Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Problema 1.
Conform caracteristicelor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar(vezi anexele respective) s
se efectueze urmtoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se
determine dac pot aprea distorsiuni neliniare ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de funcionare (fr distorsiuni) s se calculeze rezistena de intrare i ieire
a etajului, coeficientul de amplificare dup curent KI, tensiune KU i putere KP. S se determine
puterea util pe sarcin PR i putera mprtiat pe colectorul tranzistorului.
Problema 2
Conform carateristicelor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar (vezi anexele respective) i
parametrilor lui la frecven nalt, s se efectueze urmtoarele calcule pentru etajele de amplificare:
a) s se calculeze parametrii h i s se construiasc schema echivalent a dispozitivului analizat la
frecven joas.
b) S se calculeze parametrii fizici ai schemei echivalente la frecven nalt.
Probema 3
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar (vezi anexele respective) s
se determine parametrii etajului de amplificare n regim de recuplare a puterii:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest i curentul de intrare, puterea necesar
pentru a o deschide.
Problema 4.
Conform datelor din ndrumare s se traseze caracteristicele statice pentru tranzistorul cu efect de
cmp i s se efectueze urmtoarele calcule grafo-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se determine dac pot aprea
distorsiuni ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de funcionare (fr distorsiuni) s se determine rezistena de intrare i ieire
a dispozitivului analizat i s se calculeze valorile numerice pentru coeficientul de amplificare
dup curent KI , tensiune KU i putere KP.
Problema 5.
Conform caracteristicelor statice ale tranzistorului cu efect de cmp i parametrilor lui la frecven
nalt (vezi ndrumarele) s se calculeze:
a) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru frecven joas);
b) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru frecven nalt);
c) componenta activ a conductibilitii de intrare i modulul pantei dispozitivului analizat la
frecvena 100 MHz.
Problema 6.
Conform caracteristicelor statice construite ale tranzistorului cu efect de cmp (dup rezolvarea
problemei 4) s se efectueze calculul proprietilor tranzistorului n regim de rezistor variabil:
a) s se calculeze caracteristica R=f(UDS);
b) s se calculeze coeficientul de amplificare dup putere pentru regulatorul de putere montat pe
baza tranzistorului cu efect de cmp.
KU=UCEM/UCEM;
PR=(I2CMRS)/2;
KP=KIKU;
PC=UCEIC;
(4)
(5)
diagramele n timp pentru curentul colectorului, tensiunea bazei i colectorului tranzistorului la aplicarea
semnalului alternativ cu amplitudinea IBM=50A.
Menionm, c dac curentul bazei nu corespunde cu pasul familiei de caracteristici volt-amperice,
atunci trasai independent curbele intermediare (fig.5.5).
UCEM=(8.0-2.4)/2=2.8V;
ICM=(9.4-4.0)/2=2.7 mA.
Diagramele sunt construite lund n consideraie faptul, c tensiunile aplicate la baz i colector se
afl n contrafaz.
Acum determinm valorile necesare:
Rintr=UBEM/IBM=3510-3/5010-6=0,7 kOhm;
KU=UCEN/UCEM=2,8/35 10-3=80
KI=ICM/IBM=(2,7 10-3)/(50 10-6)=54
KP=KIKU=54 80=4320
PR=(I2CMRS)/2=[(2,7 10-3)2 103]/2=3,6 mW
PC=UCEIC=6,7 10-3 5,3=35,5 mW
5.2. ndrumri privind rezolvarea problemei 2.
Desenm caracteristicele statice ale tranzistorului analizat i determinm parametrii h. Ei sunt
determinai conform curbelor respective (nafar de h21). Dimensiunile triunghiurilor caracteristice trebuie
s fie reduse la minimum. n realitate precizia cerut poate fi asigurat dac alegem laturile triunghiului
respectiv aproximativ cu valoarea 20% din valorile respective pentru regimul de lucru la curent continuu.
Parametrul h21 este determinat conform caracteristicelor de ieire. n conformitate cu IB selectat
independent sunt trasate cteva curbe suplimentare ale caracteristicelor (fig 5.5). n aa mod putem scrie:
h21=IC/IB| UCE=const;
h11=UBE/IB | UCE=const,
h22=IC/UCE| IB=const.
(6)
(7)
(8)
Parametrii h determin proprietile de baz ale tranzistorului la frecven joas (dac amplificm
semnale cu amplitudine redus). Pentru a ilustra acest lucru ne referim la desenul din fig 5.2.
(9)
(10)
n legtur cu valoarea redus a reaciei tranzistorului la frecven joas putem presupune c h21=0.
Dac tranzistorul funcioneaz la frecven nalt atunci toi parametrii h devin numere complexe,
adic pot fi reprezentai prin intermediul elementelor cu caracter activ i reactiv.
n afar de aceasta valorile componentelor cu caracter activ i reactiv variaz odat cu frecvena. Din
aceste considerente a fost modernizat i schema echivalent a tranzistorului la frecven nalt. n figura
5.3 este reprezentat schema echivalent la frecven nalt penru tranzistorul bipolar (schema Djacoletto).
Fig 5.3 Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecven nalt (cuplarea tranzistorului cu emitor
comun).
1
modeleaz circuitul de intrare a tranzistorului la cuplarea lui n schema emitor comun.
rCE i S j U BE
1
Subliniem, c generatorul echivalent de curent n circuitul de ieire depinde de tensiunea U BE
pe
jonciune i nu depinde de tensiunea UBE. Acest lucru ne permite s considerm c panta SJ nu depinde de
frecven.
Cu ajutorul schemei fizice echivalente putem determina orice parametru al tranzistorului la valoarea
cunoscut a frecvenei. De exemplu, h11 poate fi determinat dac la ieirea schemei avem scurtcircuit
(fig.5.4).
Fig.5.4. Schema echivalent a tranzistorului bipolar utilizat la calcularea valorii rezistenei de intrare la
frecven nalt.
rB
CC
unde rB prezint rezistena bazei tranzistorului bipolar:
CC
2...3;
CC1
(11)
(12)
(13)
C CC C ;
(14)
rB I C rB ( I C* ) /( I C ) ;
(15)
(16)
2
C
1
C
h11E rB ;
(17)
C E (S j / lim );
(18)
1
BE
1
BE
unde Sj prezint panta tranzistorului dup jonciunea emitorului; lim - frecvena de limit a tranzistorului
( lim =2 f); I C* - valoarea curentului colectorului n punctul de funcionare; CE capacitatea de barier
pentru emitorul tranzistorului.
Cu ajutorul microcalculatorului putem calcula conductibilitatea de intrare a tranzistorului analizat
(Rintr.) i capacitatea de intrare (Cintr.). Pentru aceasta utilizm formulele urmtoare:
1
Rint r . (rBE
rB )
1 ( f / fs )2
;
1
1 ( f / f s ) 2 [ rBE
rB / rB ]
1
Cint r . CC2 (C BE
CC1 )
1
rBE
1
;
1
rBE rB 1 ( f / f S ) 2
(19)
(20)
unde
fS
1
;
1
2 [(r rB ) /( r rB )](C BE
CC1 )
1
BE
1
BE
(21)
ultima relaie nu trebuie calculat. Sunt efectuate calculele pentru Rintr. i Cintr. ca funcie de relaia
f/fS pentru 10 valori (de la 0,1 pn la 1,0).
5.2.1. Exemplu de rezolvare a problemei 2.
Cum a fost subliniat mai sus, parametrii h se determin pentru o cretere sub limita 20% de la valorile
obinute n punctul de funcionare ales. Pentru IB=150 A i UCE=5 V (punctul O n fig.5.5.) avem:
IB=0,2IB=30 A; UCE=0,2UCE=1 V.
Lund n considerare faptul, c nclinarea curbelor n punctul de funcionare este foarte mic este
necesar de a mri valoarea UCE. n acest caz vom determina mai precis valoarea IC. Din aceste
considerente alegem UCE=6,7 V.
Triunghiurile respective care corespund datelor obinute iniial sunt prezentate n fig.5.5. cu culoare
neagr.
h11E
U BE
(360 340) 10 3
|
|UCE 5V 0.7 kOhm
I B U CE const
30 10 6
h21E
I C
(7.6 5.8) 10 3
|
|UCE 5V 60
I B U CE const
30 10 6
h22E
I C1
(6.9 6.2) 10 3
|
|I B 150A 0.1 mS
U CE I B const
9.4 2.7
Valoarea capacitii de barier CE este foarte redus i putem s nu o lum n considerare. Schema
echivalent fizic n regimul analizat este prezentat n fig. 5.7.
(22)
Aceast relaie poate fi programat. Atunci se calculeaz cteva valori pentru Urest pentru Ksat=2,4,8,12.
n scopul obinerii unei valori reduse pentru timpul de cuplare al tranzistorului se recomand de a
aplica curent de intrare mai mare de cteva ori dect cel ce asigura regimul de saturaie, adic:
I B cupl. K sat
I Ccupl.
KI
K sat
Ec
RsKI
(23)
unde K sat este coeficientul de saturaie. De regul, acest coeficient are valorile n limitele: K sat =3...5.
Puterea Pint r . I Bcupl. .U BEcupl. ,
(24)
unde valoarea U BEcupl. se determin conform caracteristicii de intrare a tranzistorului pentru U CE =0
(regim de saturaie). Puterea mprtiat pe colectorul tranzistorului n regimcuplat:
(25)
PCcupl. = I Ccupl. U rest
Rezistena tranzistorului n regim cuplat:
Rcupl. U rest / I Ccupl
(26)
I D I D max . (
U GS U bloc 2
)
U GS max . U bloc
(5.27)
unde U D max . ;U GS max . ;U bloc. prezint punctele de baz ale caracteristicii statice prezentate shematic n
fig.5.8.
Pentru tranzistoarele cu efect de cmp cu jonciune p-n se consider U GS max . 0 . Pentru tranzistoarele
tip MOS U GS max . nu se indic n ndrumar, dar poate fi determinat conform tensiunii grilei U GS care
corespunde curentului dat (de exemplu I D 5mA ) sau conform curentului drenei I D* , ce corespunde
tensiunii pe gril U GS 0 (curentul iniial). n acest scop ecuaia (5.27) este rezolvat relativ de U GS max .
Subliniem c pentru tranzistoarele tip MOS cu canal indus tensiunea de blocare este numit tensiune de
prag.
La construirea caracteristicii statice atragem atenia la polaritatea tensiunilor aplicate la tranzistor.
n sarcin la teza de an sunt tranzistoare cu canal p i n. Din aceste considerente pot fi diferite combinri
ale direciilor curenilor.
| E D | | U DSo |
(28)
RS
Pe familia caracteristicilor de ieire i transfer notm punctul de funcionare al tranzistorului.
Regiunea valorilor admisibile ale tensiunilor i curenilor este mrginit din stnga prin punctele 1,2,3,4, iar
din dreapta cu valorile puterii admisibile ce poate fi mprtiat pe drena tranzistorului. Caracteristica
puterii mprtiate prezint o hiperbol care este descris cu ajutorul ecuaiei urmatoare:
I Do
PDimpr I DU DS
(29)
(31)
KU S med . RS
(32)
Valoarea curentului de intrare este determinat de rezistorul din circuitul grilei RG , prin care se
amplific tensiunea constant la gril U GSo . De regul RG 10 6 Ohm . La aa condiie coeficientul de
amplificare dup curent al dispozitivului
K I I Dm / I Gm ( I Dm RG ) / U GSm S med . RG
(33)
(34)
U GS max U bloc
sau
U GS max 3
U GS U bloc
(5[mA] / I D max [mA])1 / 2
1 (3)
1/ 2
Ecuaia caracteristicii cutate are forma:
U 3 2
I D 10 ( GS
)
5.6
Completm tabelul:
I D , mA
U GS ,V
0.32
1.3
2.9
5.0
7.9
9.6
-3
-2
-1
1.0
2.0
2.5
acceptat egal cu 10 Ohm . Valorile r0 sunt indicate n anexa 5. Subliniem c deseori valorile CGS i C SD
sunt egale.
1/ G Rint r ( F 1)
1 k2
r0
k2
(35)
| S |
S0
1 k2
(36)
fig. 5.16. Schema unui atenuator de semnal n baza tranzistorului cu efect de cmp.
Proprietile de regulator sunt descrise de ecuaia: R~=f(UGS), unde R~ reprezint rezistena
tranzistorului pentru curent alternativ n regimul de funcionare ales. Caracteristica este trasat prin
calcularea nclinrii poriunii iniiale a caracteristicelor de ieire pentru diferite valori ale UGS. Puterea
2
semnalului la ieirea atenuatorului Pies. U ies
. / 2 R ~ . Puterea de dirijare la intrarea regulatorului se
2
determin ca Pdir. U GS
/ RG . Tensiunea continu UGS i valoarea amplitudinii semnalului Uie. , practic
sunt identice (de ordinul U0). Rezult c coeficientul de amplificare dup putere (maxim) al regulatorului
KPmax=RD/2R~min.
(UG=+2,0 V) etc.
Anexa 1
ABREVIERI UTILIZATE N LUCRARE
EC
RS
IB=
ImB
IC=
ICmax
ICmin
ImC
UBE=
UBEMax
UBEMin
UBE
UCE=
UCEMax
UCEMin
UBEm
UCEm
KI
KU
KP
Rintr.
Ries.
h11E
UG2
CGS
CGD
CDS
rC
Ri=RSD
UDSMax
R~
S
S
Anexa 2
Ilustrarea tranzistoarelor cu efect de cmp n circuite.
3. Tranzistor cu efect de cmp tip MOS cu canal intercalat (canal tip N).
4. Tranzistor cu efect de cmp tip MOS (tetrod MOS cu canal intercalat tip N)
Anexa 3
Parametrii de baz pentru tranzistoarele cu efect de cmp.
Tip
103
103
103
301
302
303
305
305
306
305
Ubloc.
UDmax
2,5
1,0
5,0
-4,0
-10
-2,0
-6
-6
-6
-6
1,5
1,0
7,5
15,0
-33
-2,5
-15
-15
-20
-30
UGS(ID=5mA)
-6
1,0
0
-3
3,5*
UDSmax,
V
-15
-15
-10
-20
20
30
15
15
20
15
Pimpr.
mV
120
120
120
200
300
200
150
150
150
200
CGS
pF
17
20
30
3,5
20
6
5
5
5
6
CCD
pF
8
8
8
1
8
2
0,8
0,8
0,07
0,06
rC
Ohm
100
30
60
200
60
100
80
80
50
50
Anexa 4.
Caracteristicele statice pentru tranzistoarele bipolare i cu efect de cmp utilizate la
ndeplinirea tezei de an.
Atenie! Caracteristicele de ieire pentru tranzistoare posed urmtoarele nuane. Este indicat
valoarea parametrului de ieire pentru o singur curb. Parametrii pentru alte curbe sunt determinate prin
adunare sau scdere a devierilor constante (IB sau UGS).
fig.A.1. Caracteristica de intrare IB=f(UBE), unde UCE=5 V pentru tranzistorul bipolar KT603A.
fig.A.2. Caracteristica de intrare IB=f(UBE), unde UCE=0 V pentru tranzistorul bipolar KT603A.
fig.A.3. Caracteristica de ieire IC=f(UCE), unde IB=const. pentru tranzistorul bipolar KT603A.
fig.A.4. Caracteristica de ieire IC=f(UCE), unde IB=const. pentru tranzistorul bipolar KT601A.
fig.A.5. Caracteristica de intrare IB=f(UBE), unde UCE=10 V. pentru tranzistorul bipolar KT601A.
fig.A.6. Caracteristica de intrare IB=f(UBE), unde UCE=0 V. pentru tranzistorul bipolar KT601A.
fig.A.7. Caracteristica de transfer ID=f(UGS), unde UDS=8 V. pentru tranzistorul cu efect de cmp.
313.
fig.A.8. Caracteristica de ieire ID=f(UDS), unde UGS=const. pentru tranzistorul cu efect de cmp.
313.
fig.A.9. Caracteristica de transfer ID=f(UGS), unde UDS=8V. pentru tranzistorul cu efect de cmp
302.
fig.A.10. Caracteristica de ieire ID=f(UDS), unde UGS=const. pentru tranzistorul cu efect de cmp
302.
Anexa 5.
Datele iniiale pentru rezolvarea problemelor.
Tabelul A.1
Nr. UCE=
var
V
1
2
20
1
20
2
20
3
20
4
20
5
30
6
30
7
30
8
30
9
30
10
40
11
40
12
40
13
40
14
40
15
50
16
50
17
50
18
50
19
50
20
60
21
60
22
60
23
60
24
70
25
IC
mA
3
10
20
28
32
44
10
20
30
35
47
10
20
30
40
48
10
20
30
40
50
10
20
31
42
20
Remarc
4
S se utilizeze
tranzistorul bipolar
KT601A care
posed urmtorii
parametri la
frecven nalt:
||=2;
f=20 MHz
CC=15 pF
CE=75 pF
C=600 ps
IC=6 mA
=3
(Vezi an. 4.)
ED
V
5
-15
-15
-15
-15
-10
-10
-20
-20
-20
-20
-
RS
kOhm
6
5
13
18
3
7
5
3
7
5
1,5
2,5
2
0,5
2,5
1
ID0
mA
7
1
1
0,5
0,5
0,5
3,5
3,5
2
2
2
2
2
1
1
1
8
8
5
5
5
16
16
8
8
8
UDS0
V
8
-7,5
-7,5
6
-6
-6
-5
-5
-3
-3
-3
-5
-5
-6
-6
-6
-7
-7
-10
-10
-10
16
16
14
14
14
UGSm
V
9
1
1
2
2
2
0,2
0,2
0,4
0,4
0,4
1
1
1,5
1,5
1,5
2
2
3
3
3
2
2
4
4
4
TEC
10
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
301
301
301
301
301
301
301
301
301
301
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
5
5
5
5
5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
10
10
10
10
10
15
15
15
15
15
20
20
20
20
20
40
90
130
180
200
45
70
120
200
225
10
45
80
100
150
15
50
85
115
140
15
55
95
125
155
S se utilizeze
tranzistorul bipolar
KT603A care
posed urmtorii
parametri la
frecven nalt:
||=2;
f=100 MHz
CC=10 pF
CE=30 pF
C=400 ps
IC=30 mA
=3
(Vezi an. 4.)
30
20
15
15
15
15
20
15
15
15
-
5
12
10
1,8
2,5
2
1,8
2,5
2
1,2
2,2
1,6
1
1,2
1,0
1,7
1,7
1,2
1,2
1,2
2
2
1
1
1
5
2
2
2
2
10
5
5
5
5
10
5
5
3
3
6
6
10
10
10
12
12
10
10
10
13
13
10
10
10
15
14
14
11
14
10
10
12
12
12
0,2
0,2
0,4
0,4
0,4
1
1
2
2
2
1
1
2
2
2
1
1
1,5
1,5
1,5
2
2
3
3
3
303
303
303A
303A
303A
305
305
305
305
305
305
305
305
305
305
306
306
306
306
306
350
350
350
350
350
Tabelul A.2.
Nr.
var
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
EC
RS
V kOhm
2
3
100
2,2
100
2,2
100
2,2
100
2,2
100
2,2
80
1,8
80
1,8
80
1,8
80
1,8
60
1,8
80
1,8
60
1,5
60
1,5
60
1,5
60
1,5
60
2
60
2
60
2
60
3
60
4
40
1
40
1
40
1
40
2
40
2
IB=
mA
4
0,075
0,15
0,15
0,225
0,3
0,075
0,15
0,15
0,225
0,3
0,075
0,15
0,15
0,225
0,3
0,075
0,15
0,15
0,075
0,075
0,075
0,15
0,225
0,075
0,075
IBm
mA
5
0,075
0,075
0,15
0,075
0,075
0,075
0,15
0,15
0,075
0,075
0,075
0,15
0,15
0,075
0,075
0,075
0,15
0,075
0,075
0,075
0,075
0,075
0,075
0,075
0,030
Remarc
6
S se
utilizeze
tranzistorul
KT601A.
ID0
mA
7
0,8
1,3
2,1
3,1
4
1,3
3,1
4
5
6,5
1,4
3,2
5,2
6,6
8,2
2,2
4,2
6,7
8,4
9,8
0,9
2,3
4,3
6,7
10
UDS0
V
8
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
6
6
6
6
6
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
Remarc
9
S se utilizeze
tranzistorul cu efect de
cmp 313, care
posed urmtorii
parametri:
CGS=7 pF
CGD=1 pF
rC=50 Ohm.
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
10
10
10
10
10
0,12
0,12
0,12
0,12
0,12
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,07
0,07
0,07
0,07
0,07
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,08
0,08
0,08
0,12
0,12
1
1
2
2
3
1
1
2
2
3
1
1
2
2
3
1
1
2
2
3
1
1
2
1
1
0,5
1
1
2
1
0,5
1
1
2
1
0,5
1
1
2
1
0,5
1
1
2
1,5
0,5
1
2
0,5
1
S se
utilizeze
tranzistorul
KT603A.
1
2,4
4,5
6,8
9,7
1
2,5
4,6
6,4
8,5
1,1
2,6
4,7
7
9,9
1,2
2,6
4,7
7
1,2
2,7
4,7
7,1
2,7
4,7
3
3
3
3
3
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
6
6
6
6
7
7
7
7
8
8
S se utilizeze tranzistorul
cu efect de cmp
302, care posed
urmtorii parametri:
CGS=20 pF
CGD=8 pF
rC=20 Ohm.