ice

Tranzistoare si surse de curent

alo
g

1). Se da circuitul din Figura 1. Sa se calculeze rezistentele echivalente n nodurile:

a). grila G;
b). drena D;
c). sursa S.
VDD
G

RD

gmVGS

rDS

RD

An

D
S
S

RS

at
e

RS

eg
r

Figura 1

Rezolvare:

In
t

a). Se redeseneaza schema echivalenta de semnal mic ca n Figura 2.

Itest

VD

Vtest

gmVGS

rDS

RD

Ci
r cu
ite

VS

RS

Figura 2

Pentru a calcula rezistenta vazuta n G se aplica tensiunea Vtest n grila tranzistorului.

Rezistenta se poate evalua din raportul dintre Vtest si curentul Itest stabilit prin sursa
de intrare. Datorita rezistentei grila-sursa foarte mari a tranzistorulul MOS, grila
actioneaza ca o ntrerupere, iar Itest este zero. Drept urmare, rezistenta vazuta n grila
tinde la infinit.
b). Se redeseneaza schema de semnal mic ca n Figura 3. Toate conexiunile la o
tensiune constanta devin masa. Rezistenta echivalenta n D se calculeaza din nou ca
si raportul dintre Vtest si Itest .

I1

Itest
Vtest

I2
rDS

RD

ice

gmVGS
VS

alo
g

I1

Figura 3

An

RS

at
e

Teorema lui Kirchhoff pentru curenti si legea lui Ohm duc la urmatorul sistem de
ecuatii:

(1)

In
t

eg
r

Itest = I1 + I2

Vtest

I2 =

RD

Vtest VS
I1 = gm VGS +

rDS

VS

I1 =

RS

V = V
GS
S

Ci
r cu
ite

Eliminand variabilele VS si VGS din ultimele trei ecuatii rezulta expresia curentului I1 .
I1 =

rDS

Vtest
+ RS + gm rDS RS

(2)

Rezulta expresia curentul de test:

Itest =

rDS

Vtest
Vtest
+
+ RS + gm rDS RS
RD

(3)

Rezistenta echivalenta n drena este de forma:

RDech =

Vtest
=
Itest

1
rDS

1
1
+
+ RS + gm rDS RS RD
2

= RD || (rDS + RS + gm rDS RS )

(4)

ice

Considerand rDS si RS mult mai mici decat gm rDS RS , rezistenta echivalenta n D se

poate aproxima:
RDech
= RD || (gm rDS RS )

(5)

alo
g

Se observa ca o rezistenta conectata n sursa tranzistorului se va reflecta n drena

nmultita cu castigul gm rDS al tranzistorului.

An

c). Schema de semnal mic redesenata pentru cazul n care dorim sa calculam rezistenta
echivalenta din suesa este data n Figura 4.

VD

gmVGS

RD

at
e

Vtest

rDS

Itest

eg
r

RS

In
t

Figura 4

Ci
r cu
ite

Scriind din nou teorema lui Kirchhoff pentru curenti si legea lui Ohm se ajunge la
urmatorul sistem de ecuatii:

VD Vtest
Vtest

Itest + gm VGS +
=

rDS
RS

VD Vtest
VD
gm VGS +
+
=0

r
R
DS
D

V = V
GS

(6)

test

Dupa rezolvarea sistemul se obtine:

RSech =
gm +

1
rDS

1
1
1

|| rDS || RS
|| RS
=
=
1
RD + gm rDS RD
gm
gm
+

RS
rDS (rDS + RD )

(7)

ice

2). Se da circuitul din Figura 5. Sa se calculeze rezistentele echivalente n nodurile:

a). baza B;
b). colector C;
c). emitor E.

RC

rBE

C
Q

alo
g

VCC

gmVBE

rCE

E
E

An

RE

RC

at
e

RE

Figura 5

eg
r

Rezolvare:

In
t

a). Pentru calculul rezistentei echivalente vazute n baza este folosita schema echivalenta de semnal mic din Figura 6. Se poate observa ca fata de varianta cu tranzistor
MOS, n acest caz trebuie tinut cont si de rezitenta finita baza-emitor a tranzistorului
bipolar.
Itest
Vtest

Ci
r cu
ite

rBE

VC
gmVBE

rCE

RC

VE

RE

Figura 6

Pe schema de semnal mic se pot scrie teorema lui Kirchhoff pentru curenti, atat n
emitor cat si n colector, mpreuna cu legea lui Ohm. Astfel rezulta sitemul de ecuatii:

ice


1
gm Vtest +
+
RC Itest
rCE RC


VE =
1
RC
1
1
gm +
+
+
rCE RE rCE RC
1

(9)

at
e

An

Din primele doua ecuatii se determina tensiunea VE :

(8)

alo
g

VE
VC VE

= Itest + gm VBE +

RE
rCE

gm VBE + VC VE + VC = 0
rCE
RC

Vtest VE

I
test =

rBE

VBE = Vtest VE


rBE


RC
1
RC
+
+
+
+1
gm +
rCE RE rCE RE
rCE
RC
1
1
+
+
rCE RE rCE RE
1

(10)

In
t

Vtest
=
Itest

eg
r

Inlocuind expresia lui VE n cea de-a treia ecuatie a sistemului se poate obtine raportul
dintre tensiunea Vtest si curentul Itest , dupa cum urmeaza:

Ci
r cu
ite

Deoarece rezistenta colector-emitor a unui tranzistor bipolar este cu cateva ordine de

marime mai mare decat valorile uzuale ale lui RE si RC putem neglija termeni din
ecuatia (10). Astfel expresia aproximativa a RBech devine:
RBech =

Vtest
= rBE + RE + gm rBE RE
Itest

(11)

O alta forma uzuala a RBech este obtinuta daca notam castigul de curent al tranzistorului bipolar cu = gm rBE :
RBech = rBE + RE ( + 1)

(12)

b). Calculul rezistentei echivalente vazute n colector se face pe baza schemei de semnal
mic din Figura 7

I1
gmVBE

I2
RC

rCE

Vtest

ice

rBE

Itest

alo
g

VE

Figura 7

An

RE

at
e

Scriind din nou teorema lui Kirchhoff pentru curenti, legea lui Ohm si explicitand
tensiunea baza-emitor putem scrie urmatorul sistem de ecuatii:

(13)

In
t

eg
r

Itest = I1 + I2

Vtest

I2 =

RC

Vtest VE
I1 = gm VBE +

rCE

VE
VE

I1 +
=

rBE
RE

V = V
BE
E

Ci
r cu
ite

Din ultimele trei ecuatii se poate determina expresia curentului I1 :

I1 =
rCE

Vtest
1 + gm rCE
+
1
1
+
rBE RE

(14)

Inlocuind curentii I1 si I2 n prima ecuatie a sistemului (13) rezulta dependenta tensiunii de test de curentul de test:
Vtest
=
1
Itest
+
RC

1
rCE

1
1 + gm rCE
+
1
1
+
rBE RE

(15)

1
1
1
+
RC gm rCE RE

= RC || (gm rCE RE )

(16)

alo
g

RechC =

ice

T
inand cont de relatia dintre rezistente rBE >> RE si de castigul tranzistorului
gm rCE >> 1, rezulta expresia aproximativa a RCech :

c). Rezistenta RechE se determina folosind schema echivalenta de semnal mic din
Figura 8

rBE

An

VC
gmVBE

rCE

Itest

at
e

Vtest

RC

eg
r

RE

In
t

Figura 8

Teorema lui Kirchhoff pentru curenti si legea lui Ohm ne vor conduce n acest caz la
sitemul de ecuatii (17).

Ci
r cu
ite

VC
VC

g
V
+
+
=0
m
BE

rCE RC

Vtest
Vtest
VC
gm VBE +
+
+ Itest =

rCE
rBE
RE

V = V
BE

(17)

test

Eliminand variabila VC , rezulta raportul tensiunii si a curentului de test, care este chiar
rezitenta vazuta n emitor RechE :
RechE =

Vtest
=
Itest

1
1
rBE

1
1 + gm rCE
+
+
RE
RC + rCE

(18)

gm +

1
1
rBE

1
+
RE

1
|| rCE || rBE || RE
gm

(19)

alo
g

RechE
=

ice

Considerand din nou ca gm rCE 1 si parametrii de semnal mic rBE , rCE sunt cel putin
cu un ordin de marime mai mari decat rezistentele pasive RE si RC , ecuatia (18) devine:

3). Sa se calculeze rezistenta echivalenta Rech vazuta in punctul A. Cat este valoarea
sa pentru rDS = 100k si gm = 1mS.

An

VDD

M3

M2

M5

at
e

M1

M4

Rech

eg
r

M6

M8

In
t

M7

Ci
r cu
ite

Figura 9

Rezolvare:

Rech = {gm3 rDS3 rDS4 } || {rDS5 } || {gm2 rDS2 [rDS1 || rDS8 || (gm7 rDS7 rDS6 )]}
Rech = 5M

(20)

4). Sa se calculeze rezistenta echivalenta Rech vazuta n punctul A. Cat este valoarea
sa pentru 2Vod6 = Vod5 = 200mV , I6 = I3 = 10I, I7 = 9I, I8 = I = 100A, W1 /L1 =
W2 /L2 , W3 /L3 = W4 /L4 si n = 2p = 0, 1V 1 .
Rezolvare: Rezistenta echivalenta vazuta la iesire este:

VDD

M6

ice

M4

M7

M3
Rech

An

M2

alo
g

M5

M8

at
e

M1

eg
r

Figura 10

Ci
r cu
ite

In
t

Rech = Rn ||Rp

1
R = g r
n
m6 DS6 (rDS7 ||rDS8 ) =
5IVod6 2n

Rp = (gm5 rDS5 )(rDS4 ||rDS3 ||rDS1 ||rDS2 ) =

(21)
1
10IVod5 2n

In calcule se tine cont de expresiile transconductantei si a rezistentei drena-sursa de

semnal mic pentru un tranzistor MOS.
gm =

2I
1
, rDS =
Vod
I

(22)

Valoarea numerica este Rech = 1M .

5).
a).
b).
c).

Se da topologia de circuit din Figura 11 si parametrii tranzistoarelor tabelar.

Sa se identifice care tranzistoare sunt surse de curent si care surse de tensiune.
Cine stabileste potentialul n punctul A?
Care sursa de curent se apropie cel mai mult de o sursa ideala?

M2

alo
g

A
M2

50

V1

10

ice

M
1

100

I1
60u

200

M1

10k

M4

10

M3

An

M1
100
200
0.01

M2
50
300
0.02

eg
r

Param
ID [A]
Vod [mV ]
[V 1 ]

at
e

Figura 11

M3
10
250
0.01

M4
200
180
0.01

Rezolvare:

In
t

Tabelul 1: Parametrii tranzistoarelor

Ci
r cu
ite

a). Deoarece tranzistoarele M2 si M3 au drena conectata la nodul A acestea functioneaza ca surse de curent. Pe de alta parte, tranzistoarele M1 si M4 au sursa conectata
la nodul A, deci pot fi privite ca surse de tensiune.
Observatii:

sursele de curent au rezistenta echivalenta de valoare mare (n cazul ideal );

sursele de tensiune au rezistenta echivalenta de valoare mica (n cazul ideal zero);
un nod este considerat de nalta impedanta, daca rezistentele echivalente ale
tuturor componentelor conectate n acel nod sunt de tipul rDS ;
se poate afirma ca un nod este de joasa impedanta, daca exista cel putin o
componenta cu rezistenta de tipul 1/gm cu sursa legata la nod.

10

ice

b). Sursele de tensiune stabilesc potentialul n nodul A, mai precis V1 si tranzistoarele M1 , M4 . Potentialul n A va avea valoarea mai apropiata de valoarea sursei cu
rezistenta echivalenta mai mica, adica sursa mai ideala.

1
Vod
RechS
=
=
gm
2ID

alo
g

Rezistenta unei surse de tensiune implementate cu tranzistor MOS este:

(23)

Sursele de tensiune din schema au rezistenta echivalenta de valorile:

(24)

at
e

An

200m

Rech(M 1) =
= 1k

200

180m
= 450
Rech(M 4) =

400

Rech(V 1) = 10k

eg
r

sursa de tensiune implementata cu tranzistorul M4 este cea mai apropiata de o sursa

ideala, deci va impune potentialul n A.

In
t

c). O sursa de curent ideala are rezistenta sa echivalenta infinita, prin urmare sursa
care are rezistenta mai mare va avea performantele cele mai ridicate. Rezistenta unei
surse de curent imlementate cu tranzistor MOS este:
RechD =

1
ID

(25)

Ci
r cu
ite

Pentru problema de fata avem:

Rech(M 2) =
= 1M

0.02 50

1
Rech(M 3) =
= 10M

0.01 10

Rech(I1) = 10k

(26)

sursa de curent implementata cu tranzistorul M3 este cea mai apropiata de o sursa

ideala.

11

alo
g

ice

6). Se da schema din Figura 12, reprezentand un tranzistor MOS conectat n configuratie de dioda. In urma unei simulari s-a stabilit ca tensiunea de overdrive este 250mV .
a). Sa se demonstreze ca tranzistorul n configuratie de dioda este ntotdeauna n
regim de saturatie.
b). Sa se determine curentul I, astfel ncat Vod = 200mV .
c). Sa se redimensioneze tranzistorul M, pentru I = 70A si Vod = 220mV
d). Cate grade de libertate exista la stabilirea punctului static de functionare?
VDD

W 15
=
L 1

at
e

An

I=100A

Figura 12

eg
r

Rezolvare:

In
t

a). Conditia ca un tranzistor MOS sa fie saturat este:

VDS > Vod , Vod = VGS VT h

(27)

Ci
r cu
ite

Analizand schema se poate vedea ca drena si grila tranzistorului sunt conectate mpreuna, prin urmare:
VDS = VGS

(28)

Din ecuatiile (27) si (28) rezulta inegalitatea ntotdeauna adevarata:

VGS > VGS VT h

(29)

Astfel s-a demonstrat ca tranzistorul M este saturat.

b). Setul de referinta este (I, Vod , W/L) = (100A, 250mV, 15/1), iar setul dorit este
(I , Vod , W/L) = (I , 200mV, 15/1). Din expresia curentului unui tranzistor MOS n
regim saturat scrisa pentru cele doua seturi de parametrii, rezulta:

12

Vod
Vod

2

I = 64A

(30)

ice

I
=
I

I
=
I

W
L



L
W

 

Vod
Vod

2

W
L

alo
g

c). Din nou setul de referinta este (I, Vod , W/L) = (100A, 250mV, 15/1), iar cel
dorit (I , Vod , (W/L) ) = (70A, 220mV, (W/L) ).

10
1

(31)

I=

Cox W 2
Vod
2L

An

d). Exista doua grade de libertate, deoarece al treilea parametru rezulta conform
ecuatiei (32).
(32)

eg
r

at
e

7). Fie circuitul din Figura 13 n care tranzistorul M opereaza n regim saturat.
a). Stiind ca kn = 80A/V 2 , VT h = 400mV , VD = 1, 5V si VG = 1V sa se calculeze
potentialul VX .
b). Sa se redimensioneze schema astfel ncat potentialul n nodul X sa devina VX =
500mV .
c). Daca tensiunea din grila tranzistorului este setata la VG = 1, 1mV , sa se determine
tensiunea minima necesara n drena pentru care tranzistorul mai este saturat.

In
t

VDD=1.5V

Ci
r cu
ite

VG=1V

W 5
=
L 1
VS

I=100A

Figura 13

Rezolvare:

a). Curentul prin tranzistorul M se scrie:

kn W 2
I=
V Vod =
2L od
13

2IL
= 316mV
kn W

(33)

Tensiunea grila-sursa se exprima n functie de tensiunea de overdrive astfel:

alo
g

Tensiunea n sursa tranzistorului este:

(34)

ice

VGS = Vod + VT h = 0.316 + 0.4 = 716mV

VX = VG VGS = 1 0.716 = 284mV

(35)

An

b). Daca se doreste ca punctul static de functionare a tranzistorului sa ramana ne

modificat, atunci tensiunea grila-sursa trebuie sa ramana constanta, VGS = VGS
. Prin
urmare:
VG VX = VG VX VG = 1 0.284 + 0.5 = 1.216V

(36)

at
e

c). Conditia ca un tranzistor MOS sa fie saturat este ca tensiunea sa drena-sursa sa

fie mai mare decat tensiunea de overdrive, iar la limita avem egalitatea:

eg
r

VDSmin = Vod VDmin = VX + Vod

(37)

Din nou, dorim acelasi punct static de functionare, deci VGS = VGS
, de unde obtinem
noua valoare a tensiunii din sursa tranzistorului:

In
t

VG VX = VG VX VX = 1.1 1 + 0.284 = 0.384V

(38)

Tensiunea minima n drena VDmin rezulta:

Ci
r cu
ite

VDmin = 0, 384 + 0, 316 = 0, 7V

(39)

8). Se da circuitul din Figura 14. Printr-o simulare de punct static de functionare
s-a obtinut valoarea tensiunii de overdrive Vod = 250mV , pentru un tranzistor avand
geometria W/L = 30m/1m, n care s-a injectat un curent de 50A.
a). Sa se determine curentul prin tranzistor, daca dimensiunea sa ramane aceeasi, dar
tensiunea de overdrive se modifica la Vod = 200mV .
b). Sa se redimensioneze tranzistorul astfel ncat un curent de 90A sa produca o
tensiune de overdrive de 230mV .
c). Care este numarul de tranzistoare unitate care trebuie conectate n paralel, necesare
pentru a avea un curent total de 209A. Tranzistorul unitate are W/L = 20m/1m
si Vod = 280mV .
Solutie:

14

VDD
M

ice

W 30
=
L 1

alo
g

I=50A

An

Figura 14

at
e

a). I = 32A
b). W /L = 63, 8m/1m
c). Iunit = 41, 8A, Itotal /Iunit = 5

eg
r

9). Pentru circuitul din Figura 15 sa se calculeze curentul I si sa se precizeze regimul de

functionare a tranzistoarelor. In calculele numerice se considera cunoscute R = 28k,
kn = 3 kp = 90A/V 2 , VT hp = 700mV , VT hn = 500mV si W p/Lp = 3 W n/Ln =
45m/0, 5m.

Ci
r cu
ite

In
t

VDD
M2

M1

Figura 15

Rezolvare:

Analizand circuitul putem scrie urmatoarea relatie:

15

VDD = VSG2 + RI + VGS2

|VT hp | +

I
+ RI + VT hn + +
p

I
= VDD
n

(40)

ice

kn W 1
kp W 2
si p =
.
2L1
2L2
Rearanj
am relatia anterioara astfel ncat sa obtinem o ecuatie de gradul 2 cu necunoscuta I:

RI +

1
1
+p
n
p

(VDD VT hn |VT hp |) = 0

An

alo
g

Unde n =

(41)

Inlocuind valorile numerice si rezolvand ecuatia, rezulta valoarea curentului de 50,4A.

at
e

Conditia de saturatie a unui tranzistor NMOS este ca VDS > VGS VT h . Deoarece,
n cazul circuitului analizat avem VG = VD , rezulta ndeplinirea conditiei de saturatie.
Pin urmare, atat tranzistorul NMOS, cat si cel PMOS sunt n regimul saturat.

In
t

eg
r

10). Sa se dimensioneze tranzistoarele M1 , M2 si M3 pentru ca sursele de curent

implementate de acestea sa furnizeze 105A, 45A, respectiv 30A. Se stie: Vbiasn =
750mV , VT hn = 500mV si kn = 120A/V 2 .

105A

45A

M1

M2

Ci
r cu
ite

Vbiasn

30A
M3

Figura 16

Rezolvare:

Calculam cel mai mic divizor comun al numerelor care reprezinta curentii doriti. Astfel,
cmmdc(105A, 45A, 30A)=15A. Trebuie sa dimensionam un tranzistor, asa numit
unitate, care are curentul de drena Iunit = 15A si o tensiune de overdrive rezultata
din valoarea lui Vbiasn . Tensiunea de overdrive este:
Vod = VGS VT h = Vbiasn VT h = 250mV

16

(42)

Pentru curentul unitate si tensiunea de overdrive gasita avem:

kn Wunit 2
V
2Lunit od

Wunit
4
=
Lunit
1

(43)

ice

Iunit =

alo
g

Raportul latime pe lungime a lui M1 , M2 si M3 se determina nmultind Wunit /Lunit a

tranzistorului unitate cu multiplicatorul corespunzator curentului dorit.
Wunit
4
W2
4
W3
4
W1
= m1
=7
,
=3
,
=2
L1
Lunit
1
L2
1
L3
1

(44)

An

11). Se da sursa de curent cu tranzistor MOS si degenerare rezistiva din Figura 17 a).
Valoarea transconductantei este gm = 500S, a rezistentei drena-sursa rDS = 100k
si a rezistentei pasive este R = 1k. Sa se calculeze rezistenta de iesire a sursei de
curent.

at
e

Iout

Iout
M

In
t

eg
r

VG

gmVGS

a)

Vout
rDS

Iout
R

b)

Ci
r cu
ite

Figura 17

Rezolvare:

Schema de semnal mic este data n Figura 17 b). Tensiunea de iesire reprezinta caderea
de tensiune pe rezistenta drena-sursa a tranzistorului nsumata cu cea pe rezistenta R,
conform ecuatiei (45).

(
Vout = rDS (Iout gm VGS ) + RIout
VGS = RIout

(45)

Rezistenta de iesire echivalenta a sursei de curent este egala cu raportul tensiunii si a

curentului de iesire:

17

Vout
= R + rDS + gm rDS R = 150k
Iout

(46)

ice

Rout =

alo
g

12). Schema sursei de curent cascoda MOS este data n Figura 18 a). Se cunosc:
valoarea transconductantei gm = 500S si a rezistentei drena-sursa rDS = 100k. Sa
se calculeze rezistenta de iesire a acestei surse de curent.
Iout

Vout

VG1

M2

rDS2

Iout
M1

gm1VGS1

rDS1

at
e

VG2

gm2VGS2

An

Iout

b)

eg
r

a)

Figura 18

In
t

Rezolvare:

Schema de semnal mic este desenta n Figura 18 b). Pentru a gasi Rout se scrie
urmatorul sistem de ecuatii:

Ci
r cu
ite

Vout = rDS1 (Iout gm VGS1 ) + rDS2 (Iout gm VGS2 )

VGS1 = VG1 VS1 = 0

VGS2 = VG2 VS2 = rDS1 (Iout gm VGS1 ) = rDS1 Iout

(47)

Rezolvand sistemul de ecuatii obtinem:

Rout =

Vout
= rDS1 + rDS2 + gm rDS2 rDS1 = 5M
Iout

(48)

13). Sa se repete problema anterioara pentru cazul n care tranzistorul cascoda M2

se nlocuieste cu unul bipolar. Se mbunatatesc performantele circuitului? Se cunosc:
pentru tranzistorul MOS gm = 500S, rDS = 100k, Vod = 200mV si pentru cel
bipolar rCE = 100k, VT = 25mV .

18

Iout
VB2
Iout
VB2

rBE2

gm2VBE2

rCE2

Q2

M1

gm1VGS1

a)

b)
Figura 19

at
e

Rezolvare:

rDS1

An

VG1

alo
g

Iout

ice

Vout

eg
r

Se calculeaza transconductanta unui tranzistor MOS si a unuia bipolar pentru un curent

de drena, respectiv colector, de aceeasi valoare.

(49)

In
t

2I
I

gmM OS = V = 100m
od

gmT B = I = I
VT
25m

Ci
r cu
ite

Comparand valorile transconductantelor, rezulta ca gmT B = 4gmM OS . Prin urmare,

rezistenta de iesire a sursei de curent cu tranzistor cascoda bipolar este de patru ori
mai mare decat cea a variantei MOS.
Rout = rDS1 + rCE2 + gmT B rCE2 rDS1 = 20M

(50)

14). Fie schema sursei de curent cu rezistenta de iesire marita din Figura 20 a). Cunoscandu-se gm = 500S, rDS = 100k si a = 25, sa se calculeze valoarea rezistentei de
iesire a sursei de curent. Sa se dea o posibila implementare a schemei amplidicatorului
la nivel de tranzistor.
Rezolvare:

Folosind schema echivalenta de semnal mic din Figura 20 b), se pot scrie teorema lui
Kirchhoff pentru curenti si legea lui Ohm:

19

Iout
VG2

Vout

Vct

VG2

M2

-a

VS2

gm1VGS1

M1

a)

rDS1

An

VG1

Iout

alo
g

VS2

rDS2

ice

gm2VGS2

Iout

b)

at
e

Figura 20

eg
r

Vout = rDS1 (Iout gm VGS1 ) + rDS2 (Iout gm VGS2 )

VGS1 = VG1 VS1 = 0

VGS2 = VG2 VS2 = aVS2 VS2 = (a + 1) rDS1 Iout

(51)

Rout =

In
t

Inlocuind expresiile lui VGS1 si VGS2 n prima ecuatie a sistemului, rezulta Rout :
Vout
= rDS1 + rDS2 + (a + 1) gm rDS2 rDS1 = 125M
Iout

(52)

Ci
r cu
ite

Amplificatorul se poate implementa cu tranzistoarele M3 si M4 . Structura reprezinta

un amplificator inversor cu sarcina sursa de curent (M4 ), unde tranzistorul de intrare
este n conexiune de sursa comuna (M4 ).

20

VDD
Iout
Vout

Iout

VG2

gm4VGS4

rDS4

ice

M4

gm2VGS2

M2
VG2

VS2

VG1

gm3VGS3

M1

Ci
r cu
ite

In
t

eg
r

at
e

Figura 21

rDS3

21

Iout

rDS2

alo
g

M3

gm1VGS1

An

Vct

VS2=VGS3
rDS1