Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Bio Dispozitive
Bio Dispozitive
10.1. Introducere
10.1.1. Introducere n domeniul bio-engineering
ntr-o prim etap dorim s subliniem importana domeniului bioingineresc, n contextul actual. Vom porni de la cteva motive de ordin
social i economic. Se tie c populaia globului este n cretere numeric.
n diverse rapoarte sociologice se specific o cretere a mediei de vrst. n
Europa, se prognozeaz c pn n anul 2020 peste 30% din populaie va
avea o vrst mai mare de 60 de ani, n timp ce procentul persoanelor cu
handicap va tinde spre 20%, [66]. Este de la sine neles c rata bolilor
cronice va fi n continu cretere. n schimb, numrul limitat de medici nu
va mai putea satisface o cerere att de numeroas. Serviciile de sntate
public au reacionat la acest fapt. n cadrul unui program de sntate
public internaional [66, 67], s-au lansat trei direcii principale de lucru n
urmtorii zece ani:
(1) sporirea accesului individual la actul medical decizional, prin
intermediul telemedicinei i internetului. Pacientul se poate informa
despre boala sa, se autourmrete n timpul tratamentului (cu ajutorul unor
biodispozitive, biosenzori) i poate fi monitorizat de la distan de ctre
medic.
(2) creterea rolului geneticii n depistarea precoce, prevenirea i
corectarea unor boli.
(3) Electronic healthcare sau orientarea noilor tehnologii electronice
micro i nano spre ngrijirea sntii.
n scopul ndeplinirii acestor trei deziderate se va lucra intens n
urmtoarele arii, [68]:
a) Telemedicina se refer la crearea unei reele de comunicaii de tip
Internet, ntre: unitatea medical, unitatea farmaceutic i pacient. Acest
sistem poate servi la ngrijiri medicale la domiciliul pacientului, permite
consultaii profesionale de la distan, ori rezolv cazuri de urgen pentru
Ligant
Na
Biolichid
(purttor de
ligani)
Protein - Receptor
K+
Mediu intern
celular
Membran
celular
Fig. 10.1. Captarea unui ligant n receptorul celulei.
R
E
C TRADUCTOR
E
P
T (DISPOZITIV
O ELECTRONIC)
R
Fig. 10.2.
Prezentarea
schematic
a unui
biosenzor.
Semnal
electric
(I, V)
Circuit
electronic
de
amplificare
Substane
purttoare de
diveri ligani
Substana purttoare a diverilor ligani, poate fi: ser, limf, snge; generic
o vom denumi biolichid. Spre exemplu n snge exist o multitudine de
ligani. Receptorii au rolul de a extrage din acel amestec o singur
substan, pentru care au afinitate. Aceast substan, pentru analiza creia
a fost conceput biosenzorul, o vom numi analit. Spre exemplu dac se
dorete msurarea concentraiei de glucoz din snge, se folosete ca
receptor enzima GOD (glucozoxidaz), iar analitul este glucoza.
Modificrile ce au loc n biosenzor la reinerea analitului, pot fi:
modificarea grosimii unui strat, schimbarea indicelui de refracie, a
temperaturii, modificri n absorbia luminii, creterea sarcinii electrice,
Enzima receptor
Catalaz
Cholesterol-oxidaz (COD)
Glucoz-oxidaz (GOD)
Ureaz
Analit
H2O2
Cholesterol
Glucoz
Uree
-H (kJ/mol)
100.4
52.9
80
6.6
(10.1)
LED
Rec.
A
Membrana
de
Rec. bromocresol
Rec.
Rec.
Rec.
Rec.
Fotodioda
ISE
SiO / Si N
n+
. . . . . .2 . . .3 . 4. .
D
n+
G
D
SB
Canal de electroni
S
p-substrat
SB (Substrat)
(a)
(b)
b) Simbol.
VGt VT VDS
1 G VGt VT
(10.2)
RT
ln c A
zF
(10.3)
VG VT 0
ln c A VDS
zF
ID
RT
1 G VG VT 0
ln c A
zF
(10.4)
biosenzor integrat pe cip de tipul Silicon On Sapphire, coninnd un K +FET cu membran de GOD i dou H +-FET cu membran de ureaz. Cu
acest biosenzor se pot face simultan analize de glucoz i uree n snge [2].
Alt exemplu. S-a realizat un dispozitiv ISFET, ca senzor de metabolism, ce
msoar concentraia de amoniac, ca n figura 10.5, [2]. Receptorul care
sesizeaz NH4- este Paladiu (Pd). El este depus peste oxidul de poart. Se
constat o cretere major a sensibilitii biosenzorului dac peste Paladiu
se depune un strat de Iridiu (Ir). Se obine o cretere a tensiunii V G de la
20mV n cazul electrodului de Pd, la 400mV n cazul acoperirii Pd cu Ir,
cnd concentraia de NH4- este 400ppm. De reinut aceste dou materiale:
paladiu, iridiu, n construcia biosenzorilor.
VG
biolichid
Ir Ir Ir Ir Ir
Pd
SiO2
S
Fig. 10.5. Dispozitiv
MOS pentru detectarea
ionului de amoniu.
n+
NH3
............
n+
p-substrat
SB
VG
ID(A)
80
60
VS
~ ~ ~ ~
~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
~ ~ ~ ~
~ ~ ~ ~
Suport izolator
(a)
VD
40
20
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 VG(V)
(b)
Receptor
sa
Receptor
sb
K+
K+
K+ K+
K+ K+ K+
0
xG
x
M
(a)
K+ K+ K+ K
K+ K+ K+ K
K+ K+
K+ K+ K+
0
xG
I
sc
K+ K+ K+ K
0
xG
I
(b)
(c)
+
Fig. 10.7. Distribuia sarcinii ionice de analit (K ) captat de receptori (liniile punctate)
ce au fost plasai: (a) superior, (b) inferior, (c) uniform n volum.
receptor
K+
curgere
S
Fig. 10.8. Structura
Bio-FET.
Biolichid cu ioni
K+
K+
receptor
n+
K+
D
n+
Izol.
(Biolichid)
xG
Semic.
p-substrat
1
1
VGa sa ; VGb sb ; VGc sc
6 CG
3 CG
CG
(10.5)
deformat
deformat
membrana
n repaus
membrana
n repaus
Valva
V1
Valva
V2
Camera
de
admisie
Camera
de
refulare
Difuzor
Camera
de
admisie
Confuzor
Camera
de
refulare
(a)
(b)
S
n+
oxid poart fa
Si-film, p = membrana micropompei
= corp tranzistor
canal de inversie
n+
Oxid ngropat
Membrana
cu
Receptori
Si
Si
K+
Si, p
Si, p
Camera de admisie
Biolichid
Gback
Si, p
Camera de refulare
Biolichid
n figura 10.10 este prezentat o variant constructiv de tranzistor BioFET pe structur SOI i alimentare prin micropomp cu difuzor-confuzor.
Filmul de siliciu reprezint sediul tranzistorului, dar i membrana pe care o
acioneaz actuatorul. Elementul traductor din fig. 10.10 este un tranzistor
SOI-MOSFET clasic. Pentru a avea canalul de inversie ct mai aproape de
membrana cu receptori, se recomand polarizarea porii din spate, G back.
Poarta din fa, Gfront, poate fi utilizat doar pentru conexiunea mecanic cu
actuatorul. Analiza fcut cu formulele (10.5) recomand plasarea
membranei cu receptori pe partea inferioar a filmului de siliciu (ct mai
aproape de zona activ a tranzistorului). Microcanalele difuzor-confuzor au
o form n trunchi de piramid i se obin uor prin corodare (spre exemplu
pentru Si <111>, unghiul de corodare este 54,74 0). Membrana cu receptori
poate fi depus sub stratul ngropat. Acest izolator ngropat reprezint un
excelent strat de stopare a corodrii siliciului.
S
D
Si-film, n = membrana micropompei =
= corp tranzistor
canal de acumulare
Membrana
Oxid ngropat
cu
Receptori
Si
Si
K+
Si, p
Si, p
Camera de admisie
Biolichid
Gback
Si, p
Camera de refulare
Biolichid
(a)
(b)
Cei doi electrozi metalici, Met1 i Met2, au fost denumii surs i dren
(notai S i D), iar tensiunea pe biodispozitiv a fost notat cu V DS. Volumul
de biolichid utilizat a fost de aproximativ 0,2 ml (1 pictur), iar distana
dintre electrozi d=1mm. Izolatorul 1 a fost plexiglassul, iar izolatorul 2
aerul. Cei doi electrozi metalici au fost realizai din aliajul Sn 60 Pb38 Cu 2
ISO 9453 (25), [78].
q VDS
kT
(10.6)
(10.7)
)
Met3
(a)
(b)
Fig.10.14. (a) Structura biodispozitivului de test cu trei terminale; (b) caracteristica ID
VGS n curent continuu.
Membrana
Citoplasma
Nucleu
= v/E = Q/{6() r}
(10.8)
(a)
(b)
Fig. 10.18. (a) Electroforeza unui lan proteic este influenat i de ncrctura electric
a segmentelor proteice, dar i de masa lor; (b) exemplu electroforeza ADN-ului.
Fig. 10.19. Micropipete: (a) de dimensiunea firului de pr; (b) pentru manevrri ale
organitelor celulare
Te ns iune ( m V )
35
30
V_experim.
V_analitic
25
20
15
10
5
0
0
50
100
150
200
250
300
n acest scop, pentru rspunsul experimental din fig. 10.21, a fost ales ca
model de fitare relaia (2.81):
V (c)
a c
1 c
, c>0
(10.9)
cT
1/
(10.10)
1400
1200
500
1000
Curent Id ( n A )
Curent Id ( nA )
400
300
800
600
Imas(nA) Trichosporon
cutaneum
400
Icalc(nA) Trichosporon
cutaneum
100
200
0
0
50
100
mg
150
O2/l
200
250
0
0
50
100
150
mg
O2/l
200
250
(b)
(a)
Fig. 10.22. Curbe experimentale i analitice pentru rspunsul unui microbial-FET: (a)
necesar depistrii Bacillus S.; (b) necesar depistrii Trichosporon C.