Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
01 - Dispozitive Electronice I
01 - Dispozitive Electronice I
Proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 2007-2013
Beneficiar-Centrul Naional de Dezvoltare a nvmntului Profesional i Tehnic
Str.Spiru Haret nr.10-12, sector 1, Bucureti-010176, tel 021-3111162, fax. 021- 3125498, vet@tvet.ro
Dispozitive electronice
2009
AUTOR:
AURELIA PITIC profesor grad didactic I Grup colar de Pot i TelecomunicaiiTimioara
COORDONATOR:
REMUS CAZACU - profesor grad didactic I colegiul Tehnic de Telecomunicaii Nicolae
Vasilescu Karpen-Bacu
CONSULTAN:
IOANA CRSTEA expert CNDIPT
ZOICA VLDU expert CNDIPT
ANGELA POPESCU expert CNDIPT
DANA STROIE expert CNDIPT
Acest material a fost elaborate n cadrul proiectului nvmntul profesional i tehnic n domeniul TIC,
proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 2007-2013
Cuprins
II.Documente necesare pentru activitatea de predare.......................6
III.Resurse..........................................................................................7
Tema 1. Tranzistoare bipolare.....................................................................7
Fia suport 1.1. Structura i simbolul tranzistorului bipolar............................................7
Fia suport 1.2. Funcionarea tranzistorului bipolar.......................................................11
Fia suport 1.3. Parametrii tranzistoarelor bipolare.......................................................14
Fia suport 1.4. Modurile de conexiune ale tranzistoarelor bipolare.............................17
Fia suport 1.5. Regimurile de funcionare ale tranzistoarelor bipolare........................20
Fia suport 1.6. Circuite de polarizare ale tranzistorului...............................................22
Fia suport 1.7. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare.............................27
Fia suport 1.8. Caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiune emitor comun..29
Fia suport 1.9. Caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiune baz comun. 33
Fia suport 1.10. Punctul static de funcionare al tranzistorului bipolar........................37
Fia suport 1. 11. Dreapta de sarcin static................................................................40
Fisa suport 1.12 Testarea tranzistoarelor bipolare cu aparate de msur....................43
Tema 2: Tiristorul.......................................................................................45
Fisa suport 2.1. Structura i funcionarea tiristorului.....................................................45
Fia suport 2.2 Caracteristica static a tiristorului........................................................49
Fia suport 2.3. Parametrii tiristorului............................................................................52
I.Introducere
Materialul de predare este resurs-suport pentru activitatea de predare, conine
instrumente auxiliare care includ un mesaj/ o informaie didactic i care pot fi utilizate in
contexte diferite.
Prezentul material de predare se adreseaz cadrelor didactice care predau la clasele din
domeniul Electronic i automatizri, calificarea: Electronist reele de Telecomunicaii, nivel
de calificare 2. Acesta a fost ntocmit pentru modulul Dispozitive electronice i acoper
dou teme din coninutul modulului. ntreg modulul este dezvoltat pe 116 ore din care 29
ore laborator tehnologic i 58 ore instruire practic
Tema
1
Tema1.
Competene/
rezultate ale nvrii
2
C1.Identific
Tranzistoare dispozitivele
bipolare
Fie suport
3
Fia 1.1. Structura i simbolul tranzistorului bipolar
Fia 1.2. Funcionarea tranzistorului bipolar
electronice discrete
C2.Selecteaz dispo-
zitivele electronice
discrete
C3. Determin
funcionalitatea
dispozitivelor
bipolar
Fia 1.5. Regimurile de funcionare ale tranzis-
electronice discrete
torului bipolar
C4. Verific
funcionalitatea
bipolar
Fia 1.7. Caracteristicile statice ale tranzistorului
dispozitivelor
electronice discrete
bipolar
Fia 1.8. Caracteristicile statice ale tranzistorului n
conexiunea emitor comun
Fia 1.9. Caracteristicile statice ale tranzistorului n
electronice discrete
nalitatea dispozitivelor
aparate de msura
electronice discrete
Tema 2
Tiristorul
C1. Identific
dispozitivele
tiristorului
electronice discrete
C3. Determin
funcionalitatea
dispozitivelor
electronice discrete
C2. Selecteaz
dispozitivele
electronice discrete
C4. Verific
funcionalitatea
dispozitivelor electronice discrete
III.Resurse
Tema 1. Tranzistoare bipolare
Fia suport 1.1. Structura i simbolul tranzistorului bipolar
Competena C1.Identific dispozitivele electronice discrete
B
E
E
Fig. 1.2 Simbolul tranzistorului pnp i npn
n
C
B
Fig. 1.1 Tranzistor tip pnp i npn
Din cauza deosebirilor structurale, emitorul i colectorul nu i pot inversa rolurile dei
au acelai tip de conductibilitate.
Pentru a-l feri de ageni externi, monocristalul n care s-a implantat tranzistorul va fi
introdus ntr-o capsul ermetic, terminalele E,B,C fiind accesibile prin electrozi sudai pe
regiunea respectiv.
Aspectul fizic al tranzistoarelor i marcajul nscris pe capsul va fi analizat pentru diferite
tipuri de tranzistoare, clasificate n funcie de materialul semiconductor, puterea maxim
disipat sau factorul de amplificare.
Sugestii metodologice
Pentru a fixa cunotinele noi n ce privete structura, elevii pot rezolva probleme cu teme
ca gradul de dopare i identificarea regiunilor tranzistorului.
Identificarea tranzistoarelor dup aspect fizic i marcaj poate fi dezvoltat pe parcursul
orelor de instruire practic ale modulului.
10
CU CE ?
CUM ?
Fie de lucru
- Laboratorul de electronic
PENTRU CE?
test
Mijloace de evaluare fie de lucru
chestionare
11
Baza este foarte ngust i slab dopat i ca urmare are un numr mai mic de purttori,
respectiv un numr mic de sarcini negative disponibile pentru recombinarea cu numrul
mare de sarcini pozitive venite din emitor. Sarcinile relativ puine care s-au recombinat
prsesc baza prin terminalul B formnd curentul de baz
de valoare mic.
Majoritatea sarcinilor pozitive care circul dinspre emitor ctre baz nu se recombin i
sunt atrai prin jonciunea BC invers polarizat, de tensiunea de alimentare a colectorului.
Astfel se formeaz curentul de colector
. Curenii
0.
12
(1)
Cea mai mare parte a purttorilor de sarcin din emitor ajung in colector, de aceea curentul
de colector are valoare mult mai mare dect curentul din baz ceea ce este exprimat prin
Ecuaia a II-a a tranzistorului.
=*
(2)
Cu = ( 0.95 0.998 )
Din ( 1 ) i ( 2 ) rezult
=*
i cu =
Dei jonciunea colector-baz este invers polarizat favorizeaz trecerea unui curent
de valoare mare, acest fenomen fiind denumit Efect de tranzistor
Acest aspect
Sugestii metodologice
Explicaiile privind funcionarea pot fi reluate pentru tranzistorul de tip npn
13
Folii transparente
Fi de lucru
Prezentare multimedia
- Expunerea
CUM ?
Metode de nvmnt
- Explicaia
- Problematizarea
UNDE ?
Sal de clas
Laborator tehnologic
PENTRU CE?
test
chestionare
14
Raportul dintre curentul continuu din colector Ic i curentul continuu din baz I B
este factorul de amplificare n curent din baz n colector.
=I C/IB
(1)
In fapt, este ctigul in c.c al tranzistorului i indic de cte ori este mai mare curentul
de colector IC fa de curentul de baz IB.
este o mrime static de c.c, iar valoarea acesteia pentru un tranzistor anume este
precizat n cataloagele de componente, fiind stabilit de productor (ntre 10 i 1000)
=IC/IE
(2)
De regul, are valori ntre 0,95 si 0,99 deci ntotdeauna este subunitar pentru c I C
este puin mai mic dect I E. Valoarea parametrului pentru un tranzistor anume este
dat n cataloagele de componente.
(3)
sau
= /1+ (4)
Depirea valorilor limit ale unor parametri poate provoca distrugerea tranzistorului,
acestea fiind:
- temperatura maxim a jonciunilor T0C
- puterea disipat maxim PDmax
- curentul de colector maxim ICmax
- tensiunea maxima UBemax , UCEmax
Temperatura maxim a jonciunilor este, pentru tranzistoarele de Ge de 85 C, iar
pentru tranzistoarele cu Si ntre 175-200 C
Nu se refer la temperatura mediului ambiant.
Puterea disipat maxim este determinat de condiia ca temperatura jonciunii
colector-baz s nu depaeasc temperatura maxim admis. De aceea se utilizeaz
radiatoare metalice montate pe colector pentru a mri suprafaa de radiaie a cldurii.
Curentul de colector maxim este valoarea maxim pe care o poate avea curentul de
colector fr a distruge tranzistorul prin efect termic.
Tensiunea maxim
emitor, UCEmax, pentru care tranzistorul nu este distrus, respectiv valoarea maxim a
tensiunii emitor baz UBEmax pentru care tranzistorul nu este distrus.
Valorile numerice ale parametrilor sunt precizate n cataloagele de componente
electronice pentru fiecare tranzistor.
Parametrii nu vor atinge simultan valorile limit deci este necesar s ne asigurm
c puterea disipat de tranzistor PD=IC*UCE este mai mic dect PDmax.
c) Dependena cu temperatura a parametrilor tranzistorului
Valoarea curentului rezidual colector-baz I cb0 se dubleaz la fiecare cretere a
temperaturii cu 9 C pentru tranzistoarele de Ge, respective la creterea cu 6 C pentru
tranzistoarele cu Si. Aceast mrire a curentului rezidual are drept consecin creterea
semnificativ a curentului de colector care poate depi curentul maxim ceea ce are
drept consecin distrugerea tranzistorului. De aceea n circuitul de polarizare a
tranzistorului se introduc elemente de circuit care s asigure stabilizarea termic a
curenilor tranzistorului astfel nct creterea temperaturii s nu influeneze regimul de
funcionare al tranzistorului.
16
- metode de nvmnt
expunerea
demonstraia
observaia dirijat
problematizarea
comparaia
observare
17
18
19
Sugestii metodologice.
Ulterior expunerii noiunilor se vor reprezenta mpreun cu elevii schemele electrice
corespunztoare modurilor de conexiune pentru tranzistoarele complementare pnp apoi
se vor indentifica mrimile electrice de intrare/ ieire pentru fiecare mod de conexiune n
parte. Activitatea poate s se desfoare pe grupe de elevi sau frontal .
CU CE ?
- folii transparente
- prezentare multimedia
- fi de lucru
CUM ?
UNDE ?
- laboratorul tehnologic.
PENTRU CE?
observare
teste
20
chestionare
21
cel al emitorului. Din cauza deosebirilor tehnologice (suprafa, grad de dopare) al celor
dou regiuni, factorul de amplificare n curent al tranzistorului este mult mai mic dect n
regim normal.
Se va consulta Fia 1.1 i Fia 1.2
identifice
regimul
de
funcionare
al
Sugestii metodologice.
Activitile descrise n fia suport pot s se desfoare i pe grupe, eventual ntr-o or de
laborator a modulului. La polarizarea jonciunii tranzistorului pot fi date exemple numerice
pentru tensiunile de polarizare
CU CE ? - folii transparente
- fie de lucru
CUM ?
teste
jonciunea EB i
indirect jonciunea CB. Pentru tranzistorul n conexiune emitor comun, ieirea se afl n
colector iar potenialul colectorului n raport cu masa este:
UC = EC IC RC
23
doi, respectiv stabilizarea termic a unui curent este echivalent cu stabilizarea termic a
celor trei cureni amintii.
Se va consulta fia 1.2
n acest circuit, potenialul bazei n raport cu masa este constant i egal cu tensiunea de
alimentare EB .
EB=UBE + IE RE = constant
O eventual cretere, a temperaturii va avea ca efect o tendin de cretere a curentului IE
ceea ce va determina scderea tensiunii UBE, conform ecuaiei prezentate.
Din analiza caracteristicilor de intrare ale conexiunii emitor comun (Fisa 1.8) rezult c o
scdere a UBE implic o scdere a curentului IB, deci i o scdere a curentului IC= IB i a
curentului IE= IB + IC
Scderea valorii curentului IE compenseaz tendina iniial de cretere a aceluiai curent,
astfel ca valorile curenilor prin tranzistor nu vor fi afectate de variaiile temperaturii i
aceasta datorit potenialului constant al bazei n raport cu masa i rezistenei din emitor.
Valoarea acestei rezistene, RE , va fi stabilit astfel nct s fac posibil stabilizarea
termic a curenilor.
Daca, ns, la utilizarea circuitului n regim de curent alternativ ar fi benefica micorarea
valorii rezistenei RE , se va aplica o soluie de compromis: conectarea unui condensator n
paralel cu rezistena RE.
polarizare
-
n terminalele tranzistorului
Sugestii metodologice
-materialul din aceast fi poate fi prezentat clasei pe parcursul a 3-4 ore de
predare
-pentru fiecare situaie, elevii ar putea rezolva exemple de calcul numerice
utiliznd formulele de calcul a potenialelor relevante pentru circuitul de
polarizare n raport cu masa circuitului.
CU CE? -fie de lucru
-folii transparente
CUM?
-metode de nvare-explicaie
-problematizare
-organizarea clasei-frontal/pe grupe
teme
chestionare
b) Caracteristicile de intrare
sau
intrare n funcie de tensiunea de intrare pentru valori date ale tensiunii de ieire a
tranzistorului.
I int f (U int ) pentru U int = constant
28
sau
Corelaia ntre curenii / tensiunile de intrare / ieire care definesc tranzistorul bipolar
i mrimile I C , I E , I B ,U BE ,U BC ,U CE se va face n funcie de modul de conexiune al
tranzistorului astfel c se vor enuna expresiile matematice ale celor trei categorii de
caracteristici pentru fiecare mod de conexiune n parte
- pe grupe / frontal
teste
29
chestionare
Se obine o familie de caracteristici, pentru diferite valori ale tensiunii U CE, constant pe
durata ridicrii unei caracteristici.
Se observ c valoarea tensiunii UCE influeneaz valoarea curentului I B si forma
caracteristicii.
31
32
identifice
zonele
caracteristicii
Sugestii metodologice
- ridicarea caracteristicilor statice poate fi realizat prin msurri electrice efectuate pe
schema de msurare prezentat n laboratorul de electronic la orele de laborator alocate
modulului, iar activitatea se poate desfura pe grupe de elevi; ridicarea caracteristicilor
poate fi realizat i prin simularea pe calculator a schemei de msurare, ntr-un proiect
CU CE? - fie de lucru
- dispozitive electronice discrete, echipamente de laborator
- programe de simulare pe calculator a circuitelor electronice
CUM? - metode de nvare explicaie
- demonstraie
- observare dirijat
- simulare
- organizarea clasei pe grupe
UNDE? - laboratorul de electronic
PENTRU CE?
chestionare
fi evaluare proiect
33
) pentru
=constant
34
=0(respectiv
<0 i
>0, tranzistorul
>0 i
>0.Se observ
) pentru
=constant
sau
35
=f(
) pentru
=constant
ntruct Ic este practic egal cu I E prima caracteristic de transfer are aceeai form cu
caracteristicile de intrare ale tranzistorului n aceast conexiune.
i cea de-a a doua caracteristic indic faptul c
rezidual baz-colector
identifice
zonele
caracteristicii
Sugestii metodologice
- ridicarea caracteristicilor statice poate fi realizat prin msurri electrice efectuate pe
schema de msurare prezentat n fi n laboratorul de electronic
- ridicarea caracteristicilor poate fi realizat prin simularea pe calculator a schemei de
msurare
- activitatea se poate desfura pe grupe de elevi
CU CE? - fie de lucru
- aparate de msur
- surse de alimentare
- dispozitive electronice discrete
- programe de simulare pe calculator a circuitelor electronice
CUM? - metode de nvare - explicaie
- lucrare practic
- demonstraie
- observaie dirijat
- simulare
- organizarea clasei - pe grupe
UNDE? laboratorul de electronic
PENTRU CE?
- observare
- prob practic de laborator
- proiect
-
chestionare
fi evaluare proiect
curentul de ieire, tensiunea de ieire, curentul de intrare (Iies, Uies, Iin), sau
38
analizat
- se marcheaz un punct n planul caracteristicilor de ieire ale tranzistorului
se alege poziia PSF n planul caracteristicilor de ieire astfel nct tranzistorul s fie
n regim normal activ
Sugestii metodologice
- activitatea poate s se desfoare i pe parcursul orelor de laborator, unde pot
fi analizate mai multe exemple de circuite de polarizare n vederea determinrii
PSF
CU CE?
- fie de lucru
- folii transparente
- panouri didactice cu circuite de polarizare tranzistor
CUM?
UNDE?
- laboratorul de electronic
PENTRU CE?
40
chestionare
42
Poziionai PSF pe care l-ai calculat pentru acest circuit n fia 1.10 pe dreapta de
sarcin reprezentat.
Sugestii metodologice
-
CU CE ? CUM ?
Fie de lucru
UNDE ?
PENTRU CE?
- laboratorul de electronic
- Metode de evaluare conversaie dirijat
- observare
43
- proiect
-
chestionare
fi evaluare proiect
Dac tranzistorul este conectat corect ( respectiv emitorul E la borna + a ohmetrului, iar C
la borna ), se va produce efectul de tranzistor i ohmetrul va nregistra o rezisten, de
valoare mic. Dac tranzistorul nu este conectat corect ( E la borna - i C la borna + ),
efectul de tranzistor nu se va produce i ohmetrul indic o rezisten infinit.
45
Sugestii metodologice :
Materialul poate fi utilizat pentru pregtirea unei ore de instruire practic din cele
alocate modulului.
CU CE? - Dispozitive electronice discrete
-
Fie de lucru
Aparate de msur
fi evaluare proiect
Tema 2: Tiristorul
Fisa suport 2.1. Structura i funcionarea tiristorului
Competena: C1. Identific dispozitivele electronice discrete
Competena:C3. Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor format din patru regiuni complementare de
tip p i n care formeaz trei jonciuni. Tiristorul dispune de trei electrozi numii anod (A),
catod (C) i poart sau gril (G)
46
47
Tensiunea anod-catod UA trebuie s fie pozitiv i mai mare dect pragul. Numai peste
aceast valoare de prag a tensiunii U A, impulsul pozitiv aplicat pe poart va debloca
tiristorul (daca T1 e blocat, n zadar este deblocat T2 ).
Tiristorul odat intrat n conducie nu mai poate fi controlat prin poart. Dac, ulterior intrrii
n conducie polarizarea porii este absenta (U G=0), tiristorul rmne n conducie.
4) blocarea unui tiristor aflat in stare de conducie se poate realiza prin ntreruperea
curentului de anod.
Sugestii metodologice
-
UNDE?
PENTRU CE?
observare
Tema 2. Tiristorul
Fia suport 2.2 Caracteristica static a tiristorului
Competena C4. Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete
50
nepolarizat
Existena unei valori de prag pentru tensiunea anod catod
Sugestii metodologice:
Cadrul didactic poate efectua lucrarea de laborator cu tema ridicarea
caracteristicii statice fr a insista asupra interpretrii teoretice a formei
caracteristicii
CU CE?
-
Fie de lucru
Folii transparente
Dispozitive electronice discrete
Aparate de msur
Metode de nvmnt
- explicaia
- demonstraia
Organizarea clasei
- frontal/ pe grupe
CUM?
UNDE?
-
Sala de clas
Laboratorul de electronic
PENTRU CE?
Tema 2 : Tiristorul
Fia suport 2.3. Parametrii tiristorului
Competena C2 : Selecteaz dispozitivele electronice discrete.
Parametrii tiristorului caracterizeaz regimurile de funcionare ale acestuia i au fost
menionai n acest sens la analiza modului de funcionare i a caracteristicii statice.
Se va studia fia 2.1. i fia 2.3.
Tensiunea direct de ntoarcere Umax este tensiunea la care tiristorul intr n
conducie n condiiile n care poarta este nepolarizat.
Curentul de meninere IAO este valoarea curentului anodic sub care tiristorul comut
din regiunea de conducie direct n cea de blocare direct. Aceast exprimare se refer la
53
faptul c tensiunea anod - catod este pozitiv (U A > 0 ), deci tiristorul este direct polarizat
cnd are loc comutaia.
Tensiunea invers de strpungere Ustr reprezint valoarea tensiunii inverse ntre
anod i catod la care dispozitivul ptrunde n regiunea de strpungere i ncepe s
conduc necontrolat (similar diodei cu jonciune pn)
Curentul de poart de amorsare IGO este valoarea curentului de poart necesar
pentru ca tiristorul s comute din regiunea de blocare direct n cea de conducie direct,
ceea ce presupune valori pozitive pentru tensiunea anod catod, U A > 0.
Timpul de amorsare ta intervalul de timp necesar dispozitivului s treac din starea
de blocare direct n starea de conducie direct dup aplicarea impulsului de amorsare pe
poart.
Timp de dezamorsare td intervalul de timp necesar dispozitivului s treac din
starea de conducie direct n starea de blocare direct dup ntreruperea curentului
anodic.
laborator
CU CE ? - fie de lucru
- dispozitive electronice discrete
- cataloage de componente
CUM ? - metode de nvmnt - explicaia
- demonstraia
- observaia dirijat
- comparaia
- organizarea clasei pe grupe
UNDE ? laboratorul de electronic
PENTRU CE?
Mijloace de evaluare
fie de lucru
- fie tehnologice tiristor
Competene
care trebuie
dobndite
Evaluare
Activiti efectuate i
comentarii
Data
activitii
Activitate1
Caracteristica de
55
Bine
Satisfctor
Refacere
Prioriti de dezvoltare
Resurse necesare
56
Partea inferioar a fiei este conceput pentru a meniona activitile pe care elevul trebuie
s le efectueze n perioada urmtoare ca parte a viitoarelor module. Aceste informaii ar
trebui s permit profesorilor implicai s pregteasc elevul pentru ceea ce va urma.
Resurse necesare
Aici se pot nscrie orice fel de resurse speciale solicitate:manuale tehnice, reete, seturi de
instruciuni i orice fel de fie de lucru care ar putea reprezenta o surs de informare
suplimentar pentru un elev care nu a dobndit competenele cerute.
V. Bibliografie
Dnil Theodor, Ionescu Vaida Monica. (1990). Componente i circuite electronice,
manual pentru clasa a XI a, Bucureti, Editura didactic i pedagogic
Sabin Ionel. (2008). Dispozitive i circuite electronice, Timioara, Editura Politehnica.
Floyd L. Thomas. (2003). Dispozitive electronice, Bucureti, Editura Teora.
Pun Rusalin Lucian. (2005). Msurri electrice i electronice, manual auxiliar pentru clasa
a XI-a, Timioara., Editura Politehnica
Drgulnescu Nicolae. (1989). Agenda Radioelectronistului, ediia a II-a, Bucureti, Editura
Tehnic.
Jinga Ioan, Istrate Elena. (1998). Manual de pedagogie, Bucureti, Editura All.
Niculescu Rodica Mariana.(1996). Pedagogie general, Bucureti, Editura Scorpion.
57
58