Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Cele trei terminale ale tranzistorului bipolar ndeplinesc roluri diferite, fiind identificate sub
urmtoarele denumiri:
EMITOR
BAZ
COLECTOR.
n funcie de structura lor, tranzistoare bipolare se clasific n dou tipuri i anume:
NPN
PNP
n circuitele electronice, tranzistoarele bipolare sunt simbolizate ca n Figura 2.
ntre mrimile electrice ale tranzistorului bipolar exist urmtoarele relaii generale:
relaia ntre curenii prin terminalele tranzistorului:
iE = iB + iC
iC iB
4.a
unde este unul din cei mai importani parametri ai tranzistorului bipolar, reprezentnd factorul
(coeficientul) de amplificare n curent al tranzistorului.
Parametrul este o constant adimensional, valoarea sa variind ntre anumite limite, chiar
pentru aceeai familie de tranzistoare bipolare, fiind de ordinul sutelor pentru tranzistoare de tip
NPN, respectiv de ordinul zecilor, pentru tranzistoare de tip PNP. De exemplu, pentru tranzistorul
bipolar de tip NPN BC107, parametrul are valoarea cuprins n intervalul [125500].
Din relaia 4.a se poate deduce c tranzistorul bipolar genereaz n colector un curent iC a
crui valoare depinde de curentul de baz iB. Acest comportament poate fi modelat prin intermediul
unui generator de curent comandat n curent.
Din relaiile 3 i 4.a rezult c valoarea curentului iB depinde exponenial de tensiunea vBE, n
mod asemntor cu modul n care depinde curentul printr-o diod de tensiunea pe aceasta. Din acest
motiv, ntre baz i emitor, un tranzistor bipolar se comport ca o diod semiconductoare i n
consecin poate fi modelat prin intermediul modelelor propuse pentru dioda semiconductoare.
Astfel, n prim faz, circuitul echivalent care modeleaz comportamentul tranzistorului bipolar n
RAN este prezentat n Figura 4.a, iar circuitul echivalent LINIAR, care poate fi utilizat n analiza
circuitelor, care conin tranzistoare bipolare funcionnd n RAN, este cel prezentat n Figura 4.b. n
acest circuit, dioda a fost modelat prin intermediul circuitului echivalent al modelului liniar pe
poriuni, n care s-a neglijat rezistena echivalent a acesteia.
n circuitul echivalent 4.b valoarea VD este de aproximativ 0,6[V], valoarea tensiunii de prag a
diodei semiconductoare. Aadar, dac tranzisotrul bipolar funcioneaz n RAN, devine valabil
relaia:
vBE 0,6[V ]
4.b
n circuitele echivalente de mai sus, toate mrimile electrice sunt reprezentate n componente totale.
Din acest motiv, modelul de mai sus este valabil att n regim de curent continuu, ct i n regim
variabil de semnal mare.
Un tranzistor bipolar funcioneaz n regim de curent continuu, dac mrimile sale electrice au
valori constante n timp.
Un tranzistor bipolar funcioneaz n regim variabil de semnal mare, dac mrimile sale
electrice au valori variabile n timp, iar amplitudinea tensiunii ntre baz i emitor, notat Vbe este
mai mare dect o valoare aproximativ de 12,5[mV].
Revenind la relaia 4.a, aceasta indic faptul c, un tranzistor bipolar care funcioneaz n
RAN, are urmtoarele proprieti importante:
amplific puternic n curent (iB este crescut de sute de ori i furnizat ca iC)
amplificarea este liniar (ntre iC i iB este o relaie liniar).
unde IC este curentul CONTINUU prin colectorul tranzistorului. Valoarea pantei tranzistorului
bipolar se exprim n mod uzual n [mA/V] i furnizeaz o mrime asupra capacitii tranzistorului
respectiv de a amplifica curentul electric n colector: cu ct panta tranzistorului este mai mare, cu
att mai mult tranzistorul respectiv poate amplifica curentul n colector, pe seama unei variaii a
tensiunii baz-emitor.
Rezistena echivalent n regim de semnal mic ntre baz i emitor, r se calculeaz conform
unei relaii similare relaiei de calcul a rezistenei echivalente de semnal mic a diodei
semiconductoare, n care se ine cont de relaia 4.a:
r =
gm
Figura 5. Circuitul echivalent al modelului tranzistorului bipolar, valabil n regim variabil de semnal mic, pentru
frecvene joase i medii.
Pentru frecvene de lucru mai mari dect un prag de aproximativ 1[MHz] (domeniul frecvenelor
nalte), funcionarea tranzistorului bipolar este afectat de anumite fenomene dinamice, de natur
capacitiv, care pot fi modelate prin intermediul unor aa numite CAPACITI PARAZITE,
reunite n parametrii notai c, respectiv c . Circuitul echivalent valabil n acest caz este prezentat n
Figura 6. Valorile capacitilor parazite sunt furnizate n cataloagele de tranzistoare bipolare.
Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului tranzistorului bipolar, valabil n regim variabil de semnal mic, pentru
frecvene nalte.