Instituto tecnolgico de Tehuacn

Asignatura: diseo con transistores

Proyecto final
Ing. Juan Jos Ortiz flores
Alumno: Jorge Luis ortega Martnez

Objetivo
Desarrollar un amplificador de potencia utilizando transistores.
Objetivos especficos
1.- seleccionar dispositivos semiconductores de amplificacin.
2.- investigas los beneficios de un sistema de amplificacin a base de transistores
de potencia.
3.- disear e implementar un sistema de amplificacin a base de transistores de
potencia.
Introduccin
El sistema de amplificacin es vital hoy en da, se usa considerablemente por las
personas como por ejemplo la amplificacin de audio por medio de un micrfono o
por personas que tienen una mala adicin, por esta razn podemos decir que en la
actualidad es til para nosotros.
Los transistores son dispositivos semiconductores que tienen una propiedad con
la cual podemos nosotros poder amplificar seales pequeas y as poder mostrar
que los transistores son dispositivos que se usan en muchas aplicaciones hoy en
la actualidad.
Investigacin
Al desarrollar un sistema de amplificacin se mejora la calidad de audio.
La tecnologa de los transistores.
El transistor es un dispositivo que ha originado una evolucin en el campo
electrnico.
Polarizar un transistor es una condicin previa a muchas aplicaciones lineales y
no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a
circular por el dispositivo.

Corrientes en un transistor de unin o BJT

Un transistor bipolar de unin est formado por dos uniones PN en contraposicin.
Fsicamente, el transistor est constituido por tres regiones semiconductoras
-emisor, base y colector- siendo la regin de base muy delgada (< 1m). El modo
normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los
sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor se muestran
en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en la figura 1.1.b a un PNP. En ambos
casos se verifica que:

Regiones de operacin de un transistor

Modos de operacin de un transistor

En general, los transistores bipolares de circuitos analgicos lineales estn
operando en la regin activa directa. En esta regin existe cuatro zonas de
operacin definidas por el estado de las uniones del transistor saturacin, lineal,
corte y ruptura; estas zonas se indican claramente en la figura 1.2 que representa
las zonas de operacin de un transistor.
Regin activa lineal
En la regin activa lineal, la unin emisor-base est directamente polarizada y la
unin base-colector inversamente polarizada; el VBE est comprendida entre 0.4
V y 0.8 V (valor tpico de 0.7 V) y el VBC > 100mV.
Regin de corte
En la regin de corte las uniones de emisor y colector estn polarizadas en
inversa; el VBE y el VBC tienen tensiones inferiores a 100mV.

Regin de saturacin
En la regin de saturacin las uniones de emisor y colector estn polarizadas en
directa; el VBE y el VBC tienen tensiones superiores 100mV.
Regin de ruptura
Las tensiones mximas que pueden soportar las uniones PN inversamente
polarizadas se denominan tensiones de ruptura. Cuando se alcanza estas
tensiones existe peligro de ruptura del transistor debido a dos fenmenos: ruptura
por avalancha y ruptura por perforacin. El fabricante proporciona dos tensiones
mximas (VCEO, VCES) que limitan de alguna manera las tensiones mximas de
polarizacin en continua los transistores. El VCEO define la tensin mxima entre
el colector y emisor, estando la base en circuito abierto, antes de que se produzca
fenmenos de multiplicacin de avalancha que incrementa exponencialmente la
ICO a travs de la unin de colector. El VCES define la tensin mxima del
colector, estando la base en cortocircuito al emisor, antes de que la anchura de la
regin de transicin alcance el emisor perforando la regin de base.
Concepto de punto de trabajo y recta de carga esttica
El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas
elctricas lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las
seales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte
de energa realizado a travs de fuentes de tensin externas denominadas fuentes
de alimentacin o fuentes de polarizacin. Las fuentes de alimentacin cubren dos
objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que
el transistor opere en la regin lineal y suministrar energa al transistor de la que
parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificacin). Los valores de
corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denominan
punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q.
Ejemplo suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal,
entonces se puede relacionar las intensidades de base y colector a travs de la
hFE y asignar una tensin base-emisor tpica de 0.7 V. El clculo de las tensiones
e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q.

Diseo y calculo
Amplificador clase AB con transistores de potencia modelo TIP-120
Etapa 1

preamplificador
U1 5

R1 1.5k

R3 8.4

VM1

C2 1u

C1 1u

R4 4.2

VG1
R2 250

T1 !NPN

DATOS
VCC=12V
3
IC= 950 e A

B=1000
ANALISIS
VCC=VRC+VCE+VRE
VCC=VRC+VRE

VCC
12
=
=12.6
RC+RE= IC
950 e3

VCC=IC (VRC+VRE)

G=2

RC= 8.4
RE= 4.2

1
VRE= 10

12
=1.2V
VCC= 10

VRE
1.2
=
=2.5
RE= TC 475 e3
VA=VBE+VRC
VA=0.7+1.2v
VA=1.9v
R2
VCC
VA= R 1+ R 2
10*R2 BRE

R2=

B 10002.5
=
=250
10
250

R1+R2=

R1=

R 2VCC
VA

R 2VCC
R 2
VA

25012
250=1.5 e3
R1=
1.9
Etapa 2 amplificador

AMPLIFICOR

R 4 1 1 .5

R 3 1 .2 k

U1 5

R 2 8 .2

R 1 1 .5 k

C1 470n

C2 470n

C3 470n
T2 !NPN

R 8 1 .1 4

R 7 240
R 6 4 .2

R 5 250

T1 !NPN
VG1

DATOS
VCC=12V
3
IC= 950 e A

B=1000
ANALISIS
VCC=VRC+VCE+VRE
VCC=VRC+VRE

VCC
12
=
=12.6
RC+RE= IC
950 e3

VCC=IC (VRC+VRE)

G=10

RC= 11.5
RE= 1.14

1
VRE= 10

12
=1.2V
VCC= 10

RE=

VRE
1.2
=
=2.5
TC 475 e3

VA=VBE+VRC
VA=0.7+1.2v
VA=1.9v
R2
VCC
VA= R 1+ R 2
10*R2 BRE

R2=

B 10002.5
=
=240
10
250

R1+R2=

R 2VCC
VA

R1=

R 2VCC
R 2
VA

R1=

25012
250=1.2e 3
1.9

Anlisis y Clculo de capacitores

Datos
F

1
T

F=20Hz
1
T= F
T=50s

Calculo de capacitores por medio del anlisis de los circuitos mostrados anterior
mente
RT= (R1II R2) II (RG+RE)
1
1
RT= ( 250 +1.5 K
)

RT= 26
RTA= RT*RG
RTA= (26*50)
RTA= 13.K
= RC
C=

RTA

=RC=RTA

Construccin de nuestro amplificador pas a paso

Conclusin
Podemos decir que hoy en da los transistores son una tecnologa muy utilizada,
esta vez solo mostramos una de sus aplicaciones la cual se us para realizar un
amplificador clase AB como se puede observar en las imgenes no obstante
sabes que estos dispositivos tienen muchas aplicaciones.