Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
fabricaia celulelor fotovoltaice. Acest proces tehnologic asigur cel mai ridicat
nivel de eficien a conversiei fotoelectrice, dar este i cel mai costisitor.
Policristalele se obin n urma unui proces de producie mai puin ieftin, constnd
din turnarea siliciului lichid n blocuri, care ulterior sunt tiate n plci subiri. n
procesul de solidificare, se formeaz cristale de diferite dimensiuni i forme, iar la
marginea acestor disting trei
Cristale apar i unele defecte de structur. Ca urmare a acestor defecte, celulele
fotovoltaice fabricate prin aceast metod sunt mai puin eficiente.
Structura amorf se obine prin depunerea unui film extrem de subire de siliciu pe
o suprafa de sticl, sau pe un substrat realizat dintr-un alt material. n acest caz,
solidificarea atomilor nu se realizeaz ntr-o structur cristalin ci sub forma unei
reele atomice cu dispunere neregulat, denumit structur amorf. n aceast
reea atomic apar i numeroase defecte, care diminueazperformanele electrice
ale materialului.
n tabelul alturat sunt prezentate performanele celor trei tipuri de celule
fotovoltaice din punct de vedere al conversiei energiei radiaiei solare n energie
electric:
2.In functie de materialul folosit la constructive
A. Celule pe baz de siliciu
Strat gros
Celule monocristaline (c-Si)
randament mare - n producia n serie se pot atinge pn la peste
20 % randament energetic, tehnic de fabricaie pus la punct; totui
procesul de fabricaie este energofag, ceea ce are o influen negativ
asupra periodei de recuperare (timp n care
echivalentul energiei consumate n procesul de fabricare devine egal
cantitatea de energia generat).
Celule policristaline (mc-Si)
la producia n serie s-a atins deja un randament energetic de peste la
16 %, cosum relativ mic de energie n procesul de fabricaie, i pn
acum cu cel mai bun raport pre performan.
Strat subire
Celule cu siliciu amorf (a-Si)
cel mai mare segment de pia la celule cu strat subire; randament
energetic al modulelor de la 5 la 7 %; nu exist strangulri n
aprovizionare chiar i la o producie de ordinul TeraWatt
Celule pe baz de siliciu cristalin, ex. microcristale (c-Si)
n combinaie cu siliciul amorf randament mare; tehnologia aceeai
ca la siliciul amorf
B. Semiconductoare pe baz de elemente din grupa III-V
Celule cu GaAs
randament mare, foarte stabil la schimbrile de temperatur, la nclzire
o pierdere de putere mai mic dect la celulele cristaline pe baz de siliciu,
robust vizavi de radiaia ultraviolet, tehnologie scump, se utilizeaz de
obicei n industria spaial (GaInP/GaAs, GaAs/Ge)
C. Semiconductoare pe baz de elemente din grupa II-VI
Celule cu CdTe
utilizeaz o tehnologie foarte avantajoas CBD(depunere de staturi subiri
pe suprafee mari n mediu cu pH , temperatur i concentraie de reagent
controlate) ; n laborator s-a atins un randament de 16 %, dar modulele
mai mic dect la legarea n paralel. Pentru protejarea unei celule solare
mpotriva efectului de avalan n jonciune, datorat potenialului mai mare
(aprut de exemplu la umbrirea parial a modulului), trebuie incorporate
paralel cu celulele solare diode de protecie(bypass).
Sistemele de panouri solare sunt nzestrate uneori cu mecanisme de orientare,
panoul fiind n permanen direcionat pentru a exploata la maximum energia
solar incident.
Fabricaia avnd la baz blocuri sau bare de siliciu
Celulele solare obisnuite pot fi confecionate dup mai multe metode de
fabricaie.
Materia prim siliciu este al doilea element chimic din compoziia scoarei
terestre n privina cantitatii. Se regsete n compui chimici cu alte elemente
formnd silicate sau cuar. Siliciul brut numit i siliciu metalurgic se obine din
quar prin topire n furnal.Reducera siliciului se petrece cu ajutorul carbonului
la o temperatura de cca 1700 C, rezultnd la fiecare ton de siliciu metalurgic de
puritate de cca 98-99 % n jur de 1,5 T de CO2. Prin acest procedeu n 2002 s-au
produs 4,1 T siliciu. Mare parte din acesta este utilizat de industrie la fabricare a
oelului i n industria chimic i numai o mic parte n microelectronic i la
fabricarea de celule fotovoltaice.
Din siliciul brut printr-un proces de fabricaie n trepte bazat pe triclorsilan se
obine siliciul policristalin de cea mai mare puritate.
Pn n prezent (2006) n producie se recurge la o tehnologie Siemens bazat pe
un procedeu de tip CVD condensare de vapori de siliciu, procedeu elaborat i
optimizat pentru ramura de microelectronic. n microelectronic cerinele de
calitate sunt total diferite de cele din fabricarea de celule fotovoltaice.
Procedeul de turnare
Acesta se utilizeaz la fabricarea siliciului policristalin. Siliciul pur se topete ntrun cuptor cu inducie dup care se toarn ntr-un recipient de form ptrat n care
se supune la un proces de rcire ct mai lent posibil n cursul cruia vor apare
cristale ct mai mari posibil. Recipientul are dimensiunile 50*50 cm, masa
solidificat avnd nlimea de 30 cm. Blocul astfel solidificat se taie n mai multe
blocuri mai mici cu lungimea de 30 cm. Un alt mod reprezint turnare continu,
procedeu prin care materialul este turnat direct pe support la dimensiunile cerute.
Avantajul const n eliminare pierderilor rezultate din tiere.
Principiu de funcionare
Semiconductoare n principiu sunt construite ca nite fotodiode cu suprafa mare
care ns nu se utilizeaz ca detectoare de radiaii ci ca surs de curent.
Interesant la acest tip de semiconductoare este c prin absorbie de energie (cldur
sau lumin) elibereaz purttori de sarcin (electroni i goluri). Este nevoie de un
cmp electrostatic intern pentru ca din aceti purttori s se creeze un curent
electric dirijndu-i n direcii diferite.
Acest cmp electric intern apare n dreptul unei jonciuni p-n. Pentru c
intensitatea fluxului luminos scade exponenial cu adncimea, aceast jonciune
este necesar s fie ct mai aproape de suprafaa materialului i s se ptrund ct
mai adnc. Aceast jonciune se creeaz prin impurificarea controlat. Pentru a
realiza profilul dorit, n mod normal se impurific n un strat subire de suprafa
i p stratul gros de dedesubt n urma cruia apare jonciunea. Sub aciunea
fotonilor apar cupluri electron-gol n jonciune, din care electronii vor fi accelerai
spre interior, iar golurile spre suprafa. O parte din aceste cupluri electron-gol se
vor recombina n jonciune rezultnd o disipare de cldur, restul curentului