Sunteți pe pagina 1din 7

Referat la PROCEDEE NECONVENTIONALE DE

TRATAMENTE TERMICE

Depunerea fizica din stare de vapori. Depunerea


chimica din stare de vapori

Studenti:
Profesor:
Gheorghita Paul
G. Grigorescu

S.L.

Nadrag Alexandru

Depunerea fizica din stare de vapori. Depunerea


chimica din stare de vapori

Metoda de depunere de straturi subtiri prin ablatia laser (PLD)


Depunerea prin ablatie laser este o metoda de depunere a straturilor
subtiri prin ablatia unei tinte sau a mai multora, cu fascicul laser pulsat.
Procesul poate avea loc in vid sa in prezenta unui gaz de lucru (neutru sau
real). Exp: oxygen pentru depunere de oxizi.
Ablatia laser este un process prin care o cantitate de material este
indepartata de la suprafata unui solid/lichid in urma iradierii laser la fluenta
mare(a laserului).
Etape:
1.
2.
3.
4.

Ablatia laser a materialului tintei si crearea jetului de plasma.


Dinamica plasemei
Depunerea materialului pe substrat
Procesul de nucleatie si formarea filmului pe suprafata substratului.

1. Ablatia laser a materialului tintei si crearea jetului de plasma


Lungimea de unda patrunde in material pana la o adancime de ordin 10
mm pentru majoritatea materialelor. Campul electric laser generat de
lumina laser este sufficient de intens pentru a ioniza atomii din stratul
penetrat, care sunt, care sunt smulsi din tinta prin doua mecanisme posibile.
-respingerea dintre ioni ii proiecteaza pe directia normal la tinta, creand
jetul de plasma (explozie Coulomb)

-electronii liberi oscileaza in campul electro magnetic (se ciocnesc cu


atomii/ionii tintei, cedandu-le energia necesara prin incalzire.
2. Dinamica plasemei
Jetul de plasma emis normal la suprafata tintei se largeste din
urmatoarele motive:
-respingerea coulombiana laterala;
-ciocniri cu atomii reziduali din camera de depunere
Forma de pana a jetului de plasma depinde de:
-distriburia dupa viteze a inonilor din plasma
-Presiunea din camera de depunere.
3. Depunera materialului pe substrat
Etapa este importanta pentru determinarea calitatii filmului depus, ionii
cu energii mai mari care lovesc substratul/stratul depus poate produce
defecte locale si pot smulge atomi de la suprafata; atomii smulsi se reintorc
pe strat si depunerea lor impreuna cu plasma determina scaderea calitatii
stratului.
4. Procesul de nucleatie si formarea filmului pe suprafata substratului
Parametrii de care depinde procesul de nucleatie si formearea filmului
sunt:
-parametriii laserului, fulenta (energia pe unitatea de suprafataunitatea
de masura J/cm2) si energia pulsului determinarea gradului de ionizare al
plasemei --> stoichiometria si fluxul de depunere (densitatea de nucleatie
creste cu fluxul de depunere).
-parametrii substratului: temperature si calitatea suprafetei determina
densitatea de nucleatie (care scade cu cresterea temperaturii si rugozitatii
suprafeteti substratului)
-presiunea gazului de lucru: determina stoichiometria compusilor si
calitatea ( ambele cresc cu presiunea gradului de lucru reactive si scad cu
primirea gazului de lucru neutru)
Avantajele metodei PLD

-transfer stoichiometric de material de la tinta la substrat,


-rate de depunere relative mari aprox. 10 mm/min, obtinut la fluenta
moderata.
- proces de depunere foarte curat, deoarece sursa lor este o sursa
exterioara de energie.

Epitaxia cu fascicul molecular (MBE)


Este o metoda de cresterea epitaxelor prin interactia uneia sa mai
multor fascicule moleculare atomice cu un substrat cristalin. (Gr.
Epi=deasupra, taxie=ordonat).
Elemente ultrapure( ex. Ga, As etc..) sunt incalzite sperata in cellule de
efuzie pana incep sa sublineze. Elementele in stare gazoasa efuzate in
camera de depunere condenseaza apoi pe substrat, unde pot reactiona intre
ele ( ex. din Ga si As se formeaza GaSa).
Termenul fascicul inseamna ca atomii evaporate nu interactioneaza
intre ei si nici gasele din camera de depunere pana cand nu ating substratul.
Acesta se datoreaza drumului liber mediu foarte lung al fiecarui tip de atomi.
Celula Krusader tipica contine: un creuzet, filament de incalzire,
system de raciere cu apa, system de evacuare 2 calduri si inchizator.
Camera de depunere este mentinuta in vid inalt sau ultrainalt:
-daca substratul trebuie racit-vid ultrainalt (10-10Torr)
-daca substratul trebuie incalzit-vid inalt (10-8Torr)
Avantajele metodei MBE

Permite monitorizarea cresterii stratului in timp real la scara (sub)


nanometrica prin:
-difractie de e- de energie inalta
-difractie de raze X
-microscopie de tunelare si microscopie de forta atomica
Permite cresterea structural mono si/sau multistrat, cu control
ridicat asupra parametrilor se reproductibilitate ridicata:
-depunere de straturi monocristalini

-imbunatatirea performantei si noi functionalitati in dispositive cu


heterojonctiune
-ingineria materialelor la scala atomica, inclusive pentru depunere
de material cu constant de retea diferite, cu incompatibilitate
chimica, cu structuri cristaline diferite si cu coeficienti diferiti de
dilatare termica.

Caracteristici
-rata mica de crestere, de aprox 1 strat monoatomic pe secunda
-temperatura redusa de depunere (ex. aprox. 550oC pentru Ga As)
-suprafata neteda a stratului depus
-control precis al compozitiei si morfologiei suprafetei
-Variatie abrupta la interfete a compozitie chimice
Caz ideal
-atomii depusi pe suprafata difuzeaza si nucleaza sub forma de insule 2D
-insulele cresc prin adaugarea altor atomi, pana la completarea stratului
monoatomic
-procesul se repeat pentru stratul urmator
Car real
-pentru un strat dat, stratul urmator incepe nuclearea inainte de completarea
stratului considerat
-nr. de straturi incomplete creste cu timpul de depunere
-la intreuperea cresterii, suprafetele incep sa se repare. Rugozitatea
suprafetei scade pana la starea plana initiala.

Depunerea prin pulverizare cu magnetron , medota de preparare de


straturi subtiri
Pulvelizarea catodica cu magnetron ( CC si RF)

Introducerea unui corp magnetic orientat perpendicular pe directia


corpului produce urmatoarele:
-produce concentrarea plasmei in zona tintei
-reduce imprastierea si difuzia electronilor
-creste gradul de inonizare a gazului de lucru (de interes in zona tintei)
Depunerea filmelor subtiri prin pulverizare catodica

Transferul atomilor in faza gazoasa

Proces fizic:
-extinderea atomilor tintei (1-2%ioni)
-emisie de e- ajuta la mentinerea plasmei
-reflexie Ar+ cu Ar
-inglobare Ar
-emisie de fotoni
-95% din energia inonului incident este depusa in tinta
-5% din energia ionului incident se regaseste in atomul extras (5-100%)
Randamentul de pulvelizare: S=nr atomi extrasi/nr atomi incidenti depinde
de
-energia de leg si masa atomica a atomilor tintei
-masa si energia incidenta a inonilor din plasma

Transferul la substrat

-atomii trec in faza gazoasa prin plasma


-ciocniri cu Ar, Ar+ si e-pierderi de energie (pana la 1-10 eV)
-pot aparea reactii chimice in plasma
-pot aparea depuneri dupa colt

Depunerea pe substrat

-transfer de energie si impuls de la atomii din tinta Ar, Ar+ , e-presiunea Ar aprox 0,1 torr => incorporare in film
-parte de energie mare pot influenta procesul de crestere
-incalzirea substratului 100-200oC de regula pentru un substrat cu conductie
termica slaba sau izolat termic