Sunteți pe pagina 1din 30

4. Coninutul problemelor.

Problema 1.
Conform caracteristicelor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar(vezi anexele respective) s
se efectueze urmtoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se
determine dac pot aprea distorsiuni neliniare ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de funcionare (fr distorsiuni) s se calculeze rezistena de intrare i ieire
a etajului, coeficientul de amplificare dup curent KI, tensiune KU i putere KP. S se determine
puterea util pe sarcin PR i putera mprtiat pe colectorul tranzistorului.
Problema 2
Conform carateristicelor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar (vezi anexele respective) i
parametrilor lui la frecven nalt, s se efectueze urmtoarele calcule pentru etajele de amplificare:
a) s se calculeze parametrii h i s se construiasc schema echivalent a dispozitivului analizat la
frecven joas.
b) S se calculeze parametrii fizici ai schemei echivalente la frecven nalt.
Probema 3
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar (vezi anexele respective) s
se determine parametrii etajului de amplificare n regim de recuplare a puterii:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest i curentul de intrare, puterea necesar
pentru a o deschide.
Problema 4.
Conform datelor din ndrumare s se traseze caracteristicele statice pentru tranzistorul cu efect de
cmp i s se efectueze urmtoarele calcule grafo-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se determine dac pot aprea
distorsiuni ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de funcionare (fr distorsiuni) s se determine rezistena de intrare i ieire
a dispozitivului analizat i s se calculeze valorile numerice pentru coeficientul de amplificare
dup curent KI , tensiune KU i putere KP.
Problema 5.
Conform caracteristicelor statice ale tranzistorului cu efect de cmp i parametrilor lui la frecven
nalt (vezi ndrumarele) s se calculeze:
a) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru frecven joas);
b) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru frecven nalt);
c) componenta activ a conductibilitii de intrare i modulul pantei dispozitivului analizat la
frecvena 100 MHz.
Problema 6.
Conform caracteristicelor statice construite ale tranzistorului cu efect de cmp (dup rezolvarea
problemei 4) s se efectueze calculul proprietilor tranzistorului n regim de rezistor variabil:
a) s se calculeze caracteristica R=f(UDS);
b) s se calculeze coeficientul de amplificare dup putere pentru regulatorul de putere montat pe
baza tranzistorului cu efect de cmp.

5. ndrumri privind rezolvarea problemelor.


5.1 ndrumri privind rezolvarea problemei 1.
Dup trasarea caracteristicelor statice ale tranzistorului bipolar (fig.A.1, fig.A.2. fig.A.5, fig.A.6)
acordai atenie faptului c caracteristica de intrare este prezentat sub form de o singur curb. Aceasta se
explic prin faptul c tensiunea de ieire influeneaz foarte slab asupra circuitului de intrare a
tranzistorului. Ca rezultat familia caracteristicelor de intrare se plaseaz pe o suprafa foarte redus. Din
aceste considerente se utilizeaz o singur caracteristic de intrare (cum este indicat n fig.A.1, fig.A.5).
Dreapta de sarcin corespunde ecuaiei IC=(EC-UCE)/RS. Pe familia de caracteristici de ieire ordonate
acestei curbe la valori UCE=0 ce corespunde punctului, IC=EC/RC. Abscisa la IC=0 corespunde punctului
UCE=EC. Dac acum vom uni aceste 2 puncte vom obine dreapta de sarcin cutat. Intersecia dreptei de
sarcin cu curbele ce corespund diferitor valori ale curenilor bazei IB determin punctul de funcionare al
etajului de amplificare care are ca sarcin rezistorul RS. Coordonatele punctului de funcionare determin
regimul de lucru al circuitului de ieire UCE i IC, iar coordonatele IB i UBE pe caracteristica de intrare
regimul de lucru al circuitului de intrare pe tranzistorul dat.
Construind apoi variaia sinusoidal a curentului bazei (conform sarcinii din lucrare) cu amplitudinea
IB determinm diagramele variaiei curenilor i tensiunilor pe bornele tranzistorului.
Dup ce trasm diagramele respective n timp este necesar de a determina probabilitatea apariiei
distorsiunilor neliniare ale semnalului amplificat.
Conform diagramelor putem afirma, c sub aciunea curentului de intrare alternativ, punctul de
funcionare se deplaseaz pe dreapta de sarcin. Dac pentru un moment oarecare de timp punctul de
funcionare nimerete n regiunea de saturaie sau blocare, atunci apar distorsiuni neliniare, care poart
denumirea de limitare. n acest caz este necesar de a micora amplitudinea semnalului alternativ la
intrarea dispozitivului pn la o astfel de valoare care ar asigura variaia punctului de funcionare n gama
de lucru n regim activ pentru tranzistorul dat.
Calculele urmtoare sunt efectuate numai pentru regimul activ de funcionare al tranzistorului. Acest
regim de funcionare este numit regim liniar (fr distorsiuni).
Cnd apelm la valorile ICM, UCEM, UBEM (pe familiile de caracteristici volt-amperice) atragem atenia
la faptul c pentru semiperioadele pozitive i negative ale semnalului ele pot fi diferite. Din aceste
considerente pentru semnalul cu amplitudine mare, distorsiunile neliniare pot aprea i n regim activ de
funcionare a dispozitivului electronic.
Pentru calculele urmtoare, valorile amplitudinilor sunt determinate ca valoare medie pentru o
perioad:
ICM = (ICmax-ICmin)/2;
(1)
UCEM = (UCEMax-UCEmin)/2;
(2)
UBEM = (UBEMax-UBEmin)/2;
(3)
Valorile respective ale parametrilor de funcionare pentru etajul de amplificare analizat pot fi
determinate conform diagramelor obinute ca raportul amplitudinilor curenilor i tensiunilor respective:
KI=ICM/IBM;
Rintr=UBEM/IBM;

KU=UCEM/UCEM;
PR=(I2CMRS)/2;

KP=KIKU;
PC=UCEIC;

(4)
(5)

5.1.1. Exemplu de rezolvare a problemei 1.


Este cunoscut: etajul de amplificare se monteaz pe baza tranzistorului T 322A; EC=12V;
RS=1kOhm; IB=150A; IBM=50A.
Caracteristicele statice ale tranzistorului sunt prezentate n fig.5.1. Coordonatele dreptei de sarcin:
IC=12/103=12mA i UCE=12V. Conform acestor coordonate trasm dreapta de sarcin. Regimului de
funcionare al etajului i corespunde punctul O pe caracteristicele de ieire i intrare. Construim

diagramele n timp pentru curentul colectorului, tensiunea bazei i colectorului tranzistorului la aplicarea
semnalului alternativ cu amplitudinea IBM=50A.
Menionm, c dac curentul bazei nu corespunde cu pasul familiei de caracteristici volt-amperice,
atunci trasai independent curbele intermediare (fig.5.5).

Fig.5.1. Caracteristicile statice pentru tranzistorul analizat n problema 1.


Conform caracteristicelor statice trasate determinm amplitudinea curenilor i tensiunilor:
UBEM=(390-320)/2=35mV;

UCEM=(8.0-2.4)/2=2.8V;

ICM=(9.4-4.0)/2=2.7 mA.

Diagramele sunt construite lund n consideraie faptul, c tensiunile aplicate la baz i colector se
afl n contrafaz.
Acum determinm valorile necesare:
Rintr=UBEM/IBM=3510-3/5010-6=0,7 kOhm;
KU=UCEN/UCEM=2,8/35 10-3=80
KI=ICM/IBM=(2,7 10-3)/(50 10-6)=54
KP=KIKU=54 80=4320
PR=(I2CMRS)/2=[(2,7 10-3)2 103]/2=3,6 mW
PC=UCEIC=6,7 10-3 5,3=35,5 mW
5.2. ndrumri privind rezolvarea problemei 2.
Desenm caracteristicele statice ale tranzistorului analizat i determinm parametrii h. Ei sunt
determinai conform curbelor respective (nafar de h21). Dimensiunile triunghiurilor caracteristice trebuie
s fie reduse la minimum. n realitate precizia cerut poate fi asigurat dac alegem laturile triunghiului
respectiv aproximativ cu valoarea 20% din valorile respective pentru regimul de lucru la curent continuu.
Parametrul h21 este determinat conform caracteristicelor de ieire. n conformitate cu IB selectat
independent sunt trasate cteva curbe suplimentare ale caracteristicelor (fig 5.5). n aa mod putem scrie:

h21=IC/IB| UCE=const;
h11=UBE/IB | UCE=const,
h22=IC/UCE| IB=const.

(6)
(7)
(8)

Parametrii h determin proprietile de baz ale tranzistorului la frecven joas (dac amplificm
semnale cu amplitudine redus). Pentru a ilustra acest lucru ne referim la desenul din fig 5.2.

Fig 5.2. Schema echivalent a trazistorului bipolar pentru frecvene joase.

Schema prezentat n figura 5.2. poate fi descris cu ajutorul urmtoarelor ecuaii:


UBE=h11IB;
IC =h21UCE.

(9)
(10)

n legtur cu valoarea redus a reaciei tranzistorului la frecven joas putem presupune c h21=0.
Dac tranzistorul funcioneaz la frecven nalt atunci toi parametrii h devin numere complexe,
adic pot fi reprezentai prin intermediul elementelor cu caracter activ i reactiv.
n afar de aceasta valorile componentelor cu caracter activ i reactiv variaz odat cu frecvena. Din
aceste considerente a fost modernizat i schema echivalent a tranzistorului la frecven nalt. n figura
5.3 este reprezentat schema echivalent la frecven nalt penru tranzistorul bipolar (schema Djacoletto).

Fig 5.3 Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecven nalt (cuplarea tranzistorului cu emitor
comun).

Elementele rB , C C1 , C C2 modeleaz regiunea bazei tranzistorului i capacitatea jonciunii colectorului.


1
1
Elementele rBE
i C BE
modeleaz circuitul de intrare pentru tranzistorul ideal (fr reacie). Elementele

1
modeleaz circuitul de intrare a tranzistorului la cuplarea lui n schema emitor comun.
rCE i S j U BE
1
Subliniem, c generatorul echivalent de curent n circuitul de ieire depinde de tensiunea U BE
pe
jonciune i nu depinde de tensiunea UBE. Acest lucru ne permite s considerm c panta SJ nu depinde de
frecven.
Cu ajutorul schemei fizice echivalente putem determina orice parametru al tranzistorului la valoarea
cunoscut a frecvenei. De exemplu, h11 poate fi determinat dac la ieirea schemei avem scurtcircuit
(fig.5.4).

Fig.5.4. Schema echivalent a tranzistorului bipolar utilizat la calcularea valorii rezistenei de intrare la
frecven nalt.

Valorile parametrilor schemei echivalente sunt determinate conform relaiilor urmtoare:

rB

CC
unde rB prezint rezistena bazei tranzistorului bipolar:

CC
2...3;
CC1

(11)

(12)

C rB CC1 - constanta de timp pentru circuitul de reacie al tranzistorului, ridicat la curentul


cunoscut I C* ; CC capacitatea total a jonciunii colectorului.
Ceilali parametri pentru regimul dat sunt determinai n modul urmtor:
CC1 CC / ;

(13)

C CC C ;

(14)

rB I C rB ( I C* ) /( I C ) ;

(15)

S J 20[1 / V ].I C [ A];

(16)

2
C

1
C

h11E rB ;

(17)

C E (S j / lim );

(18)

1
BE
1
BE

unde Sj prezint panta tranzistorului dup jonciunea emitorului; lim - frecvena de limit a tranzistorului
( lim =2 f); I C* - valoarea curentului colectorului n punctul de funcionare; CE capacitatea de barier
pentru emitorul tranzistorului.
Cu ajutorul microcalculatorului putem calcula conductibilitatea de intrare a tranzistorului analizat
(Rintr.) i capacitatea de intrare (Cintr.). Pentru aceasta utilizm formulele urmtoare:

1
Rint r . (rBE
rB )

1 ( f / fs )2
;
1
1 ( f / f s ) 2 [ rBE
rB / rB ]

1
Cint r . CC2 (C BE
CC1 )

1
rBE
1
;

1
rBE rB 1 ( f / f S ) 2

(19)

(20)

unde
fS

1
;
1
2 [(r rB ) /( r rB )](C BE
CC1 )
1
BE

1
BE

(21)

ultima relaie nu trebuie calculat. Sunt efectuate calculele pentru Rintr. i Cintr. ca funcie de relaia
f/fS pentru 10 valori (de la 0,1 pn la 1,0).
5.2.1. Exemplu de rezolvare a problemei 2.
Cum a fost subliniat mai sus, parametrii h se determin pentru o cretere sub limita 20% de la valorile
obinute n punctul de funcionare ales. Pentru IB=150 A i UCE=5 V (punctul O n fig.5.5.) avem:
IB=0,2IB=30 A; UCE=0,2UCE=1 V.
Lund n considerare faptul, c nclinarea curbelor n punctul de funcionare este foarte mic este
necesar de a mri valoarea UCE. n acest caz vom determina mai precis valoarea IC. Din aceste
considerente alegem UCE=6,7 V.
Triunghiurile respective care corespund datelor obinute iniial sunt prezentate n fig.5.5. cu culoare
neagr.

Fig.5.5. Determinarea parametrilor h conform caracteristicelor statice ale tranzistorului bipolar.

Acum putem scrie:

h11E

U BE
(360 340) 10 3

|
|UCE 5V 0.7 kOhm
I B U CE const
30 10 6

h21E

I C
(7.6 5.8) 10 3

|
|UCE 5V 60
I B U CE const
30 10 6

h22E

I C1
(6.9 6.2) 10 3

|
|I B 150A 0.1 mS
U CE I B const
9.4 2.7

Schema echivalent a tranzistorului cu frecvene joase este prezentat n fig. 5.6.

Fig.5.6. Schema echivalent a tranzistorului la frecven joas (problema 2).


Tranzistorul T 322 posed urmtorii parametri la frecvene joase: =2; CC=1.8 pF; C=50 ps;
IC=1 mA; flim= ||f=4,2 MHz = 80 MHz; CE=60 pF;
Determinm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente la cuplarea tranzistorului n schema
cu emitor comun:
rB=2,510-12/(1,810-12)=55 Ohm
Cc1 1.8 10 12 / 2 0.9 pF
Cc2 1.8 0.9 0.9 pF

la valoarea IC=6,7 mA:


j 20.6 7 10 3 135 mS
rB 55 1 / 6.7 21.6 Ohm
1
rBE
700 21.6 678.4 Ohm
rCE 1 / h22E 10 kOhm
1
C BE
0.135 /(6.3 80 10 6 ) 60 325 pF

Valoarea capacitii de barier CE este foarte redus i putem s nu o lum n considerare. Schema
echivalent fizic n regimul analizat este prezentat n fig. 5.7.

Fig.5.7. Schema echivalent a tranzistorului analizat n problema 2 la frecven nalt.


5.3 ndrumri privind rezolvarea problemei 3
Desenm caracteristicile statice ale tranzistorului conform variantei respective i determinm
proprietile lui ca cheie electronic.
Trasarea dreptei de sarcin este efectuat analogic problemei 1. ns n acest caz punctul de
funcionare a tranzistorului se va plasa sau n regim de blocare (tranzistorul este blocat), sau n regim de
saturaie (tranzistorul este cuplat). Tensiunea de rest Urest este determinat conform caracteristicilor de
ieire. Mai precis tensiunea de rest poate fi determinat conform formulei analitice:
Urest=25mV{ln[1+(100/Ki)+(100/Ksat)]-ln[1-( C/ Ksat)]}.

(22)

Aceast relaie poate fi programat. Atunci se calculeaz cteva valori pentru Urest pentru Ksat=2,4,8,12.
n scopul obinerii unei valori reduse pentru timpul de cuplare al tranzistorului se recomand de a
aplica curent de intrare mai mare de cteva ori dect cel ce asigura regimul de saturaie, adic:
I B cupl. K sat

I Ccupl.
KI

K sat

Ec
RsKI

(23)

unde K sat este coeficientul de saturaie. De regul, acest coeficient are valorile n limitele: K sat =3...5.
Puterea Pint r . I Bcupl. .U BEcupl. ,
(24)
unde valoarea U BEcupl. se determin conform caracteristicii de intrare a tranzistorului pentru U CE =0
(regim de saturaie). Puterea mprtiat pe colectorul tranzistorului n regimcuplat:
(25)
PCcupl. = I Ccupl. U rest
Rezistena tranzistorului n regim cuplat:
Rcupl. U rest / I Ccupl

(26)

5.3.1. Exemplu de rezolvare a poblemei 3


Regimul de funcionare a tranzistorului ca cheie electronic poate fi analizat cu ajutorul
caracteristicilor prezentate n fig.5.1. Punctul O 1 corespunde regimului tranzistorului deschis.
Respectiv tensiunea U rest =0.7 V. Pentru cazul analizat Rcupl. =0.7/(11.3*10 3 ) 60 Ohm. Valoarea
curentului bazei, necesar pentru cuplarea tranzistorului, este mai mare dect 250 A , iar la valori K sat =4

I Bcupl 4 (12 103 ) / 54 0.9mA


Tranzistorul cuplat se afl n regim de saturaie, adic putem afirma c U CE U rest 0 . Tensiunea de
intrare ce corespunde curentului de cuplare I Bcupl. se determin conform caracteristicii de intrare pentru
valori U CE 0. n exemplul dat tensiunea U BEcup 0.3V . Respectiv Pint r . 0.9 10 3 0.3 0.3mW ;
PCcupl 8.4mV .

5.4. ndrumri privind rezolvarea problemei 4


De regul, caracteristicile statistice ale tranzistoarelor cu efect de cmp nu sunt indicate n indrumare.
n locul lor se indic cteva puncte de baz pentru caracteristici, care permit prin metoda grafico-analitic
construirea lor.
De exemplu caracteristica de transfer I D f (U GS ) U DS const. poate fi scris n modul urmator:

I D I D max . (

U GS U bloc 2
)
U GS max . U bloc

(5.27)

unde U D max . ;U GS max . ;U bloc. prezint punctele de baz ale caracteristicii statice prezentate shematic n
fig.5.8.
Pentru tranzistoarele cu efect de cmp cu jonciune p-n se consider U GS max . 0 . Pentru tranzistoarele
tip MOS U GS max . nu se indic n ndrumar, dar poate fi determinat conform tensiunii grilei U GS care
corespunde curentului dat (de exemplu I D 5mA ) sau conform curentului drenei I D* , ce corespunde
tensiunii pe gril U GS 0 (curentul iniial). n acest scop ecuaia (5.27) este rezolvat relativ de U GS max .
Subliniem c pentru tranzistoarele tip MOS cu canal indus tensiunea de blocare este numit tensiune de
prag.
La construirea caracteristicii statice atragem atenia la polaritatea tensiunilor aplicate la tranzistor.
n sarcin la teza de an sunt tranzistoare cu canal p i n. Din aceste considerente pot fi diferite combinri
ale direciilor curenilor.

Fig.5.8. Caracteristica de transfer pentru tranzistorul cu efect de cmp.


Familia caracteristicilor de ieire se construiete n coordonatele I D f (U DS ) | U GS const . n regim activ
de funcionare a tranzistorului, curentul drenei nu depinde de tensiunea aplicat la dren. Aceasta ne
permite s trasm caracteristicile paralel cu axa tensiunii. n fig.5.9 aceste curbe sunt indicate punctat.

Regimului activ de funcionare a tranzistorului cu efect de cmp i corespunde U DS U GS U bloc . Marcnd


aceste puncte U D ce corespund diferitelor valori ale U GS , obinem pe desen punctele 1,2,3,4. Ca rezultat
vom obine caracteristica static a tranzistorului. Conform punctului de funcionare ( I Do ,U Do ) i valorii
rezistenei sarcinii (sau valorii tensiunii de alimentare) putem trasa dreapta de sarcin. Procedura este
analogic rezolvrii problemei 1 cu excepia c este necesar s se determine valoarea I Do :

Fig.5.9. Caracteristica de ieire pentru tranzistorul cu efect de cmp.

| E D | | U DSo |
(28)
RS
Pe familia caracteristicilor de ieire i transfer notm punctul de funcionare al tranzistorului.
Regiunea valorilor admisibile ale tensiunilor i curenilor este mrginit din stnga prin punctele 1,2,3,4, iar
din dreapta cu valorile puterii admisibile ce poate fi mprtiat pe drena tranzistorului. Caracteristica
puterii mprtiate prezint o hiperbol care este descris cu ajutorul ecuaiei urmatoare:
I Do

PDimpr I DU DS

(29)

La trasarea diagramelor curenilor i tensiunilor n timp este posibil apariia distorsiunilor


semnalului amplificat din cauza c punctul de funcionare se deplaseaz n regim interzis. n atare caz vom
micora amplitudinea semnalului de intrare U GSm pn la valoarea care permite funcionarea dispozitivului
electronic n regim normal. Anume pentru valoarea acestei amplitudini a semnalului vom determina
parametrii de baz i vom construi diagramele curenilor i tensiunilor ca funcie de timp.
Pentru a determina coeficientul de amplificare este necesar de a utiliza valoarea medie a curentului
drenei
I I Dm
(30)
I Dm Dm
2
unde I Dm este amplitudinea semioperioadei pozitive a semnalului, iar I Dm amplitudinea semnalului
pentru semiperioada negativ.
Panta medie a dispozitivului
S med . I Dm / U GSm

(31)

Coeficientul de amplificare dup tensiune pentru etajul de amplificare

KU S med . RS

(32)

Valoarea curentului de intrare este determinat de rezistorul din circuitul grilei RG , prin care se
amplific tensiunea constant la gril U GSo . De regul RG 10 6 Ohm . La aa condiie coeficientul de
amplificare dup curent al dispozitivului
K I I Dm / I Gm ( I Dm RG ) / U GSm S med . RG

(33)

Amplificarea etajului dup putere


K P K I KU

(34)

Dac determinm rezistena de intrare a tranzistorului conform caracteristicilor statice obinem c


ea este infinit. n realitate RI 10 4...105 Ohm .

5.4.1. Exemplu de rezolvare a problemei 4


Trasarea caracteristicilor statice ale tranzistorului o vom ilustra pentru tranzistorul I (canal
tip-n).
Conform ndrumarului, tranzistorul posed urmtorii parametri de baz: U bloc 3V ;U GS 1V (la
valori I D 5mA ); I D max 10mA;U DS max 15V .
Conform datelor expuse mai sus putem determina valoarea tensiunii U GS max ce corespunde I D max
dup formula:

U GS max U bloc
sau

U GS max 3

U GS U bloc
(5[mA] / I D max [mA])1 / 2

1 (3)

1/ 2
Ecuaia caracteristicii cutate are forma:
U 3 2
I D 10 ( GS
)
5.6
Completm tabelul:

I D , mA
U GS ,V

0.32

1.3

2.9

5.0

7.9

9.6

-3

-2

-1

1.0

2.0

2.5

Tabelului i corespund dependenele trasate n fig.5.10.


Dei conform datelor teoretice curentul electronilor are reacie negativ, toate caracteristicile sunt
desenate n partea de sus a axelor de coordonate, adic curentul drenei este plasat pe coordonata +y.
ntre valorile de limit I D 10mA i U DS max 15V trasm familia de caracteristici de ieire a
dispozitivului. Dac acum vom trasa dreptele paralele axei X cu interval I D (de exemplu 2 mA), vom
obine familia de caracteristici cu intervalul valorilor U GS diferit. Putem trasa caracteristicile i cu
interval egal al tensiunilor U GS de exemplu 1 V.

Fig.5.10. Caracteristica ID =f(UGS) pentru tranzistorul analizat n problema 4.


Determinm acum coordonatele punctelor ce corespund regimului de blocare al tranzistorului:
punctul 1 are coordonatele U D 2.5 (3) 5.5 V
punctul 2 are coordonatele U D 2.0 (3) 5.0 V
punctul 3 are coordonatele U D 1.0 (3) 4.0V
Trasm acum razele din originea coordonatelor n punctele obinute 1,2,6 i obinem familia de
caracteristici cutat.
Dac comparm acum rezultatele obinute cu familiile de caracteristici reale prezentate n anex
observm, c ele corespund satisfctor n prim aproximaie.
Trasarea dreptei de sarcin i a diagramelor pentru tensiune i curent n timp este efectuat analogic
problemei nr.1 (fig.5.11).

fig.5.11. Familia de caracteristici de ieire pentru tranzistorul analizat n problema 4.


Fie, de exemplu E D 14V ; RS 2kOhm;U GSm 2V i U GSo 0 V. Punctul de funcionare se afl n
poziia 0. Subliniem c valoarea U GSm 2V este luat arbitrar i n variantele problemelor nu se ntlnete.
La construirea diagramelor n timp, vedem c pentru U GSm 2V apar distorsiuni neliniare ale semnalului
amplificat din cauza c punctul de funcionare se plaseaz n regiunea ohmic a familiilor de caracteristici.
Din aceste considerente micorm amplitudinea tensiunii pe gril U GSm 1V . n aa caz distorsiunile
dispar. Determinm dup curbele caracteristicilor valoarea I Dm 1.8mA( I Dm I Dm ) . Acum putem s
determinm valoarea medie a pantei tranzistorului:
S med 1.8 10 3 / 1 1.8mSm

Utiliznd datele obinute putem s scriem urmtoarele:


- coeficientul de amplificare dup tensiune pentru dispozitivul analizat KU 1.8 10 3 2 103 ;
- rezistena de intrare Rint r . RG 1MOhm ;
-

amplitudinea curentului grilei I Gm 1 / 10 6 1A ;

coeficientul de amplificare dup curent K I 1.8 10 3 / 1 10 6 1800 ;


coeficientul de amplificare dup putere K P 1800 3.6 6480 ;
Schema cuplrii tranzistorului este prezentat n fig.5.12.

fig.5.12. Schema cuplrii tranzistorului conform datelor problemei.


5.5. ndrumri privind rezolvarea problemei 5
Pentru tranzistoarele cu efect de cmp la frecvene joase se determin numai doi parametri de baz:
Panta caracteristicii de transfer S (I D / U GS ) | U GS const. i
Rezistena de ieire Ri (U DS / I D ) | U GS const.
Pentru atare analiz rezistena de intrare se consider egal cu nominala RG i egal cu 1 MOhm.
Parametrii S i Ri sunt determinai de unghiul de nclinare al caracteristicilor de transfer i de ieire
pentru punctul dat de funcionare. Ca i n cazul tranzistoarelor bipolare valorile I i U sunt luate
20% de la nominal n punctul de funcionare. Lund n considerare c caracteristicile de ieire au o
nclinare foarte redus, deseori vom fi nevoii s mrim considerabil valoarea U DS .
Schema echivalent a tranzistorului va avea forma prezentat n fig.5.13. Deseori neglijm cu
valoarea rezistenei de intrare i atunci tranzistorul cu efect de cmp poate fi modelat doar prin intermediul
circuitului de ieire.

fig.5.13. Schema echivalent a tranzistorului cu efect de cmp la frecven joas.


Calculele respective ale parametrilor tranzistorului cu efect de cmp la frecvene nalte este efectuat
cu ajutorul schemei echivalente prezentate n fig.5.14. Toate elementele acestei scheme nu depind de
frecven. Circuitul grilei este modelat prin capacitatea CGS i rezistena canalului rC . Circuitul de ieire se
modeleaz prin rezistena canalului curentului alternativ Ri . Reacia ntre intrarea i ieirea tranzistorului
se determin de capacitatea CGD . Nominalele acestor capaciti sunt indicate n ndrumare, iar Ri poate fi
5

acceptat egal cu 10 Ohm . Valorile r0 sunt indicate n anexa 5. Subliniem c deseori valorile CGS i C SD
sunt egale.

fig.5.14. Schema echivalent (fizic) pentru tranzistorul cu efect de cmp.


O particularitate important a schemei prezentate este faptul c generatorul echivalent depinde de tensiunea
aplicat direct pe gril U 1GS i nu depinde de tensiunea de intrare U GS . Anume aceast particularitate i
reflect dependenele reale de frecven a parametrilor dispozitivului ( S i Rint r ). Utiliznd schema
echivalent, putem efectua unele calcule importante. De exemplu, putem determina componenta activ
pentru conductibilitatea de intrare a tranzistorului la frecven nalt conform formulei:

1/ G Rint r ( F 1)

1 k2
r0
k2

(35)

sau modulul pantei tranzistorului

| S |

S0
1 k2

(36)

unde k rC CGS ( - fecvena de funcionare) iar S 0 - valoarea pantei la frecven joas.


5.5.1 Exemplu de rezolvare a problemei 5.
Prima parte a problemei se rezolv cu ajutorul caracteristicelor prezentate n anexa 4.
Fie I D0 3 mA; U DS0 8V . Presupunnd I D0 0,2 3 10 3 0,6 mA U DS 0,2 8 1,6 V.
Determinm cu ajutorul caracteristicii de transfer S I D / U GS 0,6 10 3 / 0,3 2mS .
Conform familiei de caracteristici de ieire determinm acum valoarea
RI U DS / I D 1,6 /(0,08 10 2 ) 20kOhm .
Schema echivalent respectiv e prezentat n figura 5.14.
Cu ajutorul parametrilor tranzistorului la frecven nalt (vezi ndrumarul) putem determina
elementele schemei echivalente fizice prezentate n fig. 5.15. Calculm acum pentru frecvena 100 MHz
valoarea k=rCCGS=6,310850710-12=0,22. Acum putem determina componenta activ pentru
conductibilitatea de intrare: Rintr.=1/gintr.=50/0,05=1 kOhm. Cunoscnd datele respective, determinm i
valoarea pantei pentru tranzistorul analizat:
S 2.10 3 / 1 0.05 2 mS .
Rezult c odat cu creterea frecvenei panta variaz foarte slab, iar rezistena de intrare a
tranzistorului se micoreaz (cade valoarea coeficientului de amplificare al etajului). n cazul analizat KI se
micoreaz de 1000 ori fa de parametrul su la frecven joas, iar KP (100 MHz)=6,5.

Fig. 5.15. Schema echivalent fizic pentru problema 5.


5.6. ndrumri privind rezolvarea problemei 6.
La valori reduse ale tensiunii drenei, tranzistorul cu efect de cmp prezint un rezistor liniar nominala
cruia depinde de potenialul aplicat la gril. Pe caracteristicile de ieire aceast regiune este numit
ohmic sau tip triod.
Schema unui atenuator al semnalului alternativ, care utilizeaz regimul indicat al tranzistorului cu
efect de cmp este prezentat n fig. 5.16.

fig. 5.16. Schema unui atenuator de semnal n baza tranzistorului cu efect de cmp.
Proprietile de regulator sunt descrise de ecuaia: R~=f(UGS), unde R~ reprezint rezistena
tranzistorului pentru curent alternativ n regimul de funcionare ales. Caracteristica este trasat prin
calcularea nclinrii poriunii iniiale a caracteristicelor de ieire pentru diferite valori ale UGS. Puterea
2
semnalului la ieirea atenuatorului Pies. U ies
. / 2 R ~ . Puterea de dirijare la intrarea regulatorului se
2
determin ca Pdir. U GS
/ RG . Tensiunea continu UGS i valoarea amplitudinii semnalului Uie. , practic
sunt identice (de ordinul U0). Rezult c coeficientul de amplificare dup putere (maxim) al regulatorului
KPmax=RD/2R~min.

5.6.1. Exemplu de rezolvare a problemei 6.


Conform caracteristicelor statice ale dispozitivului (fig.5.11. coordonatele punctelor 1...6)
determinm 6 valori ale rezistenei tranzistorului n regim ohmic:
R~(1)=5,5/(9,6 10-3)=0,57 kOhm (UG=+2,5 V);
R~(2)=5/(7,9 10-3)=0,63 kOhm

(UG=+2,0 V) etc.

Ca rezultat obinem dependena trasat n fig.5.17. Amplificarea maxim a regulatorului


KPMax=106/570=1750.

fig.5.17. Caracteristica regulatorului conform datelor primite n problema 6.

Anexa 1
ABREVIERI UTILIZATE N LUCRARE
EC
RS
IB=
ImB
IC=
ICmax
ICmin
ImC
UBE=
UBEMax
UBEMin
UBE
UCE=
UCEMax
UCEMin
UBEm
UCEm
KI
KU
KP
Rintr.
Ries.
h11E

-tensiunea sursei de alimentare n circuitul colectorului tranzistorului;


-rezistena ativ a sarcinii;
-componenta continu a curentului bazei (punctul de funcionare);
-amplitudinea componentei alternative pentru curentul bazei;
-componenta continu a curentului colectorului (punctul de funcionare);
-valoarea maxim a curentului colectorului;
-valoarea minim a curentului colectorului;
-amplitudinea componentei alternative pentru curentul colectorului;
-componenta continu pentru tensiunea bazei (punctul de funcionare);
-valoarea maxim pentru tensiune aplicat la baza tranzistorului;
-valoarea minim pentru tensiune aplicat la baza tranzistorului;
-amplitudinea componentei alternative pentru tensiunea aplicat la baza tranzistorului;
-componenta continu a tensiunii aplicate la colector (punctul de funcionare);
-valoarea maxim pentru tensiunea aplicat la colector;
-valoarea minim pentru tensiunea aplicat la colector;
-amplitudinea tensiunii aplicate la jonciunea emitorului;
-amplitudinea tensiunii aplicate la jonciunea colectorului;
-coeficientul de amplificare dup curent;
-coeficientul de amplificare dup tensiune;
-coeficientul de amplificare dup putere;
-rezistena de intrare a tranzistorului dup curentul alternativ n regim de funcionare;
-rezistena de ieire a tranzistorului dup curentul alternativ n regim de funcionare;
-rezistena de intrare a tranzistorului dup curentul alternativ, determinat n regim de scurt
circuit la ieirea tanzistorului cuplat n schema emitor comun.
h22E
-conductibilitatea de ieire a tranzistorului dup curentul alternativ, determinat n regim de
mers n gol la intrarea tranzistorului cuplat n schema emitor comun (rCE=1/h22E).
h21E
-coeficientul de transfer al curentului, determinat n regim de scurt circuit dup curent
alternativ la intrarea tranzistorului cuplat cu emitor comun. Pentru schema cuplrii baz
comun h21(BC)=, emitor comun h21(EC)=, iar colector comun h21(CC)= *. ntre aceti
coeficieni exist urmtoarea relaie:
= /(1- ); *=1+ ;
PR~
-puterea util disipat pe rezistena sarcinii;
PC
-puterea disipat n circuitul colectorului;
C=rBCC1-constanta de timp pentru reeaua de reacie a tranzistorului;
CC1
-partea activ a capacitii jonciunii colectorului tranzistorului;
CC
-capacitatea total a jonciunii colectorului tranzistorului;
rB
-rezistena bazei tranzistorului;
flim
-frecvena de limit a tranzistorului;
SP
-panta tranzistorului dup jonciunea emitorului;
ED
-tensiunea de alimentare n circuitul drenei;
ID0
-curentul drenei n punctul de funcionare;
IDm
-amplitudinea componenetei alternative a curentului drenei;
UDS0
-tensiunea pe drena tranzistorului n punctul de funcionare;
UDSm -amplitudinea tensiunii alternative aplicate la drena tranzistorului;
IDmax
-valoarea maxim a curentului drenei;
UDSmax -valoarea tensiunii pe dren ce corespunde curentului respectiv;
Ubloc.
-tensiunea de blocare a tranzistorului;
Pimpr. -puterea disipat pe tranzistor;

UG2
CGS
CGD
CDS
rC
Ri=RSD
UDSMax
R~
S
S

-tensiunea pe grila 2 pentru tranzistor cu efect de cmp tip triod;


-capacitatea gril-surs;
-capacitatea gril-dren;
-capacitatea dren-surs;
-rezistena canalului prin care se ncarc capacitatea drenei;
-rezistena dren-surs dup curent alternativ;
-tensiunea maxim admisibil dren-surs;
-rezistena canalului tranzistorului cu efect de cmp pentru curent alternativ;
-panta tranzistorului cu efect de cmp;
-modulul pantei tranzistorului cu efect de cmp la frecven nalt.

Anexa 2
Ilustrarea tranzistoarelor cu efect de cmp n circuite.

1. Tranzistor cu efect de cmp cu jonciune PN (canal tip P)

2. Tranzistor cu efect de cmp cu jonciune PN (canal tip N)

3. Tranzistor cu efect de cmp tip MOS cu canal intercalat (canal tip N).

4. Tranzistor cu efect de cmp tip MOS (tetrod MOS cu canal intercalat tip N)

5. Tranzistor cu efect de cmp tip MOS cu canal indus (canal tip P)

Anexa 3
Parametrii de baz pentru tranzistoarele cu efect de cmp.
Tip
103
103
103
301
302
303
305
305
306
305

Ubloc.

UDmax

2,5
1,0
5,0
-4,0
-10
-2,0
-6
-6
-6
-6

1,5
1,0
7,5
15,0
-33
-2,5
-15
-15
-20
-30

UGS(ID=5mA)
-6
1,0
0
-3
3,5*

UDSmax,
V
-15
-15
-10
-20
20
30
15
15
20
15

Pimpr.
mV
120
120
120
200
300
200
150
150
150
200

CGS
pF
17
20
30
3,5
20
6
5
5
5
6

CCD
pF
8
8
8
1
8
2
0,8
0,8
0,07
0,06

rC
Ohm
100
30
60
200
60
100
80
80
50
50

Anexa 4.
Caracteristicele statice pentru tranzistoarele bipolare i cu efect de cmp utilizate la
ndeplinirea tezei de an.
Atenie! Caracteristicele de ieire pentru tranzistoare posed urmtoarele nuane. Este indicat
valoarea parametrului de ieire pentru o singur curb. Parametrii pentru alte curbe sunt determinate prin
adunare sau scdere a devierilor constante (IB sau UGS).

fig.A.1. Caracteristica de intrare IB=f(UBE), unde UCE=5 V pentru tranzistorul bipolar KT603A.

fig.A.2. Caracteristica de intrare IB=f(UBE), unde UCE=0 V pentru tranzistorul bipolar KT603A.

fig.A.3. Caracteristica de ieire IC=f(UCE), unde IB=const. pentru tranzistorul bipolar KT603A.

fig.A.4. Caracteristica de ieire IC=f(UCE), unde IB=const. pentru tranzistorul bipolar KT601A.

fig.A.5. Caracteristica de intrare IB=f(UBE), unde UCE=10 V. pentru tranzistorul bipolar KT601A.

fig.A.6. Caracteristica de intrare IB=f(UBE), unde UCE=0 V. pentru tranzistorul bipolar KT601A.

fig.A.7. Caracteristica de transfer ID=f(UGS), unde UDS=8 V. pentru tranzistorul cu efect de cmp.
313.

fig.A.8. Caracteristica de ieire ID=f(UDS), unde UGS=const. pentru tranzistorul cu efect de cmp.
313.

fig.A.9. Caracteristica de transfer ID=f(UGS), unde UDS=8V. pentru tranzistorul cu efect de cmp
302.

fig.A.10. Caracteristica de ieire ID=f(UDS), unde UGS=const. pentru tranzistorul cu efect de cmp
302.

Anexa 5.
Datele iniiale pentru rezolvarea problemelor.
Tabelul A.1
Nr. UCE=
var
V
1
2
20
1
20
2
20
3
20
4
20
5
30
6
30
7
30
8
30
9
30
10
40
11
40
12
40
13
40
14
40
15
50
16
50
17
50
18
50
19
50
20
60
21
60
22
60
23
60
24
70
25

IC
mA
3
10
20
28
32
44
10
20
30
35
47
10
20
30
40
48
10
20
30
40
50
10
20
31
42
20

Remarc
4
S se utilizeze
tranzistorul bipolar
KT601A care
posed urmtorii
parametri la
frecven nalt:
||=2;
f=20 MHz
CC=15 pF
CE=75 pF
C=600 ps
IC=6 mA
=3
(Vezi an. 4.)

ED
V
5
-15
-15
-15
-15
-10
-10
-20
-20
-20
-20
-

RS
kOhm
6
5
13
18
3
7
5
3
7
5
1,5
2,5
2
0,5
2,5
1

ID0
mA
7
1
1
0,5
0,5
0,5
3,5
3,5
2
2
2
2
2
1
1
1
8
8
5
5
5
16
16
8
8
8

UDS0
V
8
-7,5
-7,5
6
-6
-6
-5
-5
-3
-3
-3
-5
-5
-6
-6
-6
-7
-7
-10
-10
-10
16
16
14
14
14

UGSm
V
9
1
1
2
2
2
0,2
0,2
0,4
0,4
0,4
1
1
1,5
1,5
1,5
2
2
3
3
3
2
2
4
4
4

TEC
10
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
103
301
301
301
301
301
301
301
301
301
301

26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50

5
5
5
5
5
7,5
7,5
7,5
7,5
7,5
10
10
10
10
10
15
15
15
15
15
20
20
20
20
20

40
90
130
180
200
45
70
120
200
225
10
45
80
100
150
15
50
85
115
140
15
55
95
125
155

S se utilizeze
tranzistorul bipolar
KT603A care
posed urmtorii
parametri la
frecven nalt:
||=2;
f=100 MHz
CC=10 pF
CE=30 pF
C=400 ps
IC=30 mA
=3
(Vezi an. 4.)

30
20
15
15
15
15
20
15
15
15
-

5
12
10
1,8
2,5
2
1,8
2,5
2
1,2
2,2
1,6
1
1,2
1,0

1,7
1,7
1,2
1,2
1,2
2
2
1
1
1
5
2
2
2
2
10
5
5
5
5
10
5
5
3
3

6
6
10
10
10
12
12
10
10
10
13
13
10
10
10
15
14
14
11
14
10
10
12
12
12

0,2
0,2
0,4
0,4
0,4
1
1
2
2
2
1
1
2
2
2
1
1
1,5
1,5
1,5
2
2
3
3
3

303
303
303A
303A
303A
305
305
305
305
305
305
305
305
305
305
306
306
306
306
306
350
350
350
350
350

Tabelul A.2.
Nr.
var
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25

EC
RS
V kOhm
2
3
100
2,2
100
2,2
100
2,2
100
2,2
100
2,2
80
1,8
80
1,8
80
1,8
80
1,8
60
1,8
80
1,8
60
1,5
60
1,5
60
1,5
60
1,5
60
2
60
2
60
2
60
3
60
4
40
1
40
1
40
1
40
2
40
2

IB=
mA
4
0,075
0,15
0,15
0,225
0,3
0,075
0,15
0,15
0,225
0,3
0,075
0,15
0,15
0,225
0,3
0,075
0,15
0,15
0,075
0,075
0,075
0,15
0,225
0,075
0,075

IBm
mA
5
0,075
0,075
0,15
0,075
0,075
0,075
0,15
0,15
0,075
0,075
0,075
0,15
0,15
0,075
0,075
0,075
0,15
0,075
0,075
0,075
0,075
0,075
0,075
0,075
0,030

Remarc
6
S se
utilizeze
tranzistorul
KT601A.

ID0
mA
7
0,8
1,3
2,1
3,1
4
1,3
3,1
4
5
6,5
1,4
3,2
5,2
6,6
8,2
2,2
4,2
6,7
8,4
9,8
0,9
2,3
4,3
6,7
10

UDS0
V
8
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
6
6
6
6
6
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8

Remarc
9
S se utilizeze
tranzistorul cu efect de
cmp 313, care
posed urmtorii
parametri:
CGS=7 pF
CGD=1 pF
rC=50 Ohm.

26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50

30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
10
10
10
10
10

0,12
0,12
0,12
0,12
0,12
0,08
0,08
0,08
0,08
0,08
0,07
0,07
0,07
0,07
0,07
0,1
0,1
0,1
0,1
0,1
0,08
0,08
0,08
0,12
0,12

1
1
2
2
3
1
1
2
2
3
1
1
2
2
3
1
1
2
2
3
1
1
2
1
1

0,5
1
1
2
1
0,5
1
1
2
1
0,5
1
1
2
1
0,5
1
1
2
1,5
0,5
1
2
0,5
1

S se
utilizeze
tranzistorul
KT603A.

1
2,4
4,5
6,8
9,7
1
2,5
4,6
6,4
8,5
1,1
2,6
4,7
7
9,9
1,2
2,6
4,7
7
1,2
2,7
4,7
7,1
2,7
4,7

3
3
3
3
3
4
4
4
4
4
5
5
5
5
5
6
6
6
6
7
7
7
7
8
8

S se utilizeze tranzistorul
cu efect de cmp
302, care posed
urmtorii parametri:
CGS=20 pF
CGD=8 pF
rC=20 Ohm.