CAP.

3 TRANZISTOARE BIPOLARE
3.1 NOIUNI FUNDAMENTALE
Tranzistorul bipolar (TB), este realizat dintr-un cristal semiconductor
compus din trei regiuni dopate cu impuriti de tip diferit, care se succed n
ordinea: p-n-p sau n-p-n i care satisfac condiiile:
1) regiunea de mijloc, numit baz, are o lime mic (fraciuni de microni ...
microni) fa de lungimea de difuzie a purttorilor minoritari care o parcurg i
2) una din regiunile extreme, numit emitor, are un grad de impurificare mult mai
mare dect baza.
Cea de-a treia regiune a tranzistorului se numete colector.
n cadrul structurii de tranzistor se formeaz dou jonciuni pn. Regimurile
de funcionare ale tranzistorului rezult dup cum sunt polarizate aceste
jonciuni. Cele patru cazuri posibile sunt prezentate n tabelul 3.1.
Polarizarea jonciunii:
E-B
C-B
Directa
Invers
Direct
Direct
Invers
Invers
Invers
Direct

Regimul de
funcionare
Activ normal
Saturaie
Blocare
Activ inversat

Tabelul 3.1 Regimurile de

funcionare ale
tranzistorului n funcie de
polarizarea jonciunilor.

Funcionarea n regim activ normal (prescurtat RAN) este ntlnit n cazul

aplicaiilor liniare. n saturaie tranzistorul se poate aproxima cu un comutator
nchis (uCE 0), iar n blocare cu un comutator deschis (iC 0). Tranzistorul se
utilizeaz n aceste dou regimuri la aplicaiile din electronica digital i la
circuitele de comutaie. Regimul activ inversat este ntlnit foarte rar.
Tranzistorul va fi analizat n regim activ normal. n RAN, jonciunea
emitorului, dintre emitor i baz, este polarizat n sensul conduciei. Jonciunea
fiind asimetric (condiia 2), curentul prin aceast jonciune se va datora ndeosebi
purttorilor minoritari injectai n baz din emitor. Aceti purttori vor difuza prin
baz i cea mai mare parte a lor vor traversa baza fr a se recombina (datorit
condiiei 1) ajungnd la ce-a dea doua jonciune pn (jonciunea colectorului), pe
care o vor traversa, deoarece este polarizat invers (fiind favorizat conducia
purttorilor minoritari). Astfel, prin jonciunea colectorului, dei polarizat invers, va
trece un curent mare, aproape ntreg curentul care trece prin jonciunea emitorului
polarizat direct. Trecerea unui curent mare printr-o jonciune polarizat invers,
datorit prezenei unei jonciuni polarizat direct n vecintatea ei, constituie
efectul de tranzistor. Aceste tranzistoare se numesc tranzistoare bipolare
deoarece funcionarea lor se bazeaz pe ambele categorii de purttori (majoritari
n regiunile extreme i minoritari n regiunea de mijloc).
Simbolurile tranzistoarelor de tip pnp, respectiv npn sunt prezentate n
figura 3.1.

C
iC

E
iE

uEB

B iB

iB
B
a) pnp

3.1.1

iC
C

uBE
b) npn

iE
E

Fig. 3.1. Simbolurile tranzistoarelor bipolare.

Sgeata din simbol indic emitorul tranzistorului.
Sensul sgeii indic sensul jonc. emitorului (de la
p la n) i sensul curenilor prin tranzistor.
Tranzistorul pnp este reprezentat cu emitorul n sus,
rezult astfel o circulaie a curenilor de sus n jos.

Tranzistorul bipolar n regim activ normal (RAN)

n regim activ normal jonciunea emitorului este polarizat direct i

jonciunea colectorului este polarizat invers. Pentru fixarea ideilor se va
considera tranzistorul npn, caz n care:
u BE > 0 ;

u BC < 0 .,

(3.1)

n cazul aplicaiilor uzuale condiiile anterioare devin:

u BE > U D 0 ;

u CE > U CEsat ,

(3.2)

unde UD 0 este tensiunea de deschidere a diodei baz-emitor (UD0 0,5V la

siliciu) i UCEsat este tensiunea de saturaie a tranzistorului (cu o valoare uzual
de cteva zecimi de volt).
n aceste condiii, datorit efectului de tranzistor, curentul de colector este
aproape egal cu cel de emitor:
iC = i E

cu

= 0,98...0,998 ,

(3.3)

unde este factorul de amplificare n curent dintre colector i emitor. Efectul de

tranzistor poate fi modelat printr-un generator de curent comandat n curent.
Curentul de emitor circul prin jonciunea de emitor polarizat direct i
depinde exponenial de tensiunea de polarizare a jonciunii conform unei ecuaii
de tipul ecuaiei exponeniale a diodei. Tranzistorul poate fi privit ca o diod ntre
baz i emitor i ca un generator de curent (comandat n curent) n colector.
Circuitul din figura 3.2.a este echivalent unui tranzistor npn.
iC C

iE

E iE
+

IS /

UBE

iB

iC C

iE

E iE

UBE

iC

iB

B
B
E
a)
b)
c)
Fig. 3.2. Modele de semnal mare n RAN pentru tranz. npn; a) circuit cu diod,
b), c) circuite echiv. simplificate dioda este nlocuit cu o surs de tensiune.

Ecuaia exponenial a tranzistorului pentru tranzistorul npn este:

u
iC = I S exp BE ,
UT

(3.4)

unde IS este o constant numit curent de saturaie al tranzistorului i UT (25mV

la 290K) este tensiunea termic. IS are valori tipice n domeniul 10 1510 12A
(funcie de dimensiunea tranzistorului) i depinde de temperatur (se dubleaz la
circa 5C cretere a temperaturii).

O simplificare a schemei echivalente din figura 3.2.a, se obine nlocuind

dioda dintre baz i emitor cu o surs de tensiune constant. Aceast nlocuire
este posibil deoarece tensiunea baz-emitor se schimb relativ puin la
modificarea curentului de colector; pentru un curent prin tranzistor IC = zecimi de
mA sute de mA, rezult UBE =0,60,8V(la tranzistorul cu siliciu). Se consider
o tensiune constant: UBE 0,7V i se obine astfel modelul simplificat al TB din
figura 3.2.b, care asigur o precizie suficient pentru circuitele uzuale.
n majoritatea aplicaiilor tranzistorul este utilizat ca un dispozitiv comandat.
Modelul din figura 3.2.b (sau a), este convenabil dac tranzistorul este comandat
din emitor, adic circuitul de comand fixeaz valoarea curentului de emitor.
Exist adesea situaii n care tranzistorul este controlat din baz. Pentru aceste
cazuri este preferabil circuitul din figura 3.2.c, (echivalent cu circuitul din figura
3.2.b), Trecerea de la curentul de emitor la curentul de baz se face cu aanumita ecuaie de continuitate a tranzistorului:
i E = iC + i B ,

(3.5)

care se nlocuiete n relaia (3.3). Rezult succesiv:

iC (1 ) = i B ;

iC = i E = iC + i B ;

iC =

i B sau

iC = i B ;

(3.6)

,
1

(3.7)

reprezint factorul de amplificare n curent dintre colector i baz. innd seama

de valorile pt. din relaia (3.3), rezult = 50500 cu valori uzuale =100300.
Se observ dispersia mare a amplificrii colector-baz i se reine faptul c
aceast amplificare este mult supraunitar.
La tranzistoarele pnp se inverseaz sensul tensiunilor i al curenilor,
conform cu sensurile din figura 3.1.a. Astfel, se inverseaz indicii tensiunilor din
relaiile (3.1) (3.2) i (3.4); de exemplu, pentru ca tranzistorul pnp s fie practic n
RAN relaia (3.2) devine:
u EB > U D 0 ;

u EC > U ECsat .

(3.8)

Relaiile referitoare la cureni (3.3), (3.5) i (3.6) nu se modific

(deoarece sensul de circulaie al curenilor prin tranzistorul pnp se consider
inversat fa de tranzistorul npn curentul intr n emitor i iese prin colector). n
cazul tranzistoarelor pnp, schemele echivalente din figura 3.2 devin:
E iE

iC C

E iE UEB

iE

iC C

iE

IS /
a)

b)

iB

UEB
B

iB

c)

iC

Fig. 3.3. Modele de semnal mare n RAN pentru tranz. pnp; a) circuit cu diod,
b), c) circuite echiv. simplificate dioda este nlocuit cu o surs de tensiune.

Indiferent de tip, tranzistorul bipolar n RAN este un dispozitiv care

controleaz curentul de colector. Controlul liniar al curentului de colector se
poate realiza n dou moduri:
- prin curentul de emitor i
- prin curentul de baz.
La analiza unui circuit cu tranzistoare, se identific modalitatea de control
(din emitor sau din baz), se utilizeaz unul dintre modelele din figura 3.2 sau 3.3
i se verific, cu relaiile (3.2) sau (3.8), n ce msur tranzistorul i pstreaz
regimul activ normal de funcionare la eventuala modificare a semnalelor.

3.1.2

Tranzistorul bipolar n regim de blocare

n regim de blocare ambele jonciuni ale TB sunt polarizate invers (conform

tabelului 3.1). n cazul tranzistorului npn aceasta nseamn:
u BE < 0 i u BC < 0 .

(3.10)

n practic se admite c tranzistorul este blocat chiar dac jonciunile

tranzistorului sunt polarizate direct dar cu o tensiune mai mic dect tensiunea de
deschidere a diodelor respective; la tranzistor npn:
u BE < U D 0 ;

u CE > 0 ,

(3.11)

unde UD 0 este tensiunea de deschidere a diodei baz-emitor (UD0 0,5V la

siliciu). n acest caz curenii prin tranzistor sunt de ordinul microamperilor,
neglijabili pentru aplicaiile practice. Se pot utiliza relaiile aproximative:
iB 0 ,

iC 0 ,

iE 0 ,

(3.12)

ceea ce este echivalent cu a considera tranzistorul ca o ntrerupere de circuit.

La tranzistorul pnp sensul tensiunilor se inverseaz i relaiile (3.11) devin:
u EB < U D 0 ;

u EC > 0 ,

(3.13)

n concluzie, un tranzistor blocat nu are nici un efect n circuitul n care

apare i poate fi ters din acel circuit.

3.1.3

Modele simplificate ale TB valabile n RAN i n blocare

iE i C
C

E iE

UD
a)

iB

iC C

Trecerea din regimul de blocare n regim activ normal are loc gradat prin
modificarea tensiunii pe jonciunea emitorului de la UD0 0,5V la UD 0,7V i
poate fi analizat cu ajutorul ecuaiei exponeniale a tranzistorului, relaia (3.4).
Caracterul neliniar al acestei ecuaii face nepractic utilizarea ei n la analiza
circuitelor obinuite.

iB

iC
uBE

UD
B

uCE >UCEsa
t

b)

c)

0 UD

Fig. 3.4. Circuite echivalente simplificate pentru tranzistoare npn valabile n

RAN i n blocare, comandate: a) n emitor, b) n baz ; c) caracteristica de
transfer idealizat.

Modelele simplificate din figura 3.4 i 3.5 pot fi utilizate att n regim de
blocare ct i n regim activ normal. Trecerea de la un regim la altul are loc prin
modificarea strii diodei ideale din circuitul echivalent (ca i la modelul diodei cu
tensiune de prag). Aceast simplificare conduce la micorarea preciziei mai ales
n domeniul curenilor mici, la limita dintre blocare i RAN.
iC
uEC >UECsa E
t
UD iE i C
E iE
UD
C
uEB
iB
iB
iC
0 U
+

D
c)
B
a)
B
b)
C
Fig. 3.5. Circuite echivalente simplificate pentru tranzistoare pnp valabile n
RAN i n blocare, comandate: a) n emitor, b) n baz ; c) caracteristica de
transfer idealizat.

Circuitele echivalente prezentate nu sunt valabile n saturaie i n regim

activ inversat, ceea ce impune o condiie suplimentar:
u CE > U CEsat pentru npn,

respectiv

u EC > U ECsat pentru pnp ,

(3.14)

unde UCEsat sau UECsat este tensiunea de saturaie a tranzistorului npn, respectiv
pnp (cu o valoare uzual de cteva zecimi de volt).

3.1.4

Tranzistorul bipolar n saturaie

n regim de saturaie ambele jonciuni ale TB sunt polarizate direct (conform

tabelului 3.1). n cazul tranzistorului npn aceasta nseamn:
u BE > 0 ;

u BC > 0 .

(3.15)

Tranzistorul bipolar intr n regim de saturaie dac n baza tranzistorului se

foreaz din exterior un curent mai mare dect curentul de baz necesar pentru
meninerea curentului de colector al tranzistorului:
iB >

iC

(3.16)

Surplusul de curent din baz iB = iB (iC / ) deschide jonciunea baz-colector.

Deoarece ambele jonciuni ale tranz. sunt deschise, tensiunea dintre
colector i emitor este mic: uCE = uBE uBC ( 0,7 0.40,6=0,10,3V). Dac se
consider aceast tensiune aproximativ constant, n locul unui tranzistor npn
saturat se poate utiliza circuitul echivalent din figura 3.6.a.

UBEsat

UCEsat

UBE

UEBsat

UECsat

B
C
E
E
a)
b)
c)
Fig. 3.6. Scheme echivalente pentru tranzistorul bipolar saturat:
a) tranzistor npn, b) schem simplificat pentru npn, c) tranzistor pnp.

Tensiunea de saturaie a tranzistorului UCEsat are o valoare uzual de

cteva zecimi de volt; n cazul tranzistoarelor de mic putere se poate considera
UCEsat 0,2V. La o analiz simplificat a circuitelor care conin tranzistoare
5

saturate se poate considera tensiunea de saturaie a tranzistorului ca fiind nul,

mai ales dac tensiunile din circuitul colectorului au valori mai mari dect civa
voli. n acest caz circuitul echivalent al tranzistorului se simplific i devine cel din
figura 3.6.b. Tensiunea baz-emitor a tranzistoarelor n saturaie are de obicei
valori mai mari dect n RAN UBEsat = 0,7...0,9V. Pentru simplitate se consider
tensiunea baz-emitor cu aceeai valoare din RAN: UBEsat UBE 0,7V.
Pentru a realiza o saturaie ferm a tranzistorului, raportul dintre curentul de
colector i cel de baz, numit factor de amplificare forat (de circuitul exterior):

iC
<,
iB

(3.17)

fortat = 10K 20 << .

(3.18)

fortat =
se alege de obicei

n cazul tranzistoarelor pnp sensul tensiunilor se inverseaz i se poate

utiliza circuitul echivalent din figura 3.6.c, unde UECsat este tensiunea de saturaie
a tranzistorului (cu valori uzuale de cteva zecimi de volt, ca i la tranzistorul npn).
n concluzie, tranzistorul este saturat datorit unui curent excesiv n baz
i se comport ntr-o prim aproximare ca un comutator nchis (ntre colector i
emitor). Mai exact, tensiunea colector-emitor este de cteva zecimi de volt.

3.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR

3.2.1

Inversorul cu tranzistor bipolar

Inversorul de tensiune n forma lui cea mai simpl este prezentat n figura
3.7. Sursa de tensiune de la intrare se conecteaz ntre baz i emitor (prin
intermediul rezistenei RB ) iar ieirea se preia ntre colector i emitor. Emitorul
este conectat la mas i este comun intrrii i ieirii; se spune despre tranzistor c
este n conexiunea emitor comun.

uI

uBE

uI

RC

iC
+

UCC

uO

RB iB

iB
UBE

iB

uO

RB

i C RC

UCC

a)
b)
Fig. 3.7. Inversorul cu tranzistor bipolar: a) schema de principiu,
b) schema echivalent cu tranzistorul n RAN.

Tranzistorul este utilizat ca amplificator de curent, iar rezistenele realizeaz

conversia curent-tensiune. Rezistena RB transform tensiunea de intrare n
curent de baz conform T2K pe bucla de intrare:
u I = R B i B + u BE

iB =

u I u BE
.
RB

(3.19)

Rezistena RC transform curentul de colector n tensiune de ieire conform T2K

pe bucla de ieire:
u O = U CC RC iC ,

(3.20)

unde cu UCC s-a notat tensiunea sursei de alimentare a circuitului. Se consider

cazul uzual n care este ndeplinit condiia,
U CC >>UD0 ,

(3.21)

unde UD0 0,5V este tensiunea de deschidere a unei diode cu siliciu (jonciunea
baz-emitor).
Pentru tensiuni de intrare mici (u I <UD0 ) tranzistorul este blocat, curenii
prin tranzistor sunt neglijabili i tensiunea de ieire are o valoare ridicat:
u O = U CC RC iC U CC ,

(iC

0) .

(3.22)

Pentru tensiuni de intrare suficient de mari, tranzistorul intr n saturaie. n

acest caz tensiunea de ieire este mic:
u O = U CEsat ( 0,2V) ,
(3.23)
i curentul de colector atinge o valoare apropiat de valoarea maxim posibil:

iC =

U CC U CEsat U CC

(= I C max ) .
RC
RC

(3.24)

Intrarea n saturaie a tranzistorului are loc dac se injecteaz n baza

acestuia un curent mai mare dect cel necesar pentru a susine curentul din
colector. Condiia (3.16), de intrare n saturaie, devine:
iB =

u I U BE iC U CC
>

RB
RC

u I > U BE +

RB
U CC .
RC

(3.25)

Tensiunea baz-emitor s-a considerat constant, UB E (=UD 0,7V).

Cele dou situaii extreme: tranzistorul blocat i respectiv tranzistorul
saturat sunt utilizate la circuitele care lucreaz n comutaie sau n cazul circuitelor
logice. n acest ultim caz, dac se aloc valoarea logic 0 pentru tensiuni mici
(apropiate de zero voli) i valoarea logic 1 pentru tensiuni ridicate (apropiate de
UCC ) se observ c valoarea logic de ieire este inversul valorii logice de intrare;
circuitul cu tranzistor realizeaz funcia de inversare sau negare logic.
Dac tensiunea de intrare are valori medii, atunci tranzistorul va funciona
n regiunea activ normal (RAN). Tranzistorul se comport ca o surs de curent
controlat din circuitul bazei i de aceea se prefer utilizarea schemei echivalente
din figura 3.3.c. Schema echivalent a inversorului este prezentat n figura 3.7.b.
Funcionarea circuitului poate fi descris cu relaiile (3.6), (3.19) i (3.20), relaii din
care se obine caracteristica de transfer a circuitului:
u O = U CC RC i B = U CC RC

u I U BE
.
RB

(3.26)

Exemplu
S se exprime analitic i s se reprezinte grafic caracteristica de transfer a
inversorului din figura 3.7.a pentru: RC =1k, RB =10k, uI =05V i UCC =5V.
Se consider modelul din fig. 3.4.b cu UBE (=UD ) =0,7V, =100 i UCEsat =0,2V.

Rezolvare: n blocare: i B 0, u BE = u I RB i B u I . Tranzistorul este blocat

dac dioda baz-emitor este blocat: uB E <UD adic uI <UD . Dac tranzistorul este
blocat, iC 0 i conform (3.22) rezult:
u O = U CC RC iC U CC = 5V , pentru u I < 0,7 V .
Pentru uI >0,7V dioda baz-emitor este n conducie i tranzistorul poate fi n
RAN sau n saturaie. Dac uO >0,2V, tranzistorul este n RAN i caracteristica de
transfer este dat de (3.26):
u O = 5 1k 100

u I 0,7
= 12 10 u I [V] , pt. 12 10 u I > 0,2 u I < 1,18V .
10k

n saturaie, conform (3.23): uO =0,2V pentru uI >1,18V relaia (3.25).

Caracteristica de transfer a circuitului pentru ntreg domeniul de variaie a
tensiunii de intrare este reprezentat grafic n figura 3.8. Pentru comparaie, s-a
reprezentat cu linie ntrerupt caracteristica obinut prin simulare.
Caracteristica de transfer este descris analitic de funcia liniarizat pe poriuni:

pentru u I < 0,7 V

uO = 5 V

u O = 12 10 u I V pt. 0,7 u I < 1,18 V

u = 0,2 V
pentru u I 1,18 V
O

Blocare

0,2
0

Saturaie

RAN

uO [V]

Fig. 3.8. Caracteristica de transfer a inversorului

cu tranzistor ; cu linie ntrerupt este schiat
caracteristica de transfer obinut prin simulare.

uI [V]
0,7 1 1,18

Problem de proiectare
a) S se dimensioneze circuitul inversor din figura 3.9,

RC

uO = UC Esat 0 pentru uI = 25V.

Parametrii tranzistorului se consider

UD0 =0,5V, UB E =0,7V i =100.

iC
R1
+

uO UCC pentru uI =01V,

iB
uO

uI

R2 uBE

Fig. 3.9. Inversor logic cu tranzistor

b) S se determine tensiunea de intrare

de la care tranzistorul intr n saturaie dac =300.

+5V

1k

astfel nct s realizeze:

-

+UCC

Rezolvare:
a) Dimensionarea circuitului se reduce la aflarea valorilor rezistenelor R 1 i R 2 .
Pentru tranzistorul blocat, divizorul de tensiune lucreaz n gol (iB 0) i deci:

u BE = u I

R2
sau
R1 + R2

uI
R
= 1+ 1 .
u BE
R2

La limita ieirii din blocare, conform relaiei (3.11): uBE = UD 0 =0,5V i trebuie
ca uI =1V (conform enunului). Din relaia precedent rezult:

R1
u
1
= I 1 =
1 = 1
R2 u BE
0,5

R1 = R2 .

La limita intrrii n saturaie (uI = 2V), cf. relaiei (3.25), curentul de baz este:
iB

U CC
5
=
= 0,05 mA .
RC 100 1k
i R1 = i R 2 + i B =

Curentul necesar prin R 1:

se poate determina i din legea lui Ohm:

U BE
u U BE
+ iB = I
,
R2
R2

R2 =

iR1 =

U BE
+ i B , obinut din T1K,
R2

u I U BE
. Pentru R 1 =R 2 , rezult:
R1

u I 2U BE 2 2 0,7
=
= 12k
iB
0,05m

b) Pentru =300, la limita intrrii n saturaie (uI = 2V), curentul iB necesar este:

iB

U CC
5
=
= 0,0167 mA ,
RC 300 1k

iar tensiunea de intrare la care apare acest curent (pentru R 1 =R2 =12k) se poate
calcula din:
u I U BE U BE
=
+ iB
R1
R2

u I = R1i B + 2U BE = 12k 0,0167 m + 2 0,7 = 1,6V .

n concluzie circuitul analizat poate fi utilizat ca inversor logic. Intervalele de

tensiuni corespunztoare nivelelor logice la intrare sunt:
-

pentru 0 logic : uI =01V depinde de tensiunea de deschidere a

tranzistorului UD0 i de raportul rezistenelor de la intrare (nu depinde de );

pentru 1 logic : uI = 25V pentru =100 i uI = 1,65V pentru =300

depinde de factorul de amplificare n curent al tranzistorului. Pentru ca circuitul
s funcioneze cu orice tranzistor care are 100, se va considera intervalul de
tensiuni care asigur saturarea tranzistorului pentru minim, deci uI = 25V,
saturarea tranzistoarelor care au mai mare fiind asigurat implicit.

3.2.2

Circuit de comand al unui releu cu tranzistor bipolar

Dimensionarea circuitului de comand cu tranzistor bipolar se va face pe

baza unui exemplu. Circuitul din figura 3.11 declaneaz un releu electromagnetic
la scderea iluminrii ambiante sub un anumit prag. Contactele de for ale
releului pot fi utilizate de exemplu pentru cuplarea automat a sistemului de
iluminare de siguran. Ca senzor de lumin este utilizat fotorezistena FR
component semiconductoare a crei rezisten scade la creterea iluminrii
(datorit purttorilor de sarcin generai optic).
Prin modificarea rezistenei R 1 se poate ajusta pragul de declanare. Dioda D are
rolul de a crea o cale de curent pentru tensiunea de autoinducie care apare la
decuplarea releului (n momentul blocrii tranzistorului). n lipsa diodei aceast
tensiunea ar putea duce la strpungerea tranzistorului.
+UCC

Exemplu de proiectare

Rel.

S se calculeze R 1 pentru ca releul s cupleze

la acea iluminare pentru care fotorezistena are
RFR = 5k, dac UCC =12V, UBE =0,7V, =100.
Rezistena releului este RRel = 1k iar tensiunea de
prag (la care cupleaz releul) este UP =6V.
La ce valoare a FR va cupla releul dac =200?

R1

iC

iB
FR uBE
Fig. 3.11. Releu optic

Rezolvare:
Declanarea releului se produce la apariia tensiunii de prag pe releu.
Curentul prin releu este curentul de colector al tranzistorului. Curenii prin
i
U
6
6m
tranzistor sunt: iC = P =
= 6mA , i B = C =
= 0,06mA .
100
RRel 1k
Acest curent de baz trebuie s apar pentru RFR = 5k. Curentul prin
fotorezisten i rezistena R 1 necesar se pot determina prin aplicarea
succesiv a legii lui Ohm:
U BE
U U BE 11,3
= 0,14mA , iR1 = iB + iFR = 0,2mA , R1 = CC
=
56k
RFR
iR1
0,2m
Dac factorul de amplificare crete, curentul necesar n baz scade,
curentul prin R 1 nu se modific i deci cuplarea releului se va produce
pentru o alt valoare a fotorezistenei:
iFR =

i FR1 = i R1

iC

= 0,2m

6m
= 0,17 mA ,
200

R FR1 =

U BE
0,7
=
= 4,12k .
i FR1 0,17 m

Observaie: Pentru aplicaia propus modificarea fotorezistenei de la

5k la circa 4k este acceptabil; declanarea releului optic se va produce
la un nivel de iluminare ceva mai ridicat dac factorul de amplificare al
tranzistorului este mai mare.

10