Determinarea tipului de conducie n semiconductori, a rezistivitii i

dependena de cmpul magnetic a acesteia

1. Determinarea tipului de conducie n semiconductor
n semiconductori, n procesul de conducie particip dou tipuri de purttori: electronii i
golurile. ntr-un semiconductor pur (intrinsec) concentraiile celor dou tipuri de purttori sunt
egale.
n semiconductorii extrinseci, datorit impurificrii, concentraia unui tip de purttori poate
fi mai mare cu cteva ordine de mrime fa de concentraia celuilalt. Prin impurificarea cu atomi
de valen superioar (donori), concentraia electronilor devine mai mare dect a golurilor (prin
ionizarea atomului donor care cedeaz un electron) i semiconductorul este de tip n; prin
impurificare cu atomi acceptori (grupa III) concentraia golurilor devine mai mare dect cea a
electronilor (atomul acceptor devine ion negativ prin captarea unui electron) i semiconductorul este
de tip p.
Determinarea tipului de conducie se poate face prin mai multe metode: (1) metoda
termosondei, (2) metoda redresrii, (3) efectul Hall, (4) efectul fotovoltaic, etc.
1.1. Metoda termosondei
Dispozitivul experimental este prezentat n Fig. 1.

Fig. 1. Structura experimental a termosondei

Temperatura sondei se menine la aproximativ 60C. n regiunea de contact cu sonda plcua

se va nclzi. Purttorii de sarcin capt o energie mai mare dect cei din regiunea mai rece i va
exista un flux net de purttori pe direcia sond-plcu. Dac semiconductorul este de tip n, acest
curent de particule (electroni) produce n circuitul galvanometrului (nanoampermetru) un curent
electric (curentul convenional) cu sensul plcu-sond. Adic, partea rece se va ncrca (datorit
difuziei electronilor) negativ iar partea cald se va ncrca cu sarcin pozitiv (datorit lipsei de
electroni ce au difuzat). Dac semiconductorul este de tip p curentul electric are sensul de la sond
la plcu (partea rece se va ncrca pozitiv datorit difuziei golurilor din zona cald).
2. Determinarea rezistivitii electrice
Rezistivitatea este o caracteristic de material fundamental. Determinarea rezistivitii se
face prin msurarea rezistenei unei probe de o geometrie dat. De regul, rezistena unei probe se
determin din msurarea cderii de tensiune ntre dou puncte ale sale, atunci cnd prin prob trece
un curent cunoscut. Aceast metod se aplic, de regul, la metale. La semiconductori apar dou
dificulti principale: (a) caracterul neohmic al contactului ntre semiconductor i electrozii metalici
i (b) existena unui gradient de temperatur pe direcia curgerii curentului electric. n vederea
1

eliminrii efectelor de contact, msurarea tensiunii trebuie fcut folosind voltmetre cu rezisten
foarte mare (n acest fel curentul de msur fiind nul nu are loc nici redresarea lui) i nu pe aceleai
fire prin care se alimenteaz proba. De aceea se folosete, n acest caz, metoda celor patru sonde.
Prin dou contacte se va injecta curentul de msur iar pe celelalte dou contacte se va msura
cderea de tensiune folosind un voltmetru cu rezisten intern foarte mare. Exist mai multe
geometrii de msur n care cele patru sonde pot fi dispuse n linie sau n diferite puncte pe
suprafaa probei (de exemplu, dispuse n colurile unui ptrat).
n aceast lucrare vom folosi metoda celor patru sonde dispuse n linie. Schematic, structura
sistemului de msur este ilustrat n Fig.2.

Fig. 2. Metoda celor 4 sonde dispuse n linie; h este grosimea probei, 2a lungimea ei iar 2l1 i 2l2 sunt distanele dintre
contactele de curent respectiv cele de tensiune

Rezistivitatea se calculeaz cu relaia

1

l1 l 2
ln tg
U h
4a

, k

I k
tg
l1 l 2
4a

(1)

n aceast lucrare, sistemul de msur const dintr-o plac de achiziie de date ce comand curentul
prin prob i citete tensiunea dintre contactele 3-4 folosind un amplificator de msur cu
impendan mare de intrare. Datele sunt transferate pe calculator.
3. Studiul efectului magnetorezistiv pe proba semiconductoare.
Dup cum se tie, la cmpuri magnetice mici (uzual inducia magnetic aplicat este mai mic de
1T), efectul magnetorezistiv (MR) ntr-un material semiconductor se poate exprima cu ajutorul
relaiei lui Kohler

aB 2

aB 2
0 1 bB 2

(2)

unde, 0 este rezistivitatea materialului n absena cmpului magnetic iar B 0 unde (B)
este rezitivitatea materialului n prezena unui cmp magnetic de inducie B aplicat perpendicular pe
current. Se remarc dependena ptratic de B (este effect par) a efectului MR. La cmpuri
magnetice intense acest efect satureaz.
4. Aspecte practice privind efectuarea lucrrii
2

a) n aceast lucrare se folosesc plcue de Si. Pentru proba studiat avem 2l1=9,5 mm, 2l2=3
mm iar 2a=11 mm;
b) Se determin tipul de semiconductor, n sau p (conform paragrafului 1.1 i Fig.1);
c) Se determin rezisitivitatea probei din caracteristica U-I. Din datele culese pe calculator se
k
reprezint grafic U-I. Panta reprezentrii grafice este C
. Din calculul acesteia i a
h

parametrului de corecie se determin la temperatura camerei.

d) Se plaseaz proba ntre polii unui electromagnet astfel nct cmpul magnetic s fie
perpendicular pe suprafaa ei i deci i pe curent. Se msoar rezistena probei la B=0 i
pentru diverse valori B pn la 0,9 T.
e) Se reprezint grafic

R
R
f B i
f B 2 . Din panta dreptei se determin coeficientul
R0
R0

a din ecuaia 2. Ce concluzii putei trage din aceast msurtoare?