul de a atsigura


ssrnnalul n(rcos{rf pet}tn.l comanda trarrzisi.oarelor ciin etajele iinale. Acestea pot
necesita .renlnale de cornarrdd ?n antifazd sau puteri de cunianci& de c$liva wafi
irr cer:lrrl amplificaloarr:lor de putere mare ( > '10 W). Ga unn&re $i acest etaj
itsigurA o atrrrrril,{ nnr;rlifir:are in putere.

100|rF cu tensiurre de lucru 6-'t0V


Cepiialul 5.

.4

M P Ll F tCA

fnARE

C il pit L)lu

I 9.

A MP

l".l

i: lt)/,7'CARE

259

- etajul de intrere al amplificatorului, oere asigur5 anrpliflcarea tensiLinii de


iritrare pdn# la valoarea necesard pBntfu intrarea etajului driver; !n multe aplicertii
treiruie sli satisfacd cerinle privind impedanla de intrare, pasii:ilitali de reglaj al
amplificarii, ceea ce face ca in muite anrplificaloare sd se lntf,lneascd nrai multe
etaje de ampiificare intre intrare gi drirrer. Ar;eastd parle

arnplificatoruiui

lucreazd la variri{ii de semnef rnici gi este realizata cu ampiificatoaie cu cupiaj


RC sau de curent continuu funclio de necesitdti.
S.,14.1- ETAJE

FII{ALr

Sd precizem clasele de funciirlnare in care pot lucra tranzistr:arele finaie si

rnodul cle cuplare a acestora *u ssroina.


Amplificato*rele finale poi fi proiectate s& lucreze in regim lirriar sau in impulsuri.
in irnpuisuri, traneisioarele surtt *urnanijate cie semnalul de intr"are in regiunea cie
comutalie, intre saturalie g! trlocarc. lmpulsurile pot avea factor de umplere "liz
{durata egalA cu paulai sau factor de urnplere cliferit de ,i/2,
iri fuilclionafea liniarft. tranz,istoarele pot lucrc intr-unul din cele trei reqimuri de
baza:

.. - clasa A., funr:tionare carecterizata de faptul cd dispozitivul activ corrduce ;re


intieaga cluratd a perioadei semnalului
d* intrarer;
- clasa B, ceea ce corespunde unei r:onduclil de curent de cdtre

di.spnzitivul

activ pe o duratS de iinrp ega{a cu o jum;itate din perioada semnalului de intfare


(1 8Cl"), in ceaialtri semipericadfr tranzistorul fiind blocat;

- clasa c, care oorespuirde unei cnnduclii pe o durate de tin-ip r.nai rnic6 dec6i a
semiperiaadei. Acest regim de funclir:nare are dezavantajul de protluce in semnalul
a
de iegire un bogat cctrllinut de amrsnici ale semnalului de intrare, care pot fi elirninate
numai prin utilizarea ca sarcini a ufior circuite acordate. Functionarea fn dasa C esie

Fig. 9-51

utild numai la arnplificataarele de lF, uncle realizarea circuitelor acordaie e$te mult
rnai simphl cJec$t !a JF,

cupiajLli dintre sa! cins $i lfarlzistroilrsle cJin etajul final poate fi realizat:

cu trensformator: sa reallzenz* o separare galvanicd fntre sarcind


arnpllficstof, asrgursnd in acelagi timp gi o aclaptare a inrpedantei de sarcirrd

9.14.1.1. FTAJ FINAL CLA$A A CU CLJPL,AJ PRII\ TRAI.ISFC)TiM/,TOR


gi
la

valOarea impedaniei de sarcind 0ptinrd pentru dispozitivul activ fol6sit, prinir_o


aleg*re judicioasi a raportului de transforrnare;
- cu G0ndensatsr: inldturd componenta cr.rntinufr de tensiune care poate
aparea la iegiiea ar"nplificatorului gi care in nrulte cazuri este inacceptairila pentru
sarcind;
- dirr":ct: are avantajirl de a inldtur^a e{in construc{ia arnplificatorului dou*

elernenie. v*iu*rincase, si cflro irltfoduc lirlitari in banda de frecven,te


a
semnalelor os pot ti ampliiicate. csnd e$te necesari o canrpnnentd coni.inufr
nuld ia iegire, folosirea ui"ror tensiuni cj* alirnentare sinretrice fa{a de mas6 este
ineviiafJil6. '

ZTd*-"*'*-

-*-"** *'

c.,rr;irt";

A$IPI.IFICAT'AARE

Etajele finille surrt veniga de fegdtu|d intr"e aniplificator gi sarcin;i. Acesl;r


trebuie sd inc.leiplineascd urmdtoarele condilii ;
- amplificare de putere (curent) cor"es;lurizStcare;
- exoursie tJe curent gi tensiufie rrrare la ie$ire;
- rezistenlfi rle iegire rnici;
- pul$re consurnatfi ln reginr stafionar sd fie r:Al rnai micii gi ranclenrent cOt
mai nlarrl;
- deplasurea nivelului dq: curent ccniinuu la iegire pentril & avea in regint
statiorrar, o tensiune nulA (la ampllficalcrarele oprerellionaie);
- clistors;iuni oAt mai redusei de neliniaritate;
- capa(ritale paralel la iegire mic;i (p*nlru i,l r,)vi1.;r t::1cc1ek:r de st-lpraclregiere it
rdspunsu lu i in lrecvr;rntd gi posi bila lnsl alrilil;rl c).
(,tt1tilt'lttl lI AL4t'i lt ll :\lt )./\lll

:'t

+[c
Aceaste ecualie corespunde unei drepte de pailtd
prin pt"rnotul static de funclionare.

Excursia maximi

tensiunii colecior-emitor

-:._l:--r
ft" r-R-

, care troce

va fi lirni{atd de tensiunea

colector emitor rnaximd pe care o poate supor-ta tranzistorul $i de tensiunea de


saturalie:

AV"-.u*

* VcE.., -

V"***

(9.261)

Dacd se considerd cd rezisten,ta R3 6ste micd (o valoare ffiare duce la


scdderea puterii fn rezistenla de sarcinfr) atunci putem scrie cS tensiunea de
allmentare trebuie sd fie:

Fig. 9-5?a

vcEM =

Vau*u" * V"E*,
=_--r-

(s.262)

\/vcEM .- E
=LC

(e.263)

Valoarea curentului din punctul static cle funclionare va

fi

aleas$ incAl

puterea disipatd de tranristor in acest punst sA nu depiigeasci Sruierea maximd


disipati specificatd in catalog.

Ampliludinea semnaluiui

de intrare va

trehrui

sd fie astfel ca

punctul

inslantaneu de funclionare sd se deplaseze pe dfeapta de saturalie Mrlvlr inlre

ir

cele douS puncte. Amplitudini mai mari aplicate la intrare lror deterrnina

ll4bL"tt

Fig^ S-52b

- lil atlsenta semnaluli.ri de intrare, tranzisturul se gdsegte in punctul static de


funcjionare [1/'i(Vcrr,,,r, l6p). Ecua]ia dreptei statice de sarcind este uasor de scris;
Ec - Ru '1"

VcE =

(s.258)

unde s-a consideriit od reristenle de c.c. a primarului transfcirrnatcrului este nglg"


Ecualia dreptei de sarcind dinamicd este:

v"u=*(R,+R*')ai"

Capitr:h.tl

[#,;)

*"

disipatA de tranzistror.

Consider&nd randamentul transformatorului

egal cll unitatef;r

oblinutd in rezistenta R.9 va fi egal.i cu puterea oblinutd irr rezistenla Ks

'

Ai" = l"t

(e.264)

51''t1* '

',

Avcr = -V"=r sin(o: 't) -E" sin rtr ' t


=

(s.2sCI)

putere*
.

Deci:

(9.?5$)

unde Rs'esie rezisten{a de sarcind reflectatii in rrrimar:

o" -

saturarea sau blocarea tranzist$rlrlui, ceea ce va svea ca efect distorsicnarea


puternicS a semnaiului de iegire prin limitare.
Din figura 9-53 se observd variatia in antifazd a lensiunii caleclor emitor gi a
culentului de colector, fapt eviclen{iat gi de relalia (9.25S).
ConsiderAnd un semnal sinusoidal apiicat la intrare, sd oalcul6m puterea utild
debitatd in sarcind, puterea absorbitd de la sursa de alirnentare gi puterea

r,

* il o'" .AvcEdr l=I l"''r'


z
it'u

=l

Alwrtl lf: t(,41t)ARE


Capitalw!

AM PL"IFICA7'OARA

(Er.?65)

(e.266)

i,il

5.1

4.1,2. DISTORSIUI{I DF* NELINIARITATE

La etajele de putere realizate cu tranzistoare, datoritd varialiei rezistenlei de


intrare, forma semnalului aplicat tranz-islorului va fi distorsionatd la iegire'
Considertnd in figura 9-54 c* en reprezintd tensiunea cie iegire a etajului prefinal,
rezisienta de iegire a acest1tia, iar R,,, rezistenla de intrare in etajul final rezult5:
Vint,

= veE = -R*&

Rn

",

TirE=vSE

Fig. 9-54

Dacd Ri" nu are o valoare constantS, forma lui vi1 sfll'.I iin diferd de forma

Fig. 9-53
Puterea absorbitd cle la sursa de alimentare va fi:

P6;Es.l6p1

(s.267)

Putsrea disipat{ de tranzistor se poate obfine prin sc5derea puterii utile din
cea absorbitd de la sursa:

semnalutui en. Pentru a se reduce acest efect este necesar c& Rs >> Rin.
Dace Rs este prea mare puterea transferatd da la etajul prefinal la cel final
soade, deci in alegerea lui Ru trebuie realizat un cornpromis avAnd in vedoro cele
doud condilii necesare pentru alegerea lui Rn.
Forma de undd la iegirea etajului final n'lai este deformatd gi dalot'itd forlnei
caracteristicilor ic = ic(ie) gi i6 =i6(vs$.
Astfel, dacfi se aplicd la inlrarea etajului final un curent sinusoidat, sdicfi
etajul prefinal are o rezistenfd de iegire foade mare apropiindu-se ca funclionafs
de un generator ideal de curent, curentul de colector ic va rezulta deformat, ctt
alternanta superioard micaoratd, figura 9-55.
L=qt)

Po

=% -P" =l9v--c =*"


L

{9.268)

Randarnentul unui astfel de etaj final va fi:

ie,26e)

iprtt)

Aoeastd valoare este rnaximS, decarece mai intervin pierderile din rezistenla
R3 gi cele datorate randairentului subunitar al transfcrrnatorului. se vede cd
puterea disipatd in dispoziti'"^rl activ este egald cu cea din ssrcin6.

Fig. 9-55
Capitolul

AM Pl-tFICAIOAR

Ca

pitolul 9. AM P Ll FICAI-OARE

DacA la intrarea etajulu! final se aplicd tensiune sinusoidal6, etajul precedent


r:ortrpott6ndu-se ca un gefierator de tensiune constanta sinusoidaid (Rn foarte
nrl(;), ourenlul de coleutor ic va fi deformat ci.l alternania inferioard micsoratA,

llgura 9-56.

nlai nliod
este respectatA, tensiunea in punctul mediu r1e funclionare-reeuliand
ee

real
dec6t tensiunea de alimentare E". Functul mediu de functionare

Vep dreapfa
Jetermina (figura 9-57b) ducdnd prin punctul de tensiunea F" al axei
in care 11 este fezi$tenla'inf6gurdrii prirnare a transfolmatode pantd

- *j*.

se gdsegte
rului. La interseclia dintre dreapta respectivd gi hiperbola cie disipalie
(Vcur,
lcrd.
punctul mediu de functionare M

vUU={t}

Fig. 9-57
Fig. 9-56
9.J4.1.3. PROIECTAREA ETAJUI*UI FINA,L iIrI CLA-CA N
Proiectarea etajului final

in clasd A

prezentat

in figura g-46a impune a

Prin punctul M se duce dreapta de sarcin6 in curent alternativ M1M2 cortfornt


pe
celor discutate in paragraful anterior. Puterea utild este puterea disipald
ADM (vt'rzt
rezisten{a de sarcind R"' a cbrei valoare este egal{ cu aria triunghirrlui
Fig. 9-57.a), adic6:

parcur0e urmdtoarele etape:


1". se alege tranzistorul pr:trivit, punctul static de funciionare gi a rezistenlel
rtO s;Rrcina R*'astfel inc6t sa se ob{ind in R" puterea necesar,dl fdrdca tranzistorul
l;i1 rloprdgeasci valorile maxime permise fi disipatia nraximd admisd;
2' . Se dimensioneazi transformatorul de iegire;

- v".-,"n,)'(l,r*,"u
"" i(ur*
=

P"

3',se

slabilegte regimul de funcfionare al circui{ului de intrare ai


trnnzistorului pentru a se ob{ine distorsiuni de nelirriaritate rnai miri dec6t cele
irnpuse.

in proieclarea etajului linal in clasi A, ne vorn folosi tle calaateristicile statice


i1; = f(v6s) pentru is = constant ,si vsp s f(v6E) pentru iB
= constarnt, precurn gi de
hiperbola de disipalie (Fig. 9-I7).
1) Alegerea lranzi$torului, a psF-nlui gi a rezistenlei
sarcind optimd.
"In alegerea punctului rnediu de funcfionare, treliuie cJe
sE se {ind seama de
pierderea de tensiune pe infSgurarea prirnard a iransfofmatorului de iegire gi la
lgl.ge relqt nJei R3. |indnd seanr& de aceste pierderi, retalia (9-?63) nu-rnai

2{---

ntspuFtcAroARE

---.--:'_-

(e.270)

'."1"r)

=*(v"-,."" * V"u''n)'(1"*"* -1"n,")

(e.271)

Rezistenla de sarcind in curent alternativ este:

V"t - V.r^u*
^S-tI

rc,max

(s.?7?)

'CM

ln eontinuare se tia deienmilla oomportarea tranziS't0ruiUi la intrare, in


circuitul tlaz6-emitor. Astfel, cunosc6nd v,alorile instantanee sle mSrinrilor ic $i
v'8,

vCIm deterrnina

valorile in$tantanee

Crpltrlul

,.

a:elle::rl.T]o

:i

vg.e

_.

I,MPLIFIC;A)-OARE

267

De exemph, puncturLri 1 din figura g-F7 ii corespuncre in pranur rc - Vcr


valorile lc;rtn, VcE,u*, 1s.,, Acestui punct ?i corespunde in planul V**l V", pLlnctul
1,
determinat ducanri din punclul 1 o perpendicuiars pe axa vsE pena in-punctut
oe
interseclie al perpendicularei cu cutrba Vse Vrr (yc.) penlnr ta I
=
constant $i
le = ler. Punctului 'f ii corespunde tensiunea ve=.,. in_-,cest *oi
**
deterrnirrd
valorile larin, lsN, lg*n* gi VeErin, VsM, VBE'"*.

Astfel, se poaie detefmina puterea de intrare necesar*

tranzistoruiui

la

intrarea

- inductanta necesarS infdsurdrii primare:


F? _r,1

t-\
L1 <

(s.27S)

Ztr .frnn,

- rezistenla infdgurdrii primaie:

R" .{1 -n)


- rezisienla infdgurbrii secundare
1",

La etajele de putere cu tranuistoare, rezistenla de in.i.rare variazd


cu mfrrimea
semnalului de intrare. in acest caz se definegte o rezistente
medie de intfai.e in

-4

(s.273)

{s.?80)

= xs

.*:n*

(s.?81)

- inductanla de scdpdri adrnisibild:

ranzlstor:

Rin."c=ffi

{s.274)

De asemenea se stahireqte ampritudinea nredie a curentului gi


a tensiunii rie
intrare:

f2cI

Kin

(e.276)

intr

{s.arr)

--l

26a

C.:apitrtlul

AII4PT]T:IC,qTQARE

(e.284)

Ll

care trelruie sd fie cel pulin 0,5% pentru a putea fi realizat construotiv.
3) Calculul distorsiunilor de neliniaritaie

Pentru calculul distorsiuniior

exernplu) R5, se pot calcula elementele transforrnatorului


de iegire:
- rap0rtul de transfOffnare:

i:-leVKs

(e.283)

L"

2) cunoscand rezistenta de sarcind Ru gi cea a sarcinii (a crifuzorurui


de

I=

Ro

Rs s rezistenla propr"ie de ieEire e etaji;lui prefinai


- coeficientul de scapdri'

-oa

=;s'

-F

.lhu + h"r. .Rn

Coeficienlul de amplificare in putere de la circuilul de bazd


la cel de cotector:

Ao

(s.28?)

2r.f^u,
h.,.,*

(s.275)

_ lrr rned

nR*).{ffi"=

tNort
, :,- ----_
Ls

de

nelirriaritate

vom determina

cdteva

caracteristici dinamice "tstale" ale etajului i6 = fien) retin&nd valoarea lui R, care
r.)foduce cele mai mici distorsiuni de neliniaritate,
Pentru a cletermina caracteristica tlinarnicd "total6" se ia un pi"rnct de pe
caracieristica dinamici M1M2(de ex.8) al c*rui curent de cslector este i66. $e
giisegte in planul Ver - VcE puncl"ul corespunzdtor B' dete!^min6ndu-se astfel
valorile lss gi Vsg6. Mflrirnea tensir"rrrii es esta in aces{ rnoment:

{e.278)
0n,,
Ca

VBea + Ro

.l*"

pitol u | 9. A M F l..l F I C AYOAllF

(e.2s5)

Se alege pentru transfofmatorul de iegire randarnenlul rlro = 0,85


Puterea utild ce trebuie obtinutd in circuitul de coleotor al tianzistorulLri:

* f(ej pentru Rn ales.


valOare eny, pentru l,:nrax coI,e$pufldc osmax, penlrLt
lqr,;r,

RepetAnd opera{ia se deduce caracteristica totald i6

^.
Pentfu
lcv Ovm
c,0respunde

egmin.

P,, = t" =-{-.-41mW


lrn o,Bs

Alegem;
Es = min (l

urr

en"l

"nr

- *nn*,l)

(e.286)

Derterminrrn pentru doud varori are tensiunii en


situate de o parte gi de arta a
purrctului mediu gi avAnd marimea egali4
*u
curentii ls gi lc1.

Presupuniind cd etajul final lucreaze cu randarnenl q 30% se gdsoglc


=

putet'ea de disipatie minim necesard pe tranaistor:

Fo^,"."". =

'

Vom calc;ula in continuare distorsiunile oJieriniaritate


. amplitudinea armonicii intOi:

1:J1 R,--.--. ="1;{t.41


-necesar
r1
0.3

= ss

Sie alege tranzistorul (EFT S73) av6nd p4

"E!::---l"i:&.r*

-!*)

(s.287)

- amplitudinea arrnonicii a doua:

,tc? ---1"--

+ 1",,,,, -- 2 . 1",

(e.288)

- ampliludinea armonicii a treia;


r.., =

l:."*

-- 1c.ry,--1_l_e1

-1",
1",

S0mW Vc,nu*

ZoV

(e.28s)
ic(rLA)

- distorsiunea pr0dusd de arrnonica


a doua:

6,- -

,tr

= 50 rnA, ale cdrui caracteristici statice sunt date in figura 9..sg.


Pentru stabiiirea punctuiui static de funclionare se
tine se,ams de cdderea de
tensiurr^e,pe rezistenta din emitorul tranzistorrilui care pentru Tnceput se
apteciaz"d
a fi l00f: . Din punctul P (de tensiune VcE = Eo iV se duce dreapta pe
=
de
inclinare cr:respunzdtoare rezistenlei cle 100E). punctr.il static de functionare se
stabiie$te la interseciia acestei drepte cu caracteristica is - 1200nA . punctul
M
are V66 = 7,4V; lco . 16mA; lgs = 1,2mA.
Prin incerc&ri se determind prin purrctul M pouifia sarac{eristicii dinamice rje
cslectorAB gi valorile limitS; I6s = ZgmA gi lcn, - ZrnA; Vexa 13,7V; Vs,,
=
= 1,7V;
9erur = 2,3mA; is,n:0,1mA
lcmax

r", =

mw

gp':*$

(e.2e0)
r{,;

16

- distorsiunea prcldusd de arrnonica


a treia:

. '"

1".
1"',

(s.2s1)

- distorsiunea tcrtald

d={6,j

-qt

(e.2e2)

9.14,1.4, EXEMPLU DE PROIECTARE

sd se pruiecteze un amFlificator de putere crasS A care


s* f.rrniaeee pe o
rezistenl5 de saroind R" = Sfl o putere p"'= BSmW
cu distorsiuni de neliniaritate
rnai mici cle 1Cr%. Banda de trecere trebuie s6 fie
cuprinsd intre fm * 100H2 $i
fv = 5000H2 pentru neuniformitali Mj = Mu * i,ZOfZOSi.
Tensiunea de alimentare
gV.
os;te
de

i'/t)

2apltalul 9. A,It p t"t F i C ATaARE

Fig. 9-58
Ca

pitolttl

A fii P Ll F I SA

TOARE

)71

- amplitudinea "msdie" a tensiunii de sernnal apliclatd la intrare intre lrazd gi

Puterea utild:

emit0r:

1.
(v", - Vrn,).(i"u *t",,)= (13,7 _l?Xt8,a).i0-2 r40 mw
*
s
.1

Fu =

Puterea absorbritS:

Vint,,n"d =

F'q," q*;;

Jt45'

0-6.67 =7,8.10

?.v

- amplitudinea rnedie a curentului allernativ de bazS:

P" = v"u .l.o + Ru,,o,.

l"r' = 7,4 .16. 10"3 + 100 .(10 .,l0 =)' * 144 mW

Puterea disipati maxinifi pe tfanzistor:

P, =V"o"l"o =7,4.1s'10 3 =118rnW{Faarmisa

= .,i3$ -19--'- * i,16mA


' - "/;pr67
X R,nt,
^ua V

ri"t,.,,i

amplificarea

de putere de Ia circuitul Lraz5-ernitor la


A-- =

- fancjamenlul etajului (inclusiv pierderiie lle rezistenla R"mito)l


,=

'r

P.

40

p; *o*a,28

--zAV"

'

--'

tn- - | s-

= 0.34 = 34%
.l"o
- = -10119

n* -Yee-:Jsn
-1"- J; =

.-!&lI

(2s:rG) 1o-t

f' =
= 475Q

Fentru diferite puncte de pe caracteristica dinanricd se gdsesc, a$a curn


vede in figura 10-58 valorile ls gi Vse oorcspunzdtoare gi apoi se calculeaze ;
' puterea necesard la intt?rea tranzistorului in circuitul bazd-enritor:

1..
i^,= u (V",-v*.) (lu*-lr",)=

-o,t).10.3 =45pw

s(0,31*0,16).(2,:i

- rez.istenla de intrare "rnedie":

-F* rf$fl|o
=

Ca

pit alul

9.

A M P Ll F I C

= 6s6

ATOARF

=0.11s=1

\I0.85.475

- rezistenla infdgurarii primale:

- rezistenla de sarcind in curent alternativ:

Rnu,,- =

n=1-_=l_-._
'1rl'o.R,

Pu,

V.,o

Pu

P,",=19:1nl
45.10

Se calculeazd elementele transformatorului de iesire:


- raportul de transformare:

- randameniul etajului {fir6 pierderi pa Rs1,x,):


n=

crrcuilul

colector-emitor:

R" .{1*

--L

n"")

475f1- o.Bs}

Elementele t2, L1, Ls, T se calculeaz6 cu formulele prezerrtate.


Pentru calculul distorsiunilor de neliniaritate se presupune rezistenta Ru (a
etajului prefinal) pe r&nd cu valorile 100f: , 300Ct, 500e,700Q gi de fiecare dat6
se deterrnind caraoteristica dinanricd ccmpusa ig = i6(es) din care se dedrj(l
distorsiunile de neliniaritate.
ln urmdtorul tabel sunt valarile cait:ulate pentru Rn e 500() iar ?n figura 9-5S
se gdsegte trasatd curba i6 = ic(eJ pentru Rn * 500Q . Din figur5 rezultd cd
semnalul ce trebuie aplicat de la etaiul precedent trebuie sa aibd amplitLldine
En: 0,62V, iar curentui de celector variazd inire valoriie lco = 16rnF, {valoare
medie), lals = 28IflA gi lcr, * 2mA.

ozn

apitalul g. Ahl P L.! F|CAT3A RE

,74

lc;

(mA)

is

(mA)

vcE (v)

vee (v)

Rs
Bs =VeE

icrtu

lq6

Rs

1,46

0,285

4 4Ati

0,24

0,84

R7

u,zzt

0,677

0,6

10,17

4,2'l

0,51

n4

13,7

0,16

4,21

2,3

23,4

4R

=
l?

16

1,2

7,4

0,s

=2

1,7

d=

ie

n?1

28

ia,n

=500Q

,61

;,llr

= 4,zok

Puterea furnizati la intrarea etajului final de cdtre etajul pnecedent este:

gi este evident rnai mare dec6t

puterea

de

intrare

in

lranzistor

ln

bazd-colector 45pW , diferenla clin aceasti putere se consumd ?n Rn.

Amplificarea efectivA in putere a etajului este.


Pentru doud valori ale tensiunii %, situate de o parte gi de alta
nrediu, gi av&nrl mdrime egalS cu

*AL

punctului

t)tJ
tn tn3
TLr'rv
A^
F(t=- .---.--.116
.10

, ru g6sesc pe caracteristica compusfr

0,343

Aq..

* ?o,62dn

punctele $ gi T la care corespurrd curenlii lcs - 25mA gi 161 = 7mA.


Cu aceste valori se calculeazd distorsiunile de neliniaritate:
- amplitudinea armonicii int6i:

'",

$u:ep fu: b-) = f(tu:lt-r-eu

-a.

= 1 ?,e mA

Rezistenlele de polafizarei

- amplitudinea armonicii a doua:

t",

= leu--nls*

R8 =

l-L"o- *ry-2-2'16.10-3

44

lcs

28 * 2 -- 2. 12,e

1 6'
= I i!--:-' Lq---:!,at = 227tl.
6 '10-3

Re

* 250f)

E"--lub
" = to+too=-g:3so':lg:=ro2or)
(6+1.2)103

pq"

'10-3 = 0,2mA

- distorsiunea produsi de armonica a doua:

a, =t.z= -,1+
fct
|z,Y

lD

lo=5'lse=6mA
$e alege

- arnplitudinea armonicii a treia:

r"r:_lsr:3lq_ *
=

8*r*:bs-:&E-

= -0,s mA

(semnul minus se referd la faza armonicii)

"

= o,o3BB --i,?,lya

Se alege R9 = 1K()
Capacitatea condensatorului C se calculeazd astfel:

s;

--lg-2n f.
.

.Run

ln
no,

6,28.100.100

= 160pF

- distorsiunea produsfi de armonica a treia:

c. - !'-=
1.,

= o,o1s6 = 1,s6%
r}i
12,9

- tlistorsiunea iotaldl
C a pitalu

i 9. A M P Ll F I CATA A RF-

Capitalut g. AMPLIFTCATOARE

't l1t

9.14 1.5. E]'AJ FINAL CLASA A iN CCINTRATIMP. IJTILIZAREA $IMETRIEI

Coneclarea a cJoud tranz-istoare in paralel pe aceeagi ?nfdpurare a


transforrnatorului sau pe infdgurdri diferite v& duce la dublarea puterii utile ce
poate fi debitatd in sarcini.
Performan{ele eiajelor finale cu cjouS tranzisioare pot fi considerabil
imbunitdli{e prin utilizarea sirnetriei in funclionarea circuitului, ceea ce duce la

scdderea substanliald

distorsiunilor inlroduse

de

neliniaritdlile

din

caracteristicile tranzistoarelnr. $ie ohrline aslfel etajul final in colttratimp redat tn


figura 9-59.a

Ca urmare, incliferent de semiperioadd, puterea in sarcirrA eslte dald prin


cresterea curentului de colector al unui trarrzistor pi scflderea crtruntLtlui celuilalt,
ceea ce irnplic* o simetrie a cornportdrii amplificatortrlui in raport ou oeie doue
semialternanle ale semnalului de intrare, simetrie care nu se obline la simpla
conectare in paralel a celor doud tranzistoare.

Comanda in antifaz6 datd de semnalul de lntrare (cele doud surse v/2


produce varia{ii in antifazi ale curenlilor de cr:lector. Sensul cle cuplare a
infdgurdrilor transforrnatorului face ca in sarcind ceie doud varia{ii de curefit $d
se irrsumeze.

Con'lponentele

i"gi i.

repreaintd curenlii din secundarul transformatorului

datora{i varialiei curenlilor de colector ai traneistoarelor T1 9i T2.


9.14.1.6. E-TA.IUL FINAL "TOTEil,l - POLE"

tsfoc
Fig. 9-60
Configuralia de etaj final prezentatd in figura 0-60, t;unoscut riub nunrele de
"totem - pole", a fost elahoratd inilial peritru circuite inlegrate nunrerice $i a fost

Fig. 9-59

Principiul de lucru a! acestui circLiit, tipic pentru toste etajele finale in


contratimp, constd in func{ionarea in opozilie de faz* a celcr doud tranzistoare.
Acest lucru inssarnnd cd atunci canci curentul de c*lector al tranzistorului r1
6re$te, curentul de colector al tranzistorului 12 va trebui sd scadi, gi invers in
semitrreriilada urnritoare.
zIo

aptolul L

A M P LIFICATA

ARE

aplicatd cu succes gi la cirouiteie integrate liniare cNe putere.


Funclionarea acestui circuit se explicd obrservand cd tranzistorui T2 pi diocla
D2 nu pot conduce simultan, desarece intre baza lui T2 gi catadul diodei D2 se
aplici o tensiune Vss (de la dioda D1), in loc de 2 VBE.
Se indicdi, de asemenea, curgeraa cunen{ilor iri semialternanta pozitivd $i in
cea negativa. Este interesant de cfiservat cd tranzistorul 11 9i diorla D1 ccrlduc
tot timpul (funclicrnare in clasa A), in tirnp ce traneistorul 12 9i dioda D2 conduc
nurnai cAte o semialternantd (furrclionare in clasa B)"
Qdnd la intraroa circuitului se aplica semiaiternenla negativd, la iegire se
obJine un semnal defazat cu 180" (V">0),
In aceastd situafie conduce tran,z-istorul T1, dinda D1 q;i tranzistorul T:.

circuitul echivalent in c.a. corer:punzdlor acestei situa{ii este prezentat in


figura 9-60.b. $e observd cd anrplificarea cle lensiune esle:
Cnpilolttt

9 AMf'l ll:lCAlQAfil

277

Au = -&ro
n.
r.,

ie.2s3)

h,

In cazul in care la iegire avern semialternanta negativii corrduc tranzistorul T1


$i diodele D1 ;i D2. Circuitul echivalent in c.a. corespunzdtor aceslei situa{ii este
prezentat in figura 9-60.c).
Se observd c5:
h

A vh =-"21e1 P^

"P

rrr 1!1

|\'|\S

(s.?e4)

R, +R"

Funclionarea dinamicd a circuitiriui este nesirnetrici intruc8i sarcina tranzistoruiui


amplificator T1 esle diferitd in semiperioada prozitivd gi in cea negativd (A+ > Avl.

Fig. 9-62

Se observd cd tranzistoarele finale T1 gi T2 lucreazd (fier:are c&te

semiperioadd) ca repetoare pe emitor, deci au amplificarea de tensiune 1.


=
De asemerrea, tranzistorul T5 lucreazd tot ca repetor pe *mitor,
qi nu
contribuie la amplif rcare.
Tranzistorul 14 pentrLr semnale variabile in timp funclioneazri cu baee !a
masi gi irnpreunil cu T3 formeazd etajul preamplificator invedor cane asiguri
practic intreaga excursie a tenslunii de iegire.
Slructura de bazd a etajului iinal poate fi compiicati$ in diferite rnoduri pentru
irnbunStdtirea performanlelor circuitului cJupd curn este aratat in figura 9-63.

Fig. 9-61
O ane trdisetLtrd a funcliondrii dinamice a acestui circuit este "zona rnoartd a
caracteristicii vo = f(vi), asociatd cu deschiderile diodei D2 gi tranzistoruiui T2"
L6r'gimea zonei rnoarte se estimeazd astfel. CSnd la iegire tensiune v6 are
valoarea z-e[o, conduce tranzistorr.ll T1 gi dioda D1, iar tranziston.rl T2 gi dioda D2
sunt blocate. Aceasia stare se pisireazd pentru mai multe valori ale potenfialului
din baza iui T2. Existd o "zon6 moarid" cuprinsd intre 0 V Ei tensiurrea de
desrhidere a diodei Dz (Varz). La intrare, zona moarte este mai mic5 de lA"ol ori
{4,6 este arnplificarea lui T1 in stare stationard).
9.14.1.7. ETAJUL FiNIAL CU SIMETR.IE COMPLEINENTARA

iN.i

CLASA A

itt figura g-62 este reclatd scherna electricd a etajului finai in clasa B, folosit
amplificatorul operalional 709. Funclionarea in clasa ts a acestui etaj se
obsewd irnediai din rnodul de legare a jonc{iunilor emitor-bazi ale tranzistoarelor
T1 gi T2. T'l oonduce in excursiile negative ale tensiunii de iegire, iar TZ in
excursiile pozitive, aga cuir se arata in figura. Rezulta autornat funclionarea cu
zortd moartd a caracteristicii de transfer, ins6 rezislenla de reactie Rr contribuie

Fig. 9-63

irt

considerabii la iiniarizarea acestei caracteristici.


278

apit olu!

lL4

P Ll

l:iCATA,ARE

Tntre bazele tranzistoarelor T1 gi 12 se pot inirodr:ce doui dioqje pentru a se


elimina "eona nroarli" din caracteristica de trarrsfer. pe diodele D1 gi D2 apare o
c'6dere de terlsiune de deschidere a jonctir:nii bazd-ernitor al-. tranzistoareNor T1
5i T2. Prin urrnare trarrzisloarele T1 gi 12 conduc in regim sta,ticlnfii, decl lucreazii

in clasa AB.

Ca pitolu

! 9.

A M P Ll

FICAIOARE

cirouitul

sie

poate conpleta in continuare

r este ardtat in figtira 9-64

cu incii dou6 diode lgi doud rezistoare, asi(


r_se astfel o nrotectie ja
scurtcirciut; curentul pozitiv rnaxirn prin sarcini --.-,,iritat la valoarea v6u/r,, iar
curentul negativ la valoarea v6./r,

9.14.1.8. F'ROIECTARHA ETAJULUI FINAL IN CLASA B CU TRANZ.ISTOARH


COMPLEMENTARE

Pentru e deterrnina condi{iile de func{ionare gi proiectare se t)otnegte de la


caracteristicile statice ale Xranzistoarelor cornplenrentars, in rnorJul urrndtor: se
alege curentul de colector maxim precum gi lensiunea alternalivd rnaximd din
caracteristicile l6 - V6g.
Ic

tnL{)

Fig. 9-64

. circuitului iniliat i se poate ad6uga o relea de protectie la scurlcircuit cu


lfanzistoare, care funclioneazd in felul urmdtor. La cregterea cureniului pozitiv
prin sarcind, cdderea de tensiune pe rezistenla r* face si se deschicjd
tranzistorul
T. (care altminteri era blocat), tJerivndu-se asifel din curentul de
baza ai
tranzistorului final 12, curentul pozitiv maxim prin sarcini este limltat la
varoarea
v6"/r*. $inrilar, curentur negativ maxirn este limitat la valoarea vs"/r_
* Tranzistorul 11 se poate inlocui printr-o pereche de tranzistoare in conexrune
.

flarlington, reducand astfel incdrcarea rranzistorului de cornandd

Fig. e-65).

13

FiE.9-66

(vezi

$e calculeazd puterea
r}
.

utitr5

Unrax =

maximd.

2-2 -

*ve!:-oo-lg*er

V!t"".' l"nt'*

(e"2e5)

Puterea absorbitd:

D
ra-L ..-.E,
-zE'lcn,?x

(e.2e6)

TT

Puterea disipatd:
Pa

-=

Fu

- Purut

{s.2e7)

Rezistenia de $ercind:

md---

r:
rtc --

Fig. 9-65

\/vCrna'r
lc

max

tt2
^
v umax

z'Turnax

-Ca

pit

olul

A M P LI F t C

AfOARg

Capitaiu | 9. A M P t-l F ICATOARA

(s.2es)
141

E.

VBLn,u*

Cunoscdnd cufentul de bazii rnaxim


exOitalie pentru etajul final:

unde i r

"Cmax

(e.2ee)

0,9

v_

* VE''o,

lLJn,6*

\,/

Se Va cal0ula puterea flecesard de

.t

\/u** ,lu.u"

P-" --:qnel-E1'r---:-BFrna''Bnral + -

222

Reeultii

(e.308)

---

Rezlsten{a de intrare in etaju! final va fi:


' Ufi6x =

Rs

Calculul riistorsiunilor

_a

if-t-*r

4-4

F2

= -E-]so..n
F2

(e.301)

g .Pun,n"

se determind apel&ncl

'rntr

- v**-

(s.30s)

'Bmax

.F2

B .Pu.u*

,''

(9"300)

la

caractel'istica dinamicd

i;orn'pusd ie = ig(es), unde eu = VsE + R. . is in felul descris la proiectarea etajului


final in {rlasd A. Din diagrama rezultali se citesc valorile Bsrnax gi l;661 cu ajutorul
ciirora se determind:

cSruia ii ccrespunde

VBrnu,,

Tensiunea elternativ6 maximd este o fracfiurre foarte ntare din jumdtatea

tensiurii de alirnentare

-,'s!li!

9.14.1.9, EXEMPLU DE PROIECTARE:

Sd se proiecteze un etaj final cu doue tranzi$toare c6mplernentare cle tipul


n9 gi n13 (EFT 323 (pnp) qi FFT 373 (npn)). Sursa d8 alimenla!"e este compusS
din doud baterii de cgte 4,5V.

Caracterislicile celor doud trazistoare sunl cornplemeniare. Caracteristic;ile


lc - Vcr ale tranzistosfelor sLlnl clate in figura 9-67, iar la - Vnr in figura 9-67.

(e 302)

l1-- 9i

e- = -*:-qll

(e 303)

ciruia li corespunde curentul 1"3.


Componenta fundanrentald a cureniul u i coleciorulu i e.ste

('"-'*lssl.-be-l"sr
4

Curentul maxirn de cnlector se alege din caracteristici lc.u"* = 40 mA' rnal rnic
decAt cel indicat ln catalog ca admis'fiil. Tensiunea alternativd nraxirna este de
aproximativ 4V pe fiecare tfanzistor. Puterea maxim5 ce se poale obline este:

Armonica a tfeia:

, _ lc_n* -lcmin -2"11


'l----2

(9.305)

P.rr",

Gradul cle distofsiuni:

s=i

Fig. 9-67

(e.304)

(e.30rj)

=-tt

\/_

'l

Oapitolul

v,-_-- .t- "-_" 0.04

=0,08W- 80mW

Rezistenla de sarcind:
100

Freittru calcLtlul lluterii de excitalie a etajului final, se va rjeterrnina rnai int$i


rJitt caracteristica la - VBg mdrimea tensiunii maxime de excitatie Vsgr.r. La
intrar(la etajului, datoritd reacliei negative va fi necesari tensiunea maxinrd:
282

AMPLIFICATOAF.E

R.- = -:-!-ma'x
l. nru" 0,04
Puterea absortritE

;"rtii.trt g.-AMPLHCAIOARE-

--7ii3

.|.ffiy

'

n
Puturea

disipati:
P,e =

_Lo,?14.1&=
3,14

Din diagramd se citesc valorile:


0,1 1

5w

smax

lcru*

P" - Pu*"* =

0,1 15

0,08 = 0,035W

=ttr=##

BnH^

e^ =

"

Randamentul:

= 3'4V
30mA

=At=z.uu
1,41

"12

=a,7.+70yo

= 21 ,5mA

162

Pentru calculul distorsiunilor se determinA curba ic - en ptiind c5:

",.=#=#:-2,sv

g=VeE+Rs.ic
lc

lg

mA

mA

30
25

zv
.tR

10
5

-10

-24
- /.c
-JU

2. .)

2,25
1,65
1,2

0,82
0,42

VBE

Rs" i"

0,4
0,34
0,305
0,285
0,26

0,225

e-

3,4

?,5

2,84
2,305

1,5

1,78s

1,26

0,5
0

- 0,45
- o,82

- 0,23
- 0,26

- 0,5

- 0,73

-1

-'1,26

- 1,2

- 0,285
- 0,305
- 0,335
- 0,39

- 1,5

- 1,785

.L

- 2,305
- 2,895
- 3,39

-3

Cu aceste valori se traseazd diagrama is - e, din figura

- 2,5
.J

9-68.

Esmin

= - 3,4V

lg*1, = - 30mA

Componenla fundamentali a curentului colectorului:

d 1aE

- 1,65
- 2,23

lcs = - 22mA

, * JE.(,", -t.u)+t",*, - t"*,n

y1v1f:.H:

33_
=

1?l

= 3o,4mA

Armonica a treia:

lcr",

_
-22

.- lcmin

- 2.11

30 + 30

- 60,9

iq

- -o'4m'q

Gradul de distorsiun!:

6=9
l1 1oo=-L4-.fia=\32%
30,4
Puterea do excitalie absorbitd da la etajul prefinal:

p", *

Jer,,iJer*

!4-3'41 g1

= 5,smw

in stabilirea reglmulul tranzlstorului preamplificator se va avea tn vedere ca


tensiunea maxlma de colec'tor tretrule sl fie d'e 3,4V, iar curentul de v6rf sd
fie
3,2mA,

Fig. 9-68
CapItoIuI 9, AM PLI FICATOARE

Capltolul

AM PLIFIOATOARE

Pentru schema data

Indiferent dacd etajul final este construit si funcJicineze in clasa A sau B,


cste necesard asigurarca unui curent de polarizare; prin tranzistoarele finale.
In cazul funclion*rii in clasa A, curentul de p*larizare este de valoare mafe
(apr'oximiltiv 50% din valoarca rle 'rad a curentului de colecior), iar la funclionarea in
clasa B, acest curent e$1e de nurnai 5-7% din valaarea rnaximl a curentului de
colector.

Varialia cu tempera{uri

tensiurrii bazd-emitor

lranzisloarelor finale,

datorita incilzirii acestora iri funclianare, este imporianlA. Ca urmare, tensiunea


de polarizare aplicala in baze trebuie sa iie dependentd de iemperaturd, in a;a
fel ca sd cornpenseze varialia cu temperatLrrd a lui Vsg, tinzAnd sd nrenlina
curenlul c,e colector din punctul static de functionare constant, independent de
iemperaturd. Folariaanea tranzisioa|^eior finele cu o tensiune r:anstant,i ar duce ia
cfe$terea cureniului de colector cu temperaiura gi irnplic;it la pericolul ambalSrii
ierrmice a tl'anzistolulr-li, c*nd c;feSterea ternperaturii se face pe seama cregterii
ciirentului de ccilector gi reciproc.
Polariz-area tranzistoitfolor Tr $i T2 din si:henra redatd 1n figura 9-69.a se
realizeaze cu ajlrtorul grupului Rr, R:, R3 gi Ft-;, un te(mistor a cirui variatie cu
fsmr;eratura este:

in figura 9-6s.b, tensiunea de porarizare este dat6 de


' -"--'- -"''

tensiunea la bornele diodelor Dr gi

\\ 14 2. POLA^RIZAREA TRAhIZISTOAIIELOR FINALE

D2.

Varialia cu temperatura a acestei tensiuni este de aceeagi


naturd cu cea a
lensiunii jonctiunilor bazd-emilor, compensarea cu temperatura fiind
asigurat6
daci diodele D1 9i D2 gi tranzistoarele T1, T2 sunl inlr-un bun contact termrc.
Rezistenlele Rs1 gi RE2 au rolul de a fixa valoarea curentului de colector
din
pLrnctul static

de functionare 9i de a preintempina aparitia fenomenului

de

ambalare termicd. La cregterea curentului de colector, cddeiea de tensiune, pe


rezistentele RE1 gi Rs2 cregte, sc5zdnd ca urmare lensiunile bazd-emitor, ceea
ce
duce la scdderea curentului de colector. ca urmare curentul de colector r6m6ne
aproximativ constant.
lntroducerea rezistenfelor Rpl gi Rg2 are insd un efect negativ asupra
randamenlului etajului final 9i de aceea valorile lor trebuie sd fie mult mai
mici
dec6t rezistenla R5.

la
T.

R.(Tl =R-e o' -

(e.310)

uncie Fl6 este rezisten{a ferrnisiorului la ternperatura Tn, iar b este coefisientul r-1e
varialie a scesiuia cu tempreraiura.
Dupa curn ss vede din aceasti relafie, rezisteil,ta terrnistorului soade cu
tenrperatura. Rezistentele R2 gi R3 modificd parrta de vai^iatie a tensiurrii din
baz$le tranristoafelor cu ternperatura in aga fel ca in dunreniul de temperaturi in
oare este utilizat arnplificatorul, varialia tensiur;ii Vsp cu temperatura sa fie cAt
rnai lrine aproxirlatd it\,r, / \1";. .?mV i C)
Pentru a avea o compensare eficace este rlecessr ca termistorul se fie montal pe
atela$i radiatof cu tranzistoarcle Tr qi T2, asiguldndu-se un bufi contact terrnic. Astfel,
itrcSlzirea trat.tzistoarelol va cieteirnina inc6lzirea teirnistorului
rnodiflcarea
(.(.,t esp{.[rzatoai(j a pL]ianzsf;i.

$i

ln

Fig. 9-70
Tensiunea de polarizare este realizati de T1, in montaj de diocJd murtipricatd
(vezi Fig. 9-70).
Tensiunea intre bornele AB este:

/ n\

Vor=l1r;:lVu..
\

n2l

(e.311)

iar va,rialia cu temperatura a acesteia este:


9"--r
tl

R,)
{Vi, =l'
- l'n

v;ffi

;r

t!
+l

i* le

"fl

2'ii6-*-*-

-C"pit"trt

Fig 9-69
S .aMplii1CAt,JARF"

R;j'

oVr=t

^i'

(e.312)

in cazul schemei, varia{ia cu temperaturd a tensrunii Vas trebuie sd


(;ornl)()nriozc varialia cu lemperalura
a tensiunilor de bazd-emitor a
lriulzislortrcrlor T1, T. $i Ta, Ts (insurnaid).
Capitolttl 9.

AMPLTFTCATOARE

------AB7

Tranzistorul T1 se Vo monta obligatoriu in contact termic cu tranzistoarele


finale Tz..,Ts.
Etajul final al acestui montaj este realizat din perechile de tranzistoare T2lT3
$i TalTs. Tranzistoarele T2 gi T3 sunt in montaj Darlington, echivalend cu un
tranzistor npn, cu factor de amplificare in curent echivalent, egal cu produsul
factorilor de amplificare individuali:
P"

Totodatd, transforrnatoarele realizeazd 9i o bund adaptare intre impedanla

de intirare a iranzistoarelor finale gi impedanla de sarcind a lranzistorului defazor.


Dezavantajul principal consti in limitarea benzii amplificatorului gi costul
relativ ridicat il acestuia.

=Fr'F'

ftov1
-+-t

Tranzistoarele Ta gi T5 sunt in montaj Darlington complementar, constituind,


un tranzistor pnp (Fig.9-71) gi pentru aceastd conexiune factorul de amplificare
in curent echivalent este produsul factorilor de amplificare individuali.

.iF+,i
+qFig. 9-73
Defazarea celor doud semnale se poate obline 9i prin proprietatea unui etaj
de amplificare de a nu inversa faza semnalului de intrare la iegire din emitor gi de
a inversa faza acestuia c6nd se iese din colector. Ca urmare, v2 va fi in faza cu
vi, iar v1 in antifazi.

Fis.

Dezavantajul principal constd in prezenla de impedanle de iegire diferite pe


cele doud iegiri, ceea ce face ca adaptarea cu etajul final sd nu fie identic6 pe
cele doud semialternante. Rezultd astfel distorsiuni ale semnalului. introduse de

9-7'1

9.14.3. ETAJE DE COMANDA R TRNruZISTOARELOR FINALE

Etajele de comandd pot

fi

construite, ca

gi etajele finale, in clase

etajul final.
de

funclionare A, AB sau B
Tranzistoarele din aceste etaje trebuie sd debiteze suficientd putere la ie$ire
pentru a ataca intrarea tranzistoarelor finale.

in

cazul cQnd etajul final este realizat cu tranzistoare de acelagi tip,

semnalele care trebuie aplicate pe bazele celor doua tranzistoare vor fi defazate

cu 180" (in antifazd), pentru a asigura conduclia alternantd a tranzistoarelor

finale.

Acesl montaj redat


sem nale

in figura g-72 realizeazd

delazarea intre cele doud

prin alegerea corespunzitoare a sensului infdsurdrilor transformatorului,

Fig. 9-74
Dezavantajul menlionat este inlSturat prin utilizarea repetorului T2, aga cum
este indicat in figura g-74. Schemele de iegire vor fi Tn antifazd, iar impedantele
de iegire identice.
Fig" 9-72
Ca

pitolul

A M P l."l F lC A1'O AR

Pentru a aplica o reac,tie unui anrplificator, trebuie folosite inc5 doud


elemente, un atenuator de precizie gi un comparator. Pentru simplitate, se
presupune cd funcliile de transfer ale celor trei blocuri sunt independente de
frecvenJa.

Pentru moment, se neglijeazd incdrcarea arnplificatorului de baz6 de cdtre


circuitul de reactie, presupun6nd cd amplificatorul de bazi are o rezistenfd de
intrare infinitd 9i o rezistenld de iegire egalS cu zero. in aceste condilii, tensiunea
de iegire V4 a atenuatorului de precizie este egald cu tensiunea de ie$ire Vs a
amplificalorului, inmullite cu un factor constant subunitar.
Tensiunea Va este comparaiS cu tensiunea de intl'are V1 9i diferen{a dintre
cele doud tensiuni este aplicatd amplificatorului.

Capitolul 10. REACTIA

10

1 CONS|DERATil

GENERALE

V,=V-Vo

Nu existd amplificatoare ideale. Nici un amplificator nu este perfect liniar, in


sensul cd tensiunea de iegire nu este cu exactitate forma de undd a lensiunii de
intrare, inmultitd cu un factor constant. Chiar dacd amplificatorul este suficient de
liniar pentru o anumiti plajd a tensiunii de intrare, amplificarea de tensiune variazd
datorilS schimbdrilor survenite in tensiunea de alimentare sau temperaturd, care
produc varialia caracteristicilor tranzistorului cu punctul static de functionare, Acestea
9i multe alte limitdri ale amplificatorului pot fi minimalizate prin aplicarea reactiei
negative. in figura 10-1 .a este redati diagrama de fluentd a semnalului, iar in figura
10-1,b schema bloc electricd corespunz6nd unui amplificator cu reactie.

(10 1)

Combindnd aceastd ecuatie cu rela{iile intfare - iegire ale amplificatorului de


baz6 si ale atenuatorului calibrat

V3 =

aV2

(10.2)

Vri =

fVg-

(10.3)

ci arnplificarea de tensiune a amplificatorului cu


reaclie complet, adesea denumiti amplificare pe bucld inchis6 este:

gi elimin6nd V2 gi V4, se gisegte

V"

'q

n,d

____rr

a
=-.1+af

(10.4)

Efectul reacliei negative este evident. Dacd produsul af este mult mai mare
dec6t unitatea, ecuatia se reduce la:
1

''vr

Fig. 10-1.a

\/

(10.5)

Agadar relalia intre V3 gi V1 depinde numai de f 9i este aproape independentA

de a. Acesta este un rezultat important,


i conm.rn+rou

, fi,

A-lIIFIJflCETON
DEEA!;T

(mil*neHI)
V3

=aV1

,{TEI-IUATON
DEFR,SCI.EE
F,{.SrV
V4 =fV3

re

Fig- 10-1.b
Capitolul 10. REACTIA

der:arece

amplificarea a

amplificatorului de bazd este funclie de temperaturd, tensiune de alimentare etc.,


aga cum s-a scos in evidenld in cele anlerioare.
Pe de altS parte, "amplificarea" f poate fi contr<llatd cu preoizio, rjcoareoe.r
atenuatoful poate fi construit cu elemente R, L Si C invariabile, adica, ale ciror

valori sunt mult nrai pulin sensibile la schimbarea condiliilor de functiottartr.

Amplificarea globald de tensiune este aproximativ independenli cje "a" alunoi


cdnd "a" este mai mare, deoarece tensiunea de intrare a aml)lificalorrri, V.',
necesard pentru a produce Vg, este diferen(a intre doud tensiuni mull rnlri rnirrr,
V1 gi fu3. in consecintd, dacd pentru anumite lnoiive "i.r" scade c.ler <lourl ori, ul;lc
Capitolul 10. REACTIA

itq

n()c(jsril|ii

o schimbare

neimportantd

a valofii lui V3, pentru a dubla pe vz,

oorTlponsand astel pierderea de amplificare.

Degi ne-arn referit numai la amplificarea de tensiune, scopul amplificatoarelor


este altul. Amplificarea de tensiune poate fi oblinuta gi cu un transformator. ceea ce
intereseazd in mod special este amplificarea de putere sau posibilitatea de a
comanda puterea, adica de a amplifica un semnal de putere (tensiune) redusa. in
acest fel un semnal de o putere substantiald poate fi aplicat sarcinii, de exemplu
difuzorului sau bobinei mobile a unui instrument de mdsurE.

0.2. EFECTUL REACTIEI AS[.JPRA DISTORSIUNILOR

Sd examindm cazul in care amplificatorul este neliniar. Presupunem, ca


relalia intre tensiunea continud de la iegire gi tensiunea continud de la intrare a
ampllficatorului de bazii este reprezentatd grafic in figura 'l 0-2.

sd calculdm cu mai multd precizie variatia amplificirii de tensiune Aq la


schimbarea arnplificdrii "a" a amplificatorului de bazi. Diferenliind ecualia (.1 0.4)
(presupunAnd mici varialii ale lui a, iar f fiind constant), se obline:

dA, =
(1 +
--1

-^-

af)'

da

se poate determina variatia relativd a lui A, din acest rezultat

dA",

1
A"i = 1+af

da
a

(10.6)
gi ecuatia (10.4)

(10.7)

Agadar o variafie relativd a valorii lui "a" reduce variafia amplificarii globale

Ar de 1 + af

ori.
De exemplu, dac6 produsul af este gg, atunci o variaJie de 10% a valorii lui "a"
dd
nagtere unei schimbdri de numai aJo/o a valorii lui Aur- Este clar, insd, cd trebuie pldtit
un "preI" pentru aceastd importante ?mbundtilire a performantelor amplificatoruiui.

Analiza acestor ecua{ii indicd faptul cd aplicarea reac}iei negative are ca rezuJtat
reducerea amplificirii. In mod expricit, raportur inire amprificarea grobard a
amplificatorului cu reaclie gi a amplificatorului de bazd este:

Au,
a = -1
1+af

(10.8)

Agadar, amplificarea grobar5 este redusd prin aceragi factor prin care sunt
reduse varialiile amplificarii. ln exemplul numeric oe mai sus, reaclia a redus
variatiile amplificdrii de o sutd de ori, dar aceastd imbunatd{ire in performantd

este oblinutd prin reducerea amprific6rii de o suta de ori. Din fericire, o


amplificare nestabilizati se obline cu ugurinli (de exernpru adiugand noi etaje).
Aducerea amplificarii nestabilizate la stabilitate nu esle o limitare serioasa
in

folosirea reacliei.
. _. Tgntru polaritdlile si interconectdriie din schema prezentate, reactia este prin
defini{ie ne-gativd. sau inversd dacd "a" gi "f' au acelagi semn algebric.
In configura{ii mai compficate, nu este ugor intotdeaun" ia se aprice acest
criteriu. o metodd mai sigurd de investigare a tipurui de reacfie esie datd
de
ecuatia (1 0.5). Dacd o rniscare a valorii absolute a lui f, considerate
initiar zero,
reduce Ae sub valoarea lui a, reaclia este prin definifie negativd.

202--

Capitolul 10. REACTIA

Fig.10-2
Deoarece caracteristica de transfer esie lilriard pe porliuni, analizdm separat
fiecare po(iune liniard.
Ne putem agtepta ca amplificatorul cu reaclie sd aibd o caracteristicd de
transfer mult mai liniard decfit a amplificatorului de bazd, deoarece reac,tia are
tendinla de a "suprima" schirnbdrile suryenite in amplificarea amplificatorului de
bazd.
Concret, presupunem cd pentru lV-rl mai mic de 'i V, caracteristica de
transfer a amplificatorului de bazd are panta de 1000, iar pentru lV3l intre 1 9i 3
V, panta este 100.

Datoritd neliniarltd!ii circuitului, este necesar sd se rea!izeze analiza in

domeniul timp gi nu in domeniul frecventd.


Scriind ecr-ratiile in func-tie de varia{ii mici in domeniul timp se obline:
v3(t) = av2(t)

(10.e)

va(t) = fv3(t)

(10,10)

v2(i)=v1(t)-vr(t)

(10.11)

Flani'

a
...
v:(t)=1+afvr(I)
Capitolul 10. REACTIA

(10.12)

Dar;A,

in continuare, se va presupune f = 0,1, atunci lv3l < 1V, lensiunea

vrrrial"rilA de la iegire

va fi:

v'(l) = -1000 v.(t)


= 9'9
1 (loooxon

Aceste limite "fixe" care apar deoarece tranzistoarele din amplificator se blocheaza,
se satureazd, sau devin neliniare in mod nepermis, nu pot fi eliminate.

v-(t)

Pentru 1V < lv3l < 3,5 V panta caracteristicii de transfer, agadar 9i amplifi-

10.3. EFECTUL REACTIEI ASUPRA SETilNALELOR PARAZITE

carea de semnal mic, poate fi dedus6 din relalia.


v3

100

\t,l -

1 + (100)

(0,1)

9,1.v.,(t)

Deci, aplicarea reactiei negative a redus varialia amplificdrii amplificatorului


de baz5 intr-un raport de 10:1, adicd schimbarea survenitd in amplificare este de
la 9,9 la 9,1 pentru aceeagi plajd de varialie a semnalului de intrare. Este clar ca
"prelul" pentfu aceasti imbunitdlire a liniaritatii este reducerea amplificadi. Dar,
in multe cazuri, aceasta nu este o problemd dificiid. Pierderea de ampiificare

poate fi refdcutd addugdnd un nou amplificator, la intrarea amplificatorului cu


reaclie, iar acest nou amplificator poate fi proiectat asifel incAt sd nu introducd
practic nici o distorsiune, deoarece el amplificd semnale de amplitudine mice.
Astfel, se reduce amplificarea p6rJii din sistem care comande semnale mari
pentru a imbunatali fidelitatea la semnale mari, 9i se transferd aceastd sarcind
pirtii care amplificd semnale mici 9i aie cdror distorsiuni sunt mult mai mici. irr
acest tip de problemd, reactia conduce intr-adevdr la imbunritalirea liniaritalii

Prezenla unor semnale parazite cum ar fi: zgomotul surselor de alimentare,


zgomotul de agitalie termicd gi diafonia legata cJe prezenla unor amplificatoare
vecine conduce frecvent la limitarea pefforrnanlelor unui amplificator.
Efecturl semnalelor parazite poate fi redus utilizand reaclia negativd. Dar
aceasta nu esle totcleauna gi eficientd.
Dacd analizdm efectul semnalului parazit la intrarea amplificatorului de bazd,
situa{ie pentru care schema brloc folositd este ar6tatd in figura 10-4.a, se constata
cd atdt semnalul util Vr cAt gi sernnalul parazil Vn se aplicd in arnplificator in

acefagi punGt,

gi ca urmare este dificil pentru amplificator sd realizeze

amplificare prefereniiale, a lui Vr in rapoft cu V"

intregului sistem fdri o diminuare a amplificdrii intreguiui sistem (vezi Fig. 10-3).

lt* F,l
I
n

I
-

0.?

-r

o'i vlE*I

*3
Fig. 10-4

-+

Fig.10-3
Pentru a areta acest lucru

Este foarte important sd se observe cd reaclia devine din ce in ce mai pu{in

eficientd pe rnisurd ce amplificarea de semnal mic a amplificatorului de bazd


esle mai micd. ca un exemplu extrem, cand amplificatorul de baz6 discutat mai
sus se satureaze pentru lv3l > 3,5 V, amplificarea de semnal mic "a" tinde catre
zoro; agadar 9i af gi A tind catre zero. Deci existd o limita a cantitdfii de
rreliiliaritate pe care o poate corecta reaclia, Fiecare amplificator are limite ,;fixe",
Iurrclamentale privind valoarea semnalului de iegire pe care-l poate produce.

,'it4

Capitalul 10. REACTIA

si

scriem V3 ca fiind o superpozilie, respectiv:

a .vn+ a .v^
V"' 1+af
1+af
."

(10.13)

Performanfa arnplificatorului poate fi apreciatd prin raportul semnal - zgomot,


definit ca raportul dintre amplitudinea semnalului util si a semnalului parazit in
Capitolut 10. REACT|A

295

acelagi punct al schemei date. Rezultd, linAnd cont gi de ecualia (10.13) ca


raportul semnal-zgomoi la iegirea amplificatorului din figura 10-4,a este:

s=v'

(10.14)

NV"
Se observd c5 acelagi rezultal

il

ob{inenr in cazul ai-nplificatorului de bazd,

figura 10-4.b"
Rezultd ca reacJia nu imbundtdiegte raportul semnal/zgomot al amplificatorului, dacd semnahtl parazlt se aplicd in acelagi punci cu semnaiul util.
Sa considerdm sernnalul parazit aplicat in ait punci al amplificatoruh-ri (vezi

Fis. 10-5).

Deci, dacd este posibil sd se construiascd un arnpli{i(;iilot !11, colt; nLl aste
afectat de zgomot ca amplificatorul a2, atunci este posibil :;a fie imbundtdlit
raportul semnal / zgornot al arnplificatorului a2, cu ajutorul reacliei. Rezultd cd
zgomotul Vn in acest caz nu poate fi zgomot de agitalie termicd asociat cu

intrarea an'tplificatorului, deoarece atunci arnplificatorul a1 ar fi afectat de zgomot

in acelagi mod ca amplificatorul

a2.

Prrjblema zgomotului de reiea al sursei Ce alimentare a unui etaj de iegire al

unui amplificator audio, indicd cd intensitatea curentului colector al unui


asemenea etaj fiind adesea de ordinul amperilor va fi costisitor sd se prevade o
filtrare corespunz6toare pentru sursa de alimentare a etajului. Curn insl etajele
precedente ale amplificatorului func{ioneazd la nivele de semnal mult mai mic,
filtrarea sursei de alimentare a acestofa este mai ieftind.
Rezulta cd este mai ralional sd se reprezinte amplificatorul de ieqire, de
putere, prin blocul a2 ca in figura 10-5 gi sd presupunem ce \/n reprezintd
zgomotul sursei de alimentare.

Amplificatorul a1 este al doilea amplificator, care funclioneazh la nirrele de


semnal mult mai mici, fiind alimentat de Ia o sursA bine filtratd. Sd presupunem
cd a2 are o arnplificare de iensiune unitarS, dar un cAgtig mare de putere 9i cd Vn
este zgomotul refelei, de 100 Hz, qi arnpliiudinea de 1V. Locul exact in care
semnalul parazit este introdus in a2 nu este important in aceastii disculie gi
pentru simplitate se presupunem cd el se introduce la intrarea lui az. Dacd

semnalul util

Vr are de asemenea o amplitudine de 1 V, atunci cdnd

a2

functioneazd singur (Fig. 10-5.b) raportul semnal zgomot afe valoarea 1,

9i funclioneazd farS zgomot,


f egal cu unitatea , din ecualia (10.15) rezultd cd
tensiunea de iesire va contine un semnal util de aproximativ 1V, c6nd se
folosegte reieaua de reaclie, semnalul de I V de la intrare se aplicd
comparatorului, iar zgomotul va fi redus printr-un factor eEal cu 101 . AceaslA
reducere apare deoarece tensiunea V5 din figura 10-5.a cott{itte aortrn o
Dacd amplificatorul 31 are cagtigul 100,

ad6ugdnd o relea de reacfie cu

Fig. 10-5
In reprezentarea general5 din figura 10-5.a se presupune existenta a doud
amplificatoare av6nd amplificdrile de bazd a1, respectiv e2, cel de al doilea
amplificator avdnd asociat un generator de zgomot V,,, iar amplificatorul a1
nefiind afectat de zgomot. Apel6nd la suprapunerea efectelor, gldsim pentru
tensiunea de iegire V3:

\/.
')

a.a

"

1+ a$2f 't

a-

1+

a.arf "'

(10.15)

Raportul semnal / zgomot este:

s=fuV'
NV"

(1 0.

16)

Acesta este de a1 ori rnai bun dec6t acela oblinut cu amplificatorul singular

componentd de zgomot inversatd in raport cu Vr,.

Putem concluziona cd reactia poate fi folositd pentru a redLrce zgonlol()l()


intr-un amplificator, numai dacd este posibild construirea unui al doilcll
amplificator avend o amplificare substan{ial5 gi un semnal / zEomot la itri;itc
substanlial mai bun dec6t amplificatorul original, Practic este rnai uqor sii :;cr
rninimalizeze semnalele parazite in eiajele de amplificare utlde nu inlereseilzii
oblinerea unei amplificdri mari de putere sau a unei valori rnari a puterii cle ie{;ire.
Rezultd cd o amplificare mare de tensiune poate fi obllnutd cu un amplificalc,r
separat, in limp ce oblinerea puterii, cu problema adiacentd a zgomotlrlui de
relea este asiguratd de un alt etaj de amplificare.
Rczurnal

Atunci cArrd so nplicd rear;!iar negativi, amplificatorul este desensibilizat,


ceea ce inserarnnA r;a se oblirre o anrplificare mult mai constantS ca antericr,

(Fis. 10-5.b).

Capitolu! 10. REACTIA

);t1itrlttl 1 0 REACI'IA

)07

zgomotele sunt suprimate in anumite condilii, iar distorsiunile sunt reduse. Banda
amplificatorului se large$te gi impedanlele de intrare gi iegire sunt modificate.
Toate aceste avantaje sunt oblinute cu un pret: amplificarea de tensiune se
reduce direct proporllonal cu desensibilizarea. cu toate acestea, amplificarea de
tensiune se obtine de obicei cu ugurintd gi de aceea, este convenabil sd se
sacrifice amplificarea de tensiune in favoarea desensibilizdrii.
Dintre considerente practice care suslin cele afirmate p6na acum, amintirn in
primul rdnd faptul ca reaclia stabilizeaza amplificarea 9i reduce distorsiunile,

deoarece amplificarea depinde acum de proprietti!ile anumitor componente


pasive ale relelei gi in micd mdsuri de parametrii componentelor active.
Aceste componente pasive sunt mult rnai "ideale" decat dispozitivele active
(tranzistoare); ele sunt mult mai liniare gi mai constante in valoare, fala de
sohirnbdrile de temperatura, umiditate, curenfii la care se opereazd gi al{i factori
similali

in al doilea r6nd, amplificarea de tensiune se obline cu ugurintli, in tinip ce


oapaoitatea de manipulare a puterii este redusd. Etajele care nu au dfept sancini
rnaiclra rnanipularea puterii pot fi facute sd lucreze liniar gi pot fi scoase de sub
intltren{a semnalelor parazite, cum ar fi zgomotul de rc,tea al sursei de alimentare,
irtlt^-o nrai mare m6surd dec6t etajele de putere. Este de dorit

a mdri amplificarea de
tor)siune, addugand un etaj cu tranzisior de joasd putere, daci o astfel de modificare
va irnbundtdli proprietaliie parlii din circuit care controleazd puterea
Tensiunea de reaclie poate fi o funcJie cle tensiune sau curentul de iepire sau
curcntul de reactie poate fi o functie de tensiunea sau curentul iegire.
Dacd tensiunea de reac,tie este o functie de tensiunea de iegire, circuitul
utilizat pentru amplificator este amplificatorul de tensiune- Dacd curentul reac{ie
este o funcfie de curentul iegire, circuitul utilizat este amplificatorul curent. Dacd

T1 9i T2 sunt amplificatoare de tensiune identice cu c69tig bucl5 deschisd a1 9i a2.


Cagtigul bucld deschise total pentru amplificator este produsul a1a2. Capacitoarele
notate C izoleazd semnalul c.c. din semnalul c.a. al amplificatorului.

cu cele doud etaje ale amplificatorului conectate ca amplificatoare emitor -

comun, tensiunea intrare Vln este ?n fazd cu tensiunea iegire Vo6.


Tensiunea pe care T1 o amplificd este diferen{a intre Vin 9i Vr, ca urmale
amplificatorul folosegte reaclie negativS.
(10.17)

V = f .vo
sau

v-

KI\E' rD r\F

Ill\tr

'

.v"

(10.18)

Atunci f este egal cu:


(10.1s)

KE+Kr

Deoarece oroz ste cAstigul buclS deschisd 9i este mult mai mare ca 1, ecualia
poate fi folositd pentru a gdsi cfigtigul bucld inchis6 al amplificatorului total, sau

n.-=1=I'*1
"w-f
RE
Cu componentele cle circuit date,
inchis5. CAgtigul bucld inchisd este:

sd calculdm

(10.20)

cSgtigul tensiune buclS

n*=r{-59"r;Au,=15,4

tensiunea de reactie este o funclie de curentul iegire, circuitul folosit este


amplificalorul transconductanld. oacd curentul reactie este o functie de
tensiunea ie$ire, circuitul folosit este arnplificatorul transrezi.stenld.
o configuralie de circuit pentru un amplificator multietaj rB cu reactie este
datd in figura 10-6.

10

TTPURT DE REACTTE

Se pot intSlni patru tipuri de reac{ie:

10.4.1. REACTIA SERIE - SERIE


I6

Fig.
298

'10-O

Capitalu! 10. REACTIA

Fig. 10-7
Capitolul 10. REACTIA

Ls lrrtttrro, somnahrl do roaclie se aplicd in serie cu cel de intrare, iar la iegire

cei doi cuadripoli, arnplificalorul gi refeaua de reaclie, sunt de asemenea


conecta{i in serie. Acest mod de conectare face ca la intrare mdrimile ce se
compard sil fie tensiuni, iar la iegire mdrimea cu care este proportionala

10.4,3. REACTIA PARALFL - PARALEL

tensiunea de reaclie V, sd fie cufent.


Factorul de transfer al amplificatorului, definit de rela{ia:
t"

:y

(10.21)

\/

va fi deci o admitanla de transfer, iarfactorul de transfer al relelei de reactie:

"v.
[-=-

(10.22)

Fig. 10-9

!o

este o impedantd de tfansfer.

Factorul de transfer al intregului circuit va


transfer:

^
n..--

fi de asemenea o admitanta

Amplificarea este definite de relaliile:


de

t.

[=r

l"

a,,

Y'

1+

(10.23)

!..a,

1z-

(10.27)

-:0

vo
10,

10.4.2. REACTTA PARALET- - SERTE

,
-z

1+f

!,

V,.
!,

a-

,*1,

(10.28)

(10.2e)

o.

Amplificatorul este impedan{a de transfer.


10.4.4. REACTTA SER|E - PARALEL

Ii.

Fig. 10-8

lo

+-

---t

Cuadripolii sunt conectali in serie la intrare gi in paralel la iesire Putem scrie:


(10.24)

vn

4., =:

v^-*-Yo

vu-"+v,

%/9"

*I,.Vo -

av
n - ,lfo
rvvi -- 1+e"'f"

'
1

-+

+lu.au

(10.25)

Fig. 10-10
(1

0 26)

Factorul de transfer al amplificatorului este o amplificare in curent:

Amplificalorul este un amplificator de tensiune.

(10.30)
Capitolul 10. REACTIA

s01

t-

:) l,=l*,*!

f,-!,

!s

(10.31)

Deci:

lo
ai *

*-

1+9,

.1,

-9'-

li

(10.32)

Aceastd rela-tie aratd cd impedanla de intrare este rndritd de (1 + af; ori.


Folosind reactia, se pot obtine mdrimi ale impedanlei de intrare de ordinul sutelor
qi miilor.
Sd consider6m o conexiune oaralel:

Su'
10

!u,

tu

INFLUENTA REACT|E|ASUPRA tMpEDAt{TEt DE TNTRARE

Sd considerAm o conexiune serie la intrare:

Fig. 10-12
Se poate face un caloul similar

l'c_-

a=:

*l

!e

!,

V
,lo

(10.38)

9l
z
Lt

Fig. 10-1'1
lmpedanfa de intrare a amplificatorului cu reac{ie este definitd Qe relalia:

,*V._V"+V,

!'

Curentul de intrare

l;

(10.33)

I =l

(10.3e)
+

(10.40)

!,

Cum:

r'-

!'

este dat de relatia:

l,

-l-j
-."
!n

--

V,

:1

Zt'1",

!"+!,

\/

=iLi

(10.34)

dupd simplificare prin l" oblinem:

unde Z; este impedanla de intrare a amplificatorLrlui fdrd reactie:


Pe de altd parte:

v=

(4.41)

af

.V"

(1O.42)

(10.35)

gi deci rezultd:

Rezulld:

7=
=i

1t+ !,+

af

.2,.1

7,_
(10.36)

zi

1+af

(10.43)

!,

adice:

2.,=2,0+gJ)
Capitolul 10. REACTIA

(10.37)

lmpedanla de intrare la reaclia paralel este rnicgoratd substanlial. $e


observe ca nu este influen{atd de modul de conectare a iegirilor.
Capitolul 1o. REACTIA

O schemE de calcul in care amplificatorul de bazd este pistrat nemodificat gi


s0 oonsiderd numai incarcarea la intrare 9i iegire cu admitanlele cuadripolului de
roaclic Yrr gi Yor este ilustnatd in figura 10-14.

+
{.;Ll

lv,;

Fig. 10-15

Ts'!'i

Cu aceste transformdri cuadripolul de reaclie devine ideal, fiind redus la


generaiorul de curent ca in figura 10-16

- - - ----r

L__

Fig. 10-16

Un parametru important in calculul

Pentru aceastd schemE funcfia de transfer este:

-v
-Lin

-s

w-lout

(10.57)

0,55) gi

:g

0.s6) se pol de<1uce urmdtoarele reguli de


in bucla cjeschisd - a pentru orice
amplificator cu reactie care prezintd comparare gi egantionare in nod.
1. se identificd pirfile componente ale amplificatorului cu reaclie (surs6 de
semnal, amplificatorul de baz5, circuitul cu reactie gi sarcind utild)
2. se formeazii circuitul de calcul pentru a., completAnd amplificatorul de
(1

(1

formare a oircuitului pentru amplificai'ea

bazd cu Gn, Y6 la intrare gi G", Yor"


Aceasta inseamnd cd toate efectele de incdrcare ale sursei. retelei de reactie

gi sarcinii sunt asociate cu circuitul a, . in mod concret, incdrcaiea nodului

transmisia prin bucld I, necesard in studiul stabilitdtii.


\/

YV--l*out

v -i:-2

(10.58)

:g

Pentru a calcula funclia de transfer pe buclS a unui citcuit de tip nod - nod,
se foiosegte urmitorul procedeu:
1. Se deconecteazd circuitul de reacfie de la nodul de intrare al amplificatorultti.
2. Se adaugi o admitanld Yir la intrarea amplificatorului.

3. Se scurtcircuiteazd ierminalele de intrare ale relelei de reactie 9i

le

reac{ia.

0-1 5:

306

bstge ife.re.cs{d

Fis. 10-17
Capitolul 1A. REACTIA

se

calculeazE curentul care se scurge prin acest scurtcircuit ca r6spuns la curentul


de intrare l- .

intrare a. circuitului a, , produsd de sursd, de amplificatorul de bazd 9i de releaua


de reactie reprezintd ceea ce rdm6ne dupd punerea la masa a nodului de ie$ire.
Incarcarea nodului de iegire a circuitului a,, produsa de sarcind, arnplificatorul de bazd gi de releaua de reaclie, reprezint5 ceea ce ramdne dup6 punerea
la masd a nodului de intrare al amplificatorului complet cu reac{ie, pentru a anula

Dupi acest procedeu de calcul, amplificatorul de baza nu suportd nici o


rnodificare, schema sa trebuind sd fie completat5 cu Gs, yir, G", yor ca in figura

cu reactie este
a..fr, care reprezintd chiar

amplificatoarelor

desensibilizarea 1+ o,.lv, ce poate fi aproximatd prin

:in

Jin6nd contde relatiile

------

-_-]

Fig. 10-14

:2_

1+' otT;t
E/-- }r

Capitolul 10. REACTIA

10.6.2 ADMITANTELE DE INTRARE $I IE$IRE

Jr

Yl"'u

cea mai ugoari modalitate de a calcula admitanta de intrare cu comparare


in nod este aceea de a aplica o tensiune de test V, la intrarea amplificalorulL;i gi
sa se calculeze curentul rezultat 11. circuitul pe care se vor desfdgura calculele
necesare determindrii admitanfei de Intrare, in care, conform presupunerilor
f5cute, s-au neglijat Y1u gi Y6, este pfezentat in figura 10-1g.

_l

Yrf,Vt

t't

rr.
't

/T*

Iff".U

I'

Yr

'+

Curentul

11

rt

Fig. 10-19

L
:rf

lp'

GL

Fi

Yit

Rezultd:

!, =

r V,[Y" * Yo' * c"

Gn

Yn.Y*
)
y,.
+

(10"64)

+ yir,

Deci, admitanla de iegire a amplificaiorului cu reaclie cornplet este:

t"* = f

este:

(10.5s)

= (G,

Yo"

Yo,)(r

* g,.!r)

/'{ n Aq\

Admitanla de iegire este definiti in mod normal fdrd a se include Gu. Deci
(1 0.64) ori scdzutd difi Y6r1:

Gu

artrebui sa fie egalS cu zero in ecua{ia

Y.* = I"* - G=

(10.s0)

0.66)

Se otiservd cd, pentru acest tip ds reaclie, at6t admitanla de intrare cAt 9i

Deci:

cea de iegire sunt crescute cu acelaqi factor care reduce amplificarea:

Deci admiianla de intrare a arnplificatorurui compret cu reactie este:

Y" =

(Gn

* Yn * yr)(, * e,.I.,)

(10.62)

Pentru circuitul ou reacfie serie

12,"1

(10.63)

Pentru a calcula admitanla de iegire se aplicd o tensiune v1 ia terminalele de


iegire ca in figura 10-19 gi se determirrd curentul li rezultant la aceste terminale.
Capitolul 10. REACTIA

serie, configuralia de cuadripol este

prezentate in figura 1C-20.


Se va presupune cd semnalul este amplificat de amplificatorul de bazd

ecuatia:

Y- =Y.--G-

I + azfv'

10.7. ANALIZA CU AJUTORUL CUADRIPOLILOR A REACTIEi SERIE - SERIE


(E9ANTIONARE BUCLA - COMPARARE BUCLA)

Admitanta de intrare la bornele amplificatorului cu reacJie, care nu include


conductanla sursei de la intrare Gn se obtine extrdgdnd Gn din rezultatul dat prin

-ids--

(1

9i cd reteaua de reaclic": pt'otlrtc:r.l

"

tolltil
12,.1

lz,l

(10.67)

rortc{ia:

",.: lz,l

( ,tlttl,,lrrl ltt lil At ll/\

(10.68)

309

10.7.1. REPREZENTARLT DE CIRCUIT PENTRU

e,

9ll,

pentru un amplificator cu reac{ie serie - serie regulile de formare a circuitului


av sunt:

1. Se identificS sursa, sarcina, amplificatorul de baz6 9i reteaua de reaclie

prin metodele discutate.

2. Se completeazd amplificatorul de bazd cu efecte de incdrcare ale surs(ii


sarcinii gi relelei de reacfie. Astfel, se intrerupe bucla de iegire a amplificalorului
complet peniru a anula reaclia. Pentru a determina incdrcarea produsa in bucla de

s_i{ E:t
3e

iegire, se intrerupe bucla de intrare a amplificatorului complet, pentru a anula reaclia.

r.r

;'",,;;

De asemenea, se presupune cd amplificatorul de bazd este aproape unilateral:

S6;

11,^'2,^l"lz,'lol

(10.6e)

Z,=Z,+Zn+R.

(10.70)

zr=Zo,+Zor+Rl'

(10.71)

unde:

Fig.10-21

Funclia de transfer f a cuadripolului de reaclie este o transimpedanld idealS;

deci circuitul

este

sursd ideal6 de curent controlatd prin tensiune,

cu

impedanla de intrare gi de iegire nuld, ca in figura 10-22.

in acest caz, acimitanta

de transfer este:
z,u

(10.72)

Fig.1A-22

Deci:
2 =
:v

2
-L.--(2,"

* Z, *

R") (Zo, +

f =7

:ii

Capitolul 10. REACTIA

Z" + R.)

(10.73)

(10.74)

Transmisia pe buclS T = af pentru reaclia serie - serie este amplificarea de


lensiune calculatd cdnd:
1) reaclia este cieconectatd la intrare
2) se adaugi o impedan!5 Ziin serie.cu intrarea amplificatorului

Capitolul 10 REACTIA

4s

Rg

A-

rnqrlifi*ator

v1

B'L

al,a

lrua

+t

IABA

tfp

r,eqrtie

Capitolul

11

. OSCILATOARE AR,MONICE

Fig. 10-23
Acest tip de reacfie are drept rezultat rn5rirea impedanlelor de intrare $i ie$ire

z^= (2,+

z,t + R") (t

1"u, = (Zo" * zo, ''

_.

r ar.!.)

Rr)(t + a, .t.)

11

.1. INTRODUCERE

(10.7s)

Oscilatorul armonic este un circuit care genereazd un semnal de iegire in


(10.76)

cazul reacfiei serie - paral'el anaiiza se face cu pafametrii de cuadripol

G. ^Pentru
In acest caz compararea se face in nod 9i egantionarea in bucld. Reaclia
mere$te impedanta de ie$ire gi o scade pe cea de intrare cu 1 + g,f, apropiind

absenla unui semnal de intrare. Energia de iegire este asiguratd pe seama surselor
de polarizare. ln general un oscilator poate proveni dintr-un amplificator cu reaclie
pozitivd. ConsiderAnd amplificatorul cu reaclie din figura 11-1 putem scrie ecualiile:

amplificatorul cu reaclie de comportarea amplificatorului de curent ideal.


Reaclia paralel-serie (egantionare bucld, comparare nod) se analizeazd cu

gi are ca efect mdrirea impedanlei de intrare gi


cu 1 + a"I", apropiind amplificatorul cu reaclie de

parametrii de cuadripol H
scdderea celei de iegire

comportarea amplificatoru lui ideal de tensiune.

Fig,

1 1

-1

Iz=A.Xr

(11.1)

I,=F.IZ

(11.2)

x.=x_+x"

(11.3)

Deci, amplificarea cu reaclie este:

.x.
-l

3TT-

Capitctlul

10

REACTIA

Capitolul

X^

--.---:-'.--.

- liA

1. OSCIL.ATOARE A|.i.MONI(, I

(11.4)

-173

Pentru ca circuitul din figurd sA clevini oscilator, la iegirea acestuia trebuie sd


obtinem sernnal in absenla semnalului de intrare, deci pentru x- = 0. in aceastd
situa\ie amplificarea cu reaclie devine:

^x"

(11.5)

conditie satisfacutd pentru:

p. A =

(11.6)

denunritd gi relalia lui Barkhausen, relatie care dd condi{ia de oscilatie. Deoarece


circuitul contine elemente reactive:

A-A[co) gi 9=F(o)

(11,7\

A=lAI
.expio"
t-l

(1

R=lB1 .expio"

(11.s)

Deci
1.8)

Fig. 11-2

Relalia lui Barkhausen devine echivalentd cu dou6 conditii:


Condilia de amplitudine:

lal
Conditia de fazd.

lql

(11.10)

1.b: oscilatoare nesinusoidale = tensiunea de iegire difer6 ca formd de cea

qA+QB=2kr ; keN

(11.11)

Din condi{ia de fazd se va determina gi frecventa _semnalului


oscilatorului.

condilia cle amplitudine

(1

de

la

iegirea

1.i 0) este valabild atunci c6nd se ajunge la regimul de

echilibru de amplitudirre, cdnd amplitudinea oscilaliilor este constanta. pentru


putea amorsa oscilaliile, inilial este necesar ca

lal

lql

't

(r1.12)

Cu alte cuvinte, inifial trebuie ca reaclia pozitivd sd fie puternicd.

Dacd condilia (11.12) este menlinutd in timpul functiondrii atunci amplitudinea


tlscilaliilor va cregte fdrd a se ajunge la starea de echilibru. Din acesl motiv, in circuit
trebttie sd exisie un rnecanism de limitare a oscilafiilor, care sd asigure intrarea in

regitnul de echilibru

a functionirii oscilatorului,

oscilatiilor devine constantd.

314

Oscilatoarele se pot clasifica in funciie de anumite criterii dupd cum urmeazd:


1) Dupd formele de undd de la iegire:
1^a: oscilatoare armonice = tensiunea de iegire este apropiatd ca formd de
cea sinusoidal6

moment

Capitolul 11. ASALATOARE ARMOMeE

in care amplitudinea

sinusoidald fiind triungh i ular5, dreptunghiulard etc.


2) Dupi modul in care energia de alimentare poate fi transformatd in energie a
semnalelor de iegire
2.a: oscilatoare cu reactie pozitivd
2.b: oscilatoare cu rezistente negativd
3) Dupd natura relelei de reactie:
3.1. oscilaioare RC:
3.'1 .a: cu retele defazoare
3.1.b: cu reiea Wien
3.1.c: cu retele dublu T
3.2. oscilatoare LC:
3.2.a: cu circuit acordat in colector
3.2,b: oscilatoare in trei nuncte
3.2.c: oscilatoare cu cua4
4) Dupd gama de frecventd pe care o acoper6:
4.a: de audiofrecventa (HZ - lMHZ)
4.b: de radiofrecven{d (sute kHZ - lGHZ)
4.c: de microunde (peste lGHZ)
5) Dupe numdrul buclelor de reactie:
Capitolul

1. ASCILATOARE ARMANICE

5.a:

cu o singurE buclS de reactie: limitarea anrplitudinii oscilaliilor se obline


pe seama nel iniaritdtii caracteristicilor d ispozitivelor active
5.b: cu doud bucle de reactie: existd o reacfie prin releaua selectivd de cele
mai mulie ori aceasta fiind conectatd in bucla de reactie pozitiva gi o a
doua bucld in care se introduc elemente cu valori dependente de nivelul
semnalului de iegire care pot controla apoi merimea amplificdrii,
ajung6ndu-se la condi{ia de echilibru (j 1 .10)
6) Dupa natura elementelor prin bucla de delimitare a amplitudinii

6.a: limitarea cu elemente cu ine(ie termic6: in schemele

6.b:

acesrora s9

folosesc fie becuri cu incandescen{a, fie termistoare care incdlzindu-se


sub acliunea iensiunii de iegire igi modificd valoarea rezistentei.
limitarea cu elenrente fri16 inerJie termicd: de exemplu TEC-uri folosite
ca rezistenla controlatd sau diode semiconductoare folosite in semnal
rnrc

sh
Fig. 11-3
polarizal,
Rezistenlele Ror gi Ruz se aleg astfel incat tranzistorul s5 fie corect
RC
celuld
ultima
alternativ,
curent
rezisten{a R1 se dimensioneaza dincon,litia ca' in
s6 prezinte o rezisten-td egald cu R:

R=R-l11.2 OSCILATOARE
11

RC

Capitolut

1. OSCILATaARE ARMaN,CE

,'11e

de

amplificare. Av6nd in vedere cd in bandd, defazajul amplificatorului considerat a fi


compus dintr-un tranzistor bipolar ?n conexiunea FC, este de 1g0o pentru obtinerea
unei reaclii pozitive este necesar sd se realizeze in releaua de reaclie un defazaj
suplimentar de + 'l B0o.
Acest defazaj poate fi oblinut cu minimunr trei retele de defazare. Releaua de
defazare realizatd cu retele de clefazare trece - sus introduce un defazai de +1'a0o incat
defazajul total devine + 360o, iar cea realizatd cu retele de defazare trecelos introduce un
defazaj suplimentar de - 1B0o astfel incat defazajul total va fi egal cu zero.
Folosind trei celule de defazare identice, fiecare va introduce un defazaj de +60o
(celul6 trece-sus), -60 (celuld trece jos), deci pentru a obline defazajul tiorit
1*teo)
in reieaua de reac{ie vom avea nevoie de trei celule de defazare.
schema oscilatorului de celule defazoare este prezentatd in figura 11-3a- cu
retea trece-sus, respectiv figura 1 1-3b - cu retea trece_ios.

3i3-.-_

r.b2

Amplificarea in bucld se obline prin parcurgerea buclei tiiate. se taie bucla la


intrare gi ca mdrime de intrare sb ia lo. Dupd parcurgerea buclei, in acelagi punct se
ob\ine curentul lo , amplificarea in bucld devine egald cu lu / lo . Pentru a calcula
raportul folosim schema din figura 11-4.

.2.1. OSCTLATOARE CU RETEA DE DEFAZARE CU TRANZTSTOARE


BIPOLARE

Un oscilator cu fetea de defazare poate fi construit cu un singur etaj

;Knr

(11.13)

44

t!
+_+_E'h

Fig. 1 1-4
Transmisia pe bucld
Tt-

T = A(o)p(co)

este egald cu,

h
I l2ie

;-I-iT--- 5:ll- -

R 1(4 +, -' l- | ----f -3'+.-..+


R. jn' \ RC ' R.cJ - i,'[{Rc)' RR.cz ] jo,' R2R"co
|

Oapit()lul | 1. Q:;CII-A1'OAFIE ARMONICE

(1 1 .14)

T*

1[ 1
5l
.,R
-_^, ___:+__,+li_
Jf
R"

u''

(RC)'

1(4 6)l

,_ _t _ :-_i;

'lu''R'R,c'

RR"c2_J

(11.15)

c,

IRc

R.c,]j

Pentru a determina frecventa de oscilatie punem condilia ca partea imaginai-d


numitorului transmisiei pe bucli J- sd se anuleze:

1
1(4
.___^___-__-'.___+:=0
.n""' R' R" C'
r'ro*
.C
\R

6l
R" . C/

Oscilatorul poale fi realizat fie cu reaclie de curent, caz in care se utilizeazd


impedanla de intrare redusd a tranzistorului din montajele obignuite, fie cu reac\ie de
tensiune caz in care impedanla mare de intrare necesard se obline folosind un
montaj adecvat pentru pfimul etaj.
Releaua Wien este prezentata in figura 11-5 pentru care se calculeazd funclia
de transfer.

(11.16)

Rezultd
1

Pentru rir =

o)osc

(11.17)

tlansmisia pe bucld T devine:


l-rl trt -

''

tN21u

23+48. +zg|

-----=

(11.18)
Yo

RR"

(11 .21)

Condilia de amorsare a arnplitudinii se ob]ine pun6nd condilia:

lrl >t=>
h21,

> 23 *

+
4+
RR"zg}

v. = :''':1:-:p,__*-{:-T:
y,

(1i.1s)

Partea dreaptS a expresiei (1 1 .19) are un minim egal cu 45 dacd R"/R = 2,7
Rezultd cd pentru a folosi montajul cu retea de defazare cu trei celule RC trebuie
ca montajul sa aibd
h21s ) 45
(12.20)

9i deci:

Yq = r n &
R2
Y,

* 9. * -il'o,c-R. Cj

Funclia de transfer \11.23) este invers proporlionald cu


11.2"2. OSCtLATOARE CU RETEA WtEN

oscilatoarele cu relea wien au bucla de reactie formati dintr-o relea wien,

compusS dintr-un grup RC paralel inseriat cu un grup RC serie.

iiE

Capitolul 1 1. ASCILAT]ARE ARMONTCE

(11.22)

R2

'

oC1R2,/

*L
ll0r'-)

(11.23)

$i deci, pentru

determina pulsalia de oscilalie egaldm partea irnaginard a expfesiei cu zero:

o^-^.C^R.-

o or" ulKz

=Q

Capitctlul 1 1. OSCILATOARE ARMONICE

(11.24)

319

Rezultd:

Schema de principiu a unui oscilator RC cu retea Wien cu reactie de tensiune de


(11.25)

A(jr,t). Fft.r) =

i. +. *-

j[,,c,n,

frecvenld variabild este arStatd in figura 11-7, amplificatorul fiind realizat cu doud
etaje cuplate galvanic, pentru a elimina defazajul suplimentar ce ar putea fi introdus
de cdtre circuitul de cuplaj la frecven{e joase.

(11.26)

-""h;

Pentru a deterrnina condifia de arnorsare a oscilaliilor folosim relalia

lnU')l
Din

(1

lpgro)1".=,""..

"

{11.27)

1.27) rezultd cd amplificarea trebuie sd fie

A>1+;-+;f(2

(11.28)
L2i

pelttru ca in circuit sd avem oscilalii


Pentru R=Rr=Rz gi C=C1=C2 Bvem:
'

Fig. 11-7

(11.25)

osc

A>3

(11.30)

in figura'1 1-6 sunt prezentate caracteristicile de frecvenld ale lui


arg p{jn)

J3fio)

Pentru acest tip de oscilator se observe ca dacd rezistenJele de polarizare Rsr 9i


fi legat in baza tranzistorului Tl, rezistenta lor echivalenta ar fi guntat
rezistenla R de la iegirea relelei. Conect6nd cele doue rezistenle ca in figurS,
Rs2 s-ar

rezisten,ta lor echivalent,

5t'
, t'
R*,, + R",

va fi conectati in serie cu rezistenla de ieqire a

relelei, R. Pentru ca efectul varialiei rezistenlei R sd fie simlit, este necesar ca


rezistenla echivalentd

'

+=+.
R"'' + R"'

sd fie micd in comparalie cu valoarea lui R.

Pentru stabilizarea amplitudinil oscilaliilor se poate utiliza o rezistenli neliniard,


o lampd cu incandescen|d sau Ltn termistor in locul nezistentei r,

0.tn

tl"t

-3tI

Pentru oscilatoarele cu retea Wien cu reactie in curent, reteaua Wien este


alimentatd in curent. in acest caz func{ia corrtplexd ftfior) devine
R2

-60
-90
FiE. 1 1-6

rzv
=;;---

Capitotul 11. OSCTLATOARE ARM)N\CE

Dtlut,
rv*/

2., _
1't- jr,rC"R,
RrZ.+ 2., R, + t_ +
_
jrnC, 'l + jorC.Rcaprl\lul

|1 ( ):;(;ll.Al ( )/\lil

AllAtt )Nlt :l

(11.31)

')D 4

[](jr,r

jo:C.,R,
U,i,) ClC2R1R2

+ jo(C',R'. +

CzRz)

+1

(1

1.32)

Din corrtlitia 41 . [](rir) > 1 obfinem


- pulsalia de oscil.qtie
0ro."

Reaclia negative necesare pentru lirnitarea amplitudinii oscilaliilor este realizate cu


rezistenla R4 gi termistorul R:. Datoritd acesteia rczistenla de iegire a tranzistorului T2
cregte foarte mult, iar rezistenla de intrare a tranzistorului T1 scade foa{e mult.
1

= -E:ffi

(11 .33)

11.2.3. OSCILATOARE RC CU RETEA DUBUU T

- condilia de amorsare a oscilatiilor


A,

Amplificatorul realizat din tranzistoarele Tr $i T2 prezintd o impedan,td de intrare


foarte micd gi o impedantd de iegire foarte rnare, deci se comporte ca un amplificator
de curent, alimentdnd in curent releaua Wierr cu care se realizeaze reaclia pozitivd.

(
p
n\
>11+ ''1 + "t

Releaua dublu T este prezentatd in figura 11-9.


(11

R2 cr)

.34)

Pentru R = Rr = Rr gi C = C1 = C2 eVerTli
1

o) o".

A,

=__
DT\

(11 .3r')

>3

(11.36)

Fig. 11-9

ln figura 'l 1-8 este prezentat un oscilator RC cu retea wierr


alimentat in curenr

Funclia de transfer a relelei dublu T are expresia:

-va=--

V;

*'

2K'?R2)
2K2R *J[u'tc=--"c
- '( K
i'R'-;c2
l(n2
,J

zK2) .,. jf E(t * zr+ 2Kz --5 ")l


zt<+ *''
h * -''
-5:
I 'l oC[
olucu/_]
or2gz \'

(11.37)

Modulul gi faza acestei funclli de transfer sunt prezentate grafic in figura 1 1-10 a, b.

Hi

l\r
I

ix5l-

--t'*

,i o'[-*/l

Fis. '1 1-8


Capitolut 11. OSC!LATOAR:

:ir

_o

Fig. 11-10

enUoNrcE

Capitolul 1 1. aSCILAT?ARE ARMONICE

se observd cd modulul funcliei de transfer prezinia un rninim la frecventa

" = -L
2nRC
Valoarea minimd a modulului este egali cu:
1^

Y2 *

zK2

r,1 1 ?R\
ui'ev/

-K

Pentru limitarea amplituCinii oscilaliilor

la ieEirea oscilatorului se introduce

termistorul r a cirei rezisien!fl scacle cu cregtefea amplitutlinii oscilaliilor (scade cu


mdrirea curentului care il parcurge).

/i,r
?0\
\I'vul

1+6+262

-V.'

poate fi
oscilaliilor, sunt cele calculate anterior. Atenuarea introdusd de rez-istenta R1
T:"
tranzistorul
pe
realizeazd
care
o
compensata cu ajutorul amplificdrii

Pentfu K = 0,5 func{ia de transfer va avea o valoare nuld, in acest caz atenuafea
relelei devenind irrfiniti gi deci realizarea unui oscilator RC devenind imposibila.

Atenuarea retelei prezintd

varoare rninirnd pentru K = o,zcr

= ],
3

cand

aceasta devine - 10,66. Semnul minus al atenuirii indica faptul c5 intre iensiunea
de
intrale V, gi cea de iegire V, existd un defazaj egar cu 1g0., tlefazaj rnenlinut
constanl pentru K mai mic decdt 0,5.
Pentru arnorsarea oscilatiilor ampiificarea trebuie sd respecte concli{ia

Ar

>

10,66

(11 .40)

in figura 11-11 este prezentat un oscilator RC cu retea dulrlu T

11.3 OSCILATOARE LC
11.3.1. PRiNCIPIUL DE FUNCTIONARE

Se considerd un circuit electric format clintr-un condensator C, o bobini de


inductan{d L qi rezistenli R, ce poate fi alimentat de la o surse de tensiune continud
V, ca irr figura 11-12.

ft.1 ct
5C

Fig.11-12
Fis. 11-1'l
,Amplificatorul este constituit dintr-Lln etaj repetor pe emitor care prezintd
o
impedanld de intrare mare $i un etaj de amprificare cu emitorur comun.
Prin inserierea rezistenlei R1 se poate nrdri irnpedanla de intrare.
Frecventa de
oscilatrie gi arnplificarea de tensiune a amprificatorurui necesard pentru
u;;;;r;;

szv--

Capitalul 1 1. OSCt LA'TOARE ARM)NtCE

Cdnd comutatorul K se afld in pozilia 1 condensatorul C se incarcd p6n5 cdnd


tensiunea la bornele sale devine egal5 cu V, Energia inmagazinat6 in condensator
este:

cv2

vv- "2 --

Canifolu!

1 1.

aSCILAT)ARE ARMOI''I|CF

{11.41)

CAnd comutatorul K se afld in pozilia 2 condensatorul C se descarca pe circuitui


format din rezistenla R 9i bobina L. Energia electicd wc se transformd in eneruie
magneticA pentru bobina L;

It2
w--'
-2

(11.42)

Transferul de energie se efectueaz5 cu pierder,i pe rezistenta R:

W"=R.12.t

(11.43)

In continuafe, energia magneticd a bobinei va fi transferatd cu pierderi

ne

rezistenla R, condensatonul reincdrc6ndu-se cu polaritate inversd. procesul oscilanl


se repetd p6na cdnd energia electricd w" se pierde ?n totalitate pe rezistenta de
pierderi R.

I!

Procesul oscilant de descdrcare gii incdrcare a condensatorului este posibil dacd:

R<

1?[

Il-

a J*

'so
),

(11.44.)

!c

Frecventa oscilaiiilor este datd de relfitia

.tttK*,

f-'---- *'

Fig.11'13

'-;'Vr-C-7lT

(11.45)

Daioritd prezentei rezistentei de pieruleri R oscilaliile de arnplitudine surrt


amoftizate Pentru a se obfine oscila{ii de amplitudine constantd existd doud

posibilitdli: introducerea in circuit a unei cantita{i de energie egal6 cu cea pienduta pe


R sau anularea rezisten{ei R prin introducerea in circuit a-uneire-iir1*rtp
negative.
11.3.z.OSCILATOR LC CU CIF-CUtT ACORDAT

Rezulti cd:

Ih.

1o

= T = A.Fg,l) =
!o [t'

+irt-,;]-_cl(n,,;,1. jol,)_rfir)rM
-_.--:-r:,-:- "- j,oM

Din condilia A . p(or) > 1 se oblin:

it,tCOlrcton

- pulsalia oscilaliilor:

In figura "l 1-13 se prezintd un oscilator cu circuit acordat in colector gi reactie


magnetici pe bazd. se observ5 din rnodul ?n care este conectat secundarul cd

defazajul pe cele doud infSgurdturi este de 180'astfel incAl reac.lia devine pozitiva.
Pe baza schemei din figLlra 11-13.c se carculeazd amprificaria in bucld

- jr,:M. !L =
/.

([

!i. hrru * jrle .ln *

.,
.r, n lrjcolr + j*wtlo)

j-

iu,b

326

r)

!r-

(11.46)

!r-

-hzru.

to

(11.48)

(r,

(11.47)

r-,c

(r *

r1

h-,..,"

t,

(11.4e)

,-T
Lrl
.*.'t
Lt/

- cr.'rrditia de amorsare a oscila,tiilor:

.It..," >

(h,," + r,) r,c

-t

M- -

("

r lr +
'\

'1

h,,o * - l,

t\
'?
;--

-1/

De obicei L.:'<< Lr $i h11"+ rz>2 rt 9i rezultd relaliile aproximative


Capitolul 11. OSCILATOARE ARMANrcE

(11.50)
|
|

.-2

(11.51)

l|,-

hr',"

f,'C
+ r^)
) Ih."z/
\ r,s
ML1

(11.52)

Dacd presupunem c5:

L?

<.<

M..L,

f, ((

h,r"

(11.53)

rezultd

hrr"

)"

hr.,.

r.,.c
M

Rezistenlele

r1 gi 12 sunt

llz1" -

/-l

tt = X,"
a;

X1 Xz 9i Xrvr au-acelaEi semn'


Relalia (1 1.58) po"tu ii verificatd dacd reactanlele ,
fje de sernn contrar' Deci' se pot
din relalia (11.57) rezuttd cd reactanla X: trebuie si
la care Xr 9i & sunt inductive iar
Har{ley
realiza doud tipuri oe osciLioare: oscilattrul
capacjtive 9i X3 irrductivS'
sunt
Xz
Xr
cafe
t
Cotpittt
9i
X3 capacitivi 9i oscifatoruf
f

(11.54)

+_Ld

.r

Etfl

(11.55)

g3

unde X61, X12 suflt reactanle inductive la rezonantd.

amorseazi oscilaiiile.

11.3.3. OSCTLATOARE LC iru

Fig. 1'l-14
se

rRrt puNcTr
1

ol
r.1c

;:EtrLr*r
llr -r&r,

(11.56)

se observd c5, cu cat M este mai mare (cuplaj mai str6ns) cu atet mai ugor

(11 .58)

x,+Yflco='"*

Din condilia 11.58 rezultd pulsalia de oscilatie or*"'

rezistente de pierderi:
'1

X, + Xrl

1.3.3.1. GENERALTTATI

.3.3.2. OSCI LATORUL HARTLEY


in fiEura 1 1-15'
Schema de principiu a acestui oscilator este prezentatd

schema generald a unui oscilator LC in trei puncte este prezentatd in figura 1114 in care s-a considerat cd intre impedanlele zlsgiz2;exisia un cuplaj inductiv M.

irrlocuind tranzistorul din figuri intre'punctei" z gi-s Cu un generator echivalent de


curent h21" ' 16 9i rezistenld internd 'llh22", gi aplic6nd teoremele lui Kirchhoff se vor
obline expresiile funcliei de transfer p(jo) Si ale amplificdrii A. Introduc6nd aceste
g,xpresii

in

condifia

de oscilafie a lui Barkhausen gi consider0nd

216=Z2szos, Zt,-=jXt, Z2y=jX2, Z2g,=Z2sll1lh22", Zrv=.iXr,a,

impedanlele

Zj=jX3 rezultd cd pentnr


satisfacerea acestei condilii este necesar ca partea imaginarii sd fie egali cu zero:

X,+Xz*x.*zxM-o
in acest caz condifia

(1

1.57)

tJe amorsare a oscila{iilor devine:

Capitolul 1 1. ASCt LATOARE ARMONTCE

FiO. 11-15
Aapitalul

7
11

o sji-

a1't

ii'it'-in

ttrlrrt rr, t

In acest caz impedanlele de interes au expresiile:


PresupunAncJ cE R1 gi Rz sunt nrici 9i deoarece h.,.,u

2,,,_;R,,+jo:L,

(1

1 s9)

zt. =

(11.60)

2,, = R, + jr,ll,

(11.6'1)

2
12c

=1h

Z2c=*

L.+M
n"">Lr*M-n,

" #

obilnem:

n?

(11.70)

Oscilatorul Hartley mai poate fi realizat prin utilizarea tranzistorului in montaj cu


bazd cornunS, figura 1'1-'{ 6.

(11.62)

"22e

Zt= -i--

(1 ;.63)

Z, = jroM

(11 .64)

finAnd cont de expresia (11.57) oblinem pulsalia de oscilalie:


/1 '1 A4\

* (r-.r-,
!,u
fl1ru

- yz)

unde

' h ra"

L=Lr+Lz+2M

Jin6nd cont de aproximdrile prezentate, fezultd:


- pulsalia de oscila{ie:
(11.66)
/n=-

"'osc

Dacd rezistenlere de pierderi R1 gi R2 sunt mici gi este indeprinitS


conditia
L1L2

M2

". .k

(11 .87)

atunci oblinem
tDo'"

JinAnd cont de expresia

(1

= -715

(1

1.6s) oblinem condilia de amorsare a oscilatiiror:

:t3D_*-..-------=%capitotut 11 oSatLAToARE

ARMoNtcE

Fig. 11-'16

laae

1.68)

(1 1

.71)

JLC

- condilia de amofsare a oscilaliilor:

.h:.0 2 -l_ L.+M


_ L,.jlvl

(11.72)

Oscilatoarele Hartley se realizeazd p6nd la frecvenla de 100 MHZ. Peste


aceastd frecvenfd, capacitdfile parazite ale bobinelor au un efect de guntare. La
fiecven{e mai inalte se preferd oscilatorul Colpitts.

Capitolul 1 1. ASCILATOARE ARMONICE

,I

.3.3,3. OSCILATORUL COLPITTS

C,C,

^"- -

Oscilatorul Colpitts este prezentat in figura 1 1-17

Daci rezistenfa

R3

(11.80)

c1 +c2

de pierderi este micA 9i este indeplinite conditia:

L^c <<

9t-Crh'',"

(11.81)

1122"

/=--_

(11.82)

fF

Din condilia

(1

1.58) rezufia conditia de amorsare a oscilaliilor:

n,.

n,,", hT"

Deoarece

.1
h,," ..

Fig.11-17

atunci c6nd-factorul de calitate

In acest caz, impedantele de interes sunt:

al

oscilaliilor devine:
lrn

-l---

Z.r=6
2'-1tt1-1
L^^=--lt

(11,74)

__

jroC2 tt h22"

h22, + j:oC,

Zzt=*

'2"=Rr+jol,

Z*=o
Jindnd cont de expresia

(1

(11.75)

R.I9d*)-L'

bobinei este mare, conditia de amorsare


(.

Oscilatorul Colpitts mai poate

fi

realizat gi cu tranzistorul

(11 76\

(11.77)
(11.78)

1.S7) rezultd pulsalia de oscilalie:

(11.7e)

Fig. 1 1-18
Capltolul 1 1, OSCILATOARE ARMONTCE

Capitolul

11

O SC ILATO

(11.85)

comlrna ca in figura 11-18:

unde

(11.83)

(11.84)

hi

hr* > #
v1

(11 .73,)

roC,'

ARE ARM

A NIC

in montaj cu

baza

Pontnr acest tip de oscilator pulsatia de oscilatie este data de rela{ia

.,\osc= F;--!L"-lrc
c1c2h,rb
--

Dacd

LuC

Z.=Rr+jol.-j;;

(11.86)

(11 .e0)

Pulsafia de oscilalie este;

Ct%ht''

"<

in acest caz impedan{a 23 calcuiatd pentru oscilatorul Colpitts se modific5, devenind:

(11 .87)

n
"22b

L \
lt
D::u o*,1_'
_+)!z,
,,\
+
*'osc= !,
Xt-.c clc2 . h1i" L3 \c; . hl1, ct )

atunci:
6\

__.

(11 .BB)

iL'C

unde

1 = 1 nJ**Jcclc2ca

Conditia de arnorsare a oscilaliilor este datd de rela{ia:


hr

f\

(11 .Be)

n rn
v1'v2

(11 e1)

(11.e:)

Dacd rezistertla de pierderi Ra este micd 9i este indeplinitd condifia:

r-r-h
L 1v
'n

\'-

(11 .e3)

' '22e

atuncr
I

1,3.3.4. OSCiLATORUL CLAFP

O variantd a

(11.e4)

/l /'\
\i-3"

oscilatorului Colpitts care prezintd

frecventei esle oscilatorul Clapp prezentat in figura .t 1_19.

o niai

bund stalrilitate

Dacd valoarea condensatorului C" se alege mult mai micd decAt valorile lui C1 9i C2

n^
(c. << v v2 -)
c" + c"'

atunci;
4

r^=--

ltr
rlL.v.

(11 .es)

Conditia de amorsare a oscilatorului Clapp este identicd Gu cea de la oscilatorul


Colpitts. in figura 11-20 este prezentatd schema oscilatorului Clapp cu tranzistorul
conectat in conexiunea bazd co!'nune.

$*-*

Pulsa{ia de oScilalie este identicd cu cea stabilitd la oscilatorul Clapp cu


tranzistorul in montaj cu emitor comun. Condilia de amorsare a oscilaliilor esie
identici cu cea de la oscilatorul Colpitts cu tranzistorul ?n rnontaj bazd comund

Fig. 1 1-19
?at

Capitalul 1 1. ASCILATOARE ARMONTCE

Capitalul 1 1. OSCI LATOARE ARMONICE

''n=1'-s

(11.e6)

!i;

1/LU

gi a unei rezonante pdralel la frecvenfa:

(t"

_1
l^^
,,

2 0,

(11.97)

vv^

lL"
x c+co
Rezultd c5 pot fi realizate oscilatoare bazate pe rezonanla serie sau paralel.
in figura 11-22 esle ardtat oscilatorul Pierce realizat cu un tranzistor. Montaiul
funclioneazl fie ca oscilator Colpitts fie ca oscilator Clapp, in ultimul caz cristalul

oscilAnd pe frecvenla de rezonanld serie iar Cr


amorsare a oscilatiilor este:

Fig. 1 1-20

.Pentru olrfinerea unei stabilitdli de frecvenld ridicatd se utilizeaza in


oscilatoarele armonice cristale cu cua(. Schema echivalentd a unui cristal de cuart
esle reprezentati in figura 11-21a in care Co reprezintd capacitatea mbnturii. Varialia

cu frecven,ta a reactantei este aritatd in figura 1,lr-Z1c:

F
vn

[7-

lYm

2o ^-^ 1/tvR-

(11.e8)

capitotut 1 1, OSCILATOARE ARMONTCE

--

rl//\
v1v2
--.=---

urtu:

(11,Se)

gi Rq = rezistenla serie a cristalului de cuar[

Fig.11-22

Fig.11-21

Se constati existenla unei rezonanle serie la frecvenla:


-T-

t'

de

unde

11.3.4. OSCTLATOARE CU CTJART

r\
v^:--l- z

= Cz, situalie in care conditia

Foloslnd rezongnla paralel, cristalul so comportd inductiv putdnd fi folosit in locul


unei lnductanle ln schoms de tip Harfley gi colpitts, ln figura 11-23 se prezintd un
Qapttolul

1, osct LAT?ARE ARMONICE

os(rilator l\/liller derivat dintr-un oscilator de tip Hartley. in acest caz cristalul
inloctrie.ste o inductanfi. Cealalti inductanld din drend se obline din circuitul oscilant
rlutin dezacordat inductiv. Reactia pozitivd a!.e loc prirr c gi capacitatea grila drena.

BIBLIOGRAFIE
1. Agahanean, T.M., Electronica
EnciclopedlcS, Bucuregti,

cu

tranzistofi, Editura $tiinlifica

980

2. Bernhard J.H., Knuppertz B.'

lnitiere

in

tiristoare, Editura Tehnicd,

Bucuregti, 1974

3. Ceanga E., Saimac A., Banu E., Electronica IndustrialS,

Fig. 11-23

oscilatorul Pierce are

stabilitate

Didacticd gi Pedagogicd, Bucuregti, 1981

4. Ciugudean M., Proiectarea unor circuite electronice, Editura


frecvenJei rnai ridicatd dectt cea

oscilatorului Miller, deoarece prin funclionarea ca oscilator Colpitts se realizeazd un


cuplaj mai slatr crt ti'anzistorul. in schimb amplitudinea osctlatiiior generate este mai
micd decat cea de la oscilatorul flililler.

Timigoare, 1983

9i

5. Constantin P., Raclu O,, Tranzistoare unijoncliune, Editura

Editura
"Facla",

TehnicS'

B'.lcuregti, 1976

6. Constantin P., g.a., Electronica Industriali, Editura Didacticd li

8.

Pedagogica, Bucuregti, 1 976


Croitoru V., g.a., Electronica - culegere de prtlbleme, Editura DldacticS 9i
PedagogicS, Bucuregti, 1 98?
Didacticd gi Pedagogicd,
Damachi E., 9.a., Electronica, Editura

v-

Bucure$ti,1979
Dasc6lu D., $.a., Dispozitive gi circuite electronice, Editura Didacticd

7.

9i

PedagogicS, Bucuregti, 'l 982


10. DSnila Th., Reus N., Boiciu V., Dispozitive 9i circuite electronice, F.dituta
Didacticii gi PedagogicE, Bucuregti, 1982
44

11. Gray P.E., Scarle C.L., Bazele electronicii moderne, vol

l9i

ll'

Editura TehnicS, Bucuregti, 1973

tz

Linde D.P., Sprabocinic po radioelectronim ustroistvam, Editura


"Energia", Moscova, 1 978

Millman J., Grabel A., Microelectronics, McGraw - ttill Book Company,


New York, 1987
14 Pascoe R.D., Fundamentals of Solid - Stale Electronics, John Wiley &
sons, Nerv York. 1976
tc. Sandu D.D-, Dispozitlve 9i circuite electronice, Editura Didacticii 9i

13.

Pedagogicd, Br"rcuregti, 1 975

358*-

Capitolul 1 1. OSCTLA,TOARE ARMANrcE

to

Stere R., Ristea 1., Bodea M., Tranzistoare ou efect de c6mp' Editura

17

TehnicS, Bucuregti, 1 972


Toma C.1., Gui V., Otesteanu IVl., Dispozitive 9i circuite electronice, vol.
gi ll, Institutul Politehnic "Traian Vuia", Tirnigoara, 1984
EIBLIOGRAFIE

JJY

18. Vasilescu G..Lungu S., Electronica, EdilLlra L)idr,rcticir q;i porlrrr;orpr;:r,


tsucuregti, 1981

A., g a., Circuite cu semicorrduc;toarc irr irrclrrs;lrrc


Amplificatoare gi oscilatoare, Editura Tehnica, Bucurr:sti, 19'/1

19. Vdtasescu

340

ltlltl tt tt,1.;t\l ll

10.6 ANALIZA CIJ AJUTORUL CUADRIPOLILOR A REACTIEI


PARALEL - PARALEL (ESANTIONARE iN NOD
gr coMPARARE irrt ruon)

Din aceastd relalie, in urma identificdrii cu relalia

-(Yo*.Yn)

. = Y.^ + Y*

"*pfn "to*A*l*"-

L -:"E"k*gda

- semnalul trece de
reaclie, deci:

-J

Fig.'10-13

Ef

+ Y, + \,) V1 + (Y," +

(Y," +

Y,)V + (G, + You +

Yn)V"

(10.44)

%,)v,

(10 45)

!s

Y
:ln

Y - lY
+ :llV \1V
+ -J-n
V /\
\:fa
, \-!-ra
:out

Yout=Gu+Yo"+Yo,

(10.48)

0.48) prin produsul

YnYuut,

pune in "fornra reac.tiei".

aceasla se poate

1+
'

:;n '
-\-]-ta

V
:oul

.. ly," .y.u,l

(10.54)

(10.55)

VV
lin lout

(10.4e)

N
.\_lra

Capitalul 10. REACTIA

10.6.1. REPREZENTARILE DE clRcUlT PENTRU

Pentru

-(Y" + Yn)
+V \
-ltr

(10.53)

lv*l

(10.56)

rY = rrf
(10.47)

=Y.Y-lY

y,"l

1y,".

(10.46)

Y,^=G^+Y,^+Y,

t_

de

- amplificatorul de baz-d este suficieni de unilateral, astfel incet schimbarile


admitan,tei sale de sarcine, se nu afecteze in mod sensibil admitanla de intrare:

unde:

(1

"

-(V
\-ir2 +V\-itr /

lmpdrlind numitorul relatiei

(10.52)

lv"l

LuAnd in considerare aceste inegalitSli relaliile (10.50) 9i (10.51) devin

iminend V1 din ecualiile 10.44 9i 10.45 rezuttS:

Yr=

"

la iegire spre intrare in principal prin cuadripolul


lY,"l

Pelrtru nodurile de intrare gi iegire se poate scrie:

0=

(10.51)

Pentru a obline interpretdri simple de circuit pentru & 9i !u se admit


aproximdrile:
- semnalul trece de la intare la iegire in principal prin amplificatorul de bazd
gi nu prin reteaua de reaclie, deci:

lY"l

(10.50)

-Lin'-i-out

-v

lq

0'29), vor rezulla:

^ 9.-vv-

$chema amplificatorului cu reaclie de tip paralel - paralel in care parametrii


de cuadripoli sunt de tip Y este prezentat6 in figura 10-13:

(Gn

(1

9,, Iu 9l T

a evita calculafea parameirilor de cuadripol Y pentru fiecare

din

circuitele luate in considerare, este necesaf sd se gdseascd interpretiri simple


pentru funcliile de transfer 8,, Iu
,

+ :dt
Y \
Capitolul 10. REACfIA

--*--3D5