Cuprins:

Introducere .

Noiuni teoretice .

Sarcina lucrrii

Rezolvarea problemei .

10

Concluzie

14

Bibliografie .

15

Introducere
n progresul multilateral al societii un rol foarte important au tiinele
tehnice i dezvoltarea tehnicii propriu zise, tehnologiilor noi, inovaiilor.
Tehnologiile noi din domeniile informaiilor i comunicaiilor constituie
elemente de reper ale epocii noastre, ele nregistrnd n ultimii ani un ritm de
dezvoltare care ncepe s depeasc posibilitatea de a le asimila
Lumea de astzi se afl n era informaional era automatizrii,
robotizrii, era INTERNETULUI... La baza tuturor, acestor valori
indispensabile n viaa de astzi stau tiinele reale, tiinele tehnice. Una
dintre cele mai importante din ele este electromica i tiinele noi derivate din
ea : microelectronica, circuitele integrate digitale, nanoelectonica .a.
Baza, practic, tuturor aparatelor, scemelor electronice o constitue
dispozitivele semiconductoare. Ele au cptat o folosin extrem de larg
datorit proprietilor specifice a materialelor semiconductoare de a conduce
curentul electric n anumite moduri i numai n anumite condiii.
Un moment de referin n dezvoltarea

electronicii respectiv a

comunicaiilor a fost inventarea primului tranzistor de ctre John

Bardeen, William Shockley i Walter Brattain (ctigtorii
Premiului Nobel pentru fizic n 1956) care demonstreaz funcionarea
lui

pe data de 23 decembrie 1947. Ulterior s-a nceput producerea

industrial de tranzistori pe larg, ce erau folosii n mai multe domenii, dar de

cele mai dese ori pentru confecionarea amplificatoarelor.
Un pas revoluionar n comunicaii l-a constituit descoperirea
amplificatoarelor acordate (selective), ce au proprietatea de-a extrage dintr-o
gam complexe de semnale unul de o anumit frecven i a-l amplifica mai
departe.
Astfel, ncepnd cu aceste descoperiri putem considera c s-a pit n era
lumii postmoderniste, era tehnologic, era digital.
3

Noiuni teoretice
Majoritatea

amplificatoarelor

construite

pe

baza

tranzistorelor bipolare au o gam larg de frecven a

semnalelor amplificate. n unele cazuri ns avem nevoie de a
amplifica semnale numai de o anumit frecven sau de a le
selecta dintr-un semnal complex . Aceste aplicaii se folosesc
pe larg n televiziune, radio, telecomunicaii, n sisteme de
automatizare i control sau ca metod de reducere a
zgomotului.
Amplificatorul selectiv este schema care satisface cerinele
expuse mai sus. Pentru aa scheme avem urmtoarele
caracteristici :
Ku
0,707 Ku

fj

fs

f 0=f

rez,

fig. 1

Factorul de calitate Q 2 0 f 10 1000 , raportul limitelor benzii de

f

s
frecven pentru aa tip de amplificare este f 1,0001 1,1 . Aa caracteristici
j

de frecven au numai un singur punct maxim a coeficientului de amplificare

la o anumit frecven f0 i se pot realiza prin 2 metode.

Prima metod const n introducerea unui filtru n circuitul de amplificare

(fig. 2), iar a doua prin construirea unei reacii negative format din elemente
pasive i dependente de frecven(fig. 3).

fig. 2
A

Uint

Uies

Uies

UR

fig. 3

Pentru a cpta frecvene de acordare mari f0>10 kHz se folosete prima

metoda, iar pentru frecvene mici de acordare f0<10 kHz se folosete metoda a
doua.
De cele mai dese ori pentru a amplifica semnale cu frecvena joas (a
doua metod), se folosesc amplificatoare selective cu elemente RC cu circuite
de tip minimal.
Circuite de tip minimal sunt acele circuite la care la frecvena de acordare,
cnd defazajul este nul, coeficientul de transfer este minim. Pentru obinerea

caracteristicilor de rezonan este nevoie ca aceste circuite s fie conectate

ntr-o reacie negativ a unui tranzistor cu gama de frecvene destul de larg.
n figura 4 este ilustrat schema structural a unui amplificator selectiv
cu elemente RC.
Uint
+

Uies
fig, 4

La frecvena de acordare reacia negativ practic nu exist i coeficientul

de amplificare dup tensiune va fi maximal. n analogie cu circuitele de
rezonan putem calcula factorul de calitate echivalent a amplificatorului
selectiv cu elemente :
Qecv

f0
,
2 f 0

(1)

Din formul observm c Qecv depinde n primul rnd de coeficientul de

amplificare nominal K0 i n al doilea rnd de factorul de calitate propriu a
circuitului de tip minim. Aceast dependen se poate exprima prin
urmtoarea relaie:
QecvQ*K0.

(2)

Din aceast relaie rezult c putem mri factorul de calitate echivalent

sau obinerea unei benzi selective nguste pe contul majorrii coeficientului
de amplificare.
Cele mai des utilizate circuite de tip minim sunt punile T-tip duble(fig.4):

2
0

fig. 4

f0

fig. 5

Principalul avantaj valoare nalt a factorului de calitate pentru circuite

de tip RC. Cel mai des caz ntlnit n aceste puni este atunci cnd la frecvena
de acordare coeficientul de reacie =0, iar faza sufer un salt =. n
acest caz se obine factorul de calitate maximal fr riscul de autoexcitare.
Aa funcionare se la balansarea punii. Dac ea e simetric : R1=R2=R, C1=
C2=C, atunci condiiile de balansare au urmtorul aspect :
2C
R

n;
C3
2 R3

(3)

n
2RC

(4)

f0
Q

n
,
2 (1 n)

(5)

unde n - un numr ntreg.

Dac n=1 obinem condiia balansrii de 0 : C3=2C, R3=R/2, frecvena de
acordare f0=1/(2RC) i factorul de calitate Q=0,25 valoarea maximal
pentru punile simetrice.
O influen considerabil asupra funcionrii punii T-tip duble exercit
rezistenele sarcinii i generatorului de semnale. Condiiile ideale sunt atunci
cnd RG=0 i RS= i n acest caz puntea i pstreaz caracteristicile
simetrice fa de frecvena de acordare.
Trebuie de remarcat faptul c caracterul asimetric a punii de obicei duce
la autoexcitarea amplificatorului acordat. Condiiile practice de funcionare
pot fi considerate ideale dac :
Rint. M100*RG

(6)

Ries. mRG/100

(7)

La frecvena de acordare formulele pentru rezistenele de intrare i ieire a

punii se calculeaz dup aceeai formul :
Rint . M . Ries. M .

R1
1 n

(8).

Dac comparm rezistenele Rint i Rie a punii cu rezistenele RG i RS

a schemei amplificatorului i observm c ele se deosebesc cu mai puin de
dou ordine, trebuie s alegem n alt mod aceste rezistene sau crem condiii
7

suplimentare ce ar asigura caracteristicile simetrice a punii. De exemplu

pentru puntea din figura 6 aceste condiii au urmtorul aspect :
R1R2=(1+n)RGRS, R1C1=R2C2. (9)

fig. 6

n cazul simetriei punii (R1=R2, C1=C2) ele se vor scrie :

R1

(1 n) RG RS

(10).

Sarcina lucrrii
De calculat parametrii unui amplificator selectiv cu
elemente RC, montat pe baza unei puni T-tip dubl n
circuitul reaciei negative dup urmtorii parametri : f0=1
kHz, Qecv=15, RG=1 k, Rs=1 k.
Schema amplificatorului e prezentat pe fig. 7.

fig. 7

Rezolvarea problemei
1.

Alegem

din

ndreptar

tranzistorele

superioar de frecven astfel nct

dup

limita

fs>> f0. Deoarece

frecvena f0=1 kHz este joas putem alege un tranzistor de

frecven joas ca 41 cu fs=1 MHz. Presupunem c n
cele trei tranzistore funcioneaz cu acelai curent de regim
IE1 mA.
2. Folosim puntea simetric ce are factorul de calitate
propriu QRC=0,25. Pentru a primi valoare factorului de calitate
echivalent Qecv=15 calculm coeficientul de amplificare dup
tensiune a ntregului amplificator KU0:
KU 0

Qecv
60 .
QRC

3. La frecvena de acordare f0 circuitul reaciei negative

este deschis i schema capt urmtoare form (fig. 8). Din
aceast schem se observ c RES=RE2||RS, RB=RB1||RB2,
RE=RE1, RC =RC2.

10

Aflm coeficientul de amplificare dup tensiune K U0.

Deoarece tranzistorele T1 i T3 sunt de acelai tip i se afl
n conexiune colector comun KU1=KU31. Factorul de
amplificare dup tensiune a etajului cu tranzistorul T2 se
calculeaz dup urmtoare formul:
KU

unde Ries et .1 rE1

rB1 R B || RG
1 1

2 Rc 2
RE1 || Ries et .1 ,

- rezistena de ieire (pe emitor)

etajului cu tranzistorul T1.

Lund n consideraie faptul c RB este destul de mare i
fie 1=60 obinem Ries. et.1100 . Din cele expuse mai sus
rezult c toat amplificarea va fi asigurat de etajul de
amplificare cu tranzistorul T2. Deoarece KU2 KU0=60 alegem
RC=RC2=10 k, ce asigur amplificarea necesar plus i o
rezerv mare.
4. S evalum mrimile rezistenelor generatorului i
sarcinii pentru puntea T-tip dubl :

11


r RC 2
RGM R ES || Ries. et 3 RES || rE 3 B 3
, RSM Rint . T 2 2 ( R E1 || Ries. et1 ) .
1 3

Deoarece rezistenele R1 i R2 au valori destul de mare,

obinem pentru
RGM=200 , RSM=6 k.

5. Pentru obinerea caracteristicilor simetrice pentru

puntea T-tip dubl
trebuie satisfcute urmtoarele dou condiii :
Rint M

1
R1 100 RGM , Ries. M
1 n

1
1 n

R1

RSM
100

Lund n consideraie valorile reale a rezistenelor R GM i

RSM observm c ndeplinirea concomitent a acestor 2 relaii
e imposibil, din care cauz alegem rezistena R 1 n
conformitate cu condiiile din foprmula (9)
R1 R2

2 RGM RSM

2 0,2 6 1,5 k

6. Pentru calulele finale a elementelor schemei efectum

paii de mai jos.
Alegem EC=-15 V i curenii de regim a tranzistorilor T1 ,
T2 IE1=IE2=0,5 mA. Atunci UC2=-10 V, UE3=-9,7 V deoarece UBE1
UBE2 UBE0,3 V. Deoarece curentul bazei tranzistorului T 2 trece
prin rezistenel R1, R2 putem determina tensiune pe baza lui :
UB2=-9,6 V. Tensiunea pe emitorul tranzistorului T2 UE2=-9,3 V,
iar UCE2=0,7 V. n aa fel tranzistorul T2 funcioneaz n regim
activ normal. Cunoscnd valorile potenialelor emitorilor T 1 i
T2 calculm RE1 dup formula :
R E1

U E2
9,3

10 k .
I E1 I E 2 0,5 0.5

Tensiune pe baza tranzistorului T1 UB1=-9,6 V. Alegnd

curentul divizorului RB1, RB2 mult mai mare ca curentul bazei T1
aproximativ 1 mA gsim rezistenele nominale RB2=10 k i
12

RB1=5 k. Tensiunea pe emitorul T3 UE3-9,7 , deaceea se poate

de ales curentul de regim al tranzistorului T3 IE3=1 mA i
respectiv mrimea nominal a rezistenei Re2=10 k.
7. Elementele pasive i celelalte rmase le alegem din
relaiile urmtoare :
C1

1
1

0,1 F , C2=C1, C3=2C1=0,2 F;

21 f 0 2 3,14 1,5 10 3 1 10 3

R3=R2/2=750 .

8. Pentru a gsi valorile nominale a capacitilor

condensatorilor de cuplaj, ele trebuie s satisfac urmtoarele
relaii :
p1 C p1 ( RG Rint .1 )

1
2f 0

, p2

C p 2 ( RS Ries. 3 )

1
2f 0

Unde Rint. 1RB1|| RB2 ||(1Ries. et.2), Ries. et.2=Rc2/ 2 . Dac alegem
capacitile condensatoarelor astfel nct Cp1=Cp2=10 F atunci
ele satisfac aceste cerine.

13

Concluzie
n lucrarea de fa a fost studiat amplificatorul selectiv cu elemente RC.
Acest amplificator este destinat pentru amplificarea unui semnal de o
anumit frecven joas, avantaj folosit pe larg n domeniul comunicaiilor.
Unul din parametrii principali al acestor amplificatoare este factorul de
calitate Q sau Qecv legate prin relaia QecvQ*K0, deaceea pentru obinerea unui
aa parametru destul de mare se alege un amplificator cu coeficientul de
amplificare K0 relativ mare i circuite RC cu Q maximal posibil.
n amplificatorul din aceast lucrare s-a folosit o punte T-tip dubl ce
are Q=0,25 valoare maximal pentru circuite RC. Pe lng aceasta punte Ttip dubl creeaz un circuit de reacie negativ invers, ce mbuntete
parametrii amplificatorului, stabilitatea lui, si permite amplificarea semnalului

14

numai de frecven acordat f0, cnd coeficientul reaciei RN=0, pentru restul
frecvenelor el fiind aproape unitar.

Bibliografie

1. . . , . . , . . ,
.
, , , 1987.
2. . . , , , I,
( ), U.T.M., , 2000.
3. G. Vasilescu, . Lungu, Electronica, Cahul, 1993.
4. . . , -,
,

, 1973.
15

5. . . , . . , ,

, , 1987.
6. . , .

16