Sunteți pe pagina 1din 18

Cu rou am indicat punctele care nu le-am gsit, le-am gsit par ial sau termenii de traducerea

crora nu-s sigur

18
Categoriile surselor de radiaie
Exist dou tipuri de baz de surse de radia ie: termice i luminescente.
Radiaia termic este emis de corpurile nclzite, iar intensitatea i distribu ia spectral ale ei
sunt determinate de formula lui Planck, conform creia, energia emis sub form de cldur
timp de o secund este direct proporional cu
max T 1 , unde T

radiaie este

, iar lungimea de und a maximumului de

valoarea absolut a temperaturii corpului.

Spectrul de radiaie a corpurilor nclzite se situeaz, n general, n diapazonul infraro u.


n optoelectronic se folosesc, de obicei, surse de radia ie cu luminescen . Luminescen a
poate fi: fotoluminescen, catodoluminescen , chimiluminescen , bioluminescen ,
electroluminescen.

Caracteristicile de baz

Raportul dintre numrul tranziiilor radiative i numrul total de tranzi ii se nume te eficien
cuantic intern:
c =

numrul tranziiilor radiative


numrul total de tranziii

n cazul electroluminescenei,
c =

I /q

unde:

fluxul de fotoni;

I /q numrul de electroni care au trecut prin cristal.

ntruct nu toi fotonii prsesc dispozitivul, pentru caracterizarea radia iei se folose te eficien a
cuantic extern
ce=c K 0
unde:

K0

coeficient prin care se ine cont de pierderile prin reflexia i absorb ia luminii n

structur.
Eficiena energetic extern (randament) este
e = ce

h
qU

unde: qU

energia electronului;

n caz general

energia fotonului.

1
e = = ( ) d
W W
1

unde:

fluxul de radiaie, adic numrul fotonilor emi i ntr-o secund;

densitatea spectral a radiaiei, integrat n limitele diapazonului spectral al radia iei;

( )

puterea consumat.

Tranziiile radiative de baz n semiconductori



Practic toate tranziiile inverse din corpul solid, care au loc dup absorb ia energiei, n rezultatul
crora energia electronului se micoreaz, pot fi nso ite de radia ie. Prin folosirea materialelor
cu E g diferit i cu diferite impuriti, se pot ob ine radia ii din tot spectrul vizibil, infraro u i
ultraviolet.

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

Recombinare fundamental (band-band)


Cu participarea purttorilor de sarcin fierbin i
Band-acceptor
Donor-band
Recombinare donor-acceptor
Prin intermediul centrelor adnci
Tranziii intrazonale, care decurg cu participarea purttorilor fierbin i
Recombinare excitonic

Diode luminescente pe baza jonciunii p-n


Dioda luminescent reprezint sursa de radia ie de baz n optoelectronic. Ea reprezint o
jonciune pn polarizat direct, n care are loc recombinarea electronilor i golurilor att n
regiunea sarcinii spaiale, ct i la distana de difuzie
ambele pri a ei.

Ln

Lp

a purttorilor minoritari de

Tensiunea aplicat micoreaz bariera poten ial i creeaz condi ia pentru injec ia electronilor
n regiunea p i a golurilor n regiunea n .
Ecuaia caracteristicii curent-tensiune ideale a jonc iunii

qU

pn

are forma:

qU

I =I s e kT 1 I s e kT
unde:

I s curentul de saturaie a jonciunii

pn .

Diode luminiscente cu heterojonciuni


Eficiena cuantic i metodele de optimizare a eficien ei cuantice

Raportul dintre numrul tranziiilor radiative i numrul total de tranzi ii se nume te eficien
cuantic intern:
c =

numrul tranziiilor radiative


numrul total de tranziii

sau
c =P
unde:

regiunea

coeficientul de injecie (poriunea din curentul electronilor care nimere te n


p );

poriunea tranziiilor radiative.

Coeficientul de injecie

i eficiena cuantic intern

depind de curent. La cureni mici

prevaleaz recombinarea n regiunea sarcinii spa iale, unde probabilitatea tranzi iilor radiative
este mic. Prin urmare, cu creterea curentului, eficien a cuantic spore te, dup care devine
constant.

La cureni mari,

se micoreaz din cauza nclzirii structurii i cre terea numrului

tranziiilor neradiative.
Eficiena cuantic extern ( ce =c K 0 ) este mereu mai mic ca cea intern din cauza
pierderilor la trecerea prin structur.
Pentru mbuntirea condiiilor de ieire ale radia iei se pot utiliza diferite forme geometrice ale
diodei.

De asemenea, o mrire esenial a eficienei cuantice poate fi ob inut prin utilizarea


heterostructurilor.

Materiale i construcii ale diodelor luminiscente


-

Construcia a trei tipuri de diode luminescente: semisfer, trunchi de sfer, paraboloid.


Materialele de baz pentru diode luminiscente sunt materialele grupei: AIIIBV: GaAs, InP, GaP i
soluiile solide n baza lor. Ele posed, n mare parte, E g direct i o luminescen intens.
Modificnd coninutul soluiei se poate schimba nu doar
.

E g , ci i coeficientul de refracie

Dioda Burrus i dioda supraluminiscen


Dioda Burrus

Dioda supraluminescen
Aceste tipuri de diode folosesc heterostructuri duble.

Conexiunea diodei cu fibra optic


Conexiunea diodei supraluminescen cu fibra optic [http://www.do.gendocs.ru/docs/index274934.html]


****** DE ELIMINAT
NOT: Construcia diodei Burrus, din punctul precedent, reprezint, de asemenea, conectarea
cu fibra optic.
****** DE ELIMINAT

19
Generatoare cuantice de lumin
Generatoarele cuantice de lumin reprezint dispozitive care transform energia de pompaj
(optic, electric, termic, chimic, etc.) n radia ie coerent, monocromatic, polarizat i cu
direcionare ngust.

Tranziii cuantice i principiul de generare optic



Tranziia cuantic reprezint trecerea sistemului cuantic de pe un nivel pe altul. n timpul acestei
treceri, se emite sau absoarbe o cuant de lumin.
Tranziiile radiative pot fi spontane sau stimulate. La tranzi ii spontane radia ia este necoerent.
Frontul undei se schimb haotic n timp i cu distan a. O astfel de radia ie nu poate fi utilizat
pentru amplificarea sau generarea undelor electromagnetice. Dac sistemul cuantic este iradiat
cu un cmp electromagnetic de o frecven corespunztoare, atunci cuantele acestei radia ii pot
interaciona cu particulele nivelurilor att superior, ct i inferior, ceea ce duce la radierea sau
absorbia fotonilor. n acest caz, radiaia provocat este coerent. Ea corespunde dup faz cu
radiaia incident. Astfel, radiaia stimulat permite ob inerea generrii i amplificrii.
ntr-un mediu obinuit,
I =I 0 ed

adic, conform legii Lambert-Bouguer, intensitatea luminii ce a trecut prin material

scade

exponenial.
S cercetm un sistem cu dou nivele, n care numrul particulelor ntr-un centimetru cub, ce
se afl la un nivel dat, adic posed energiile E1 i E2 , sunt notate prin N 1 i N 2 .
N 1 i

Valorile

Dac

N 2 se numesc populaiile nivelelor

N 1 > N 2 , atunci probabilitatea tranziiilor

E1

E 1 E2

E2 .

este mai mare ca a tranziiilor

E2 E1 , i n sistem predomin absorbia asupra generrii.


Se numete activ, acel mediu, n care

N 2 > N 1 . n cazul dat, generarea predomin asupra

absorbiei i, n structur, va avea loc amplificarea luminii. Un astfel de mediu se nume te cu


populaie inversat. Dac N 2=N 1 , mediul este transparent ( =0 ).

Sisteme cuantice cu trei i patru nivele energetice -,



Procesul de creare a populaiei inversate se numete pompaj. Pompajul poate fi: optic, electric,
roentgen, chimic, etc.
n sistemul cu trei nivele, pompajul se realizeaz la frecvena
frecvena

32 , fie

21 .

13 , iar amplificarea fie la

n procesul de pompare tranziia


nivele,

E2

sau

E1 E3 , de obicei, se satureaz, adic

N 1=N 3 . Unul din

E3 , trebuie s fie metastabil, adic particulele de pe acest nivel trebuie s

aib un timp de via cu mult mai mare dect pe alte nivele. Un astfel de nivel va servi drept
rezervor pentru acumularea particulelor i apari ia popula iei inversate. Dac E3 este nivelul
metastabil, atunci populaia inversat apare ntre nivelele
metastabil, atunci ntre nivelele

E2

E3

E2 , dac

E2

este

E1 .

n sistemul cu patru nivele pompajul poate fi realizat simultan pe dou frecven e:

13

24 . Astfel, se obine un nivel ridicat al popula iei inversate. n al doilea caz (vezi desenul de
E3

mai jos), din cauza tranziiilor spontane, popula ia nivelului


scade, adic, crete populaia inversat ntre nivelele

E3

crete, iar a nivelului

E2

E2 .

n cazul dat, pentru pompaj este necesar o energie de sute de ori mai mic dect n cazul
sistemului cu trei nivele.

Schema-bloc a generatorului cuantic -


unde: SA surs de alimentare; MA mediu activ; RP bucla de reac ie pozitiv.

Rezonatorul, funcia rezonatorului, modele rezonatorului ,


,
Rezonatorul se numete sistemul optic format din dou plane reflectoare (oglinzi), pe pere ii
crora unda electromagnetic, ce se propag n interiorul acestui sistem, posed componenta
vectorului cmpului electric egal cu zero.
Mediul activ este plasat n rezonator, care este acordat la frecven a semnalului amplificat. Dac
coeficientul de reflexie al pereilor rezonatorului este > 50%, atunci generarea este posibil.
De-a lungul axei rezonatorului
reflectat, formeaz

se rspndete unda plan, care, interfernd cu unda


q

noduri. Numrul

depinde de lungimea de und a radia iei i de

lungimea rezonatorului. El determin tipul (moda) structurii longitudinale a undei.

Condiia de apariie a undei staionare n rezonator



L=q
unde:
luminii;

2n
q

numr cuantic longitudinal;


L lungimea rezonatorului.

indicele de refracie;

lungimea de und a

Tipuri de rezonatoare
Drept rezonatoare se folosesc oglinzi de diferite forme (plane (Fabry-Perot), sferice,
parabolice), feele prismei cu reflexie intern total, frontierele dintre dou medii cu indicii de
refracie diferii.

20
Tipurile de baz ale generatoarelor optice

n dependen de mediul activ, generatoarele optice se mpart n:
1. Cu gaz
2. Cu corp solid
3. Cu lichid
4. Pe baz de semiconductori

Construcii i caracteristici de baz a laserelor cu gaze i corp solid



Construcia generatorului cuantic optic cu gaze (laser He-Ne); 1 anod; 2- catod; 3 oglinzile
rezonatorului; 4 fante de ieire; 5 tub cu descrcare n gaz; 6 surs de tensiune nalt.
Caracteristici specifice ale laserelor cu gaze sunt:
1. Limea liniei spectrale este apropiat de cea real .
2. Stabilitatea frecvenei de radiaie (
3. Divergena fluxului

1 10 ' ' .

4. Grad nalt al polaritii radiaiei.

13

10

14

10

Hz ).

Construcia laserului cu corp solid; 1 element activ; 2 lamp de pompaj; 3 reflector; 4


rezonator; 5 bloc de alimentare; 6,7 elemente de rcire; 8 element de dirijare.
Randamentul laserului cu corp solid nu dep e te 3%. Puterea de emisie impuls constituie
100 MW pentru lasere de putere mic i GW pentru cele de putere mare. Laserele
de putere funcioneaz n impulsuri cu frecven a

f =0,12 Hz

i durata

6 30 ns .

Divergena fluxului luminos este de la civa milimetri, pn la cteva minute unghiulare.

Diagramele energetice ale laserelor cu gaze i corp solid


Schema nivelelor energetice a compusului He i Ne

Diagrama energetic a laserului cu corp solid n baza sticlei cu Nd

Puterea de emisie i categoriile de pierderi n lasere cu corp solid



Puterea de emisie impuls constituie

100 MW

pentru lasere de putere mic i

pentru cele de putere mare. Laserele de putere supra-nalt au


imp 1 ns

Pie 50000 GW

cu durata

Pie 100 GW

GW

cu durata

imp 1 ps .

Aplicaii ale laserelor cu gaze i cu corp solid



Utilizarea laserelor cu gaze este, cu perspectiv, n spa iile cosmice. n astfel de condi ii, este
posibil transmisiunea informaiei la o distan de circa 160 de milioane kilometri (pn la
Marte) cu viteza 1 Gbit/s, 2700 milioane kilometri (pn la Jupiter) cu viteza 40 Kbit/s, 6400
milioane kilometri (pn la Pluton) cu viteza 1 Kbit/s.

21
Lasere pe baz de semiconductori

Laserele cu semiconductori sunt lasere n care mediul activ este un cristal semiconductor cu o
jonciune pn .

Crearea inversiei de populaie n laserul semiconductor



n laserele cu semiconductori, condiia necesar pentru generare este inversia de popula ie. n
semiconductor, aceasta semnific c toi electronii trebuie s se afle n banda de conduc ie, iar
toate golurile n banda de valen.

Dac energia fotonului

este n limitele

E g+ E Fn + E Fp> h > Eg , unde

E Fn

E Fp

nivelele Fermi pentru electroni i goluri respectiv, atunci un astfel de foton nu va fi absorbit de
mediu. n plus, el poate provoca tranzi ia unui electron din banda de conduc ie n banda de
valen. Pentru obinerea inversiei de popula ie se folose te o jonc iune pn ntre doi
semiconductori dopai puternic la polarizare direct. Dac se folose te acela i semiconductor,
laserele n baza acestor structuri se numesc homolasere.

Lasere semiconductoare pe baza homo- i heterojonc iunilor


-
Laser cu structur unidimensional i bidimensional
() ()
Exist dou tipuri de lasere cu heterojonciuni: cu structur unidimensional i bidimensional.
Structura unidimensional reprezint combina ia dintre o jonc iune pn i o heterojonciune
la o distan mai mic dect lungimea de difuzie ( Ln ,

L p ).

Diagrama energetic a heterolaserului unidimensional (de tip

pnN )

Acest tip de lasere este superior homolaserelor, dar posed un ir de neajunsuri: limitarea
injectrii ntr-o singur direcie, localizare joas a fotonilor, prsirea purttorilor prin
homojonciune la tensiuni mari.
Aceste neajunsuri sunt excluse n laserul cu structura bidimensional.

Curentul de prag al laserului semiconductor



Curentul de prag al laserului, numit i curent de injec ie, este curentul la care are loc inversarea
populaiei. Pentru homolaser densitatea curentul de prag constituie

laserul cu structura bidimensional

j prag 103

j prag 10

A
c m 2 , iar pentru

A
2
c m . Acest lucru permite de obinut generarea

la temperatura camerei, fa de homolaser, care func ioneaz doar la temperatura azotului


lichid ( T =77 K ).

Dirijarea cu modele transversale i longitudinale ale laserului -



Dac numrul modelor transversale este mare, are loc cre terea curentului de prag i apare
instabilitatea direciei de emisie, fapt care nrutete caracteristicile. De aceea, regimul de
generare trebuie s fie monomod. Aceasta se ob ine prin mic orarea dimensiunilor sec iunii
ghidului de und ( d 0,45 m pentru laserul pe baz de GaAs, avnd lungimea de und
=0,9 m ).

Pentru obinerea regimului monomod n direc ie longitudinal se folose te un rezonator cu


pierderi sczute doar pentru o anumit mod longitudinal, adic, doar pentru o mod (de
obicei, moda nul) s creasc coeficientul de reflexie al rezonatorului i factorul de calitate. Cu
acest scop, au fost create lasere cu legtur distribuit (DFB), lasere cu rezonator vertical
(VCSEL), etc.

Laserul cu contact n form de band

Acest tip de laser a permis mbunt irea propriet ilor laserelor cu structuri duble. Aici, mediul
activ este sub form de band.

22
Lasere semiconductoare monomod: laserul cu legtur distribuit (DFB),
laserul cu reflector Bragg distribuit (DBR), laserul cu rezonator vertical
(VCSEL) :
(),
(),
()

Structura laserului cu legtur distribuit

Structura laserului cu reflector Bragg distribuit

Structura laserului cu rezonator vertical

Caracteristici de baz ale laserului monomod (spectrale, de temperatur, de


modulaie, dinamice)
(, , ,
)

Caracteristici de temperatur a laserului semiconductor

Lrgirea dinamic a spectrului laserului la modula ie

Caracteristicile de frecven la modulaie a laserului semiconductor