Prez Castillo Mauricio

07/04/15

MTODO DE INYECCION Y DETECCION DE CARGAS.

Mtodos de Inyeccin de electrones:
Un procedimiento consiste en pulsar el electrodo del extremo de la entrada
del dispositivo con un voltaje suficientemente elevada para originar una
disrupcin por alud momentnea, donde la disrupcin tiene lugar en la
regin de empobrecimiento bajo el electrodo, mandando a la superficie un
paquete de electrones. Y cuya temporizacin debe ser tal que est presente
un pozo potencial y comience su viaje de la entrada a la salida. La ausencia
de pulso disruptivo almacena un cero en el pozo. Los huecos que se generan
durante la disrupcin pasan al substrato neutro.
Otra tcnica consiste en aplicar un pulso luminoso a la regin superficial
bajo el electrodo de entrada. En la capa de empobrecimiento se crean pares
electrn-hueco y los electrones van a la superficie.
Un tercer mtodo que se emplea a menudo para suministrar carga a un
pozo de potencial utiliza una regin PN. En el lado de entrada de la
superficie hay una regin N fuertemente contaminada, polarizada en sentido
directo respecto al substrato P. Se inyectan electrones desde la regin N y
los que entran en la porcin de capa de empobrecimiento situada entre el
substrato neutro y la superficie constituyen el paquete que se almacena
como bit. Para la deteccin (la salida) se puede hacer un proceso similar al
anterior, slo que en el electrodo perteneciente a la salida.

Proceso de deteccin:
Los semiconductores absorben una gran cantidad de fotones incidentes, al
contrario que los metales que los reflejan. La llegada de fotones de
suficiente energa produce pares electrn-hueco ya que son capaces de
comunicar esta energa a un electrn en la banda de valencia para que salte
a la banda de conduccin.