Sunteți pe pagina 1din 5

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 06 Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Tranzistoare bipolare cu jonciuni


1. Noiuni introductive
Tranzistorul bipolar cu jonciuni, pe scurt, tranzistorul bipolar, este un dispozitiv
semiconductor cu trei terminale, furnizat de ctre productori sub diverse forme (capsule), iar n
Figura 1 sunt prezentate mai multe variante.

Figura 1. Tranzistoare bipolare cu jonciuni.

Cele trei terminale ale tranzistorului bipolar ndeplinesc roluri diferite, fiind identificate sub
urmtoarele denumiri:
EMITOR
BAZ
COLECTOR.
n funcie de structura lor, tranzistoare bipolare se clasific n dou tipuri i anume:
NPN
PNP
n circuitele electronice, tranzistoarele bipolare sunt simbolizate ca n Figura 2.

Figura 2. Simbolul electronic al tranzistoarelor bipolare.

La nivelul tranzistorului bipolar apar 6 mrimi electrice de terminal:


3 cureni electrici curenii prin cele 3 terminale, care sunt notai astfel:
o iE curentul de emitor
o iB curentul de baz
o iC curentul de colector
3 tensiuni electrice tensiunile ntre terminalele tranzistoarelor, notate astfel:
o vBE tensiunea baz-emitor
1

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic


Suport curs 06 Tranzistoare bipolare cu jonciuni

o vBC tensiunea baz-colector


o vCE tensiunea colector-emitor
Sensul curenilor electrici n termnalele tranzistorului bipolar este acelai cu sensul sgeii
care indic emitorul n simbolul electronic al tranzistorului bipolar. Referinele tensiunilor ntre
terminalele tranzistorului depind de tipul tranzistorului bipolar. n Figura 3 sunt prezentate mrimile
electrice ale tranzistorului bipolar, n funcie de tipul su.

Figura 3. Mrimile electrice ale tranzistoarelor bipolare.

ntre mrimile electrice ale tranzistorului bipolar exist urmtoarele relaii generale:
relaia ntre curenii prin terminalele tranzistorului:

iE = iB + iC

relaia ntre tensiunile dintre terminalele tranzistorului:


v BE = v BC + vCE NPN
2
v EB = vCB + v EC PNP
relaia ntre curentul de colector i tensiunea baz-emitor:
v
3
iC I S exp BE
VT
unde IS este un curent de saturaie de valoare foarte redus (ordinul nanoamperilor sau mai mic), iar
VT este tensiunea termic.
Relaia 3 descrie de fapt proprietatea unui tranzistor bipolar de a genera cureni de colector de
valori mari, n condiiile unei creteri foarte reduse a tensiunii baz-emitor. Un astfel de
comportament poate fi exploatat eficient n construirea circuitelor de amplificare a semnalelor.
2. Funcionarea tranzistorului bipolar.
Tranzistorul bipolar poate funciona n patru moduri distincte, denumite regiuni de
funcionare, stabilite de semnul tensiunilor baz-emitor vBE, respectiv baz-colector vBC. Astfel,
pentru un tranzistor bipolar de tip NPN, cele patru regiuni de funcionare sunt urmtoarele (semnul
tensiunilor vBE, respectiv vBC este raportat la referinele considerate n Figura 3):

REGIUNEA ACTIV NORMAL (RAN):


o condiia de funcionare: vBE > 0[V] i vBC < 0[V]
o n aceast regiune de funcionare, tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru
prelucrarea analogic a semnalelor (informaiilor), fiind singura regiune de
funcionare n care tranzistorul bipolar poate AMPLIFICA LINIAR semnale;
REGIUNEA DE SATURAIE:
o condiia de funcionare: vBE > 0[V] i vBC > 0[V]
o n aceast regiune de funcionare vCE < 0,5[V]

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic


Suport curs 06 Tranzistoare bipolare cu jonciuni

o este o regiune de funcionare n care tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru


prelucrarea digital a semnalelor sau pentru generarea semnalelor digitale (bii);
REGIUNEA DE BLOCARE:
o condiia de funcionare: vBE < 0[V] i vBC < 0[V]
o n aceast regiune de funcionare toi curenii electrici ai tranzistorului sunt zero
o este o regiune de funcionare n care tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru
prelucrarea digital a semnalelor sau pentru generarea semnalelor digitale (bii);
REGIUNEA ACTIV INVERS:
o condiia de funcionare: vBE < 0[V] i vBC > 0[V]
o n aceast regiune de funcionare, tranzistorul poate fi utilizat pentru prelucrarea
analogic a semnalelor (informaiilor), dar, datorit amplificrii foarte slabe a
semnalelor, se evit utilizarea tranzistorului n aceast regiune;

3. Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar.


Din relaia 3 se constat c tranzistorul bipolar este un ELEMENT DE CIRCUIT
NELINIAR. Analiza circuitelor care conin elemente de circuit neliniare este dificil. Din acest
motiv, ntotdeauna este util ca, pentru aceste elemente de circuit neliniare, s se dezvolte MODELE
LINIARE, valabile n anumite condiii de funcionare. La fel se pune problema i n cazul
tranzistoarelor bipolare.
A. Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar n RAN.
n circuitele electronice analogice, tranzistorul bipolar este utilizat cu precdere n aceast
regiune, motiv pentru care modelarea funcionrii sale n RAN este extrem de util. Modelarea
funcionrii tranzistorului bipolar n RAN se bazeaz pe urmtoarea relaie ntre curentul de
colector i cel din baz:

iC iB

4.a

unde este unul din cei mai importani parametri ai tranzistorului bipolar, reprezentnd factorul
(coeficientul) de amplificare n curent al tranzistorului.
Parametrul este o constant adimensional, valoarea sa variind ntre anumite limite, chiar
pentru aceeai familie de tranzistoare bipolare, fiind de ordinul sutelor pentru tranzistoare de tip
NPN, respectiv de ordinul zecilor, pentru tranzistoare de tip PNP. De exemplu, pentru tranzistorul
bipolar de tip NPN BC107, parametrul are valoarea cuprins n intervalul [125500].
Din relaia 4.a se poate deduce c tranzistorul bipolar genereaz n colector un curent iC a
crui valoare depinde de curentul de baz iB. Acest comportament poate fi modelat prin intermediul
unui generator de curent comandat n curent.
Din relaiile 3 i 4.a rezult c valoarea curentului iB depinde exponenial de tensiunea vBE, n
mod asemntor cu modul n care depinde curentul printr-o diod de tensiunea pe aceasta. Din acest
motiv, ntre baz i emitor, un tranzistor bipolar se comport ca o diod semiconductoare i n
consecin poate fi modelat prin intermediul modelelor propuse pentru dioda semiconductoare.
Astfel, n prim faz, circuitul echivalent care modeleaz comportamentul tranzistorului bipolar n
RAN este prezentat n Figura 4.a, iar circuitul echivalent LINIAR, care poate fi utilizat n analiza
circuitelor, care conin tranzistoare bipolare funcionnd n RAN, este cel prezentat n Figura 4.b. n
acest circuit, dioda a fost modelat prin intermediul circuitului echivalent al modelului liniar pe
poriuni, n care s-a neglijat rezistena echivalent a acesteia.
n circuitul echivalent 4.b valoarea VD este de aproximativ 0,6[V], valoarea tensiunii de prag a
diodei semiconductoare. Aadar, dac tranzisotrul bipolar funcioneaz n RAN, devine valabil
relaia:
vBE 0,6[V ]

4.b

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic


Suport curs 06 Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Relaiile.4.a i.4.b caracterizeaz funcionarea tranzistorului bipolar n RAN.

Figura 4. Circuitul echivalent care modeleaz comportamentul tranzistorului bipolar n RAN.

n circuitele echivalente de mai sus, toate mrimile electrice sunt reprezentate n componente totale.
Din acest motiv, modelul de mai sus este valabil att n regim de curent continuu, ct i n regim
variabil de semnal mare.
Un tranzistor bipolar funcioneaz n regim de curent continuu, dac mrimile sale electrice au
valori constante n timp.
Un tranzistor bipolar funcioneaz n regim variabil de semnal mare, dac mrimile sale
electrice au valori variabile n timp, iar amplitudinea tensiunii ntre baz i emitor, notat Vbe este
mai mare dect o valoare aproximativ de 12,5[mV].
Revenind la relaia 4.a, aceasta indic faptul c, un tranzistor bipolar care funcioneaz n
RAN, are urmtoarele proprieti importante:

amplific puternic n curent (iB este crescut de sute de ori i furnizat ca iC)
amplificarea este liniar (ntre iC i iB este o relaie liniar).

Aceste proprieti constituie elemente fundamentale, utilizate n proiectarea circuitelor


capabile s amplifice semnale.
B. Modelarea funcionrii tranzistorului bipolar n variabil de semnal mic.
Modelul prezentat n acest paragraf se poate aplica numai n cazul n care tranzistorul bipolar
funcioneaz n regim variabil de semnal mic.
Un tranzistor bipolar funcioneaz n regim variabil de semnal mic, dac mrimile sale
electrice au valori variabile n timp, iar amplitudinea tensiunii ntre baz i emitor, notat Vbe este
mai mic dect o valoare aproximativ de 12,5[mV].
n aceste condiii, comportamentul tranzistorului bipolar poate fi considerat ca fiind LINIAR
i n consecin poate fi modelat prin intermediul unui circuit LINIAR.
Deoarece tranzistorul bipolar se comport asemntor unei diode ntre baz i emitor, acesta
se modeleaz ntre cele 2 terminale cu ajutorul modelului diodei semiconductoare valabil n regim
variabil de semnal mic. n consecin, ntre baz i emitor, un tranzistor bipolar se modeleaz prin
intermediul unei rezistene de semnal mic, notat r.
Urmtorul indiciu n cadrul modelului dezvoltat este furnizat de ctre relaia 3. Deoarece se
remarc faptul c iC variaz n funcie de vBE, este util s se determine modul n care se manifest
aceast variaie. Informaii n acest sens se pot obine calculnd derivata curentului iC n funcie de
tensiunea vBE pentru cazul n care valoarea curentului de colector este meninut la o valoare
constant, notat IC. Valoarea derivatei respective se noteaz cu gm i se numete PANTA
tranzistorului bipolar:
I
gm = C
VT

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic


Suport curs 06 Tranzistoare bipolare cu jonciuni

unde IC este curentul CONTINUU prin colectorul tranzistorului. Valoarea pantei tranzistorului
bipolar se exprim n mod uzual n [mA/V] i furnizeaz o mrime asupra capacitii tranzistorului
respectiv de a amplifica curentul electric n colector: cu ct panta tranzistorului este mai mare, cu
att mai mult tranzistorul respectiv poate amplifica curentul n colector, pe seama unei variaii a
tensiunii baz-emitor.
Rezistena echivalent n regim de semnal mic ntre baz i emitor, r se calculeaz conform
unei relaii similare relaiei de calcul a rezistenei echivalente de semnal mic a diodei
semiconductoare, n care se ine cont de relaia 4.a:
r =

gm

Mrimile gm i r reprezint parametrii modelului de semnal mic ai tranzistorului bipolar i


sunt utilizai n circuitul echivalent al acestuia, care modelarea comportamentul n regim variabil de
semnal mic.
Modelul prezentat depinde de frecvena la care este utilizat tranzistorul bipolar. Pentru
frecvene de lucru mai mici dect un prag de aproximativ 1[MHz] (domeniul frecvenelor joase i
medii), modelul este caracterizat de circuitul echivalent prezentat n Figura 5. n acest circuit,
mrimile electrice Ib, Ie i Ic reprezint amplitudinile curenilor de baz, emitor, respectiv colector,
iar Vbe reprezint amplitudinea tensiunii baz-emitor i nu trebuie confundat cu tensiunea
continu VBE care, pentru cazul n care tranzistorul bipolar funcioneaz n RAN, are valoarea de
aproximativ 0,6[V].

Figura 5. Circuitul echivalent al modelului tranzistorului bipolar, valabil n regim variabil de semnal mic, pentru
frecvene joase i medii.

Pentru frecvene de lucru mai mari dect un prag de aproximativ 1[MHz] (domeniul frecvenelor
nalte), funcionarea tranzistorului bipolar este afectat de anumite fenomene dinamice, de natur
capacitiv, care pot fi modelate prin intermediul unor aa numite CAPACITI PARAZITE,
reunite n parametrii notai c, respectiv c . Circuitul echivalent valabil n acest caz este prezentat n
Figura 6. Valorile capacitilor parazite sunt furnizate n cataloagele de tranzistoare bipolare.

Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului tranzistorului bipolar, valabil n regim variabil de semnal mic, pentru
frecvene nalte.