Lucrarea Nr.

3
Tranzistorul bipolar n regim de comutaie. Aplicaii.

Scopul lucrrii
-

Studiul condiiilor de saturaie pentru TB;

Studiul aplicaiilor cu TB n regim de comutaie;

1. Condiia de saturaie
Se consider circuitul urmtor:

Figura 1. Circuitul pentru studiul regimului de saturaie.

IB =

V - VCE
E B - VBE
; I C = CC
RB
RC

Dac PSF-ul se gsete n S (la limita dintre RAN i saturaie), rezult c:

I Bsat _ inc =

E B - VBEs
V - VCEsat
; I Csat = CC
RB
RC

ntre IBsat_inc i ICsat, datorit faptului c suntem la limita n RAN, avem:

I Csat
(b )min im _ cata log = b m
I Bsat _ inc
Dac VCC i RC sunt fixate (impuse de un curent maxim permis prin TB, notat
ICM), obinem relaia necesar ntre RB i EB pentru saturarea TB ( punctul de
funcionare trebuie s se regaseasc la stnga punctului S din Fig. 1):
I
V - VCEsat
E - VBE
IB = B
I Bsat _ inc = Csat = CC
RB
bm
b m RC
E B - VBE VCC - VCEsat
sau

.
RB
b m RC
Aceast relaie, dac E B = VCC i VCC >> VCEsat ( VCEsat < 0.5[V ]; VBE @ 0.6 - 0.7[V ] ),
conduce la una mult mai simpl ntre rezistoare:
RB b m RC
NOTA
Pentru tranzistoatele bipolare tip BC107/171/177/251, ICM=100[mA] iar m50.
n apropierea saturaiei (dinspre RAN) scade.
2. Formator de semnal dreptunghiular din semnal sinusoidal

Figura 2.
Generatorul furnizeaz v g (t ) = V gm sin wt , cu Vgm @ 6[V ] .
n acest aplicaie RB trebuie proiectat astfel ncat s limiteze curentul IB n
alternana pozitiv a lui vg(t). Tranzistoarele bipolare BC107 au IBmax6[mA] i
VBEinv=5[V]. Rolul diodei de comutaie 1N4148 este acela de a se deschide n
alterana negativ, limitnd astfel tensiunea invers baza-emitor a TB (la doar
0.6[V]).

V gm - VBE

6[V ] - 0.6[V ]
@ 0.9[ KW]
I B max
6[mA]
Rezistorul RC fixeaz valoarea dorita pentru ICsat la VCC fixat la 5[V]. Alegnd
ICsat20[mA], rezult:
V - VCEsat 5[V ] - 0.5[V ]
@
RC = CC
@ 220[W]
I Csat
20[mA]
RB

Studiu experimental
- Se realizeaz circuitul cu valorile proiectate;
- Se oscilografiaz simultan vI i vO. Se rein graficele acestor forme de und la
valori ale frecvenei generatorului de 1[KHz], 1[MHz] i 10[MHz].

3. Accelerarea comutaiei tranzistorului bipolar

Se utilizeaz schema:

Figura 3.
Formatorul din figura de mai sus are RC2=10K pentru tranzistorul Q2, deci un
curent de saturaie relativ mic. Se va observa influena condensatorului de accelerare
Ca. Tensiunea (dreptunghiular) de la iesirea primului etaj formator, asigur saturarea
puternic a lui Q2 deoarece:
V - VCEsat 2
5[V ]
I Csat 2 = CC
@
= 0.5[mA]
RC 2
10[ KW]
,
I Csat 2 500[uA]
I Bsat _ inc 2 @
=
= 10[uA]
bm
50
iar atunci cnd Q1 este blocat, curentul de baz al lui Q2 va fi:
V - VBE 2
I B 2 = CC
@ 400[uA] >> 10[uA] = I Bsat _ inc 2
RC1 + RB 2

Studiu experimental
- Se pstreaz, ca i la aplicaia anterioar, Vgm=6[V];
- Se determin frecvena maxim de funcionare corect ( vo(t) nc de form
dreptunghiular) (a) far Ca; (b) cu Ca=10pF; (c) cu Ca=20pF; (d) cu Ca=100pF;
4. Astabil cu tranzistoare bipolare (generator de semnal dreptunghiular)
Se va utiliza schema urmtoare:

Figura 4. CBA cu TB
Fr C1,C2 n circuit, proiectarea trebuie s asigure n cele mai dezavantajoase
cazuri (variaie cu temperatura, mpratierea ) Q1 i Q2 saturate, condiie satisfcut
atunci cnd RB b m RC .
Presupunnd K nchis un timp suficient de lung astfel nct vC1, vC2 s se
stabilizeze:
Q = blocat
K = ON VB 2 = 0 (1) 2
Q1 = saturat
n aceasta situaie C1 se ncarc, cu polaritatea (+) armatura dreapta / (-) armatura
stnga, la valoarea VC 1 = VCC - VBEsat @ VCC iar C2 se descarc VC 2 = VCEsat1 @ 0 .
Presupunem c la t=0 K se deschide => Q2 se satureaz ntr-un timp tON. n
virtutea teoremei comutaiei, vC1 nu se modific brusc ( vC1 (0 - e ) = vC1 (0 + e ) @ VCC )
i, deoarece C1 are pe armatura dreapt VCEsat2 0, va aplica -VCC n baza lui Q1,
Q = blocat
blocndu-l. (2) 1
. Cu Q1 blocat, C2 se ncarc la VCC. Cnd C1 se va fi
Q2 = saturat
terminat de descrcat, Q1 se satureaz => C2 l va bloca pe Q2. De aici strile i vor
succede n timp una alteia.
Perioada semnalelor generate va fi:
T = t1 + t 2 = ln 2(C1 RB 2 + C 2 RB1 )

Studiu experimental
- Se vor urmri formele de und ale tensiunilor de colector i baz pentru
C=1[nF]/10[nF]/100[nF] ; se vor face corelaii cu procesele descrise mai sus;
- Explicai de ce frontul pozitiv al tensiunilor de colector nu este abrupt;
- Explicai de ce un scurtcircuit colector-emitor blocheaz oscilaiile pe cnd un
scurtcircuit baz-emitor le amorseaz;

Tema 3

1. Pentru circuitul din Figura 2, n care TB este de tipul BC107 iar D 1N4148,
proiectai valorile RB, RC, VCC astfel nct circuitul s realizeze conversia de la
semnalul vI(t)=0+12sin2103t la un semnal de ieire de form dreptunghiular, cu
VH=9[V] i VL0[V], n condiiile unei puteri medii absorbite de la sursa de
alimentare de 135[mW] i fr a pune n pericol integritatea jonciunii emitoare.
2. Pentru circuitul din Figura 4, n care TB sunt de tipul BC107 iar C1=C2=10[pF],
proiectai valorile RBi, RCi, VCC astfel nct circuitul sa genereze un semnal
dreptunghiular, de frecven 7[KHz] i avnd VH=5[V] i VL0[V], n condiiile
unei puteri medii absorbite de la sursa de alimentare de 60[mW].