Ministerul Educatiei al Republicii Moldova

Universitatea Tehnica a Moldovei

Raport
la disciplina Electronica
lucrarea de laborator Nr.2

Tema: Studierea tranzistoarelor bipolare

A efectuat studentul grupei C-131:

A verificat profesorul:

Creu V.

Chisinau 2014

Scopul lucrarii: Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in conexiunea cu

baza comuna (BC) si cu emitor comun (EC) si determinarea parametrilor semnalelor mici h.

Fig. 1 Schema electrica a tranzistorului in conexiune BC.

Tabelul 1.1 Datele experimentale la ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului
la conexiune BC.
UEB, mV
20
40
60
80
100 120 140 160 200 220 250
0.0 0.0 0.0
UCB = 0 V
0.11 0.24 0.5 0.95 1.6
4
6.1
9.5
1
2
5
IE, mA
0.0 0.0 0.0
12.
UCB = -5 V
0.14 0.28 0.55
1
1.9
5.2
7.5
1
2
5
5
Caracteristicile de intrare ale tranzistorului in conexiune BC:

IE

UEB

h11 B=

U EB 240 mV 224 mV 16 mV
=
=
=11.03
IE
8.25 mA 6.8 mA 1.45 mA

h12 B =

U EB 0.016 V
=
=0.0032
U CB 5 V

Tabelul 1.2 Datele experimentale la ridicarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului la

conexiune BC.
UCB, V
0
2
4
6
8
10
12
14
IE = 5 mA
0
3.5 4.25 4.4 4.55 4.7
4.8
5
IC, mA
IE = 10 mA
0
8.5 9.25 9.4 9.55 9.7
9.8
10
Caracteristicile de iesire ale tranzistorului in conexiune BC:

IC`

IC

UCB

h21 B =

I C 9.4 mA 4.4 mA 5 mA
=
=
=1
IE
10 mA 5 mA
5 mA

h22 B =

I C 0.0098 A0.0094 A 0.0004 A

=
=
=6.7 Sm
U CB
12 V 6 V
6V

Fig. 2 Schema electrica a tranzistorului in conexiune EC.

Tabelul 2.1 Datele experimentale la ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului

la conexiune EC.
UBE, mV
20
40
60
80
100 120 140 160 200 220 250
0.0 0.0
UCE = 0 V
0
0.07 0.13 0.22 0.36 0.56 1.1 1.42
2
IB, mA
1
3
UCE = -5 V
0
0
0
0
0
0.02 0.05 0.1 0.35 0.6
1
Caracteristicile de intrare ale tranzistorului in conexiune EC:

IB

UBE

h11 E=

U BE 240 mV 184 mV 56 mV
=
=
=82.3
IB
0.88 mA 0.2 mA 0.68 mA

h12 E =

U BE 0.056 V
=
=0.011
U CE 5 V

Tabelul 2.2 Datele experimentale la ridicarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului la

conexiune EC.
UCE, V
0 0.5
1
1.5
2
3
4
6
8
10 12
IB = 200 A 0 3.5
5.2 5.3 5.5
3.5 3.5 3.7 3.8 3.9
5
IC, mA
IB = 300 A 0
6
6
6.2 6.4 6.7 6.9 7.4 7.9 8.7 9.5

Caracteristicile de iesire ale tranzistorului in conexiune EC:

I`C

IC

UCE

h21 E =

I C 7.3 A4.7 A 2.6 A

=
=
=0.026
I B 300 A200 A 100 A

h22 E =

I C 9 A7.3 A 1.7 A
7
=
=
=2.8 10 Sm
U CE
11 V 5 V
6V

Concluzie:
In aceasta lucrare de laborator am studiat tranzistorul bipolar in conexiune baza comuna si
emitor comun. Pentru fiecare conexiune in parte am construit caracteristicile de intrare si iesire,
dupa care am calculat valorile h.