Ministerul Educaiei al Republicii Moldova

Universitatea de Stat din Moldova

Facultatea de Fizic i Inginerie
Catedra de Fizica Aplicat i Informatic

Referat la Dispozitive Optoelectronice

Tema: Diode electroluminiscente.

Elaborat de ctre

Verificat de catre

Studenta an III, gr. 3.1 F

dr. habil.,

Specialitatea fizica

prof. universitar

Cazac Veronica

Gain Petru

Chiinu, 2015
1

Cuprins:
1. Diode electroluminiscente. Definiia. Principiul de
funcionare.

2. Semiconductori.
3. Radiaia luminoas i benzile de energie.
4. Radiaia luminoas i jonciunea pn.
5. Principiul de funionare a unui LED
6. Configuraia spaial a radiaiei LED.
7. Timpul de via, timpul de cretere/descretere i banda
de frecvene
8. Mrimi caracteristice diodelor electroluminiscente
9. Eficiena optic
10.
Metode pentru majorarea eficienei de funcionare
a dispozitivelor.
11.

Aplicaii

1. Diode electroluminiscente. Definiie. Principiul de

funcionare.
Dioda electroluminiscenta (LED-light emitting diode) este o diod semiconductoare ce
emite lumin la polarizarea direct a jonciuni p-n. Efectul este o form de
electroluminescen. Un LED este o sursa de lumina pe o suprafaa mica(mai putin de 1
mm2) adesea cu un sistem optic adaugat pe cip pentru a da o form radiaiei si a ajuta in
reflexie.
Culoarea luminii emise depinde de compoziia si conditiile materialului semiconductor
folosit,si poate fi infrarosu,vizibil sau ultraviolet.De altfel,in afara luminarii,aplicatii
interesante includ folosirea LEDurilor UV pentru sterilizarea apei si dezinfecia
dispozitivelor,si ca o sursa de lumina mai mare pentru a spori fotosinteza plantelor(fig.1 si
fig.2)

LED-ul are ca principiul de funcionare transformarea energiei electrice n energie

luminoas.

2. Semiconductorii.
Semiconductorii sunt materiale ce constau din atomi strns legai ntre ei n cadrul unei
reele cristaline. n fiecare atom exist muli electroni, dar propietile semiconductorului sunt
date doar de electronii care se afl n atomi pe cele mai exterioare orbite(fig.3)

3. Radiaia luminoas i banzile de energie

n semiconductori se disting dou benzi energetice: banda de valen (de energii joase) i
banda de conducie (de energii mai mari). Ele sunt separate printr-o band interzis, Eg , n
care nu exist nici un nivel energetic permis (adic nu poate exista nici un electron).
Prin urmare electronii pot fi ori n banda de valen, ori n banda de conducie, dar nu pot fi ntre
ele(fig.4)

Cnd un electron cade de pe un nivel energetic superior pe unul inferior, el elibereaz o cuant
de energie numit foton. Relaia dintre variaia de energie, E, energia fotonului, Ep i lungimea
de und este:
E = Ep = hc
Aceast idee se pstraz i pentru un semiconductor. Dac un electron excitat cade din banda
de conducie n banda de valen, este eliberat un foton a crui energie, Ep , este mai mare sau
egal cu banda interzis, Eg .
Deoarece la procesul de radiaie pot participa mai multe nivele energetice din banda de
conducie i banda de valen, lungimile de und radiate i pot fi multiple. Prin urmare putem
5

scrie Ep Eg , sau sub o alt form i hc Eg (dac Eg este msurat n eV i n nm, atunci i
1248 Eg ).
Rezultatul acestei radiaii multivalente este un spectru larg, , a luminii emise de un
semiconductor,

Fig.5

Materialele semiconductoare se comport la temperaturi joase ca nite izolatori, un

cmp electric aplicat nu poate mica electronii deoarece ei nu au n vecintate stri energetice
libere n care s poat trece pe seama energiei primite de la cmp. La temperaturi ridicate ns,
chiar la temperatura camerei, un numr important de electroni pot trece, pe seama energiei
termice, din BV n BC ( de fapt se rupe legtura unui electron cu un atom anume), devenind
liberi s se mite prin cristal

4.

Radiaia luminoas i jonciune p-n

Cnd un semiconductor de tip n este pus n contact cu unul de tip p, se formeaz o

jonctiune p-n. La frontiera jonciunii, electronii difuzeaz din partea n n partea p i se recombin
cu golurile de aici i, n acelai timp, golurile din partea p difuzeaz n partea n i se recombin
cu electronii de aici. n consecin se formeaz o regiune srcit de purttori, n care nu exist
nici electroni liberi, nici goluri libere. Ionii pozitivi din partea n i cei negativi din partea p a
acestei regiuni, rmin necompensai ceea ce determin apariia unui cmp electric intern numit
potenial de contact i descris cantitativ prin tensiunea de srcire (fig.6)

Lucrul cel mai important de reinut este c: recombinarea electron-gol elibereaz o

cuant de energie - un foton. Prin urmare, pentru a face un semiconductor s radieze este
necesar s susinem recombinarea electron-gol. Dar tensiunea de srcire mpiedic electronii
i golurile de a intra n regiunea srcit. Prin urmare trebuie furnizat energie din exterior
pentru a nvinge aceast barier a tensiunii de srcire. Aceast tensiunea exterioar, numit
tensiune direct de polarizare, V, este artat n fig.7 ea trebuie s fie mai mare dect VD.

Pentru a obine o emisie permanent de lumin, trebuie s aib loc urmtorul process
dinamic: electronii mobili din partea n, atrai de terminalul pozitiv al tensiunii V, intr n regiunea
sracit. Simultan, golurile mobile din regiunea p, atrase de terminalul negativ
al tensiunii V, intr in aceeai regiune srcit. Recombinarea electron-gol din interiorul regiunii
srcite produce lumina. Sarcinile electrice se refac din sursa de alimentare.

5. PRINCIPIUL DE FUNCIONARE A UNUI LED

Un LED este o diod semiconductoare care funcioneaz exact pe principiul prezentat mai
sus al emisiei permanente de lumin. Acest concept este demonstrat de circuitul din figura dat
mai jos.
Observaie: recombinarea electron-gol este un proces care are loc n orice diod sau tranzistor.
Care este diferena dintre un LED i o diod obinuit ?

Diferena este c n diodele obinuite, aceast recombinare elibereaz energie sub

form de cldur - nu sub form de lumin (adic ntr-un alt domeniu al spectrului). ntr-un LED,
aceste recombinri elibereaz energie sub form de lumin. Recombinarea generatoare de
caldur se numete neradiativ, n timp ce recombinarea generatoare de lumina se numete
radiativ. n realitate, n orice diod au loc ambele tipuri de recombinri; cnd majoritatea
recombinrilor sunt radiative, avem un LED.
Curentul direct injecteaza electroni n regiunea srcit de purttori, unde ei se recombin cu
golurile n mod radiativ sau neradiativ. Prin urmare, recombinrile neradiative "consum" din
electronii excitai necesari recombinrii radiative, ceea ce scade eficiena procesului. Acest fapt
este caracterizat prin eficiena cuantic intern, int , parametru care arat ce fracie din
numrut total de electroni excitai produce fotoni. Explicaiile de mai sus justific caracteristica
intrare-ieire a unui LED prezentat n fig.8
9

Raionamentul de mai sus poate fi formalizat astfel: puterea luminoas, P, este energia
per secund, adic numrul de fotoni nmulit cu energia unui foton, Ep . Numrul de fotoni este
egal cu numrul de electroni injectai, N, nmulit cu eficiena cuantic intern. Astfel:
P = (NintEp ) /t

Pe de alt parte, numrul de electroni (N) nmulit cu sarcina unuielectron (e) , pe secund, este
intensitatea curentului electric:
I = Ne t
Deci, puterea luminoas radiat va fi:
P = ((It e)intEp ) t = [(intEp e)]I
Dac msurm Ep n electron-voli, eV, i curentul I n mA, atunci:
P(mW) = (intEp (eV))I(mA)
LED-urile comercializate sunt realizate pe heterostructuri, adic dioda este realizat pe mai
muli semiconductori, fiecare avnd o banda interzis diferit.

10

n fig.10 este prezentat o heterostructur fcuta din doi semiconductori diferii.

6. Configuraia spaial a radiaiei LED

Distribuia spatial a puterii radiate este descrisa de

formula: P = P0 cos
unde este unghiul dintre direcia de observaie i dreapta
perpendicular pe suprafaa de radiaie. Jumtate din
puterea unei surse Lambertiene este concentrat

ntr-un

con de 120(fig.11)

11

Spectrul radiaiei unui LED

Lungimea de und radiat depinde de banda interzis a semiconductorului. Nu putem
schimba banda interzis, prin urmare pentru a obine o alt lungime de und trebuie s alegem
un alt semiconductor. O enrgie Eg dorit se obine utiliznd un semiconductor(fig.12)
Cuplajul luminii n fibr
Cheia pentru ct de departe putem transmite lumina printr-o fibra nu este ct de puternica
este sursa ci cit din puterea acesteia putem cupla n interiorul fibrei.
Citirea datelor de catalog ale unui LED
Lungimea de und a radiaiei si ltimea
spectral
Lungimea

de

und

radiat,

adesea

numit

lungimea de unda de vrf, p , este determinat de banda

interzisa, Eg

12

7. Timpul de via, timpul de cretere/descretere i banda

de frecvene
Pentru un LED, acest parametru arat cum urmrete pulsul de lumin de la ieire pulsul
electric modulator de la intrare

Timpul de cretere/descretere este determinat de capacitatea LED-ului (C), de

amplitudinea treptei de curent de la intrare (Ip ) i de timpul de via () i se poate calcula cu
relaia:

t r = [2.2 ( + 1.7 10 T KC )/Ip]

unde TK este temperatura absolut n kelvini (0C = 273K). Pentru o valoare mare a lui
Ip , al doilea termen devine neglijabil i timpul de cretere este determinat, in ultim instan de
timpul de via. Fabricanii prefer s msoare acest timp, valorile tipice ncadrndu-se ntre 2 i
4 ns.

13

14

15

9.Eficiena optica i pierderile de radiaie

Eficiena optic sau eficiena extraciei radiaiei presupune ca o parte ct mai mare din
radiaia rezultant din recombinarea radiant s fie scoas n afara cristalului. Acest proces
este limitat de o serie de pierderi optice care au loc n cristal i la suprafa a lui. n continuare
vom prezenta cteva din fenomenele care reduc eficiena radiaiei emise.
-Autoabsorbia
-Pierderi prin reflexie normal(Fresnel).
-Pierderi prin reflexie total sau pierderi la unghi critic.

10. Metode pentru majorarea eficienei de func ionare a

dispozitivelor.
Eficiena poate fi mrita prin reducerea pierderilor optice la reflecie, adic daca materialul optic
deasupra cristalului are o forma potrivita atunci unghiul Bruster se mare te i mai multa lumina iese
din LED, adica se mareste eficienta. Se mai poate mic ora autoabsorbtia luminei emise prin folosirea
heterojonctiunilor.

11. Aplicaii

Dispozitive care folosesc LED

Surse de lumina
o Felinare de strada
o Lumina decorativa a cladirilor
o Iluminarea ecranelor LCD
o Iluminarea incaperilor
o Lanterne, flash a camerei
o Dispozitive de ridicare a dispozitiei (mood lamps, led cubes, led candles)
Indicatore si semnalizatoare
o Indicatoarele starii unor dispositive
o Semafoare, Indicatoare alphanumerice, Matrice de LED
Transfer de date && izolare galvanica
o Transfer de date IR (remote control), Optocupluri
16