Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
ELECTRONIC APLICAT
Suport teoretic
1.1 Introducere
Rezistorul este probabil, cea mai simpl i cel mai des utilizat component
n circuitele electronice.
Cursul prezint principalele caracteristici funcionale ale rezistorului, modurile de
conectare n circuitele electrice i electronice, tipurile reprezentative.
Se vor prezenta relaiile de dependen fa de diveri factori care influeneaz
parametrii funcionali, precum iprincipalele aplicaii ale rezistorului.
1.2 Competenele unitii de nvare
Dup parcurgerea cursului studentul va fi capabil s:
Defineasc principalele caracteristici ale diverselor rezistoare;
S recunoasc legile care descriu matematic comportamentul rezistorului n
circuitele elctrice;
S aleag un rezistor care s corespund cerinelor de proiectare a unui
circuit.
REZISTORUL
Rezistorul este un dispozitiv electric care opune o rezisten trecerii curentului electric
prin el, ceea ce va produce o cdere de tensiune ntre cele dou borne ale sale. Conform legii lui
Ohmm, aplicat circuitului simplu ilustrat n figura 1.1, rezistena electric este egal cu tensiunea
pe rezistor V mprit la curentul ce-l strbate I (relaia 1.1).
Rezistoarele sunt componentele electronice pasive cel mai des utilizate n aparatura
electronic, reprezentnd aproximativ 30-40% din totalul componentelor unui aparat.
Din punct de vedere tehnologic, rezistoarele reprezint utilizri ale materialelor
conductoare n scopul controlului i limitrii curentului electric, bazate n general pe relaia:
R=
l
S
[]
(1.2)
unde:
Tab. 1.1
Caracteristici
Rezistivitate [mm2/m]
Coeficient de temperatur
[10-6/oC]
Temperatura maxim de utilizare
[oC]
T.e.m. de contact fa de cupru
[V/oC]
Rezistena la traciune [kgf/mm2]
Densitate [g/cm2]
Manganin
Ni=4%
Cu=84%
Mn=12%
Constantan
Ni=45%
Cu=55%
0.42
0.5
Aliaj
Kanthal
Fe=75%
Cr=20%
Al=4,5%
Co=0,5%
1.35
15
20
100
Nicrothal Nicrom
Ni=75%
Ni=80%
Cr=17%
Cr=20%
Mg,Si=8%
1.33
1.15
20
20
130
535
150
230
1000
43
3,5
40.55
8.4
4050
8.9
80100
7.2
110..140
8.1
92
8.4
Peliculele rezistive din carbon aglomerat rezult din amestecul a dou materiale: unul cu
rezistivitate mic (pe baz de negru de fum sau grafit), iar cellalt cu rezistivitate mare (pe baz
da oxizi metalici semiconductori). Amestecul se consolideaz printr-un liant pe baz de rini
fenolformaldehidice.
Rezistoarele construite pe baza acestor pelicule au avantajul unei tehnologii simple, cu
pre de cost redus, rezisten la suprasarcini, dar i dezavantajul unui zgomot intern i unui
coeficient de nbtrnire mari.
Peliculele rezistive din carbon cristalin sunt fabricate prin descompunerea termic
(piroliza) a hidrocarburilor saturate (metan, benzen etc.) n vid sau n atmosfer inert. Grosimea
peliculelor obinute astfel este de aproximatir 0,1m. Aceste pelicule cu structur cristalin, au o
mai bun stabilitate n timp, fa de cele cu carbon aglomerat.
n tabelul 1.2 se prezint cteva din principalele caracterisici ale unor materiale folosite la
fabricarea rezistoarelor peliculare.
Tabelul 1.2
Materialul
Caracteristici
CrSiO
SnO 2
Ta
Cermet
1000
25..1000
50500
110000
R 0 []
Coeficient. de temperatur
100
500
2005000 -200+500
[10-6/oC]
1.5.3 Tehnologia suportului izolant
Suportul izolant trebuie s satisfac unele caliti, cum ar fi:
- rezisten electric i mecanic mare;
- conductibilitate termic bun;
- s nu fie higroscopic;
- s fie stabil din punct de vedere chimic fa de elementul resistiv;
- s aib permeabilitate magnetic i permitivitate dielectric, mic;
- pierderi dielectrice i magnetice reduse, ntr-o gam larg de frecvene.
n funcie de tipul de rezistor, suportul izolant se realizeaz cu suprafee uniforme, fr a fi
nevoie de prelucrri ulterioare.
a) Pentru rezistoarele bobinate se utilizeaz urmtoarele materiale:
- sticl sau fibre de sticl, pentru temperaturi de lucru ce pot depi 100C;
- ceramic, pentru temperaturi de lucru pn la 360C;
- mica, pentru rezistoare speciale.
b) Pentru rezistoarele peliculare, suportul izolant se realizeaz din ceramic, selectat s
aib coeficientul de dilatare termic apropiat de cel al elementului rezistiv. Suporii necesit
prelucrri mecanice (finisare) i chimice (degresare) nainte de depunerea peliculelor.
U 2 = k U 1 , unde k = 0...1
(1.3)
U2 =
R2
U1
R1 + R2
[V ]
(1.4)
I = 0
(1.5)
V = 0 , adic v + v
1
+ v3 + v 4 = 0
(1.6)
(1.7)
1
1
1
1
=
+
+ ... +
Req R1 R2
Rn
(1.8)
10
Req = (R1 R2 ) + R3 =
R1 R2
+ R3
R1 + R2
(1.9)
U ind
1
1
= U bat
= U bat
R1
R3
1+
1+
R2
Rx
R3 R1
R x R2
R
R
1 + 1 1 + 3
R2 R x
(1.10)
11
R1 R3
, ceeace sugereaz modul de a afla o rezisten necunoscut R x , adic:
=
R2 R x
R R
(1.11)
Rx = 2 3
R1
BC e BT
1 dRT
(1.14)
=
>0
RT dT
A + Ce BT
Aceste rezistoare se utilizeaz ca senzori de temperatur (traductoare termice) n sistemele de
urmrire a temperaturii i de reglare automat a acesteia.
R =
(1.14)
RU =
1
dU
=
dI
k1 + k 2U n 1
(1.15)
Rf
R + Rf
Vcc
(1.16)
14
Exemple
Legea lui Ohmm poate determina una dintre necunoscute, cnd se cunosc doi
parametri de circuit; astfel dac pentru o aplicaie dat se cunosc tensiunea i
curentul, se poate determina rezistena.
Conectarea mai multor rezistene se analizeaz din aproape n aproape, astfel se
poate determina o schem echivalent simplificat, din care se pot trage concluzii
privind nivelul tensiunilor i circulaia curentului.
Scriei relaia unui divizor de tensiune: pentru o tensiune de intrare de 12
V, s se afle valoarea rezistenelor pentru o tensiune de ieire de 6 V.
Aflai valoarea rezistenei pentru a limita curentul dintr-un circuit
alimentat la 12 V la 0.5 A.
S ne reamintim...
Rezistoarele se supun legii lui Ohmm, care pune n relaie curentul ca fiind efectul
tensiunii, care este cauza.
Comportarea lor n circuit este coordonat de legile specifice circuitului electric.
Rezistoarele se fabric ntr-o larg varietate tipo-dimensional; fiecare aplicaie cere
un anumit tip constructiv, care s corespund cerinelor de tensiune i putere maxim
admisibil.
Rezumat
Elementul de circuit pe care l reprezint rezistorul este supus unor legi care
leag mrimi tipice de circuit, cum sunt tensiunea i curentul.
Au fost prezentate diverse feluri de conectare a rezistoarelor, relaii valabile n
circuitele elctrice, tipologii speciale de circuite rezistive.
Au fost prezentate rezistoare speciale, care pot fi utilizate ca senzori pe un
autovehicul.
15
16
CONDENSATORUL
Un condensator este definit ca un dispozitiv electric sau electronic, care poate stoca energie
n cmpul electric format de dou plci conductoare de arie A, separate de un izolator denumit
dielectric, la o anumit distan d; o reprezentare intuitiv a unui condensator plan este artat n
figura 2.1.
Q
V
[F ]
(2.2)
n sistemul unificat de uniti SI, condensatorul are capacitatea de un Farad atunci cnd
sarcina electric de un Coulomb acumulat pe armturi creeaz o diferen de potenial ntre
acestea de un Volt.
17
Capacitatea unui condensator plan, urmrind figura 2.1, este proporional cu aria
armturilor A, cu permitivitatea dielectricului , care este un material izolator i invers
proporional cu distana d dintre armturi, iar expresia acesteia este dat de relaia (2.3):
C=
A
; Ad2
d
(2.3)
Figura 2.2 Tipuri reprezentative de condensatoare citors: ceramice, cu tantal sau electrolitice,
vzute la scar centimetric.
2.5 Energia nmagazinat (stocat)
Sarcinile electrice acumulate pe cele dou armturi dezvolt un cmp electric, a crui energie (care
se msoar n Joule, n SI ) este stocat i care este dat de:
E=
1 Q2 1
1
= VQ
CV 2 =
2 C 2
2
[J ] ,
(2.4)
18
19
dV
este derivata tensiunii aplicat armturilor [V / s ] .
dt
u = U 2 sin ( t + ) U : U / ;
(2.7)
i = I 2 sin(t + + / 2 I : I / + / 2
radian naintea lui U , cum se arat n figura 2.4, unde se observ c vectorul curentului este
defazat cu /2 rad naintea vectorului tensiunii.
20
a
b
Figura 2.4 a tensiunea este naintea curentului cu /2; b - fazorii tensiunii i curentului prin
condensator.
2.10 Reele de condensatoare
2.10.1 Conectarea condensatoarelor n paralel
Configurarea condensatoarelor n paralel, ilustrat n figura 2.5 conduce la acelai potenial
electric pe fiecare dintre acestea, iar capacitatea echivalent este dat de relaia (2.8):
C echivalent = C1 + C 2 ++ C n
(2.8)
1
1 1
+
+ +
C1 C 2
Cn
(2.10)
21
(2.11)
Relaia dintre frecven i valorile condensatorului C i ale inductanei L este dat de:
f=
1
2 LC
(2.13)
Exemple
Observaii
n curent continuu curentul prin condensator este nul. Condensatorul reprezint
deci o ntrerupere de circuit.
n curent alternativ, la o tensiune dat aplicat la borne, curentul prin condensator
este determinat de reacia sa; reactana unui condensator ideal este invers
proporional cu frecvena.
De aceea condensatorul ideal blocheaz trecerea curentului la frecvene joase i
prezint scurt-circuit la frecvene nalte.
Rezumat
Condensatorul este o component important a unui circuit electric prin
calitile sale specifice: decuplarea surselor de tensiune continu, comportarea
diferit n circuitele de curent continuu i n cele de curent alternativ, capacitatea de
a nmagazina energie.
Cursul prezint principalele moduri de conectare n circuitele electrice, principalele
caracteristici funcionale i factorii care influeneaz parametrii funcionali ai unui
condensator.
Condensatorulu este elementul dual al inductanei
23
Cuprins
I 3.1 Introducere ........................................................................................................... 24
I 3.2 Competene ........................................................................................................... 24
I 3.3 Forme constructive ............................................................................................... 25
I 3.4 Energia nmagazinat........................................................................................... 26
I 3.5 Comportarea inductanei ntr-un circuit electric ................................................. 26
I 3.6 Inductana n circuite de curent alternativ ........................................................... 26
I 3.7 Puterea activ ....................................................................................................... 27
I 3.8 Puterea instantanee .............................................................................................. 27
I 3.9 Reele de inductane.............................................................................................. 29
I 3.10 Factorul de calitate............................................................................................. 30
I 3.11 Formule matematice utile privind inductana .................................................... 31
Rezumat ................................................................................................................ 32
I.3.1 Introducere
Cursul elemente specifice componentei pasive de circuit, care este inductana.
Sunt abordate caracteristicile funcionale, comportarea diferit n circuitele de
curent continuu i n cele de curent alternativ, capacitatea de a nmagazina energie.
Cursul prezint principalele moduri de conectare n circuitele electrice,
principalele caracteristici funcionale i factorii care influeneaz parametrii
funcionali ai unei inductane.
I.3.2 Competenele unitii de nvare
Defineasc rolul i locul unei inductane ntr-un circuit electric;
Defineasc noiunea de impedan a cinductanei;
Descrie fazorial funcionarea inductanei n circuite de curent alternativ.
Durata medie de parcurgere a celei de-a treia uniti de nvare este de 3 ore.
24
INDUCTANA
Inductana este o component pasiv de circuit care, const n esen, dintr-o nfurare a
unui fir conductor (de regul din cupru) pe un suport izolator; ea poate avea sau nu un miez
feros, care ar putea intensifica fluxul magnetic creat la trecerea curentului electric.
Simbolizarea inductanei este aratat in figura 3.1.
25
1 2
LI
2
(3.1)
unde,
L este inductana;
I este curentul prin bobinaj.
3.5 Comportarea inductanei ntr-un circuit electric
Fa de un condensator, care se opune modificrilor de tensiune, o inductan se opune
schimbrilor curentului; o inductan ideal are o rezisten electric nul n curent continuu, dar
n general variaia curentului prin bobin n timp descrie tensiunea la bornele inductanei prin
relaia:
di (t )
(3.2)
v(t ) = L
dt
3.6 Inductana n circuite de curent alternativ
n regim sinusoidal inductana strbtut de curentul sinusoidal i = I 2 sin(ti + ) are tensiunea
la borne dat de relaia:
di
(3.3)
u L = L = LI 2 cos(t + ) = LI 2 sin(t + + )
dt
2
Prin urmare , valoarea efectiv a tensiunii U L este:
iar faza iniial are valoarea:
U L = LI
= +
(3.4)
(3.5)
rad;
2
- valoarea efectiv a curentului este egal cu valoarea efectiv a tensiunii la borne mprit la
U
reactana bobinei, adic I = L .
XL
Vectorii asociai tensiunii i curentului
26
) U L : U L / / 2 + ;
i = I 2 sin(t + ) I : I /
(3.6)
(3.7)
(3.8)
Figura 3.4 arat variaiile n timp a parametrilor energetici ale unei bobine. Astfel,
atunci cnd puterea instantanee este negativ, de exemplu n intervalul (T/4;T/2), energia
27
magnetic acumulat n bobin scade la zero de la valoarea maxim LI 2 , egal cu aria haurat
de sub graficul puterii instantanee.
1
1 ~
(3.9)
Wm = L i 2 = LI 2
2
2
ca i cnd bobina ar fi parcurs de un curent continuu cu intensitatea egal cu valoarea efectiv a
curentului alternativ.
Comparnd expresia puterii reactive cu cea a energiei magnetice medii, se trage
concluzia c:
~
(3.10)
Q = 2W
ceea ce arat c puterea reactiv inductiv este proporional cu valoarea medie pe o perioad a
energiei magnetice acumulate n cmpul magnetic al bobinei.
28
(3.11)
29
(3.13)
0 r N 2 A
l
(3.14)
L = inductana [H];
0 = permeabilitatea magnetic a aerului = 4 10 7 [H/m];
r = permeabilitatea relativ a materialului miezului;
N = numrul de spire;
A = aria seciunii bobinei [m2];
l = lungimea bobinei [m].
2. Inductana unui conductor rectiliniu
4l
L = l ln 1 200 10 9
(3.15)
L = inductana [H];
l = lungimea conductorului [m];
d = diametrul conductorului [m].
30
r2N 2
9r + 10l
(3.16)
L = inductana [H];
R = raza exterioar [inches];
L = lungimea bobinei [inches];
N = numrul de spire.
0.8r 2 N 2
6r + 9l + 10d
(3.17)
L = inductana [H];
R = raza medie a bobinei [inches];
L =lungimea fizic a nfurrii [inches];
N = numrul de spire;
D = adncimea bobinei [inches].
Exemple
n curent continuu curentul prin inductan este infinit; inductana reprezint deci
un scurtcircuit;
n curent alternativ, la o tensiune dat aplicat la borne, curentul prin inductan
este determinat de reacia sa; reactana unei inductane ideale este direct
proporional cu frecvena.
De aceea inductana ideal blocheaz trecerea curentului la frecvene nalte i
prezint scurtcircuit la frecvene joase.
31
S ne reamintim.
Observaii:
1) n curent continuu tensiunea la bornele unei bobine este nul, deoarece
derivata unei mrimi invariabile n timp este nul (viteza ei de variaie este
nul ) . Se spune ca pentru curentul continuu bobina reprezint un scurtcircuit.
2) n curent alternativ, la o tensiune la borne dat, curentul este limitat de
reactana bobinei, care este proporional cu frecvena. De aceea o bobin
blocheaz trecerea curentului la frecvene nalte i reprezint un scurtcircuit la
frecvene suficient de joase.
3) Reactana bobinei nu are sens dect n curent alternativ, adic n regimul n
care este definit.
Rezumat
Cursul elemente specifice componentei pasive de circuit, care este inductana.
Sunt abordate caracteristicile funcionale, comportarea diferit n circuitele de curent
continuu i n cele de curent alternativ, capacitatea de a nmagazina energie.
Cursul prezint principalele moduri de conectare n circuitele electrice, principalele
caracteristici funcionale i factorii care influeneaz parametrii funcionali ai unei
inductane.
Se prezint cteva din principalele relaii de calcul practic ale unor inductane.
32
Cuprins
I.4.1 Introducere ........................................................................................................... 33
I.4.2 Competene ........................................................................................................... 33
I.4.3 Dioda termic ....................................................................................................... 34
I.4.4 Dioda semiconductoare ........................................................................................ 35
I.4.5 Tipuri reprezentative de diode .............................................................................. 37
I.4.6 Aplicaii ................................................................................................................ 38
I.4.7 Redresarea monoalternan ................................................................................. 39
I.4.8 Redresarea bialternan ....................................................................................... 39
I.4.9 Redresarea bialternan n punte ......................................................................... 40
I.4.10 Redresarea n punte trifazic ............................................................................. 40
I.4.11 Stabilizator de tensiune ...................................................................................... 41
I.4.12 Aplicaii fotoelectrice ......................................................................................... 42
I.4.1 Introducere
Dioda este primul i cel mai vechi dispozitiv neliniar utilizat pe scar larg n
industria electronic. n curs sunt descrise principalele caliti i necesitatea
utilizrii diodei n aplicaii apecifice. Sunt prezentate principalele tipuri de diode
dintr-o larg gam de produse, fiecare cu domeniul su de aplicaie indicat.
Principalele aplicaii sunt legate de redresarea curentului alternativ, cu multiple
aplicaii practice.
I.4.2 Competenele unitii de nvare
Dup parcurgerea cursului studentul va fi capabil s:
Defineasc rolul i locul unei diode ntr-un circuit electric;
Poat clasifica diferitele tipuri de diode;
Recunoasc i s clasifice tipurile principale de redresoare.
33
DIODA
n electronic, dioda este o component activ, care restricioneaz direcia de micare a
purttorilor de sarcin. n esen, ea permite trecerea curentului ntr-o direcie i-l blocheaz n
direcia contrar, aceast proprietate fiind la baza principalelor sale aplicaii, denumite n general,
redresare.
Simbolizarea unei diode de uz general este reprezentat n figura 4.1 , unde A reprezint
anodul, iar K este catodul.
denumit curent de conducie direct. Dac diferena de potenial i schimb sensul, electronii
emii de catod sunt blocai, iar curentul electric va avea o valoare nesemnificativ, denumit
curent de blocare.
Acest tip de diode a fost utilizat n diverse aplicaii analogice sau digitale pe parcursul
secolului XX, dar n prezent se folosete doar n aplicaii speciale care necesit anumite
proprieti ale tubului cu vid.
4.4 Dioda semiconductoare
Marea majoritate a diodelor moderne se bazeaz pe efectul jonciunii semiconductoare,
denumit jonciune de tip p n, ilustrat n figura 4.3.
35
36
suportat n regiunea de polarizare invers, denumit zona de strpungere, care odat depit,
dispozitivul va fi distrus.
Funcionarea diodei este descris prin ecuaia lui Shockley sau legea diodei:
Vd
nV
I d = I S e T 1 ,
(4.1)
unde:
I d este curentul dat de polarizarea direct a diodei,
I S este curentul de saturaie,
Vd tensiunea pe diod,
V T tensiunea de agitaie termic,
n coeficientul de emisie de electroni, care are o valoare de 1 pn la 2, depinznd de material i
de procesul de fabricaie.
Tensiunea dat de agitaia termic este exprimat de urmtoarea formul:
VT =
kT
,
e
(4.2)
unde:
e sarcina electric elementar;
k constanta lui Boltzmann;
T temperatura absolut a jonciunii p n.
4.5 Tipuri reprezentative de diode
n afar de utilizarea diodei ca redresor, aceasta are unele aplicaii speciale, care sunt artate n
tabelul 4.1.
Tabelul 4.1
Diod
redresoare
Diod
Zener
Diod
Schottky
Light-Emitting
Diode ( LED )
Fotodiod
Diod
Varicap
Diod
Tunnel
Tiristor
( SCR )
(4.3)
unde, se poate neglija defazajul, adic = 0 , iar principalii parametri energetici valoarea
medie i valoarea efectiv se calculeaz dup relaiile de definire a lor, astfel:
1
= u (t )dt =
2
T 0
T
valoarea medie
valoarea efectiv
U med
U cos(t )dt
(4.4)
U ef =
2
1
u (t )dt
T 0
(4.5)
38
0.318U ;
U
2 2
0.354U .
U med =
U ef =
U
2
0.637U ;
0.707U .
39
40
schema electric a unui redresor trifazic, unde R, S, T sunt cele trei faze alternative, iar n b sunt
reprezentate formele de und nainte i dup redresare.
a
b
Figura 4.11 a puntea trifazic; b formele de und a redresrii trifazice.
i este:
Componenta continu sau valoarea medie a tensiunii redresate se deduce din relaia (4.4)
U med =
2U ef cos td (t ) = 2U ef
sin
3 = 3U
peak
(4.6)
41
Cea mai simpl schem de principiu a unui stabilizator de tensiune cu diod Zener se
prezint n figura 4.13, unde dioda este conectat n paralel cu rezistena de sarcin Rs, iar
rezistorul R are rolul de balast, care determin curentul Iz la tensiunea de intrare Vi maxim.
Ca regul general de proiectare, Io < 4Izmax.
Pentru multiplicarea efectului luminiscent, LED-urile se pot lega n serie, atunci curentul
care parcurge conexiunea rmne constant la valoarea de aprindere pomenit, sau n paralel, cnd
curentul absorbit este suma curenilor diodelor conexiunii.
Dualitatea emisie recepie a luminii este des utilizat prin combinarea diodelor
respectiv, cu largi aplicaii n tehnica msurrilor, telecomenzi, senzori optici etc.
43
44
PNP
NPN
45
a
b
Figura 5.5 Definirea curenilor i a tensiunilor pe un tranzistor bipolar a, de tip N; b, de tip P.
5.3.3 Definiii, caracteristici de funcionare
Indiferent de regimul de funcionare, tranzistorul ca sistem fizic, poate fi descris prin
relaii matematice descrise de modelul Ebers-Moll (relaia 5.2), valabile pentru un tranzistor de
46
tip P n conexiunea baz comun (BC), adic baza este conectat la mas, iar n cazul
tranzistorului de tip N tensiunile i curenii i schimb sensul.
qV
iC = F i E I CB0 exp CB 1
kT
(5.2)
qV
i E = R iC + I EB0 exp EB 1
kT
unde, urmrind i figura 5.5:
V EB tensiunea emitor- baz
V CB tensiunea colector-baz
F factorul de amplificare n curent direct, n
conexiunea BC
I EB0 curentul invers al jonciunii E-B, cu
R factorul de amplificare n curent invers, n
colectorul n gol
conexiunea BC
I CB0 curentul invers al jonciunii C-B, cu
q
- constanta termic a tranzistorului
emitorul n gol
kT
Un alt mod de abordare a regimului dinamic de semnal mic este prin utilizarea
parametrilor de cuadripol, de regul cu parametrii h; atunci, pentru conexiunea emitor comun
(EC) se scrie:
i C curentul de colector
i E curentul de emitor
i B curentul de baz
V BE = h ie I b + h re V CE
(5.3)
I C = h fe I b + h oe V CE
n cazul funcionrii tranzistorului n regiunea activ normal, sistemul descris devine
aproximativ:
iC = F i E + I CB0
(5.4)
qV
i E = I EB0 exp EB
kT
Pentru conexiunea emitor comun (EC) este util exprimarea dependenei I C I B din
regiunea activ:
(5.5)
I C = F I B + I CE0
unde,
F este factorul de amplificare static n curent n conexiunea EC, iar I CE0 curentul rezidual de
colector pentru I B = 0, adic cu baza n gol.
47
Relaiile de legtur dintre parametrii statici ai regimului activ normal din cele dou
conexiuni sunt dai de:
F =
Observaie:
F
;
1F
(5.6)
n cazurile practice F 0.9...0.99 , astfel nct F 10...1000 ; I CE0 0 , iar relaia (5.4)
capt o form practic, dat de:
IC F I B
(5.7)
Pentru un tranzistor de tip N n conexiune EC, forma grafic a caracteristicilor statice cuprinde
urmtoarele seturi de curbe:
Caracteristicile de ieire
Caracteristicile de intrare
unei diode;
Caracteristicile de transfer
dreapt;
48
49
a
b
Figura 5.8 Tranzistorul n regim de comutaie.
O soluie modern pentru a micora nivelul energetic de comand este dat de utilizarea a
dou tranzistoare n conexiune Darlington, care au schema electric prezentat n figura 5.8 b;
Astfel, dac se nlocuiete tranzistorul T din a cu perechea Darlington din b, pentru
IC
, deci pentru circuitul a,
acelai curent de ieire I C , este necesar un curent de intrare I B
1 2
I B devine de ori mai mic.
Expresia exact a factorului de amplificare Darlington este:
(5.8)
Darlington = 1 2 + 1 + 2
Valori uzuale pentru sunt de ordinul 100, aa c suma este neglijabil pe lng produs, astfel c:
(5.9)
Darlington 1 2
Amplificator de putere
Prin combinarea mai multor elemente de circuit pasiv (rezistoare, condensatoare) i
elemente active (diode, tranzistoare) se pot obine circuite cu diferite utilizri.
Figura 5.9 prezint un amplificator de putere, care poate fi considerat ca fiind apt pentru diverse
aplicaii.
Circuitul conine cinci tranzistoare, dou diode, opt rezistoare i dou condensatoare i este
structurat pe trei nivele energetice, clasificate ca etaje de amplificare, dup amplitudinea
semnalului procesat, dup cum urmeaz:
Etajul de intrare, de tip diferenial compus din tranzistoarele Q1 i Q2;
Etajul de comand (driver) Q3;
Etajul final de putere Q4 + Q5, care formeaz un etaj complimentar de putere dat de o
pereche de tranzistoare de tip N + P;
Rezistenele de polarizare R1R7;
Condensatoarele de decuplare C1, C2.
Rezistena de reacie negativ R8;
Diodele de compensare termic D1 i D2.
50
51
52
(5.10)
unde I DSS i V T (tensiunea de tiere channel-off din figura 5.11) sunt parametri constructivi
precizai n foaia de catalog.
Circuitul de amplificare cu FET cel mai des utilizat este cel cu surs comun, analog
circuitului cu tranzistor bipolar emitor comun. Acest circuit poate fi utilizat ca amplificator n
tensiune, unde tensiunea de intrare V in moduleaz tensiunea de ieire V out , sau ca amplificator de
conductan, unde intrarea moduleaz curentul de ieire printr-o rezisten de sarcin.
Acest circuit prezentat n figura 5.12 realizeaz, ideal urmtoarele performane:
Amplificarea n curent
i
Ai = out ;
iin
Amplificarea n tensiune
v
Av = out ;
vin
Impedana de intrare
v
rin = in ;
i in
Impedana de ieire
v
rout = out = RD
iout
strangulat iniial, este vorba de un IGFET cu mbogire sau cu canal indus, iar cnd, dimpotriv
canalul conduce, se numete cu srcire sau cu canal iniial.
Cel mai cunoscut i utilizat tranzistor de acest tip este MOS-FET, la care poarta este metalic i
este separat de semiconductor de un strat izolator din bioxid de siliciu, cu o grosime tipic de 0.1
0.7 m, cu excelente proprieti izolante. Figura 5.13 ilustreaz simbolizarea MOS-FET i arat
structura constructiv pentru un MOS cu canal n.
a
b
Figura 5.13 a simbolizarea MOS-FET; b structura fizic.
Sursa (S) i drena (D) au conductibilitate opus fa de traseul din substratul de tip p n
care se va crea canalul de lungime L (figura 5.13 b); de regul, pentru V GS = 0, nu apare canal,
deci curentul de dren este nul I D = 0, aceste tranzistoare fiind cu canal indus.
Caracteristicile statice de ieire sunt similare celor ale JFET i sunt prezentate n figura
5.14; i aici se ntlnete regiunea cvasiliniar, regiunea de saturaie i strpungerea.
54
a
b
Figura 5.15 a ilustrarea modului de control prin tensiunea V GS ; b MOS-FET n circuit de
comutaie.
Unele MOS-FET prezint canal chiar n absena tensiunii de polarizare a porii, V GS = 0,
acestea fiind numite MOS cu canal iniial. Simbolul i structura constructiv sunt prezentate n
figura 5.16.
Forma caracteristicilor statice sunt similare tranzistoarelor cu canal indus, cu precizarea
c tensiunea de tiere VT este negativ.
55
S ne reamintim...
Tranzistoarele bipolare sunt comandate n curent, iar cele unipolare sunt
comandate n tensiune.
Tranzistoarele bipolare sunt dependente de temperatur, cele unipolare nu.
Rezumat
Cursul trateaz domeniul electronicii moderne bazat pe tranzistoare, care sunt
principalele semiconductoare cu largi aplicaii de la cele casnice, pn la cele
industriale, incluznd aplicaiile pe autovehicul.
Se descriu tranzistoarele bipolare, cu o introducere n abordarea matematic a lor
expunndu-se principalele relaii funcionale.
Se descriu principalele tipuri de tranzistoare unipolare, cu accent pe tranzistoarele
MOSFET.
Sunt tratate principalele aplicaii ale tranzistoarelor amplificatoare i circuite de
comutaie.
56
Durata medie de parcurgere a celei de-a treia uniti de nvare este de 4 ore.
57
b
Figura 6.1 a simbolizarea tiristorului; b schema echivalent.
Referitor la schema din figura 6.1 b, se poate observa c cele dou tranzistoare sunt
complementare au conectate colectoarele fiecare la bazele celuilalt tranzistor, astfel fiecare curent
de colector al unuia devine curent de baz al celuilalt, astfel nct n regim de conducie, ambele
tranzistoare lucreaz n zona de saturaie.
Ecuaia de baz a tristorului se scrie pornind de la ecuaile celor dou tranzistoare
echivalente din b, unul de tip p cellalt de tip n, astfel:
I Cp = p I T + I CB0 n
I Cn = n ( I G + I T ) + I CB0 p
(6.1)
unde,
n i p sunt factorii de amplificare n curent emitor colector;
58
n I G + I CB 0
1 ( n + p )
(6.2)
Caracteristicile statice curent tensiune sunt reprezentate n figura 6.2, unde se poate
observa c pentru curent de poart nul (I G = 0), curentul prin tiristor are o valoare minim (I L ),
care se numete curent de meninere. Pe msur ce curentul de poart crete caracteristica arat
apropierea de punctul de amorsare a aprinderii tiristorului I H , care se numete curent de acroare
cnd apare conducia n sens direct, analog unei diode.
La depirea tensiunii V BO , care se numete tensiune de autoaprindere, tiristorul se
aprinde fr curent de comand pe poart. La aplicarea unei tensiuni negative pe anod, tiristorul
se afl n regim de blocare la polarizare invers i conduce un curent neglijabil, pn la atingerea
unei tensiuni limit de strpungere V BR , care va distruge dispozitivul.
59
unde, pentru 0 < < , se obine 0 < U R < 0.318U , adic se poate regla puterea pn la
valoarea maxim dat de un redresor monoalternan cu o diod, formele de und fiind prezentate
n figura 6.5.
60
3 2U
2
1 sin 3
(3.4)
6.3.2 TRIACUL
Triacul (Triode for Alternating Current), cunoscut i sub numele de tiristor bidirecional
este un dispozitiv semiconductor dedicat controlului puterii electrice n sarcini att rezistive, ct
i inductive; el poate fi amorsat att la tensiuni pozitive, ct i la tensiuni negative, aplicnd un
curent de comand pozitiv sau negativ pe poart.
Similar tiristorului, triacul are trei terminale denumite anod 1 (A1), anod 2 (A2) i poart
(gate G). Simbolul triacului este prezentat n figura 6.7 a, iar n b se arat structura fizic, ce
sugereaz construcia sa din dou tiristoare alipite n mod antiparalel.
a
b
Figura 6.7 a simbolul triacului; b structura constructiv.
61
Caracteristicile statice curent tensiune sunt similare celor ale unui tiristor, cu observaia
c evoluia curentului n cadranul III este simetric fa de origine; acestea sunt reprezentate n
figura 6.8, unde se poate observa c pentru curent de poart nul (I G = 0), curentul prin tiristor are
o valoare minim (I BO ), care se numete curent de meninere. Aprinderea se poate realiza cu
impulsuri pozitive sau negative aplicate porii, combinaiile de polariti ale comenzii cu
tensiunea aplicat fiind ilustrate n figura 6.9, cu recomandarea utilizrii impulsurilor pozitive n
cadranul I i a celor negative n cadranul III.
62
Figura 6.10 Puterea maxim disipat n funcie de valoarea efectiv a curentului prin triac,
cu unghiul de deschidere ca parametru.
6.3.3 DIACUL
Controlul aprinderii triacului, prin aceasta, controlul puterii furnizate sarcinii se realizeaz
extrem de simplu prin utilizarea dispozitivului semiconductor numit DIAC, conceput special
pentru astfel de aplicaii. Diacul (Diode for Alternating Current) este un dispozitiv semiconductor
PNP simetric, care corespunde unui montaj integrat din dou tiristoare antiparalel, fr electrod
de comand, simbolul i caracteristica funcional fiind prezentate n figura 6.11. Dup cum se
poate observa, caracteristica tensiune curent are forme similare la polarizarea direct sau
invers i poate fi amorsat fie prin depirea tensiunii de amorsare V BO , fie printr-o cretere
rapid a tensiunii. Diacul rmne n conducie pn cnd curentul scade sub limita de meninere
I BO , dup care intr n starea de rezisten mare.
63
64
a
b
Figura 6.14 a simbolul TUJ; b structura fizic.
Modul de funcionare a unui TUJ este exemplificat n figura 6.15, unde se prezint schema
echivalent compus dintr-o diod, care simuleaz jonciunea emitorului i rezistena interbaz,
65
care este suma celor dou rezistene corespunztoare celor dou baze, adic RBB = RB1 + RB 2 . La
depirea valorii de vrf V P a tensiunii de emitor V E , R B1 , care de fapt este rezistena controlat
de dispozitiv, scade brusc pn n punctul de vale V V , apoi ciclul se reia.
Definiii:
RB1
, de unde VRB1 = VBB;
RBB
Urmrind formele de und generate de oscilatorul de relaxare din figura 6.17 se poate
observa c V E ia periodic valori cuprinse ntre V P i V V , date de variaia rezistenei R B1 (figura
6.15), care conduce la variaia tensiunii VRB1 = VBB, acest proces desfurndu-se cu perioada
dat de frecvena reelei electrice.
Perioada oscilaiilor de relaxare T este dat de relaia:
1
(3.5)
T PC ln
1
Avnd datele de catalog ale TUJ-ului, perioada T a oscilaiilor de relaxare se poate
controla foarte simplu prin modificarea rezistenei poteniometrului P.
Rezumat
Semiconductoarele de putere au o importan deosebit n utilizarea energiei
electrice, i anume n domeniul acionrilor electrice, redresoare, invertoare, n
general convertizoare.
Se vor aborda urmtoarele dispozitive statice, care sunt de fapt dispozitive de
comutaie: tiristorul, triacul i dispozitive auxiliare construirii unui circuit de
comutaie cum ar fi tranzistorul unijonciune i diacul.
67
Cuprins
I.7.1.1 Introducere ............................................................................................................
I.3.1.2 Competene ............................................................................................................
...........................................................................................................................................
I.1.1. Introducere
Scurt descriere a coninutului a unitii de nvare.
I.1.2. Competenele unitii de nvare
Definirea competenelor specifice unitii de nvare curente, utiliznd
verbe cuantificabile similare cu cele aplicate pentru descrierea competenelor
generale ale cursului.
CIRCUITE INTEGRATE
IC monolitice
Circuitele integrate se pot clasifica:
Liniare;
Digitale: logice, numerice;
De uz casnic.
De uz industrial;
Liniare:
Amplificatoare operaionale de uz general
Amplificatorul operaional este cel mai rspndit circuit integrat liniar, care a fost utilizat iniial
pentru realizarea analogic a unor operaii matematice (nsumarea, integrarea, scalarea etc), de
unde i denumirea.
Circuitul integrat 741 este primul circuit monolitic realizat la sfritul anilor '50, producia de
serie incepnd n anul 1965. Circuitul integrat conine 22 tranzistoare, 11 rezistoare, o diod i un
condensator, construite pe un substrat de siliciu (Chip). Numrul 741 este precedat att de un
prefix propriu rii i fabricantului (A, A, NE etc.), ct i de un sufix care indic temperaturile
de funcionare (J, N, M etc.), astfel nct denumirea complet de catalog poate fi A 741 J.
Datorit versatilitii sale, dar i a preului de cost extrem de sczut, el este prezent n numeroase
aplicaii n proiectarea circuitelor analogice.
Schema electric desfurat a circuitului monolitic se poate urmri n figura 3.1.
R1
R2
R3
R4
V1
V Out
1 Amplificatorul diferenial prezentat n figura 3.3 are tensiunea de ieire V Out dat de relaia;
VOut = V2
R4
R + R2
R
1
V1 2
R3 + R4
R1
R1
Dac
R1 R3
,
=
R2 R4
Circuitul funcioneaz ca amplificator diferenial, avnd amplificarea n tensiune:
VOut
R
= 2
V2 V1 R1
R2
,
R1
V Out = AV IN
R2
,
R1
V Out =
R2
V IN
R1
5 Amplificatorul integrator are un rol bine stabilit n circuitele de control utilizate n sistemele
automate, avnd schema electric reprezentat n figura 3.7.
Respectnd condiia R 2 R1 , rezult:
V Out =
1
VIN
R1C
dV IN
dt
Pre mic;
Drift 575 V / 0C ;
G 100 < 100 kHz.
FET de uz general
Aplicaii
Inversoare;
Sumatoare;
Integratoare;
Difereniere;
Filtre.
Integratoare;
Convertoare I / U;
Circuite de logaritmare;
De band larg
Rspuns rapid;
Band de frecvene: 100 MHz;
Drift: 0.1 V / C;
Cu drift mic
Electrometre
Instrumentare
U = 20 V / I 100mA;
Circuite sample&hold.
Drivere video;
Circuite sample&hold;
Transmisii de date digitale;
Achiziii de date.
Regulatoare de precizie;
Amplificatoare sumatoare;
Instrumentare de laborator.
Convertoare I / U cu impedan de
intrare mare;
Detectoare de flacr;
Detectoare de radiaii;
Celule Ph.
Amplificatoare audio;
Regulatoare U / I;
Drivere de putere;
Drivere pentru senzori sonici.
Amplificatoare pentru senzori;
Tensometrie;
Probe biologice;
Achiziii de date.
S ne reamintim...
Elementele de tip S ne reamintim puncteaz aspectele cheie, noiunile de
baz i cele specifice furnizate prin material pn la momentul curent.
Rezumat
Reprezint o sintez a ideilor, noiunilor i conceptelor dezbtute n cadrul
unitii de nvare, precum i legtura cu urmtoarele Uniti de nvare/Module.